專利名稱：構(gòu)件的接合結(jié)構(gòu)及接合方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及構(gòu)件的接合結(jié)構(gòu)及接合方法，特別是涉及由納米粒子接合多個(gè)構(gòu)件的接合結(jié)構(gòu)及接合方法。
背景技術(shù)：
用以往的超小型電子機(jī)械系統(tǒng)用電的相互連接部的晶粒成長可以使導(dǎo)電性晶粒在MEMS(微電子機(jī)械系統(tǒng))裝置的第1層和第2層之間成長，從而使第1層和第2層電連接(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。
另外，在以往的構(gòu)件的接合結(jié)構(gòu)及接合方法中，使納米粒子介于多個(gè)構(gòu)件之間，從而使多個(gè)構(gòu)件接合。
專利文獻(xiàn)1特表2003-519378號(hào)公報(bào)(圖1)雖然用以往的超小型電子機(jī)械系統(tǒng)用電的相互連接部的晶粒成長(例如，參照專利文獻(xiàn)1)可以使微細(xì)的晶粒成長而使MEMS裝置的第1層和第2層電連接，但是對(duì)于一般的半導(dǎo)體元件和基板那樣接合的構(gòu)件彼此的接合來說，卻存在無論在結(jié)構(gòu)上還是在強(qiáng)度上都不適用的問題。
另外，在以往的構(gòu)件的接合結(jié)構(gòu)及接合方法中，一般在只將納米粒子作為粘接劑使用接合多個(gè)構(gòu)件時(shí)，存在納米粒子的接合強(qiáng)度不充分、多個(gè)構(gòu)件彼此的接合可靠性低的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供接合可靠性高、對(duì)接合的構(gòu)件損傷少的構(gòu)件的接合結(jié)構(gòu)及接合方法。
本發(fā)明的構(gòu)件的接合結(jié)構(gòu)，是由納米粒子接合多個(gè)構(gòu)件的接合結(jié)構(gòu)，在被接合的構(gòu)件中的至少1個(gè)或1個(gè)以上的構(gòu)件上設(shè)置保持納米粒子的受理層。
由于用熔融溫度低的納米粒子接合多個(gè)構(gòu)件，所以可以成為比較低溫度下的構(gòu)件的接合，對(duì)接合的構(gòu)件損傷就少。另外，由于在被接合的構(gòu)件中的至少1個(gè)或1個(gè)以上的構(gòu)件上設(shè)置有保持納米粒子的受理層，所以接合強(qiáng)度增高，還能夠進(jìn)行以往難以接合的構(gòu)件彼此的接合。
另外，本發(fā)明的構(gòu)件的接合結(jié)構(gòu)是，上述構(gòu)件是2個(gè)，在該2個(gè)構(gòu)件的兩方上設(shè)置有受理層。
由于在2個(gè)構(gòu)件的兩方上設(shè)置有受理層，所以例如只要在兩方的受理層上涂布納米粒子進(jìn)行接合，就可以進(jìn)一步提高構(gòu)件彼此接合的可靠性。
另外，本發(fā)明的構(gòu)件的接合結(jié)構(gòu)是由納米粒子接合多個(gè)構(gòu)件的接合結(jié)構(gòu)，被接合的構(gòu)件中的至少1個(gè)或1個(gè)以上的構(gòu)件自體成為保持納米粒子的受理層。
由于被接合的構(gòu)件中的至少1個(gè)或1個(gè)以上的構(gòu)件自體成為保持納米粒子的受理層，所以可以直接將納米粒子涂布在該構(gòu)件上而接合構(gòu)件，另外，還可以提高接合的可靠性。
