專利名稱：接觸構件及其生產方法以及采用該接觸構件的探針接觸組件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種接觸構件及其生產方法以及采用該接觸構件的探針接觸組件。更具體地說，本發(fā)明涉及一種在垂直方向具有大量接觸器的接觸構件。本發(fā)明進一步涉及一種方法，該方法用于在水平方向的半導體晶片上生產大量的接觸器，并且沿垂直方向從晶片上去除安裝在基片上的接觸器，以形成一種接觸構件，例如，接觸探針組件，探針卡，IC芯片，或者其它的接觸機構。
發(fā)明的背景在測試高密度和高速電子器件如LSI(大規(guī)模集成電路)和VLSI(超大規(guī)模集成電路)時，必須用高性能的接觸構件，如具有大量接觸器的探針卡。在其它的應用中，接觸構件可以用于IC封裝，作IC引線。本發(fā)明涉及這類接觸構件和這類接觸構件的制造方法，這類接觸構件用于測試LSI和VLSI芯片，半導體晶片，半導體晶片和芯片的老化，封裝的半導體器件，印刷電路板等的測試和老化。本發(fā)明還有其它用途，例如IC芯片的導線或者引線頭，IC封裝或者其它的電子器件。然而，為了便于說明，本發(fā)明主要參照半導體晶片的測試而進行說明。
在被測半導體器件是半導體晶片形式的情況下，半導體測試系統(tǒng)如IC測試儀通常連接到基片處理器，如自動晶片探測器，以自動地測試半導體晶片。

圖1中給出了這樣一個例子，其中，半導體測試系統(tǒng)有一個測試頭100，它通常處于一個單獨的箱體中，并通過一束電纜110電連接到測試系統(tǒng)。測試頭100和基片處理器400通過馬達510驅動的操縱器500互相機械連接和電連接在一起。被測半導體晶片由基片處理器400自動地提供到測試頭100的測試位置。
在測試頭100上，由半導體測試系統(tǒng)產生的測試信號提供給被測半導體晶片。由被測半導體晶片(形成在本晶片上的IC電路)產生的最終輸出信號傳送到半導體測試系統(tǒng)。在半導體測試系統(tǒng)中，輸出信號與所期望的數據相比較，以確定半導體晶片上的IC電路是否正常地工作。
在圖1中，測試頭100和基片處理器400通過一接口元件140連接，接口元件140(如圖2所示)由操作板120、同軸電纜、彈簧針和連接器組成。在圖2中，測試頭100包括一組與半導體測試系統(tǒng)的測試槽(測試針)的數目相應的印刷電路板150。每一印刷電路板150都有一個連接器160，以接受操作板120的相應接觸端子121?！巴軤睢杯h(huán)130裝在操作板120上，以精確地確定對應于基片處理器400的接觸位置。蛙狀環(huán)130有大量的接觸針141，如ZIF連接器或彈簧針，通過同軸電纜124連接到接觸端子121。
如圖2所示，測試頭100放在基片處理器400的上面，并通過接口元件140連接到基片處理器上。在基片處理器400中，被測半導體晶片300裝在卡盤180上。在本例中，探針卡170裝在被測半導體晶片300的上面，探針卡170具有大量的探針接觸器(如懸臂或針)190與接觸目標如被測半導體晶片300上的IC電路的電路端子或接觸墊接觸。
探針卡170的電端子與蛙狀環(huán)130上的接觸針141電連接。接觸針141還通過同軸電纜124與操作板120的接觸端子121連接，每一接觸端子121連接到測試頭100的印刷電路板150。而且，印刷電路板150通過電纜110與半導體測試系統(tǒng)連接，電纜110具有大量的內部電纜。
在這種結構下，探針接觸器190接觸卡盤180上的半導體晶片300的表面(接觸目標)，施加測試信號到半導體晶片300，并接收來自晶片300的最終輸出信號。將來自被測半導體晶片300的最終輸出信號與由半導體測試系統(tǒng)產生的期望數據進行比較，從而確定半導體晶片300上的IC電路是否正常工作。
圖3是圖2中探針卡170的底視圖。在本例中，探針卡170有一環(huán)氧樹脂環(huán)，上面裝有多個探針接觸器(針或懸臂)190。當圖2中裝有半導體晶片300的卡盤180向上移動時，懸臂190的尖端接觸晶片300上的墊或突起(接觸目標)。懸壁190的端部與導線194連接，導線194再與形成在探針卡170中的傳輸線(未示出)連接，傳輸線與多個電極(接觸墊)197連接，這些電極與圖2中的彈簧針141連通。
通常，探針卡170由多層聚酰亞胺基片構成，基片具有接地層、電源層、在許多層上的信號傳輸線。如本技術領域所公知的那樣，每一信號傳輸線設計成具有一特征阻抗如50歐姆，實現這一設計的方法為在探針卡170中平衡分布參數，即聚酰亞胺的介電常數和磁導率、信號通路的電感和電容。這樣，信號線就是建立高頻傳輸帶的阻抗匹配線路，以提供穩(wěn)態(tài)電流給晶片300，以及由器件的輸出切換產生瞬態(tài)高電流峰值。為了消除噪音，電源層和接地層之間的探針卡上設置了電容器193和195。
圖4中給出了探針卡170的等效電路，以說明傳統(tǒng)探針卡技術中高頻性能的局限性。如圖4A和4B所示，探針卡170上的信號傳輸線從電極197、阻抗匹配的條狀線196、導線194和接觸器190上伸出。由于導線194和針190不是阻抗匹配的，因此，這些部分在圖4C中所示的高頻帶上起電感L的作用。因為導線194和針190的總長度約為20-30毫米，所以，在測試被測器件的高頻性能時，該電感將導致明顯的局限性。
其它限制探針卡170中的頻率帶寬的因素存在于圖4D和4E所示的電源和接地針中。因為用于供電的串聯連接的導線194和針190(圖4D)、以及用于把電源和信號接地的串聯連接導線194和針190(圖4E)與上面提到的電感器是等效的，所以，高頻電流受到嚴重限制。
