本發(fā)明涉及一種根據(jù)權(quán)利要求1前序部分所述的方法。

背景技術(shù)：

由wo2015/120939a1公知這種方法。如果期望在微機械構(gòu)件的空穴中有確定的內(nèi)壓，或者在空穴中應(yīng)包含具有確定的化學(xué)組分的氣體混合物，則通常在封裝微機械構(gòu)件時或者在襯底晶片與罩晶片之間的鍵合過程中調(diào)節(jié)內(nèi)壓或化學(xué)組分。在封裝時例如將罩與襯底連接，由此罩與襯底共同包圍空穴。通過調(diào)節(jié)在封裝時在周圍環(huán)境中存在的氣體混合物的大氣或壓力和/或化學(xué)組分，可以因此調(diào)節(jié)在空穴中的確定的內(nèi)壓和/或確定的化學(xué)組分。

通過由wo2015/120939a1已知的方法可以有針對性地調(diào)節(jié)在微機械構(gòu)件的空穴中的內(nèi)壓。通過該方法尤其可能的是，制造具有第一空穴的微機械構(gòu)件，其中，在第一空穴中可以調(diào)節(jié)第一壓力和第一化學(xué)組分，該第一壓力或第一化學(xué)組分不同于在封裝時刻的第二壓力和第二化學(xué)組分。

在根據(jù)wo2015/120939a1的用于有針對性地調(diào)節(jié)微機械構(gòu)件的空穴中的內(nèi)壓的方法中，在罩中或者說在罩晶片中或在襯底中或者說在傳感器晶片中產(chǎn)生到空穴的窄的進入通道。接著以所期望的氣體和所期望的內(nèi)壓通過進入通道充滿空穴。最后借助激光器局部地加熱圍繞進入通道的區(qū)域，襯底材料局部液化并且在固化時密封地封閉進入通道。

旋轉(zhuǎn)速度傳感器的品質(zhì)極其敏感地取決于空穴內(nèi)部壓力。此外，對于旋轉(zhuǎn)速度傳感器的高偏離性能而言，在它的使用壽命中必需有盡可能穩(wěn)定的品質(zhì)，因為品質(zhì)與在補償時注入到補償參數(shù)中的數(shù)值的偏差導(dǎo)致旋轉(zhuǎn)速度傳感器的偏離。為了達到旋轉(zhuǎn)速度傳感器的使用壽命中盡可能高并且穩(wěn)定的品質(zhì)，因此必要的是，在旋轉(zhuǎn)速度傳感器的使用壽命中使旋轉(zhuǎn)速度傳感器空穴的內(nèi)部壓力穩(wěn)定或者說保持恒定。在具有高品質(zhì)(即低空穴內(nèi)部壓力)的旋轉(zhuǎn)速度傳感器中，經(jīng)常要在ht貯存后(具有相對較高溫度的貯存時間間隔)觀察內(nèi)部壓力的升高，該內(nèi)部壓力的升高例如通過氣體析出或者說通過氣體擴散到空穴中來產(chǎn)生。

用于有針對性地調(diào)節(jié)微機械構(gòu)件的空穴中的內(nèi)部壓力的其他方法由us8,546,928b2、us2015/0158720a1和us8,513,747b1公知。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的任務(wù)是，以相對于現(xiàn)有技術(shù)簡單并且成本有利的方式提供一種用于制造相對于現(xiàn)有技術(shù)機械牢固的以及具有長使用壽命的微機械構(gòu)件的方法。此外，本發(fā)明的任務(wù)是，提供一種相對于現(xiàn)有技術(shù)緊湊的、機械牢固的并且具有長使用壽命的微機械構(gòu)件。根據(jù)本發(fā)明，這尤其適用于具有(第一)空穴的微機械構(gòu)件。通過根據(jù)本發(fā)明的方法和根據(jù)本發(fā)明的微機械構(gòu)件也還能夠?qū)崿F(xiàn)這樣的微機械構(gòu)件，在該微機械構(gòu)件中，在第一空穴中可以設(shè)定第一壓力和第一化學(xué)組分，并且在第二空穴中可以設(shè)定第二壓力和第二化學(xué)組分。例如設(shè)置這樣的用于制造微機械構(gòu)件的方法，對于該微機械構(gòu)件有利的是，在第一空穴中包含第一壓力，并且在第二空穴中包含第二壓力，其中，第一壓力應(yīng)不同于第二壓力。例如當(dāng)用于轉(zhuǎn)速測量的第一傳感器單元和用于加速度測量的第二傳感器單元應(yīng)集成到一個微機械構(gòu)件中時是這種情況。在此，例如第一空穴和第二空穴僅通過鍵合隔片相互分開。本發(fā)明的任務(wù)尤其是，實現(xiàn)微機械構(gòu)件在使用壽命中的高品質(zhì)。