另外，本發(fā)明的構(gòu)件的接合結(jié)構(gòu)是由納米粒子接合多個(gè)構(gòu)件的接合結(jié)構(gòu)，在被接合的構(gòu)件中的至少1個(gè)或1個(gè)以上的構(gòu)件的表面上形成有保持納米粒子的受理結(jié)構(gòu)。
由于在被接合的構(gòu)件中的至少1個(gè)或1個(gè)以上的構(gòu)件的表面上形成有保持納米粒子的受理結(jié)構(gòu)，所以與設(shè)置上述受理層的構(gòu)件的接合結(jié)構(gòu)同樣，接合強(qiáng)度增高。
另外，本發(fā)明的構(gòu)件的接合結(jié)構(gòu)，其上述受理結(jié)構(gòu)是使構(gòu)件的表面進(jìn)行化學(xué)的或物理的改性而形成的。
例如，只要使構(gòu)件的表面進(jìn)行化學(xué)的改性而導(dǎo)入親水基，就可以提高納米粒子的保持力，還可以提高構(gòu)件的接合強(qiáng)度。
另外，本發(fā)明的構(gòu)件的接合結(jié)構(gòu)是由納米粒子接合多個(gè)構(gòu)件的接合結(jié)構(gòu)，在被接合的構(gòu)件中的至少1個(gè)或1個(gè)以上的構(gòu)件上設(shè)置可以混合納米粒子的受理層。
由于用熔融溫度低的納米粒子接合多個(gè)構(gòu)件，所以可以成為比較低溫度下的構(gòu)件的接合，對(duì)接合的構(gòu)件損傷就少。另外，由于在被接合的構(gòu)件中的至少1個(gè)或1個(gè)以上的構(gòu)件上設(shè)置有可以混合納米粒子的受理層，所以接合強(qiáng)度增高，還能夠進(jìn)行以往難以接合的構(gòu)件彼此的接合。
另外，本發(fā)明的構(gòu)件的接合結(jié)構(gòu)，其上述納米粒子的一部分或全部可以互相熱粘接的。
例如，只要通過加熱使納米粒子的一部分或全部互相熱粘接，就可以實(shí)現(xiàn)接合強(qiáng)度高的接合結(jié)構(gòu)。
另外，本發(fā)明的構(gòu)件的接合結(jié)構(gòu)，其上述納米粒子含有金屬物質(zhì)。
只要使用含有金屬物質(zhì)的納米粒子進(jìn)行構(gòu)件的接合，接合強(qiáng)度就可以高，而且可以以低成本進(jìn)行構(gòu)件的接合。
另外，本發(fā)明的構(gòu)件的接合結(jié)構(gòu)，其上述納米粒子是金、銀或銅。
作為納米粒子，只要使用金、銀或銅進(jìn)行構(gòu)件的接合，接合強(qiáng)度就高。另外，由金、銀或銅構(gòu)成的納米粒子容易得到，可以實(shí)現(xiàn)低成本化。
另外，本發(fā)明的構(gòu)件的接合方法是由納米粒子接合多個(gè)構(gòu)件的接合方法，在被接合的構(gòu)件中的至少1個(gè)或1個(gè)以上的構(gòu)件上設(shè)置受理層，至少在1個(gè)受理層的表面上涂布納米粒子后，使多個(gè)構(gòu)件彼此對(duì)向并進(jìn)行加熱。
由于用熔融溫度低的納米粒子接合多個(gè)構(gòu)件，所以可以成為比較低溫度加熱的構(gòu)件的接合，對(duì)接合的構(gòu)件損傷就少。另外，由于在被接合的構(gòu)件中的至少1個(gè)受理層的表面上涂布納米粒子，所以接合強(qiáng)度增高，還能夠進(jìn)行以往難以接合的構(gòu)件彼此的接合。
另外，本發(fā)明的構(gòu)件的接合方法是，上述構(gòu)件是2個(gè)，在該2個(gè)構(gòu)件的兩方上設(shè)置受理層。
由于在2個(gè)構(gòu)件的兩方設(shè)置受理層，所以例如只要在兩方的受理層上涂布納米粒子而接合，就可以進(jìn)一步提高構(gòu)件彼此接合的可靠性。