而且，為了濾除電源線中的噪音或沖擊脈沖，以保證被測器件的適當性能，在電源線和接地線之間安裝了電容器193和195。電容器193具有相當大的值，比如10μF，并且如果需要，能利用開關從電源線上斷開。電容器195具有相當小的電容值，比如0.01μF，并且靠近被測器件(DUT)固定地連接。這些電容器在電源線上起高頻去耦作用。換言之，電容器限制了探針接觸器的高頻性能。
因此，上面提到的、應用最廣泛的探針卡限于大約200MHz的頻率帶寬，對測試現在的半導體器件來說這是不夠的。在工業(yè)上，一般認為在不久的將來需要1GHz或更高數量級的頻率帶寬。而且，工業(yè)上期待探針卡能夠以平行的方式處理大量的半導體器件，尤其是存儲器，比如32個或更多，以提高測試數量。
在傳統(tǒng)技術中，探針卡，如圖3所示，是手工制作的，導致質量不一致。這種不一致的質量包括尺寸、頻率帶寬、接觸力和電阻等方面的波動。在傳統(tǒng)的探針接觸器中，另一個使接觸性能不可靠的因素是溫度變化，因為探針接觸器和被測半導體晶片具有不同的溫度膨脹系數。這樣，在溫度變化時，它們之間的接觸位置變化了，這反過來影響接觸力、接觸電阻和帶寬。因此，就需要一種新概念的接觸構件，它能夠滿足下一代半導體測試技術的要求。
發(fā)明的概述因此，本發(fā)明的目的是提供一種接觸構件，它具有大量的接觸器，用于與接觸目標電接觸，具有高頻帶寬、高引腳數和高接觸性能以及有高可靠性。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種接觸構件，比如探針卡，以甚高頻帶寬與半導體器件建立電連接。
本發(fā)明的又一個目的是提供一種接觸構件，為同時平行地測試大量的半導體器件而建立電連接。
本發(fā)明的再一個目的是提供一種接觸構件及其組件機構，以組裝多個接觸構件，形成期望尺寸的探針接觸組件，具有期望數量的接觸器安裝在探針接觸組件上。
本發(fā)明還有一個目的是提供一種方法，該方法在硅基片上以二維方式生產大量接觸器，從基片上去除接觸器，將接觸器以三維方式安裝在一個接觸基片上，以形成一個接觸構件。
本發(fā)明再有一個目的是提供一種方法，該方法在硅基片上以二維方式生產大量接觸器，再將接觸器轉移到粘合劑帶上，并從粘合劑帶上取下接觸器，并將該接觸器垂直安裝在接觸基片上，以形成接觸構件。
在本發(fā)明中，一種用于測試(包括老化)半導體晶片、封裝的LSI芯片或者印刷電路板(被測器件)的接觸構件是大量接觸器構成的，這些接觸器是在硅基片的平面上利用半導體制造工藝中使用的光刻方法制成的。本發(fā)明的接觸構件還能夠用作電子器件的某一部分，比如IC引線和引腳。
本發(fā)明的第一方面是，接觸構件與接觸目標建立電連接。接觸構件是由接觸基片和多個接觸器構成的，基片上的每個接觸器實質上是直線形狀的。接觸器包括一個接觸部分，該接觸部分是在垂直方向伸出的，以形成接觸點；一個中部，該中部插入接觸基片上的通孔中；一個基部，該基部的一端起接觸墊的作用；以及一個在基部端點和中部之間的彈簧部，它在接觸器頂壓到接觸目標上時產生一個彈性接觸力。
本發(fā)明的另一個方面是一種方法，該方法在硅基片上以二維方式生產接觸器，從基片上去除接觸器，從而形成接觸構件。該生產方法包括下列步驟(a)在硅基片的表面上形成一個犧牲層；(b)在犧牲層上形成一個光致抗蝕劑層；(c)對齊在光致抗蝕劑層上的光掩模，并通過光掩模用紫外光使光致抗蝕劑層曝光，光掩模具有接觸器的圖形；(d)顯影，在光致抗蝕劑的表面上形成接觸器的圖形；(e)通過淀積導電材料，在光致抗蝕劑層的圖形內形成由導電材料組成的接觸器，每個接觸器在基部端點和中部之間都有一個彈簧部；(f)剝掉光致抗蝕劑層；(g)利用蝕刻工藝去除犧牲層，使接觸器與硅基片分離；和(h)將接觸器安裝在一個具有通孔的接觸基片上，所述的通孔用來接受接觸器的端部，這樣每個接觸器的至少一端為電連接起接觸墊的作用。
本發(fā)明的再一個方面是另一種生產方法，該方法在硅基片上以二維方式生產接觸器，再將接觸器轉移到粘合劑帶上，并從粘合劑帶上取下接觸器，從而形成接觸構件。該生產方法包括下列步驟(a)在基片的表面上形成一個犧牲層；(b)在基片上的犧牲層上形成一個光致抗蝕劑層；(c)對齊光致抗蝕劑層上的光掩模，并通過光掩模用紫外光使光致抗蝕劑層曝光，光掩模具有接觸器的圖形；(d)顯影，在光致抗蝕劑層的表面上形成接觸器的圖形；(e)利用電鍍工藝，在光致抗蝕劑層的圖形內，形成由導電材料組成的接觸器，并且每個接觸器在基部端點和中部之間都有一個彈簧部；
(f)剝掉光致抗蝕劑層；(g)將粘合劑帶放置在接觸器上，以致于使接觸器的上表面附著在粘合劑帶上；(h)通過蝕刻工藝去除犧牲層，以致于使粘合劑帶上的接觸器與硅基片分離；和(j)將接觸器安裝在一個具有通孔的接觸基片上，所述的通孔接受接觸器的端部，其中，每個接觸器的至少一端為電連接起接觸墊的作用。
本發(fā)明的又一方面是又一種生產方法，該方法在硅基片上以二維方式生產接觸器，將接觸器轉移到粘合劑帶上。該生產方法包括下列步驟(a)在介電基片上形成一個導電基片，該導電基片由導電材料制成；(b)在導電基片上形成一個光致抗蝕劑層；(c)對齊在光致抗蝕劑層上的光掩摸，并通過光掩模用紫外光使光致抗蝕劑層曝光，光掩模具有接觸器的圖形；(d)顯影，在光致抗蝕劑層的表面上形成接觸器的圖形；(e)利用電鍍工藝，在光致抗蝕劑層的圖形內，形成由導電材料組成的接觸器，并且每個接觸器在基部端點和中部之間都有一個彈簧部；(f)剝掉光致抗蝕劑層；(g)將粘合劑帶放置在導電基片上的接觸器上，以致于使接觸器的上表面附著在粘合劑帶上，其中，接觸器與粘合劑帶之間的粘結強度大于接觸器與導電基片之間的粘結強度；(h)剝去導電基片，以致于使粘合劑帶上的接觸器與導電基片分離；和(i)將接觸器安裝在一個具有通孔的接觸基片上，使接觸器的一端從接觸基片的相對表面上伸出來。