該任務(wù)由此來解決，即，在第四方法步驟中，用于繼續(xù)調(diào)節(jié)第一壓力和/或第一化學(xué)組分的吸氣劑材料在襯底的面向第一空穴的第一表面上和/或在罩的面向第一空穴的第二表面上沉積或者生長。

由此，以簡單且成本有利的方式提供一種用于制造微機械構(gòu)件的方法，尤其當(dāng)?shù)谝豢昭ㄊ切D(zhuǎn)速度傳感器空穴時，通過該微機械構(gòu)件可以使第一空穴中的第一壓力在使用壽命中基本上保持恒定或者說穩(wěn)定，或者說通過該微機械構(gòu)件可以在暫時調(diào)節(jié)第一壓力后進一步降低第一壓力。這例如由此實現(xiàn)，即，在使用壽命中從空穴內(nèi)部的材料中析出的、或者通過例如穿過襯底或者穿過罩或者穿過第一空穴和第二空穴之間的鍵合框或鍵合隔片的氣體擴散而到達第一空穴中的少量氣體通過吸氣劑材料或者說通過附加地引入到空穴中的材料來約束。

根據(jù)本發(fā)明的方法的另一個優(yōu)點是，基于第一方法步驟、第二方法步驟和第三方法步驟的實施，只有少量氣體必須被吸氣劑材料接收，從而所使用的材料或者說吸氣劑材料的接收能力相比于現(xiàn)有技術(shù)可以是小的。換言之，這尤其通過以下實現(xiàn)，即，第一空穴的初始內(nèi)部壓力在第一、第二和第三方法步驟期間不通過吸氣劑材料來調(diào)節(jié)，而通過吸氣劑材料僅在使用壽命中吸收在空穴中附加出現(xiàn)的氣體量，以便以該方式使內(nèi)部壓力在使用壽命中穩(wěn)定。