另外，本發(fā)明的構(gòu)件的接合方法是由納米粒子接合多個(gè)構(gòu)件的接合方法，被接合的構(gòu)件中的至少1個(gè)或1個(gè)以上的構(gòu)件自體成為受理層，至少在1個(gè)構(gòu)件的表面上涂布納米粒子后，使多個(gè)構(gòu)件彼此對(duì)向并進(jìn)行加熱。
由于被接合的構(gòu)件中的至少1個(gè)或1個(gè)以上的構(gòu)件自體成為保持納米粒子的受理層，所以可以直接將納米粒子涂布在該構(gòu)件上使構(gòu)件接合，而且，還可以提高接合的可靠性。
另外，本發(fā)明的構(gòu)件的接合方法是由納米粒子接合多個(gè)構(gòu)件的接合方法，在被接合的構(gòu)件中的至少1個(gè)或1個(gè)以上的構(gòu)件的表面上形成受理結(jié)構(gòu)，至少在1個(gè)受理結(jié)構(gòu)上涂布納米粒子后，使多個(gè)構(gòu)件彼此對(duì)向并進(jìn)行加熱。
由于在被接合的構(gòu)件中的至少1個(gè)或1個(gè)以上的構(gòu)件的表面上形成保持納米粒子的受理結(jié)構(gòu)，所以與設(shè)置上述受理層的構(gòu)件的接合結(jié)構(gòu)同樣，接合強(qiáng)度增高。
另外，本發(fā)明的構(gòu)件的接合方法是使構(gòu)件的表面進(jìn)行化學(xué)的或物理的改性而形成上述受理結(jié)構(gòu)。
例如，只要使構(gòu)件的表面進(jìn)行化學(xué)的改性而導(dǎo)入親水基，就可以提高納米粒子的保持力，還可以提高構(gòu)件的接合強(qiáng)度。
另外，本發(fā)明的構(gòu)件的接合方法是由納米粒子接合多個(gè)構(gòu)件的接合方法，在被接合的構(gòu)件中的至少1個(gè)或1個(gè)以上的構(gòu)件上設(shè)置受理層，至少在1個(gè)受理層內(nèi)可以混合納米粒子，使多個(gè)構(gòu)件彼此對(duì)向并進(jìn)行加熱。
由于用熔融溫度低的納米粒子接合多個(gè)構(gòu)件，所以可以成為比較低溫度下的構(gòu)件的接合，對(duì)接合的構(gòu)件的損傷就少。另外，由于在被接合的構(gòu)件中的至少1個(gè)或1個(gè)以上的構(gòu)件上設(shè)置可以混合納米粒子的受理層，所以接合強(qiáng)度增高，還能夠進(jìn)行以往難以接合的構(gòu)件彼此的接合。
另外，本發(fā)明的構(gòu)件的接合方法，其中將上述納米粒子的一部分或全部可以互相熱粘接。
例如，只要通過加熱使納米粒子的一部分或全部互相熱粘接，就可以實(shí)現(xiàn)接合強(qiáng)度高的接合結(jié)構(gòu)。
另外，本發(fā)明的構(gòu)件的接合方法，其中上述納米粒子含有金屬物質(zhì)。
只要使用含有金屬物質(zhì)的納米粒子進(jìn)行構(gòu)件的接合，接合強(qiáng)度就可以高，另外可以以低成本進(jìn)行構(gòu)件的接合。
另外，本發(fā)明的構(gòu)件的接合方法，其中上述納米粒子是金、銀或銅。
作為納米粒子，只要使用金、銀或銅進(jìn)行構(gòu)件的接合，接合強(qiáng)度就高。另外，由金、銀或銅構(gòu)成的納米粒子得到容易，可以實(shí)現(xiàn)低成本化。
另外，本發(fā)明的構(gòu)件的接合方法是，上述納米粒子在進(jìn)行加熱前用彌散材料包覆的。
由于上述納米粒子在進(jìn)行加熱前用彌散材料包覆，所以可以在穩(wěn)定的狀態(tài)下將納米粒子涂布到受理層等上。
另外，本發(fā)明的構(gòu)件的接合方法是，在上述受理層的表面上以噴墨的方式涂布納米粒子的。
