專利名稱：環(huán)狀硅氧烷化合物、含硅膜形成材料及其用途的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及含硅膜形成材料，特別是涉及在邏輯(logic)ULSI的多層布線技術中使用的低介電常數(shù)層間絕緣膜材料。特別涉及含有用于等離子體聚合的環(huán)狀硅氧烷化合物的含硅膜形成材料及其用途。

背景技術：
在電子產業(yè)的集成電路領域的制造技術中，高集成化并且高速化的要求日益增高。在硅ULSI、尤其是邏輯ULSI中，連接它們的布線的性能比由MOSFET微細化產生的性能更成為問題。即，為了解決隨多層布線化產生的布線延遲的問題，要求降低布線電阻和布線間以及層間容量。
因此，必須導入電阻更低、具有耐遷移性的銅布線代替目前大部分集成電路使用的鋁布線，采用濺射法或化學氣相沉積法(以下，簡稱CVD)形成種(seed)后進行鍍銅的工藝正在實用化。
作為低介電常數(shù)層間絕緣膜材料有各種各樣的提案。作為以往技術，無機類使用了二氧化硅(SiO2)、氮化硅、磷硅酸玻璃，有機類使用了聚酰亞胺，最近，為了得到更均勻的層間絕緣膜，提出預先使四乙氧基硅烷單體水解，即使之縮聚，得到SiO2，并作為稱作無機Spin on Glass(無機SOG)的涂布材料使用，或者提出使烷氧基硅烷單體縮聚得到的聚硅氧烷作為有機SOG使用。
另外，作為絕緣膜形成方法，有以下兩種方法采用旋轉涂布法等涂布絕緣膜聚合物溶液，進行成膜的涂布型方法和主要在等離子體增強化學氣相沉積法(PECVDPlasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)裝置中進行等離子體聚合而成膜的CVD法。
作為PECVD法的方案，例如，專利文獻1中提出了通過PECVD法由三甲基硅烷和氧形成氧化三甲基硅烷薄膜的方法，而專利文獻2中提出了采用PECVD法由具有甲基、乙基、正丙基等直鏈狀烷基、乙烯基苯基等炔基(alkynyl)以及芳基的烷氧基硅烷形成氧化烷基硅烷薄膜的方法。這些使用以往的PECVD法材料形成的絕緣膜，雖然與阻擋金屬，作為布線材料的銅布線材料的粘合性良好，但另一方面，有時膜的均勻性成為問題，或成膜速度、電容率(dielectric constant)不充分。
作為使用環(huán)狀硅氧烷的PECVD的方案，例如，專利文獻3提出了使用四甲基環(huán)四硅氧烷的方法，而專利文獻4提出了使用四烷基環(huán)四硅氧烷、四氨基環(huán)四硅氧烷、八烷基環(huán)四硅氧烷、八氨基環(huán)四硅氧烷的方法。在這些方法中，使用環(huán)狀硅氧烷作為原料化合物，不僅在生成薄膜中維持其環(huán)狀結構，而且在生成薄膜中形成孔穴，謀求降低電容率。然而，根據(jù)本發(fā)明者的見解，使用這些的取代環(huán)狀硅氧烷進行PECVD成膜時，不能得到有小于2.7的電容率的薄膜。認為這是因為該環(huán)狀硅氧烷化合物在等離子體中環(huán)狀結構容易遭到破壞而成為鏈狀結構，不能有助于薄膜多孔化的緣故。
另外，在專利文獻5中提出了六甲基環(huán)三硅氧烷、1，3，5-三甲基-1，3，5-三乙烯基環(huán)三硅氧烷這些六員環(huán)狀硅氧烷，專利文獻6中提出在等離子體環(huán)境氣氛下使雙苯并環(huán)丁烯取代二硅氧烷化合物和作為八員環(huán)狀硅氧烷的1，3，5，7-四甲基-1，3，5，7-四乙烯基環(huán)四硅氧烷共聚。然而，根據(jù)本發(fā)明者的知識，在使用這些方案中的乙烯基和/或甲基取代的環(huán)狀硅氧烷的方法中，不能得到具有小于2.5的電容率的薄膜。