本發(fā)明再有一個方面是一個包括本發(fā)明接觸構件的探針接觸組件。該探針接觸組件這樣構成一個接觸基片，在該接觸基片上安裝有多個接觸器；一個探針卡，用于安裝接觸基片，并且在接觸器與探針卡上的電極之間建立電連接；和一個引腳塊，其上具有多個接觸引腳，當引腳塊固定到探針卡時，作為探針卡和半導體測試系統(tǒng)之間的接口。
接觸器垂直安裝在一個接觸基片的水平表面上，每個接觸器實質上為直線形狀。每個接觸器包括一個尖部，該尖部是在垂直方向伸出的，以形成接觸點；一個中部，該中部插入接觸基片上的通孔中；一個基部，該基部的一端起接觸墊的作用；以及一個在基部端點和中部之間的彈簧部，它在接觸器頂壓到接觸目標上時產生一個彈性接觸力。
根據本發(fā)明，接觸構件具有一個甚高頻帶寬，以滿足一下代半導體技術的測試要求。由于大量的接觸器不用手工處理，而同時產生在基片上，因此，有可能實現在接觸性能方面一致的質量、高可靠性和長壽命以及低成本。而且，因為接觸器組裝在與被測器件的基片相同的基片材料上，所以能夠補償溫度變化引起的位置誤差。
再有，根據本發(fā)明，生產工藝能夠通過采用相當簡單的技術在硅基片的水平方向上生產大量的接觸器。這樣的接觸器能從基片上取下，并以垂直方向安裝在一個接觸基片上。按本發(fā)明生產的接觸構件成本低、效率高，并且有高的機械強度和可靠性。
附圖的簡要說明圖1是示意圖，表示基片處理器和帶有測試頭的半導體測試系統(tǒng)之間的結構關系。
圖2是一個示意圖，表示通過接口元件把半導體測試系統(tǒng)的測試頭連接到基片處理器的詳細結構的一個例子。
圖3是探針卡的一個例子的底視圖，該探針有一環(huán)氧樹脂環(huán)，用于多個傳統(tǒng)技術的探針接觸器(針或懸臂)。
圖4A-4E是圖3中探針卡的等效電路的電路圖。
圖5是示意圖，表示采用在硅基片上以水平方向產生的接觸器并將該接觸器垂直安裝在接觸基片上的本發(fā)明接觸構件的一個例子。
圖6是示意圖，表示采用在硅基片上以水平方向產生的接觸器并將該接觸器垂直安裝在接觸基片上的本發(fā)明接觸構件的另一個例子。
圖7是示意圖，表示采用在硅基片上以水平方向產生的接觸器并將該接觸器垂直安裝在接觸基片上的本發(fā)明接觸構件的又一個例子。
圖8A和8B是示意圖，表示本發(fā)明的生產方法的基本構思，其中，大量的接觸器形成在一個硅基片的平面上，并由后續(xù)工藝從其上去除。
圖9A-9F是示意圖，表示在本發(fā)明的生產工藝中所生產的和用在本發(fā)明的接觸構件中的接觸器的形狀的例子。
圖10A和10B是示意圖，表示本發(fā)明的接觸器的具體例子，其中，圖10A是接觸器的正視圖，圖10B是接觸器的側視圖。
圖11A-11L是示意圖，表示本發(fā)明中接觸器生產工藝的一個例子。
圖12A-12D是示意圖，表示本發(fā)明中接觸器生產工藝的另一個例子。
圖13A-13N是示意圖，表示在基片的水平表面上生產接觸構件并將接觸器轉移到中間板上的工藝的一個例子。
圖14A-14B是示意圖，表示在一個基片比如多層硅基片上拾起和放置接觸器以生產本發(fā)明的接觸構件的拾起和放置機構及其工藝的一個例子。
圖15是一個剖面圖，表示探針接觸組件的一個例子，其中采用本發(fā)明的接觸構件作為被測半導體器件和半導體測試系統(tǒng)的測試頭之間的接口。
圖16是一個剖面圖，表示探針接觸組件的另一個例子，其中采用本發(fā)明的接觸構件作為被測半導體器件和半導體測試系統(tǒng)的測試頭之間的接口。
圖17是一個剖面圖，表示探針接觸組件的再一個例子，其中采用本發(fā)明的接觸構件作為被測半導體器件和半導體測試系統(tǒng)的測試頭之間的接口。
圖18是一個示意圖，表示具有多層標準硅基片的本發(fā)明的接觸構件和通過本發(fā)明的生產工藝生產的接觸器的一個例子。
圖19是一個透視圖，表示本發(fā)明的多個接觸構件，每個具有多個接觸器，他們相互組裝在一起，以構成一個期望尺寸的探針接觸組件。
圖20是本發(fā)明的接觸構件的透視圖，其中，數個接觸基片相互連接，以建立一個具有期望尺寸、形狀和接觸器數目的探針接觸組件。
優(yōu)選實施例的詳細描述圖5-7表示本發(fā)明的接觸構件的例子。請注意，對本發(fā)明的描述將會用包括“水平的”、“垂直的”等術語來注釋。發(fā)明者使用這些術語來描述與本發(fā)明相關的元件的相對位置關系。因此，像“水平的”和“垂直的”這樣的術語不應該僅僅狹義地理解為“地面水平的”的或“重力垂直的”。
接觸構件由一個接觸基片20和接觸器30所構成。在圖5的例子中，每個接觸器301實質上在垂直方向延伸，并形成一個中部，該中部連接到接觸基片20；一個接觸部，在圖5中其下端最好成尖形；第一彈簧部分，位于中部和接觸部之間，起接觸彈簧的作用；一個基部，其頂端頂具有一個接觸點；和第二彈簧部分，位于基部端點和中部之間，起接觸彈簧作用。
在圖6的例子中，每一接觸器302實質上在垂直方向延伸，并形成一個中部，該中部與接觸基片20連接；一個直形的接觸部，它的一個端部最好位于圖6的低端；一個基部，該基部的頂端有一個接觸點；和一個在基部端點和中部之間的彈簧部。
在圖7的例子中，每個接觸器303實質上在垂直方向延伸，并形成一個中部，該中部與接觸基片20連接；一個接觸部，在圖7中其下端最好成尖形；第一彈簧部分，位于中部和接觸部之間，起接觸彈簧的作用；一個基部，其頂端具有一個接觸點，和第二彈簧部分，位于基部端點和中部之間，起接觸彈簧作用。