由于在受理層的表面上以噴墨的方式涂布納米粒子，所以可以均勻而且正確地涂布納米粒子。
另外，本發(fā)明的構(gòu)件的接合方法是，在上述受理層的表面上以印刷的方式涂布納米粒子的。
例如，只要在受理層的表面上以絲網(wǎng)印刷涂布納米粒子，就可以均勻而且正確地涂布納米粒子。
另外，本發(fā)明的構(gòu)件的接合方法是，在上述受理層的表面上以復(fù)制的方式涂布納米粒子的。
例如，只要在平板狀之物上載置納米粒子而進(jìn)行復(fù)制，就可以與噴墨的方式等同樣，均勻而且正確地涂布納米粒子。
另外，本發(fā)明的構(gòu)件的接合方法是，在上述受理層的表面上以滴下的方式涂布納米粒子的。
只要在受理層的表面上以滴下方式涂布納米粒子，與噴墨方式等相比，就可以以短的時(shí)間寬范圍地涂布納米粒子。
另外，本發(fā)明的構(gòu)件的接合方法是，在上述加熱時(shí)進(jìn)行加壓的。
只要與加熱的同時(shí)進(jìn)行加壓，就可以進(jìn)一步提高構(gòu)件的接合的可靠性。


圖1是表示實(shí)施方式1的構(gòu)件的接合方法的接合工序的縱剖面模式圖。
圖2是表示實(shí)施方式2的構(gòu)件的接合方法的接合工序的縱剖面模式圖。
圖3是表示適用本發(fā)明的實(shí)施方式3的構(gòu)件的接合結(jié)構(gòu)的制品的例的圖。
圖中，1-構(gòu)件，2-受理層，3-納米粒子，4-彌散材料，5-受理結(jié)構(gòu)，6-液晶面板，7-液晶具體實(shí)施方式
(實(shí)施方式1)
圖1是用本發(fā)明的實(shí)施方式1的構(gòu)件接合方法接合多個(gè)構(gòu)件時(shí)的接合工序的縱剖面模式圖。在圖1中，表示接合2個(gè)構(gòu)件的情況，但是例如也適用于在1個(gè)基板上接合多個(gè)半導(dǎo)體元件的情況等、接合3個(gè)或3個(gè)以上的構(gòu)件的情況。
首先，在2個(gè)構(gòu)件1的兩方上形成受理層2(圖1(a))。作為該構(gòu)件1可以考慮金屬、玻璃、合成樹脂、半導(dǎo)體等的幾乎所有的固體狀之物，成為本實(shí)施方式1的構(gòu)件的接合結(jié)構(gòu)及接合方法的對(duì)象。另外，在圖1中，構(gòu)件1是平板狀，但是也可以是不同的形狀。另外，2個(gè)構(gòu)件1也可以分別是不同的材料，在各自的上面也可以形成有配線等。
作為受理層2主要可以使用聚氨基酸、丙烯酸樹脂、氧化鋁水合物、碳酸鈣、碳酸鎂、合成微粒硅、滑石、高嶺土、硫酸鈣、硫酸鋇等，通過由機(jī)械的涂布和噴霧等形成。另外，在構(gòu)件1上形成受理層2之前，為了使構(gòu)件1和受理層2的密接力高，也可以使構(gòu)件1的表面變粗。
然后，在構(gòu)件1上形成的受理層2的兩方上涂布用彌散材料4包覆的納米粒子3(圖1(b))。作為該納米粒子3，例如可以使用直徑10nm左右的金屬物質(zhì)，特別是使用金、銀或銅的情況多。只要使用由這樣的金屬物質(zhì)構(gòu)成的納米粒子3接合多個(gè)構(gòu)件1，接合強(qiáng)度就高。另外，彌散材料4用于保護(hù)納米粒子3，在納米粒子3加熱前可以使納米粒子維持為穩(wěn)定的狀態(tài)。作為彌散材料4可以使用各種類的烴等。