專利文獻7和專利文獻8提出了使用多孔化劑的PECVD法低介電常數(shù)薄膜的成膜方法。前者提出了向PECVD裝置腔(chamber)內供給三乙氧基硅烷和二乙氧基甲基硅烷以及多孔化劑α-萜品烯，進行PECVD成膜后，在400℃以上的溫度下進行退火處理，通過使薄膜中的來自α-萜品烯的成分揮發(fā)而多孔化，并進行低介電常數(shù)化的方法。后者提出了向PECVD裝置腔內供給環(huán)-1，3，5，7-四亞硅烷基-2，6，二氧-4，8-二亞甲基和多孔化劑乙烯基呋喃醚及氧化劑一氧化二氮，進行PECVD成膜后，在400℃以上的溫度下進行退火處理，通過使薄膜中的來自乙烯基呋喃醚的成分揮發(fā)而多孔化，并進行低介電常數(shù)化的方法。這些方法雖然可期待多孔化產生的低介電常數(shù)化，但由于通過后處理將多孔劑成分從一次形成的薄膜中除去至薄膜外，故存在以下問題薄膜的基體遭到破壞，膜內部的組成變得不均勻，剛性或楊氏模量等機械強度降低，形成的孔成為連續(xù)開放體系的孔，不能防止金屬成分向膜中擴散等。
另外，作為涂布型的方案，雖然膜的均勻性良好，但需要涂布、除去溶劑，熱處理三個工序，經(jīng)濟性比CVD材料差，并且與阻擋金屬、作為布線材料的銅布線材料的粘合性，或涂布液對微細化的基板結構的均勻涂布本身往往成為問題。
另外，在涂布型材料中，為了實現(xiàn)電容率為2.5以下，甚至是2.0以下的UltraLow-k材料提出了制成多孔材料的方法。包括以下方法使容易熱分解的有機成分微粒分散在有機類或無機類材料的基體中熱處理進行使之多孔化的方法，蒸鍍使硅和氧在氣體中蒸發(fā)形成的SiO2超微粒子，形成SiO2超微粒薄膜的方法等。然而，這些多孔化的方法雖然對低介電常數(shù)化有效，但往往機械強度降低，化學機械研磨(CMP)困難，或由于吸收水分導致介電常數(shù)上升及引起布線腐蝕。
因此，市場要求滿足低介電常數(shù)，充分的機械強度，與阻擋金屬的粘合性，防止銅擴散、耐等離子體灰化(ashing)性、耐吸濕性等全部要求性能的平衡性良好的材料，作為某種程度上平衡性良好地滿足這些要求性能的方法，提出了，在有機硅烷類材料中，通過使有機取代基團的碳相對于硅烷的比例上升而具有有機聚合物和無機聚合物的中間特征的材料。例如，專利文獻9提出了使用在酸性水溶液共存下，采用溶膠-凝膠法將具有金剛烷基的硅化合物水解縮聚得到的涂布溶液，不進行多孔化得到電容率為2.4以下的層間絕緣膜的方法。然而，這種材料是涂布型的材料，仍然有如上述的涂布型的成膜方法的問題。
專利文獻1特開2002-110670號公報
專利文獻2特開平11-288931號公報
專利文獻3專利第2067801號公報
專利文獻4特開平5-279856號公報
專利文獻5國際公開03/019645號小冊子
專利文獻6特開2004-47873號公報
專利文獻7特開2005-19980號公報
專利文獻8特開2001-298023號公報
專利文獻9特開2000-302791號公報

發(fā)明內容
發(fā)明要解決的問題 本發(fā)明是鑒于上述的課題而進行的，其目的在于提供新型的含硅膜形成材料，尤其是含有適合PECVD裝置的環(huán)狀硅氧烷化合物的低介電常數(shù)絕緣膜用材料以及使用該材料的含硅膜及包含這些膜的半導體器件。
解決問題的方法 本發(fā)明者發(fā)現(xiàn)具有含雜原子的取代基的環(huán)狀硅氧烷化合物適合作為絕緣膜，尤其是用于半導體器件的低介電常數(shù)層間絕緣膜材料，從而完成了本發(fā)明。