當接觸構件頂壓到半導體晶片或印刷電路板300上的接觸墊320時，圖5-7中的每個接觸器30通過一個彈簧力產生彈性接觸力，該彈簧力主要來自于彈簧部分，即接觸器的水平折彎部分，Z字形部分或折彎部分。接觸壓力還在頂著接觸墊320表面的接觸器(接觸點)端部(接觸點)產生一種摩擦效果。在圖5-7的例子中，在連接的表面上，基部的頂端也可以產生摩擦效果。當接觸點摩擦接觸墊的氧化物表面時，這樣一種摩擦效果可促進接觸性能的改善。從而，與氧化物表面下的接觸墊320的導電材料電接觸。
應當注意到盡管接觸構件及其生產方法將只是對一種或者兩種接觸器進行描述，但是，接觸器301、302和303能根據本發(fā)明而相互變換地使用和生產。而且，本發(fā)明的接觸器的其它不同類型還將參考圖9-10在下面描述，盡管將只對接觸器的有限類型作出詳細的描述。由于表示在圖5-10中的本發(fā)明的接觸器是以垂直地、而不是傾斜的方式安裝在接觸基片的水平表面上，所以大量的接觸器能被安裝在接觸基片的有限空間內。
圖8A和8B表示根據本發(fā)明生產這種接觸器的基本思想。在本發(fā)明中，如圖8A所示，接觸器30在水平方向，即以一種兩維方式產生在一個基片40的平面上，該基片是一個硅基片或其它介電基片。然后，接觸器30從該基片40上去除，并以垂直方向，即以三維方式安裝在圖5-7的接觸基片20上，比如一種印刷電路板、IC芯片、或其它接觸機構上。
在圖8的例子中，以水平方向在一個硅或其它介電基片的平面上產生的接觸器30從基片40轉移到一個粘合劑構件90，比如一種粘合劑帶，粘合劑膜或粘合劑板(以下通稱“粘合劑帶”或“中間板”)。在粘合劑帶的接觸器30從其上去除，并以垂直方向，即以一種三維方式，采用拾起和放置機構安裝在圖5-7中的一個接觸基片上，以比如一種印刷電路板、IC芯片、或其它接觸機構。
圖9A-9F表示本發(fā)明的接觸器的各種形狀的例子，這些接觸器用于以圖5-7所示的方式安裝在接觸基片上。在圖9A-9C的例子中，一端為錐形的基部(圖9A-9C的上部)，而另一端為接觸尖端(圖9A-9C的下部)，所述的基部從圖5-7的接觸基片20的上表面伸出。圖9A-9C的接觸端具有各種的形狀，以便與接觸目標的表面實現接觸電阻地接觸。
在圖9D-9F所示的例子中，在基部具有一個彎曲的薄端(圖9D-9F的上部)，該薄端從圖5-7所示的接觸基片20的上表面伸出。與圖9A-9C的例子相似，圖9D-9F的接觸端具有各種的形狀，以便與接觸目標的表面實現接觸電阻地接觸。由于接觸器在基部具有彈性，因此，在形成一個探針組件時，導電彈性體不必在垂直方向產生一個有彈力或彈性，這將參考圖15來描述。
圖10A和10B表示本發(fā)明的接觸器的具體例子，其中，圖10A是正視圖，圖10B是側視圖。圖10的接觸器具有一個基部，該基部與例如圖15所示的探針卡和居中部的具有Z字形的彈簧部分接觸；一個在下端的接觸部，該下端具有一個接觸點，以與接觸目標的表面接觸。當安裝時，基部端點和彈簧部分從圖5-7中的接觸基片20的上表面伸出，在這個例子中，接觸部本質上是無彈性的直線形。
在圖10A的正視圖中，接觸部在其頂部，靠近彈簧部底端的上表面有一個凸緣，其作用是在接觸器口插入接觸基片的通孔時起制制動器的作用。在圖10B的側視圖中，彈簧部比接觸部或基部更細，以容易變形，因而，當壓著接觸目標時產生彈性彈簧力。因為兩者厚度不同，即彈性部較薄，接觸部和基部較厚，所以導電材料被沉積兩次或兩次以上，以便在生產接觸器的過程中形成兩層或兩層以上。在圖10的接觸器中，例如尺寸為a＝760μm，b＝820μm，c＝50μm，d＝200μm，e＝1200μm，f＝50μm，g＝20μm，和h＝50μm。
圖11A-11L是示意圖，表示用于生產本發(fā)明的接觸器30(例如，圖6的接觸器302)的生產工藝的一個例子。在圖11A中，犧牲層42形成在一個基片40上，該基片通常是一個硅基片。也可以用其它的介電基片，比如玻璃基片和陶瓷基片。犧牲層42，比如由二氧化硅(SiO2)通過沉積工藝，比如化學氣相沉積(CVD)而制成。犧牲層42是為了在生產工藝的后續(xù)步驟中將接觸器30與硅基片分離。
粘附促進層44通過比如一種蒸發(fā)工藝形成在犧牲層42上，如圖11B所示。粘附促進層44的材料的例子包括鉻(Cr)和鈦(Ti)，其厚度比如大約是200-1,000埃。粘附促進層44用來促使圖11C的導電層46粘附在硅基片40上。導電層是46由比如厚度大約為例如1,000-5,000埃的銅(Cu)或鎳(Ni)形成的。導電層46是為后續(xù)步驟的電鍍工藝建立電傳導性。
在下一個步驟中，在導電層46上形成光致抗蝕劑層48，在該導電層46的上面，一個光掩模50精確地被對準，以在紫外光(UV)下曝光，如圖11D所示。光掩模50上具有接觸器30的二維圖形，該圖形將被顯影在光致抗蝕劑層48上。正如本領域所公知的那樣，正和負的光致抗蝕劑都能用于這種目的。如果使用正片抗蝕劑，則由掩模50的不透明部分覆蓋的光致抗蝕劑在曝光后將變硬(固化)。光致抗蝕劑材料例如包括酚醛樹脂(M-甲酚-甲醛)、PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、SU-8和光敏聚酰亞胺。在顯影工藝中，抗蝕劑的曝光部分能溶解和洗掉，留下圖11E所示的光致抗蝕劑層48，其上具有開口或圖形“A”。這樣，圖11F的頂視圖表示在光致抗蝕劑層48上的圖形或開口“A”，該抗蝕劑層48上具有接觸器30的圖形(形狀)。
在前面的光刻工藝中，正如本領域所公知的那樣，可用電子束或X射線替代UV光使光致抗蝕劑層48曝光。而且，還可用直接寫的電子束、X射線或光源(激光)使光致抗蝕劑層48曝光，由此將接觸構件的圖形直接寫在光致抗蝕劑層48上。