用彌散材料4包覆的納米粒子3，例如可以與溶劑混合制成糊狀或油墨狀涂布到受理層2上。成為這樣的糊狀或油墨狀的納米粒子3例如可以通過噴墨方式、印刷方式、復(fù)制方式、滴下方式等涂布。這里，所謂噴墨方式是用噴墨頭噴出混合在溶劑中的納米粒子3而進(jìn)行涂布的方式。所謂印刷方式是用絲網(wǎng)印刷等印刷混合在溶劑中的納米粒子3而進(jìn)行涂布的方式。另外，所謂復(fù)制方式是通過將納米粒子載置復(fù)制在平板狀之物上而進(jìn)行涂布的方式。另外，在復(fù)制方式中，不一定要將納米粒子3混合在溶劑等中制成糊狀或油墨狀。另外，所謂滴下方式是用分配器等噴出混合在溶劑中的納米粒子3而進(jìn)行涂布的方式。
而且，在圖1(b)中，以互相接觸的形式使在受理層2上涂布納米粒子3的構(gòu)件1對(duì)向(圖1(c))。另外，在該狀態(tài)下，由于納米粒子3被彌散材料4保護(hù)，所以可以以穩(wěn)定的狀態(tài)保持在受理層2上。
然后，在圖1(c)中，使以互相接觸的形式對(duì)向的2個(gè)構(gòu)件1加熱(圖1(d))。通過使2個(gè)構(gòu)件1加熱，在受理層2上涂布的納米粒子3的一部分或全部互相熱粘接。另外，通過納米粒子3一部分熔融而也使納米粒子3和受理層2密接，2個(gè)構(gòu)件1就被接合。為了使納米粒子3相對(duì)于體積而表面積大、反應(yīng)性高，此時(shí)的加熱溫度例如可以是150～200℃左右的低溫。另外，圖1(d)表示納米粒子3以原來的形狀殘留的狀態(tài)，但是實(shí)際上納米粒子3的一部分或全部呈互相熱粘接而連接的狀態(tài)。
在該圖1(d)的工序中加熱構(gòu)件1時(shí)，通常大多數(shù)情況下包覆納米粒子3的彌散材料4的大部分會(huì)蒸發(fā)而失去。
另外，為了提高構(gòu)件1的接合強(qiáng)度，也可以在圖1(d)加熱的同時(shí)進(jìn)行加壓。另外，在圖1中，在2個(gè)構(gòu)件1的兩方上所設(shè)置的受理層2的兩方上都涂布了納米粒子3，但是也可以僅在單側(cè)的受理層2上涂布納米粒子3。
圖1中，構(gòu)件1是2個(gè)，表示了在2個(gè)構(gòu)件1的兩方上設(shè)置了受理層2的情況，但是接合多個(gè)構(gòu)件(例如3個(gè)或3個(gè)以上)時(shí)，也可以至少在1個(gè)或1個(gè)以上的構(gòu)件上設(shè)置受理層。
另外，被接合的多個(gè)構(gòu)件1中，也可以使至少1個(gè)或1個(gè)以上的構(gòu)件1的自體成為受理層2。這例如被接合的構(gòu)件1是由聚氨基酸構(gòu)成的情況下，該情況下就不必在被接合構(gòu)件1上再形成其它材料的受理層2。
另外，也可以在被接合構(gòu)件1中的至少1個(gè)或1個(gè)以上的構(gòu)件上設(shè)置可以混合納米粒子3的受理層2。該混合納米粒子3的受理層2，例如只要可以混合粉末的聚氨基酸和納米粒子、由涂布和噴霧形成就可以。該情況下，例如只要使受理層2彼此接觸、通過加熱能夠使構(gòu)件1接合就可以，就不必改變受理層2的表面而涂布納米粒子。
在本實(shí)施方式1中，由于用熔融溫度低的納米粒子接合多個(gè)構(gòu)件1，所以在比較低溫度下可以進(jìn)行構(gòu)件1的接合，對(duì)接合的構(gòu)件1的損傷就少。另外，由于在被接合的構(gòu)件1中的至少1個(gè)或1個(gè)以上的構(gòu)件1上設(shè)置有保持納米粒子3的受理層2，所以接合強(qiáng)度增高，還能夠進(jìn)行以往接合是困難的構(gòu)件1彼此的接合。
另外，只要在2個(gè)構(gòu)件1的兩方上設(shè)置受理層2，以在兩方的受理層2上涂布納米粒子而接合，就可以進(jìn)一步提高構(gòu)件1彼此接合的可靠性。