就本發(fā)明而言，概念吸氣劑理解為用于盡可能長地保持真空的化學(xué)反應(yīng)材料。根據(jù)本發(fā)明設(shè)置，吸氣劑材料是吸氣劑的一部分或者說在第一空穴中布置有包括吸氣劑材料的吸氣劑。例如氣體分子在吸氣劑或者說吸氣劑材料的表面上與吸氣劑材料的原子直接進行化學(xué)結(jié)合。然而，替代地或者附加地也設(shè)置，氣體分子通過吸附作用固定在吸氣劑材料上。以該方式，氣體分子被“捕獲”在吸氣劑材料的表面內(nèi)或者表面上。就本發(fā)明而言，要區(qū)分活性吸氣劑和非活性吸氣劑，其中，活性吸氣劑相比于非活性吸氣劑具有更高的捕獲率。在此，捕獲率理解為例如每單位時間、例如每秒在吸氣劑材料的表面內(nèi)或者表面上捕獲的氣體分子數(shù)。此外，根據(jù)本發(fā)明要區(qū)分可逆吸氣劑和不可逆吸氣劑。在此，根據(jù)本發(fā)明，可逆吸氣劑包括至少部分或者說大部分可逆吸氣劑材料，并且不可逆吸氣劑包括至少部分或者說大部分不可逆吸氣劑材料。然而，根據(jù)本發(fā)明也設(shè)置，可逆吸氣劑和不可逆吸氣劑分別包括至少部分可逆吸氣劑材料和至少部分不可逆吸氣劑材料。根據(jù)本發(fā)明，可逆吸氣劑材料理解為這樣的材料，該吸氣劑材料在第一時刻或者說在第一持續(xù)時間期間將氣體分子基本捕獲或者說接收在該吸氣劑材料的表面內(nèi)或者表面上，并且在第二時刻或者說在第二持續(xù)時間期間已捕獲的氣體分子從吸氣劑材料的表面內(nèi)或者表面上基本再被釋放或者說被散發(fā)。根據(jù)本發(fā)明，“基本捕獲或者接收”例如如此理解，即，捕獲率大于散發(fā)率，或者說吸附率和吸收率的第一總和大于解吸率。根據(jù)本發(fā)明，“基本釋放或者散發(fā)”例如如此理解，即，捕獲率小于散發(fā)率，或者說第一總和小于解吸率。在此，吸附率理解為例如每單位時間、例如每秒在吸氣劑材料的表面上捕獲的氣體分子數(shù)。在此，吸收率理解為例如每單位時間、例如每秒在吸氣劑材料的表面內(nèi)或者說在吸氣劑材料的體積內(nèi)捕獲的氣體分子數(shù)。在此，散發(fā)率或者說解吸率理解為例如每單位時間、例如每秒從吸氣劑材料的表面內(nèi)或者表面上釋放或者說散發(fā)的氣體分子數(shù)。根據(jù)本發(fā)明，可逆吸氣劑基本上能夠再生或者說能夠置換到具有高吸收準備或者說吸附準備的初始狀態(tài)中。根據(jù)本發(fā)明，吸收準備或者說吸附準備理解為在存在相應(yīng)氣體分子的狀態(tài)下提供高吸收率或者說吸附率。

根據(jù)本發(fā)明，微粒理解為一個原子或者多個原子的集聚物，例如一分子或者多個分子。就本發(fā)明而言，微粒以氣態(tài)聚集態(tài)、液態(tài)聚集態(tài)或者固態(tài)聚集態(tài)存在或者說是氣相、液相或者固相的部分，并且包括至少一個相對于它的周圍環(huán)境的相界面。根據(jù)本發(fā)明，微粒尤其理解為在微機械構(gòu)件尺度中的小物體，即最大延伸尺度為微機械構(gòu)件的最大延伸尺度的1/10的物體。

就本發(fā)明而言，概念“微機械結(jié)構(gòu)”如此理解，即，該概念既包括微機械構(gòu)件也包括微電子機械構(gòu)件。

本發(fā)明優(yōu)選設(shè)置用于制造具有空穴的微機械構(gòu)件或者說用于具有空穴的微機械構(gòu)件。然而，本發(fā)明例如也設(shè)置用于具有兩個空穴或者具有超過兩個即三個、四個、五個、六個或者超過六個空穴的微機械構(gòu)件。

優(yōu)選地，通過借助于激光將能量或熱量引入到吸收該能量或熱量的襯底或罩的部分中來封閉進入開口。在此優(yōu)選將能量或熱量在時間上先后地分別引入到多個微機械構(gòu)件的襯底或罩的吸收部分中，這些微機械構(gòu)件例如在一個晶片上共同制造。但是替代地也設(shè)置為，將能量或熱量在時間上并行地引入到多個微機械構(gòu)件的襯底或罩的各個吸收部分中，例如在使用多個激光束或者說激光裝置的情況下。替代地，根據(jù)本發(fā)明也設(shè)置，進入開口借助氧化物再封裝方法或者說氧化物再封閉方法來封閉。在此，氧化物再密封方法或者說氧化物再封閉方法例如是替代于激光再封裝方法或者說激光再封閉方法的封閉方法，在該封閉方法中，空穴的附加開口通過在低環(huán)境壓力中生長的氧化物蓋來密封地封閉。