接觸器材料比如銅(Cu)、鎳(Ni)、鋁(Al)、銠(Rh)、鈀(Pd)、鎢(W)或其它金屬，鎳—鈷(NiCo)或其它合金組合物被沉積(電鍍)在光致抗蝕劑層48的圖形“A”中，以形成接觸器30，如圖11G所示。最好是，接觸材料不同于導電層46的材料，應該用接觸材料來區(qū)分各自的蝕刻特性，這將在后面描述。在圖11G中的接觸器30的多鍍的部分在圖11H的磨削(平面化)工藝中被去除。
重復上面所述的步驟，形成兩層或兩層以上的導電層，而且這兩層具有不同的厚度，以便生產出例如圖10A-10B所示的接觸器。換句話說，在形成接觸器(導電材料)的第一層之后，如果必要，重復圖11D-11H的工藝，以在接觸器的第一層上形成第二層或更多層。
在下一個步驟中，光致抗蝕劑層48在抗蝕劑剝離工藝中被去除，如圖11I所示。通常，用濕式化學工藝將該抗蝕劑層48除去。剝離的其它例子是丙酮基剝離和等離子體O2剝離。在圖11J中，犧牲層42被蝕刻掉，這樣接觸器30與硅基片40分離。進行另一種蝕刻工藝，以致于粘附促進層44和導電層46從接觸器30上去除，如圖11K所示。
可以選擇蝕刻條件，以致于只蝕刻促進層和導電層44和46，而不會蝕刻接觸器30。換言之，只蝕刻導電材料46，而不會蝕刻接觸器30，如上所述，用于接觸器30的導電材料必須不同于導電層46的材料。最后，接觸器30與任何其它材料分離，如圖11L的透視圖所示。盡管在圖11A-11L中生產工藝表示只有一個接觸器30，但在實際生產工藝中，如圖8A和8B中所示，可以同時生產大量的接觸器。
圖12A-12D是示意圖，表示生產本發(fā)明的接觸器的生產工藝的一個例子。在這個例子中，粘合劑帶(中間板)90被用于生產工藝中，以便將接觸器30從硅基片轉移到粘合劑帶90上。圖12A-12D只表示出生產工藝的后面的部分，其中，包含了粘合劑帶90。
圖12A表示一種與圖11I中的工藝等效的工藝，其中，光致抗蝕劑層48在抗蝕劑剝離工藝中被去除。然后，還是在圖12A的工藝中，粘合劑帶(中間板)90被放置在接觸器30的上表面上，這樣，接觸器30粘附到粘合劑帶90上。如上參考圖8B所述的那樣，在本發(fā)明的范圍內，粘合劑帶(中間板)90包括其它類型的粘合劑元件，比如粘合劑膜和粘合劑板等。粘合劑帶90還包括任何吸附接觸器30的元件，比如磁鐵板或帶，帶電板或帶等。
在圖12B所示的工藝中，犧牲層42被蝕刻掉，這樣在粘合劑帶90上的接觸器30與硅基片40分離。另一種蝕刻工藝被進行，這樣粘附促進層44和導電層46就從接觸器30上去除，如圖12C所示。
如上所述，為了蝕劑導電層46，而不蝕刻接觸器30，接觸器30所用的導電材料必須與導電層的材料不同。盡管在圖12A-12C中的生產工藝只示出了一個接觸器，但在實際生產工藝中，大量的接觸器同時被生產。這樣，大量的接觸器30被轉移到粘合劑帶90上，并與硅基片和其它材料分離，如圖12D的頂視圖所示。
圖13A-13N是示意圖，表示生產接觸器30的生產工藝的另一個例子，其中，接觸器被轉移到粘合劑帶或中間板上。在圖13A中，電鍍種子(seed)(導體)層342形成在一個基片340上，該基片通常是硅或玻璃基片。種子層342由比如銅(Cu)或(Ni)制成，厚度比如大約是1,000-5,000埃。鉻一鉻鎳鐵合金層344比如通過濺射工藝形成在種子層342上，如圖13B所示。
在圖13C所示的下一步工藝中，導電基片346形成在鉻-鉻鎳鐵合金層344上。導電基片346由比如鎳—鈷(NiCo)制成，厚度大約是100-130μm。在鈍化導電基片346之后，厚度大約是100-120μm的光致抗蝕劑層348形成在圖13D中的導電基片346上，并且一個光掩模350被精確地對準，這樣，用紫外(UV)光使光致抗蝕劑層348曝光，如圖13E所示。光掩模350上具有接觸器30的二維圖形，該圖形將被顯影在光致抗蝕劑層348的表面上。
在顯影工藝中，該抗蝕劑的曝光部分能被溶解并洗掉，留下圖13F所示的光致抗蝕劑層348，具有從光掩模350轉移的電鍍圖形，該光掩模具有接觸器30(比如圖6的接觸器302)的圖形(形狀)。在圖13G的步驟中，接觸器材料被電鍍在光致抗蝕劑層348的電鍍圖形中，其厚度大約是50-60μm。導電材料的一個例子是鎳—鈷(NiCo)。該鎳—鈷接觸器材料將不會牢固地粘附到鎳—鈷制成的導電基片346上。
可以重復上述工藝，通過形成兩層或兩層以上的導電層，而生產如圖10A-10B所示的具有不同厚度的接觸器。換句話說，在形成接觸器的第一層之后，如果必要，重復圖13D-13G的步驟，以在接觸器的第一層上形成第二層或更多層。
在下一個步驟中，光致抗蝕劑層348在抗蝕劑剝離工藝中被去除，如圖13H所示。在圖13I中，導電基片346從基片340上的鉻-鉻鎳鐵合金層344上剝去。導電基片346是一個薄的基片，在它的上面，以相當的弱的粘結強度安裝的接觸器30。具有接觸器30的導電基片346的頂部表示在圖13J中。
圖13K表示一種工藝，其中，一種粘合劑帶(中間板)90被放置在接觸器30的上表面上。粘合劑帶90和接觸器30之間的粘結強度大于接觸器30和導電基片346之間的粘結強度。因此，當從柔性導電基片346上去除粘合劑帶90時，接觸器30從導電基片346上轉移到粘合劑帶90上，如圖13L所示。圖13M表示粘合劑帶90的頂視圖，其上具有接觸器30，而圖13N是一個粘合劑帶90的截面視圖，其上具有接觸器30。