即，本發(fā)明涉及含硅膜形成材料，其含有下述通式(1)表示的環(huán)狀硅氧烷化合物， [化1]
式中，A表示含有選自氧原子、硼原子及氮原子中至少一種的基團，R1表示氫原子或烴基，n表示1或2，x表示2～10的整數(shù)。
另外，本發(fā)明涉及含硅膜的制造方法，該方法包括，使用上述的含硅膜形成材料作為原料。此外，本發(fā)明涉及含硅膜，其采用上述的制造方法制得。另外，本發(fā)明涉及含硅膜的制造方法，該方法包括，對上述的含硅膜進行熱處理，紫外線照射處理，或電子射線處理。此外，本發(fā)明涉及含硅膜，其采用上述的制造方法制得。另外，本發(fā)明涉及半導體器件，其使用上述的含硅膜作為絕緣膜。
此外，本發(fā)明涉及環(huán)狀硅氧烷化合物，其用下述通式(20)表示， [化2]
(式中，R18表示烴基，R19表示氫原子或烴基，g表示2～10的整數(shù)，h表示1～3的整數(shù))。
發(fā)明效果 按照本發(fā)明可以達到以下的顯著效果。即，作為本發(fā)明的第一效果。通過使用通式(1)表示的環(huán)狀硅氧烷化合物作為含硅的膜形成材料，可提供作為半導體器件層間絕緣膜中的低介電常數(shù)材料的低介電常數(shù)且高機械強度的材料。另外，本發(fā)明可高效率地制造作為PECVD法層間絕緣膜材料使用的高純度的通式(1)表示的環(huán)狀硅氧烷化合物。



圖1是表示平行平板電容耦合型PECVD裝置的圖。
圖2是表示電感耦合型遠程PECVD裝置的圖。
符號說明 1-PECVD裝置 2-PECVD腔 3-上部電極 4-下部電極 5-薄膜形成用基板 6-匹配電路(matching circuit) 7-RF電源 8-溫度控制裝置 9-氣化器 10-液體流量控制裝置 11-氣體流量控制裝置 12-容器 13-通式(1)表示的化合物 14-配管 15-配管 16-排氣裝置 17-接地 18-接地 19-PECVD裝置 20-PECVD腔 21-線圈 22-石英管 23-加熱部 24-薄膜形成用基板 25-匹配電路 26-RF電源 27-溫度控制裝置 28-氣化器 29-液體流量控制裝置 30-氣體流量控制裝置 31-噴淋頭(Shower head) 32-容器 33-通式(1)表示的化合物 34-配管 35-配管 36-排氣裝置 37-接地
具體實施例方式 以下，對本發(fā)明的詳細內容進行說明。
本發(fā)明中，作為R1及以下所述的R2、R4、R6、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19表示的烴基，優(yōu)選是C1～20的飽和或不飽和烴基，可以具有直鏈狀、支鏈狀、環(huán)狀的任何結構。另外，下述通式(3)、(5)、(7)中，p、q或r為2以上時，這些烴基可以相互結合形成環(huán)狀結構。碳原子數(shù)超過20時，相應的有機鹵化物等原料的供給困難，或者即使能供給而有時純度低。另外，考慮在CVD裝置中的穩(wěn)定使用時，從有機硅烷化合物的蒸氣壓不能太低的觀點考慮，特別優(yōu)選C1-6的烴基。
作為R1及以下所述的R2、R4、R6、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19表示的烴基沒有特殊限定，優(yōu)選舉出，C1～6的烷基、芳基、芳基烷基、烷基芳基、鏈烯基、芳基鏈烯基、鏈烯基芳基、炔基、芳基炔基、炔基芳基，更優(yōu)選C1-6的烷基和芳基。