在從屬權(quán)利要求以及參照附圖的描述中可給出本發(fā)明的有利構(gòu)型和擴展方案。

根據(jù)優(yōu)選擴展方案設(shè)置，罩與襯底包圍第二空穴，其中，在第二空穴中存在第二壓力并且包含具有第二化學(xué)組分的第二氣體混合物。

根據(jù)優(yōu)選擴展方案設(shè)置，在第四方法步驟中，用于提供鍵合框的吸氣劑材料在襯底上以及/或者在罩上沉積或者生長。由此有利地實現(xiàn)，同樣的材料既可以用于吸氣劑，也可以用于鍵合框。由此有利地實現(xiàn)，為了將吸氣劑材料引入到第一空穴中不必設(shè)置附加的工藝步驟。此外，由此有利地實現(xiàn)，吸氣劑材料的沉積能夠簡單并且成本有利地集成到已存在的制造方法中。

根據(jù)優(yōu)選擴展方案設(shè)置，在時間上于第三方法步驟之前實施第四方法步驟。由此有利地實現(xiàn)，吸氣劑材料可以在時間上在封閉進入開口之前在襯底的第一表面上和/或在罩的第一表面上沉積。

根據(jù)優(yōu)選擴展方案設(shè)置，在第五方法步驟中，用于提供鍵合框的另一材料在襯底上和/或在罩上沉積或者生長。由此有利地實現(xiàn)，吸氣劑材料可以在時間上在該另一材料之后在襯底上和/或在罩上沉積。由此有利地實現(xiàn)，吸氣劑材料可以全面地在襯底上和/或在罩上沉積，并且無需對吸氣劑材料進行進一步結(jié)構(gòu)化。

根據(jù)優(yōu)選擴展方案設(shè)置，在第六方法步驟中，吸氣劑材料或者所述另一材料被結(jié)構(gòu)化。由此有利地實現(xiàn)，吸氣劑材料或者另一材料可以用于構(gòu)造鍵合框。此外，由此有利地實現(xiàn)，吸氣劑材料的結(jié)構(gòu)化能夠簡單并且成本有利地集成到已存在的制造方法中。

根據(jù)優(yōu)選擴展方案設(shè)置，在時間上在第五方法步驟之后實施第四方法步驟。由此有利地實現(xiàn)，吸氣劑材料可以在時間上在另一材料之后在襯底上或在罩上沉積或者生長。由此有利地實現(xiàn)，吸氣劑材料可以全面地在面向第一空穴的表面上沉積或者生長。由此能夠以有利的方式節(jié)省另一個用于結(jié)構(gòu)化的光刻步驟。

根據(jù)優(yōu)選擴展方案設(shè)置，如此實施第二方法步驟和/或第三方法步驟，使得周圍環(huán)境和/或第一空穴在第二方法步驟期間和/或在第三方法步驟期間具有200℃與500℃之間的溫度、尤其是300℃與400℃之間的溫度。由此有利地實現(xiàn)，在溫度在200℃與500℃之間的情況下、尤其在溫度在300℃與400℃之間的情況下可再生的吸氣劑材料可以被使用在根據(jù)本發(fā)明的方法中。

根據(jù)優(yōu)選擴展方案設(shè)置，在第七方法步驟中，至少部分地包括第一表面或者第二表面的缺口被蝕刻或者被挖掘到襯底中或者罩中。根據(jù)優(yōu)選擴展方案設(shè)置，第七方法步驟要么在時間上在第四方法步驟之后并且在時間上在第六方法步驟之前實施，要么在時間上在第五方法步驟之后并且在時間上于第四方法步驟之前實施。