圖14A和14B是示意圖，表示從一個粘合劑帶(中間板)90拾起接觸器30并將接觸器放置在接觸基片20上的工藝的一個例子。圖14A和14B的拾起和放置機構有利于應用到本發(fā)明的生產工藝所生產的接觸器，這些接觸器已參考圖12A-12D和圖13A-13N進行了描述，其中包括粘合劑帶。圖14A是拾起和放置機構80的主視圖，表示拾起和放置操作的前一半工藝過程。圖14B是拾起和放置機構80的主視圖，表示拾起和放置操作的后一半工藝過程。
在這個例子中，該拾起和放置機構80包括一個轉移機構84，用于拾起和放置接觸器30；活動臂86和87，用于使轉移機構能夠在X、Y和Z方向運動；臺面81和82，其位置在X、Y和Z方向是可調的；以及一個監(jiān)視攝像機78，其中，具有比如一個CCD圖形傳感器。轉移機構84包括一個吸入臂85，它完成對接觸器30的吸入(拾起)操作和吸入釋放(放置)操作。其吸入力比如通過如真空來產生。吸入臂85按一個預定的角度比如90度旋轉。
在操作中，具有接觸器30的粘合劑帶90和具有粘接位置32(或通孔)的接觸基片20被定位在該拾起和放置機構80的各個臺面81和82上。如圖14A所示，該轉移機構80通過吸入臂85的吸入力從粘合劑帶90拾起接觸器30。在拾起接觸器30之后，該吸入臂85，比如旋轉90度，如圖14B所示。這樣，接觸器30的方向就從水平方向變化到垂直方向。這種方向變化機構只是一個例子，并且對于本領域的普通技術人員來說，可以有多種其它的方法來改變接觸器的方向。然后，該轉移機構80將接觸器30放置在基片20的粘接位置32(或通孔)上。該接觸器30通過粘接到該表面或插入該通孔而固定到接觸基片20上。
圖15是一個截面視圖，表示采用本發(fā)明的接觸構件形成一個探針接觸組件的總的組合結構的一個例子。該探針接觸組件用作一個被測器件(DUT)和測試頭之間的接口，如圖2所示。在這個例子中，該探針接觸組件包括一個路由板(探針卡)260和一個彈簧針塊(蛙狀環(huán))130，它們依次設置在接觸構件的上面，如圖15所示。
該接觸構件由數個安裝在接觸基片20上的接觸器30所構成。每個接觸器的基部35從接觸基片20的上表面伸出。在本發(fā)明中，基部35具有彈性，一般是彎曲的或“Z”形。接觸器30松散地插入接觸基片20的通孔中，以便當頂壓到半導體晶片300和探針卡260上時，可以在垂直方向有稍微的移動。
探針卡260、彈簧塊130和接觸構件相互機械地和電子地連接在一起，因而形成一探針接觸組件。這樣，從接觸器30的接觸點到測試頭100，通過電纜124和操作板120(圖2)形電通路。因此，當半導體晶片300和探針接觸組件相互有壓力時，在被測器件(在晶片300上的接觸墊320)和測試系統(tǒng)之間將建立電連接。
彈簧針塊(蛙狀環(huán))130與圖2所示的是相同的，具有大量彈簧針，作為探針卡260和操作板120之間的接口。在彈簧針上端，用電纜124，比如同軸電纜進行連接，以通過操作板120將信號傳輸到測試頭100中的印刷電路板(針電子卡)150，見圖2。該探針卡260在其上、下表面具有大量的電極262和265。當組裝時，接觸器30的基部35接觸電極262。電極262和265通過內連接線263連接，擴開接觸構件的間距，以適應彈簧針塊130中的彈簧針的間距。因為接觸器30被松散地插入接觸基片20的通孔中，所以，當頂壓到半導體晶片300上的時侯，位于接觸器基部的彈性部分就會產生彈力作用在電極263和接觸墊320上。
圖16是一個截面視圖，表示采用本發(fā)明的接觸構件的探針接觸組件的另一個例子。該探針接觸組件用作被測器件(DUT)和測試頭之間的接口，如圖2所示。在這個例子中，探針接觸組件包括一個導電彈性體250，一個探針卡260，以及一個彈簧針塊(蛙狀環(huán))130，它們設置在接觸構件的上面。由于接觸器30的基部根據上面所述具有彈性，因此，導電彈性體并不是必需的。但是，導電彈性體仍然是有用的，可以用來補償探針260和接觸構件之間不均勻的間隙。
導電彈性體250位于接觸構件和探針卡260之間。當組裝時，接觸器30的基部35接觸導電彈性體250。導電彈性體250是一個在垂直方向具有大量導電線的彈性板。例如，導電彈性體250包括一個硅橡膠板和多排金屬絲。該金屬絲(導線)被設置在圖16的垂直方向，即與該導電彈性體250的水平板垂直。金屬絲之間的間距的一個例子是0.05毫米或更小，硅橡膠板的厚度大約是0.2毫米。這樣的導電彈性體由日本的Shin-Etsu Polymer Co.，Ltd公司生產，能在市場上買到。
圖17是一個截面視圖，表示采用本發(fā)明的接觸構件的探針接觸組件的另一個例子。在這個實施例中，接觸構件由數個接觸構件(基片)塊形成。而且，該接觸基片塊由數個標準基片組合在一起而形成。比如，圖17的接觸構件由兩個接觸構件(基片)塊201和202構成，每個接觸構件(基片)塊由三層硅標準基片221，222，223構成。
盡管只示出了其中一個，但數個接觸器30讀都以從基片22的上表面伸出的方式固定到接觸基片20上。通常，接觸基片22由硅晶片制成，但是，也可以用其它的介電材料比如陶瓷，玻璃，聚酰亞胺等。在優(yōu)選的實施例中，接觸基片22是一種具有多個標準硅晶片比如三層晶片221，222，和223的多層基片，它們相互組合和粘接在一起。采用多層硅晶片的主要原因是使接觸構件具有充足的厚度，而不會增加機械尺寸的公差。這樣，硅晶片的數目就能被自由地被選擇，例如，根據設計的具體要求選擇一層或多層硅晶片。標準硅晶片具有相同的厚度，但是外部形狀不同，以構成嚙合機構，比如齒和凹槽，如圖20所示。