進(jìn)而，只要使被接合的多個(gè)構(gòu)件1中的至少1個(gè)或1個(gè)以上的構(gòu)件1自體成為受理層2，或者在被接合的構(gòu)件1中的至少1個(gè)或1個(gè)以上的構(gòu)件上設(shè)置可以混合納米粒子3的受理層2，就可以得到與上述接合結(jié)構(gòu)同樣的效果。
(實(shí)施方式2)圖2是表示用本發(fā)明實(shí)施方式2的構(gòu)件的接合方法接合多個(gè)構(gòu)件時(shí)的接合工序的縱剖面模式圖。在實(shí)施方式2中，由在構(gòu)件1的表面上形成保持納米粒子3的受理結(jié)構(gòu)5代替實(shí)施方式1的受理層2。在本實(shí)施方式2中，用圖2(a)及圖2(b)置換實(shí)施方式1的圖1(a)及圖1(b)，其后的接合工序與圖1(c)及圖1(d)是同樣的。另外，其它各點(diǎn)與實(shí)施方式1是同樣的，相同的部分與實(shí)施方式1賦予相同的符號(hào)而進(jìn)行說明。
首先，在2個(gè)構(gòu)件1的兩方上形成受理結(jié)構(gòu)5(圖2(a))。作為該構(gòu)件1，與實(shí)施例1同樣，可以考慮金屬、玻璃、合成樹脂、半導(dǎo)體等的幾乎所有的固體狀之物。另外，在圖2中，構(gòu)件1是平板狀，但是也可以是不同的形狀。另外，2個(gè)構(gòu)件1也可以分別是不同的材料，在各自的上面也可以形成有配線。另外，與實(shí)施方式1同樣，也可以在被接合的多個(gè)構(gòu)件1中的至少1個(gè)或1個(gè)以上的構(gòu)件1上形成受理結(jié)構(gòu)5。
該受理結(jié)構(gòu)5只要能夠提高糊狀或油墨狀的混合納米粒子3的溶劑等的濕潤性哪一種都行，例如，可以使構(gòu)件1的表面進(jìn)行化學(xué)的或物理的改性而形成。作為使構(gòu)件1的表面進(jìn)行化學(xué)的改性的方法，例如可以考慮通過氧化方法和羥化方法在構(gòu)件1的表面上導(dǎo)入親水基的方法。另外，也可以涂布偶合劑等。另外，作為使構(gòu)件1的表面進(jìn)行物理的改性的方法，例如可以考慮通過機(jī)械研磨、化學(xué)研磨等增加構(gòu)件1的表面粗糙度或者通過照射電子束和光增加構(gòu)件1的表面能的方法。
另外，既可以用真空鍍膜、濺射等方法在構(gòu)件1的表面上附著有機(jī)物和無機(jī)物制成受理結(jié)構(gòu)5，也可以通過由非電解法和電解法的鍍敷形成受理結(jié)構(gòu)5。用于這些受理結(jié)構(gòu)5的物質(zhì)只要是能夠提高上述的溶劑等的濕潤性的任一種都可以。
而且，與實(shí)施方式1同樣，在形成構(gòu)件1的受理結(jié)構(gòu)5的兩方上涂布用彌散材料4包覆的納米粒子3(圖2(b)。其后的接合工序與實(shí)施例1的圖1(c)及圖1(d)相同。
在本實(shí)施方式2中，由于在被接合的構(gòu)件1中的至少1個(gè)或1個(gè)以上的構(gòu)件的表面上形成可以保持納米粒子的受理結(jié)構(gòu)5，所以與實(shí)施方式1的設(shè)置受理層2的構(gòu)件1的接合結(jié)構(gòu)同樣，接合強(qiáng)度增高。
(實(shí)施方式3)圖3是表示適用了本發(fā)明的實(shí)施方式3的構(gòu)件的接合結(jié)構(gòu)的制品的例的圖。在圖3中，表示了用實(shí)施方式1所示的接合方法接合構(gòu)件的液晶面板。如圖3所示，本發(fā)明的實(shí)施方式1及實(shí)施方式2所示的接合結(jié)構(gòu)都可以適用于用于密封液晶面板6的液晶7的保密密封結(jié)構(gòu)等中。
權(quán)利要求