本發(fā)明的另一主題是具有襯底和與襯底連接并且與襯底包圍第一空穴的罩的微機械構(gòu)件，其中，在第一空穴中存在第一壓力并且包含具有第一化學(xué)組分的第一氣體混合物，其中，襯底或罩包括封閉的進入開口，其中，在第一空穴中，用于繼續(xù)調(diào)節(jié)第一壓力和/或第一化學(xué)組分的吸氣劑材料在襯底的面向第一空穴的第一表面上和/或在罩的面向第一空穴的第二表面上布置。由此以有利的方式提供緊湊的、機械牢固的并且成本有利的具有設(shè)定的第一壓力的微機械構(gòu)件。根據(jù)本發(fā)明的方法的所述優(yōu)點相應(yīng)地也適用于根據(jù)本發(fā)明的微機械構(gòu)件。

根據(jù)優(yōu)選擴展方案設(shè)置，吸氣劑材料包括鍺。由此，提供能夠特別好地集成到已存在的制造工藝中的具有材料的吸氣劑或者說吸氣劑材料。

根據(jù)優(yōu)選擴展方案設(shè)置，襯底和/或罩包括硅。由此有利地實現(xiàn)，微機械構(gòu)件能夠通過由現(xiàn)有技術(shù)公知的涂層技術(shù)制造方法來制造。

根據(jù)優(yōu)選擴展方案設(shè)置，吸氣劑材料包括傳感器工藝的標準材料。例如該標準材料包括鋁和/或鈦和/或鍺。通過使用傳感器工藝的標準材料可以例如以有利的方式取消附加的工藝層級，并且材料或者說吸氣劑材料不必像在標準吸氣劑工藝中那樣借助成本高昂的陰影掩膜或者剝離(lift-off)工藝來結(jié)構(gòu)化。

根據(jù)優(yōu)選擴展方案設(shè)置，吸氣劑材料不包括典型的高性能的吸氣劑材料。典型的高性能吸氣劑材料例如包括鋯。由此提供相對于現(xiàn)有技術(shù)特別成本有利并且簡單的替代方案。

根據(jù)優(yōu)選擴展方案設(shè)置，吸氣劑材料能夠在溫度為200℃與500℃之間的情況下、尤其在溫度為300℃與400℃之間的情況下再生。由此有利地實現(xiàn)，吸氣劑材料能夠在第二和第三方法步驟期間再生，從而能夠在第一空穴中調(diào)節(jié)特別小的第一壓力。

根據(jù)優(yōu)選擴展方案設(shè)置，罩和襯底包圍第二空穴，其中，在第二空穴中存在第二壓力并且包含具有第二化學(xué)組分的第二氣體混合物。由此以有利的方式提供具有設(shè)定的第一壓力和第二壓力的緊湊的、機械牢固的且成本有利的微機械構(gòu)件。

根據(jù)優(yōu)選擴展方案設(shè)置，第一壓力小于第二壓力，其中，在第一空穴中布置有用于旋轉(zhuǎn)速度測量的第一傳感器單元，并且在第二空穴中布置有用于加速度測量的第二傳感器單元。由此以有利的方式提供機械牢固的用于測量轉(zhuǎn)速和測量加速度的微機械構(gòu)件，該微機械構(gòu)件不僅對于第一傳感器單元而且對于第二傳感器單元具有優(yōu)化的運行條件。

附圖說明

圖1以示意性視圖示出根據(jù)本發(fā)明的示例實施方式的具有敞開的進入開口的微機械構(gòu)件。

圖2以示意性視圖示出根據(jù)圖1的具有封閉的進入開口的微機械構(gòu)件。

圖3以示意性視圖示出根據(jù)本發(fā)明的示例實施方式的用于制造微機械構(gòu)件的方法。

圖4示出根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施方式的微機械構(gòu)件的示意性視圖。

圖5示出根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實施方式的微機械構(gòu)件的示意性視圖。

具體實施方式

在不同的附圖中相同的部件總是設(shè)置有相同的參考標記，并因此通常也分別只命名或提及一次。

在圖1和圖2中示出根據(jù)本發(fā)明的示例實施方式的微機械構(gòu)件1的示意性視圖，該微機械構(gòu)件在圖1中具有敞開的進入開口11并且在圖2中具有封閉的進入開口11。在此微機械構(gòu)件1包括襯底3和罩7。襯底3和罩7相互間優(yōu)選密封地連接并且共同包圍第一空穴5。微機械構(gòu)件1例如如此構(gòu)造，使得襯底3和罩7附加地共同包圍第二空穴。然而，第二空穴在圖1中和在圖2中未示出。