圖18是一個截面視圖，表示本發(fā)明的接觸構件與圖15的探針接觸組件結合在一起的細節(jié)。具有Z字形的接觸器30以其帶有接觸尖端的直線端部插入到通孔25中的方式固定到接觸基片20上。在這個例子中，接觸基片20是一種具有三層標準硅晶片221，222，223的多層基片，這些晶片相互組合并熔結在一起。硅晶片221-223中的每個的厚度的例子是大約0.5毫米。接觸器30的具有彈性的基部35從接觸基片20的上表面伸出。接觸器30具有一個凸緣狀的部分34，以與通孔25中的一個臺階相配合。在接觸器30的尖部的接觸點最好是變尖的，以提高在接觸目標的表面上的清潔效果。
下面簡單地說明形成三層基片20并且在其上形成通孔的工藝，如圖18所示，首先，第二晶片222和第三晶片223比如通過硅熔結被直接地粘接。然后，晶片222和223的前面和后面都被拋光，并且利用蝕刻工藝來產生穿過晶片222和223的通孔。這樣的深溝蝕刻，比如利用反應氣體等離子體，通過反應離子蝕刻來實現。如圖18所示，在第二和第三晶片222和223上通孔的大小必須比接觸器30的凸緣狀部分34小，以在通孔中形成臺階。
然后，第一晶片221的前面和后面被拋光，并且利用上面所述的深溝蝕刻而形成穿過第一晶片的通孔25。第一晶片221的通孔的尺寸比第二和第三晶片222和223的通孔大，以接受上面所述的接觸器30的凸緣狀部分34。第一晶片221被對齊并熔結到第二和第三晶片222和223上。為了絕緣，比如，至少1微米的硅氧化物層最好生長在以這種方式生產的接觸基片的整個暴露的表面上。
圖19是一個透視圖，表示本發(fā)明的接觸構件(基片)塊的一個例子，每個接觸構件(基片)塊具有大量的通過圖8A和8B所示的工藝生產的接觸器30。這個例子表示數個接觸構件塊20相互組裝在一起而構成一個期望大小和期望數目接觸器的接觸構件。在圖19中，盡管每個接觸構件塊包括組裝在一行中的接觸器，但本發(fā)明的接觸構件塊可以包括兩行或兩行以上對齊的接觸器，即，以矩陣方式排列的接觸器。
如上所述，本發(fā)明的特征之一是能夠組合數個接觸構件塊20而形成整個接觸器的尺寸大和數目多的接觸構件(探針接觸組件)。在圖19的例子中，四個接觸構件塊20被制備并相互連接起來。盡管在圖19的例子中未示出，但每個接觸基片22都具有連接或嚙合機構，比如，在其外緣的齒。
圖20是一個由本發(fā)明的數個接觸構件塊構成的接觸構件的透視圖。在這個例子中，五個接觸基片相互結合在一起，形成一個接觸構件，它的整個尺寸是接觸構件塊大小的整數倍。為說明簡單起見，接觸器在接觸基片22上未示出。通過以這樣的方式結合接觸基片22，所構成的接觸組件的大小可以是所期望的，比如與12英寸半導體晶片的大小相當。
在這個例子中，接觸基片的左和右邊緣設有嚙合齒55和凹槽65。齒55和凹槽65的大小與左、右邊緣的相同，但是，齒55和凹槽65的位置位移一個單位。這樣，接觸基片22的左邊緣與另一個接觸基片22的右邊緣相配合。盡管在圖20中未示出，但一個突起被設置在接觸基片22的遠端，以插入另一個接觸基片22的近端的溝槽70中。也可以不用突起和溝槽，而采用比如上面描述的在左邊緣和右邊緣上的齒和凹槽。接觸器30將以圖19所示的方式安裝在基片22上的通孔25中。
根據本發(fā)明，接觸構件具有甚高頻帶寬，以滿足下一代半導體技術的測試要求。因為大量的接觸器同時產生在基片上，而不用手工處理，所以可以在接觸性能方面取得一致的質量、高可靠性和長壽命。而且，因為接觸器組裝在與被測器件的材料相同的基片材料上，所以可以補償溫度變化引起的位置誤差。還有，可以通過采用相當簡單的技術在硅基片上的水平方向生產大量的接觸器，通過本發(fā)明生產的接觸構件成本低度、效率高，并且機械強度高以及可靠性高。用本發(fā)明的方法生產的接觸構件有利于應用于半導體晶片、封裝LSI、多芯片模塊的測試以及其它包括老化在內的測試等。
盡管只是具體地說明和描述了優(yōu)選實施例，但是可以理解，根據上述教導，以及在后面所附的權利要求的范圍內，對本發(fā)明可以作出多種改變和變化，而不會脫離本發(fā)明的精神和范圍。
權利要求
1.一種用于與接觸目標建立電連接的接觸構件，包括一個接觸基片，具有穿過上、下表面的通孔和數個接觸器，由導電材料制成，并垂直安裝在接觸基片的水平表面上，每個接觸器實質上為直線形狀并包括一個接觸部，在垂直方向伸出，以形成一個接觸點；一個中部，插入接觸基片上的一個對應的通孔中；一個基部，其末端起接觸墊的作用；和處于基部端點與中部之間的彈簧部；其中，彈簧部為彎曲的、傾斜的、彎折的或為Z字形，當所述的接觸器頂壓到接觸目標上時產生彈性接觸力，基部的末端從接觸基片的表面伸出，起接觸點的作用，以便與外部元件電連接，以及當接觸構件頂壓到接觸目標上時接觸部的一端與接觸目標接觸。
2.根據權利要求1所述的用于與接觸目標建立電連接的接觸構件，其中，接觸基片由單個或數個相互粘接的介電基片構成，接觸基片上的通孔是通過蝕刻工藝形成的。
3.根據權利要求1所述的用于與接觸目標建立電連接的接觸構件，其中，每個接觸器在其中部都設有一個凸緣，以便與接觸基片上的通孔相配合。
4.根據權利要求1所述的用于與接觸目標建立電連接的接觸構件，其中，接觸基片由粘結在一起的第一和第二半導體晶片構成，晶片上有通孔，用于安裝穿過其中的接觸器。
5.根據權利要求1所述的用于與接觸目標建立電連接的接觸構件，其中，接觸基片由三層粘接在一起的半導體晶片構成，晶片上有通孔，用于安裝穿過其中的接觸器。
6.根據權利要求1所述的用于與接觸目標建立電連接的接觸構件，其中，接觸器以水平方向產生在一個扁平基片的平面上，并從扁平基片的平面上去除，再以垂直方向安裝在接觸基片上。
7.根據權利要求1所述的用于與接觸目標建立電連接的接觸構件，其中，接觸基片的外緣具有嚙合機構，用于在任何所期望的邊緣與其它接觸基片聯接，以形成一種任意尺寸的接觸器組件。