1.一種構(gòu)件的接合結(jié)構(gòu)，由納米粒子接合多個(gè)構(gòu)件，其特征在于，在被接合的構(gòu)件中的至少1個(gè)或1個(gè)以上的構(gòu)件上設(shè)置有保持納米粒子的受理層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的構(gòu)件的接合結(jié)構(gòu)，其特征在于，上述構(gòu)件是2個(gè)，在該2個(gè)構(gòu)件的兩方上設(shè)置有上述受理層。
3.一種構(gòu)件的接合結(jié)構(gòu)，是由納米粒子接合多個(gè)構(gòu)件的接合結(jié)構(gòu)，其特征在于，被接合的構(gòu)件中的至少1個(gè)或1個(gè)以上的構(gòu)件自體成為保持納米粒子的受理層。
4.一種構(gòu)件的接合結(jié)構(gòu)，由納米粒子接合多個(gè)構(gòu)件，其特征在于，在被接合的構(gòu)件中的至少1個(gè)或1個(gè)以上的構(gòu)件的表面上形成有保持納米粒子的受理結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的構(gòu)件的接合結(jié)構(gòu)，其特征在于，上述受理結(jié)構(gòu)是使上述構(gòu)件的表面進(jìn)行化學(xué)的或物理的改性而形成的。
6.一種構(gòu)件的接合結(jié)構(gòu)，由納米粒子接合多個(gè)構(gòu)件，其特征在于，在被接合的構(gòu)件中的至少1個(gè)或1個(gè)以上的構(gòu)件上設(shè)置有可以混合納米粒子的受理層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6的任一項(xiàng)所述的構(gòu)件的接合結(jié)構(gòu)，其特征在于，上述納米粒子的一部分或全部可以互相熱粘接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～7的任一項(xiàng)所述的構(gòu)件的接合結(jié)構(gòu)，其特征在于，上述納米粒子含有金屬物質(zhì)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的構(gòu)件的接合結(jié)構(gòu)，其特征在于，上述納米粒子是金、銀或銅。
10.一種構(gòu)件的接合方法，由納米粒子接合多個(gè)構(gòu)件，其特征在于，在被接合的構(gòu)件中的至少1個(gè)或1個(gè)以上的構(gòu)件上設(shè)置受理層，至少在1個(gè)上述受理層的表面上涂布上述納米粒子后，使上述多個(gè)構(gòu)件彼此對(duì)向并進(jìn)行加熱。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的構(gòu)件的接合方法，其特征在于，上述構(gòu)件是2個(gè)，在該2個(gè)構(gòu)件的兩方上設(shè)置上述受理層。
12.一種構(gòu)件的接合方法，由納米粒子接合多個(gè)構(gòu)件，其特征在于，被接合的構(gòu)件中的至少1個(gè)或1個(gè)以上的構(gòu)件自體成為受理層，至少在1個(gè)上述構(gòu)件的表面上涂布上述納米粒子后，使多個(gè)構(gòu)件彼此對(duì)向并進(jìn)行加熱。