例如在第一空穴5中、尤其在如圖2中所示的進入開口11封閉的情況下存在第一壓力。此外，在第一空穴5中包含具有第一化學(xué)組分的第一氣體混合物。此外，例如在第二空穴中存在第二壓力，并且在第二空穴中包含具有第二化學(xué)組分的第二氣體混合物。優(yōu)選地，進入開口11布置在襯底3中或罩7中。在這里的本實施例中，進入開口11示例性地布置在罩7中。然而，根據(jù)本發(fā)明對此替代地也可以設(shè)置，進入開口11布置在襯底3中。

例如設(shè)置，第一空穴5中的第一壓力小于第二空穴中的第二壓力。例如也設(shè)置，在第一空穴5中布置有在圖1中和圖2中未示出的用于轉(zhuǎn)速測量的第一微機械傳感器單元，而在第二空穴中布置有在圖1和圖2中未示出的用于加速度測量的第二微機械傳感器單元。

在圖3中以示意性視圖示出根據(jù)本發(fā)明的示例實施方式的用于制造微機械構(gòu)件1的方法。在此，

-在第一方法步驟101中，在襯底3中或在罩7中構(gòu)造連接第一空穴5與微機械構(gòu)件1的周圍環(huán)境9的、尤其是狹長的進入開口11。圖1示例性地示出在第一方法步驟101之后的微機械構(gòu)件1。此外，

-在第二方法步驟102中，調(diào)節(jié)第一空穴5中的第一壓力和/或第一化學(xué)組分或者說使第一空穴5通過進入通道以所期望的氣體和所期望的內(nèi)壓力充滿。此外例如，

-在第三方法步驟103中，通過借助于激光將能量或熱量引入到襯底3的或罩7的吸收部分21中來封閉進入開口11。例如替代地也設(shè)置，

-在第三方法步驟103中，僅優(yōu)選通過激光局部加熱環(huán)繞進入通道的區(qū)域并且密封地封閉進入通道。因此有利地可能的是，根據(jù)本發(fā)明的方法也可設(shè)置其他不同于激光器的能量源來封閉進入開口11。圖2示例性地示出第三方法步驟103之后的微機械構(gòu)件1。

在時間上在第三方法步驟103之后，在圖2中示例性示出的橫向區(qū)域15中在罩7的背離空穴5的表面上以及在垂直于橫向區(qū)域15到微機械構(gòu)件1的表面上的投影、即沿著進入開口11并且向著第一空穴5的方向的深度中產(chǎn)生機械應(yīng)力。該機械應(yīng)力、尤其是局部的機械應(yīng)力尤其存在于罩7的在第三加工步驟103中過渡到液態(tài)聚集態(tài)并且在第三方法步驟103后過渡到固態(tài)聚集態(tài)并且封閉進入開口11的材料區(qū)域13與罩7的在第三方法步驟103中保持固態(tài)聚集態(tài)的剩余區(qū)域之間的界面上和界面附近。在此罩7的在圖2中封閉進入開口11的材料區(qū)域13尤其關(guān)于它的橫向的、尤其平行于表面延伸的延伸尺度或成形部而言并且尤其關(guān)于它的垂直于橫向延伸尺度、尤其垂直于表面延伸的大小或造型結(jié)構(gòu)而言僅視為示意性的或者說示意性地示出。

在圖4和圖5中以示意性視圖示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式和根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實施方式的微機械構(gòu)件。