8.根據權利要求7所述的用于與接觸目標建立電連接的接觸構件，其中，嚙合機構包括齒和凹槽，這些齒和凹槽以這樣的方式設置在接觸基片的外邊緣上，以致于一個邊緣上的嚙合齒和凹槽與其它接觸基片的對應邊緣上的嚙合齒和凹槽相結合，從而將數個接觸基片組裝成具有所期望的尺寸、形狀和所期望的數目接觸器的接觸器組件。
9.根據權利要求1所述的用于與接觸目標建立電連接的接觸構件，其中，接觸基片由硅制成。
10.根據權利要求1所述的用于與接觸目標建立電連接的接觸構件，其中，接觸基片由包括聚酰亞胺、陶瓷和玻璃在內的介電材料制成。
11.一種生產接觸構件的方法，包括下列步驟(a)在一個基片的表面上形成的一個犧牲層；(b)在犧牲層上形成一個光致抗蝕劑層；(c)在光致抗蝕層上對齊光掩模，并通過光掩模用紫外光使光致抗蝕劑層曝光，光掩模具有接觸器的圖形；(d)顯影，在光致抗蝕劑層的表面上形成接觸器的圖形；(e)淀積導電材料，在光致抗蝕劑層的圖形內，形成由導電材料組成的接觸器，每個接觸器都有處于基部端點和中部之間的彈簧部；(f)剝掉光致抗蝕劑層；(g)利用蝕刻工藝去除犧牲層，這樣接觸器與硅基片分離；和(h)將接觸器安裝在一個具有通孔的接觸基片上，所述的通孔用來接受接觸器的端部，這樣每個接觸器的至少一端為電連接起接觸墊的作用。
12.一種生產接觸構件的方法，包括下列步驟(a)在硅基片的表面上形成一個犧牲層；(b)在基片上的犧牲層上形成一個光致抗蝕劑層；(c)對齊光致抗蝕劑層上的光掩模，并通過掩模用紫外光使光致抗蝕劑層曝光，光掩模具有接觸器的圖形；(d)顯影，在光致抗蝕劑的表面上形成接觸器的圖形；(e)利用電鍍工藝，在光致抗蝕劑層的圖形內，形成由導電材料組成的接觸器，并且每個接觸器在基部端點和中部之間都有一個彈簧部；(f)剝掉光致抗蝕劑層；(g)將粘合劑帶放置在接觸器上，以致于使接觸器的上表面附著到粘合劑帶上；(h)通過蝕刻工藝去除犧牲層，以致于使粘合劑帶上的接觸器與硅基片分離；和(i)將接觸器安裝在一個具有通孔的接觸基片上，所述的通孔接受接觸器的端部，其中，每個接觸器的至少一端為電連接起接觸墊的作用。
13.一種生產接觸構件的方法，包括下列步驟(a)在介電基片上形成一個導電基片，該導電基片由導電材料形成；(b)在導電基片上形成一個光致抗蝕劑層；(c)對齊在光致抗蝕劑層上的光掩模，并通過光掩模用紫外光使光致抗蝕劑層曝光，光掩模具有接觸器的圖形；(d)顯影，在光致抗蝕劑層的表面上形成接觸器的圖形；(e)利用電鍍工藝，在光致抗蝕劑層的圖形內，形成由導電材料組成的接觸器，并且每個接觸器在基部端點和中部之間都有一個彈簧部；(f)剝掉光致抗蝕劑層；(g)將粘合劑帶放置在導電基片上的接觸器上，以致于使接觸器的上表面附著到粘合劑帶上，其中，接觸器和粘合劑帶之間的粘結強度大于接觸器和導電基片之間的粘結強度；(h)剝去導電基片，以致于粘合劑帶上的接觸器與導電基片分離；以及(i)將接觸器安裝在一個具有通孔的接觸基片上，以致于接觸器的一端從與接觸基片的相對表面伸出來。
14.一種用于與接觸目標建立電連接的探針接觸組件，包括一個接觸基片，在它的一個表面上安裝有數個接觸器；一個探針卡，用于安裝接觸基片，并且在接觸器和探針卡上的電極之間建立電連接；以及一個針塊，具有數個接觸針，當它固定到探針卡時，作探針卡和半導體測試系統(tǒng)之間的接口；其中，接觸器垂直地安裝在接觸表面的水平表面上，在那里，每個接觸器實質上為直線形狀，并且包括一個接觸部，從垂直方向伸出，以形成一個接觸點；一個中部，插入接觸基片上的通孔中；一個基部，其末端起接觸墊的作用；和彈簧部，處于基部端點與中部之間；以及其中，彈簧部具有彎曲的、傾斜的Z字形，以便當接觸器頂壓到接觸目標上時產生彈性接觸力，而且基部的一端從接觸基片的表面伸出，在與外部元件電連接時，起接觸點的作用。
15.根據權利要求14所述的用于與接觸目標建立電連接的探針接觸組件，其中，接觸基片由單個或數個相互粘接在一起的半導體晶片構成，接觸基片上的通孔是通過蝕刻工藝而形成的。
16.根據權利要求14所述的用于與接觸目標建立電連接的探針接觸組件，其中，每個接觸器的中部設有一個凸緣，以便與接觸基片上的通孔相配合。
17.根據權利要求14所述的用于與接觸目標建立電連接的探針接觸組件，其中，接觸基片由粘結在一起的三層半導體晶片構成，晶片上產生有通孔，以安裝穿過其中的接觸器。
18.根據權利要求14所述的用于與接觸目標建立電連接的探針接觸組件，其中，接觸器以水平方向產生在一個扁平基片的平面上，并從扁平基片上除去，再以垂直方向安裝在接觸基片上。
19.根據權利要求14所述的用于與接觸目標建立電連接的探針接觸組件，其中，接觸基片的外緣具有嚙合機構，用于在任何所期望的連緣與其它接觸基片聯結，以形成一種任意尺寸的接觸器組件。
20.根據權利要求19所述的用于與接觸目標建立電連接的探針接觸組件，其中，嚙合機構包括齒和凹槽，這些齒和凹槽以這樣的方式設置在接觸基片的外邊緣上，以致于一個邊緣上的嚙合齒和凹槽與其它接觸基片的對應邊緣上的嚙合齒和凹槽相結合，從而將數個接觸基片組裝成具有所期望的尺寸、形狀和所期望的數目接觸器的接觸器組件。
全文摘要
一種用于與接觸目標建立電連接的接觸構件。該接觸構件由一個接觸基片和數個接觸器構成,該接觸器具有:一個接觸部,在垂直方向伸出,以形成一個接觸點;一個中部,插入接觸基片上的通孔中;一個基部,其末端起接觸墊的作用;和彈簧部,處于基部端點與中部之間,當接觸器頂壓到接觸目標上時,它將生產一個彈性接觸力。
文檔編號H05K3/20GK1350325SQ0113613
公開日2002年5月22日 申請日期2001年10月25日 優(yōu)先權日2000年10月25日
發(fā)明者周豫, 余大江, 羅伯特·愛德華·阿爾達斯, 西奧多·A·庫利 申請人:株式會社鼎新