13.一種構(gòu)件的接合方法，由納米粒子接合多個(gè)構(gòu)件，其特征在于，在被接合的構(gòu)件中的至少1個(gè)或1個(gè)以上的構(gòu)件的表面上形成受理結(jié)構(gòu)，至少在1個(gè)上述受理結(jié)構(gòu)上涂布上述納米粒子后，使多個(gè)構(gòu)件彼此對(duì)向并進(jìn)行加熱。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的構(gòu)件的接合方法，其特征在于，使上述構(gòu)件的表面進(jìn)行化學(xué)的或物理的改性而形成上述受理結(jié)構(gòu)。
15.一種構(gòu)件的接合方法，由納米粒子接合多個(gè)構(gòu)件，其特征在于，在被接合的構(gòu)件中的至少1個(gè)或1個(gè)以上的構(gòu)件上設(shè)置受理層，至少在1個(gè)上述受理層內(nèi)可以混合上述納米粒子，使上述多個(gè)構(gòu)件彼此對(duì)向并進(jìn)行加熱。
16.根據(jù)權(quán)利要求10～15的任一項(xiàng)所述的構(gòu)件的接合方法，其特征在于，上述納米粒子的一部分或全部可以互相熱粘接。
17.根據(jù)權(quán)利要求10～16的任一項(xiàng)所述的構(gòu)件的接合方法，其特征在于，上述納米粒子含有金屬物質(zhì)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的構(gòu)件的接合方法，其特征在于，上述納米粒子是金、銀或銅。
19.根據(jù)權(quán)利要求10～18的任一項(xiàng)所述的構(gòu)件的接合方法，其特征在于，上述納米粒子在進(jìn)行加熱前用彌散材料包覆。
20.根據(jù)權(quán)利要求10～12的任一項(xiàng)所述的構(gòu)件的接合方法，其特征在于，在上述受理層的表面上以噴墨的方式涂布上述納米粒子。
21.根據(jù)權(quán)利要求10～12的任一項(xiàng)所述的構(gòu)件的接合方法，其特征在于，在上述受理層的表面上以印刷的方式涂布上述納米粒子。
22.根據(jù)權(quán)利要求10～12的任一項(xiàng)所述的構(gòu)件的接合方法，其特征在于，在上述受理層的表面上以復(fù)制的方式涂布上述納米粒子。
23.根據(jù)權(quán)利要求10～12的任一項(xiàng)所述的構(gòu)件的接合方法，其特征在于，在上述受理層的表面上以滴下的方式涂布上述納米粒子。
24.根據(jù)權(quán)利要求10～23的任一項(xiàng)所述的構(gòu)件的接合方法，其特征在于，在上述加熱時(shí)進(jìn)行加壓。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于，提供接合可靠性高、對(duì)接合的構(gòu)件損傷少的構(gòu)件的接合結(jié)構(gòu)及接合方法。本發(fā)明是由納米粒子(3)接合多個(gè)構(gòu)件(1)的接合結(jié)構(gòu)，在被接合的構(gòu)件中的至少1個(gè)或1個(gè)以上的構(gòu)件(1)上設(shè)置保持納米粒子(3)的受理層(2)。或者本發(fā)明是由納米粒子(3)接合多個(gè)構(gòu)件(1)的接合結(jié)構(gòu)，在被接合的構(gòu)件(1)中的至少1個(gè)或1個(gè)以上的構(gòu)件(1)的表面上形成保持納米粒子(3)的受理結(jié)構(gòu)。
文檔編號(hào)B81C3/00GK1636704SQ20041010462
公開日2005年7月13日 申請(qǐng)日期2004年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2004年1月5日
發(fā)明者橋元伸晃 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社