例如在第四方法步驟中，在圖4和圖5中所示出的、用于繼續(xù)調(diào)節(jié)第一壓力和/或第一化學(xué)組分的吸氣劑材料701在襯底3的面向第一空穴5的第一表面上和/或在罩7的面向第一空穴5的第二表面上沉積或者生長。此外，例如附加地，在第四方法步驟中，用于提供鍵合框的吸氣劑材料701在襯底3上和/或在罩7上沉積或者生長。此外，例如替代地，在第五方法步驟中，用于提供鍵合框的另一材料在襯底3上和/或在罩7上沉積或者生長。

此外，例如設(shè)置，在第六方法步驟中，吸氣劑材料701或者另一材料被結(jié)構(gòu)化。例如吸氣劑材料701既為了繼續(xù)調(diào)節(jié)內(nèi)部壓力又為了提供鍵合框而沉積并且被結(jié)構(gòu)化。例如吸氣劑材料701和/或所述另一材料包括鍺(ge)，所述鍺為了鍵合過程例如在挖掘第一空穴5之前被施加到罩7上。在該情況下，根據(jù)本發(fā)明的作用相對簡單地通過鍺結(jié)構(gòu)化的布局設(shè)計來實現(xiàn)。這樣所制造的微機械構(gòu)件示例性地在圖4中示出。

替代地，例如也設(shè)置，在時間上在第五方法步驟之后實施第四方法步驟。換言之，例如材料或者說吸氣劑材料701在例如包括鍺的鍵合框或者說其他材料沉積之后、并且在挖掘第一空穴之后全面地在空穴內(nèi)側(cè)上或者說在襯底3的面向第一空穴5的第一表面上和/或在罩7的面向第一空穴5的第二表面上沉積。在此有利地，不需要另外的用于對吸氣劑材料701進行結(jié)構(gòu)化的光刻步驟。這樣所制造的微機械構(gòu)件示例性地在圖5中示出。

此外，例如也設(shè)置，如此實施第二方法步驟和/或第三方法步驟，使得周圍環(huán)境9和/或第一空穴5在第二方法步驟期間和/或在第三方法步驟期間具有200℃與500℃之間的溫度、尤其是300℃與400℃之間的溫度。換言之，進入開口11在溫度約為300℃到400℃的情況下發(fā)生封閉。

在圖4和圖5中示例性示出吸氣劑材料701的不同實施變型方案。例如根據(jù)本發(fā)明設(shè)置，吸氣劑材料701基本沿著垂直于進入開口11走向的第一平面構(gòu)造。替代地，例如根據(jù)本發(fā)明也設(shè)置，吸氣劑材料701基本沿著第一平面并且基本沿著平行于該第一平面走向的第二平面構(gòu)造。根據(jù)本發(fā)明例如也設(shè)置，吸氣劑材料701基本構(gòu)造在襯底3的面向第一空穴5的整個第一表面上和/或構(gòu)造在罩7的面向第一空穴5的整個第二表面上。最后例如也設(shè)置，進入開口11到第一平面上的第一投影和吸氣劑材料701到第一平面上的第二投影基本上不重疊。

圖4和圖5中所示的吸氣劑材料701的實施變型方案包括例如鍺面。例如設(shè)置，附加的鍺面在旋轉(zhuǎn)速度傳感器空穴中布置。根據(jù)本發(fā)明僅示例性地設(shè)置，吸氣劑材料701包括鍺，使得吸氣劑材料701例如也替代地或者附加地包括其他材料。根據(jù)本發(fā)明，尤其設(shè)置以下材料，這些材料在約300℃的高溫下解吸氣體，并且這些材料因此在接下來的冷卻中在空穴內(nèi)部壓力低的情況下保持吸收能力。根據(jù)本發(fā)明，尤其設(shè)置在由現(xiàn)有技術(shù)公知的傳感器工藝或者說傳感器的制造工藝中所使用的材料。由此，相對于在現(xiàn)有技術(shù)中所使用的吸氣劑提供了在成本和工藝復(fù)雜性方面的大的優(yōu)勢。