作為具體的例子，可舉出甲基、乙基、正丙基、異丙基、環(huán)丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、環(huán)丁基、正戊基、叔戊基、環(huán)戊基、正己基、環(huán)己基、2-乙基己基等烷基，苯基、聯(lián)苯基、萘基等芳基，芐基、甲基芐基等芳基烷基，鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、2，3-二甲基苯基、2，4-二甲基苯基、2，5-二甲基苯基、2，6-二甲基苯基、3，4-二甲基苯基、3，5-二甲基苯基、2，4，6-三甲基苯基、鄰乙基苯基、間乙基苯基、對乙基苯基等烷基芳基等。
還可舉出，乙烯基、烯丙基、1-丙烯基、1-丁烯基、1，3-丁二烯基、1-戊烯基、1-環(huán)戊烯基、2-環(huán)戊烯基、環(huán)戊二烯基、甲基環(huán)戊二烯基、乙基環(huán)戊二烯基、1-己烯基、1-環(huán)己烯基、2，4-環(huán)己二烯基、2，5-環(huán)己二烯基、2，4，6-環(huán)庚三烯基、5-降冰片烯-2-基等鏈烯基，2-苯基-1-乙烯基(エテニル)等芳基鏈烯基、鄰苯乙烯基、間苯乙烯基、對苯乙烯基等鏈烯基芳基，乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、1-丁炔基、2-丁炔基、3-丁炔基、1-戊炔基、2-戊炔基、3-戊炔基、4-戊炔基、1-己炔基、3-己炔基、5-己炔基等炔基，2-苯基-1-乙炔基等芳基炔基、2-乙炔基-2-苯基等炔基芳基等。
其中，特優(yōu)選C1～4的烷基和苯基。
上述通式(1)中，A表示含有選自氧原子、硼原子和氮原子中至少一種的基團，可以具有直鏈狀、支鏈狀、環(huán)狀中任何一種結構。
其中優(yōu)選含氧的A，例如可舉出下述通式(2)或下述通式(3)表示的含氧基團， [化3] -O-R2(2) (式中，R2與上述相同) [化4] -R3-(O-R2)p(3) (式中，R2與上述相同，R3表示烴殘基，p是R3上取代的OR2的數(shù)目，為1以上的整數(shù))。
作為用上述通式(3)的R3及以下表示的R5、R7的例子，可以舉出，從作為R1、R2、R4、R6、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19的例子所示的烴基的結構中，分別除去p個、q個或r個氫原子得到的結構的烴殘基，優(yōu)選C1～20的飽和或不飽和烴殘基，可以具有直鏈狀、支鏈狀、環(huán)狀中的任何一種結構。
碳原子數(shù)超過20時，生成的有機硅烷的蒸氣壓變低，有時難以在PECVD裝置中使用，故不優(yōu)選。作為含氧的A，優(yōu)選烷氧基、硅烷氧基、烷氧基芳基、或烷氧基烷基，更優(yōu)選C1～4的烷氧基、被C1～4的烷氧基取代的苯基、或被C1～4的烷氧基取代的C1～4的烷基。作為此時的R1，優(yōu)選C1～6的烷基，更優(yōu)選C1～4的烷基。
作為含氮的A，例如，可舉出，下述通式(4)或下述通式(5)表示的含氮基團， [化5]
(式中，R4與上述相同) [化6]
(式中，R4與上述相同，R5表示烴殘基，q是R5上取代的NR42的數(shù)目，為1以上的整數(shù))。上式中，R4彼此可以相同也可以不同。作為含氮的A，優(yōu)選烷基氨基、二烷基氨基、芳基氨基或二芳基氨基。
作為含硼的A，例如可舉出下述通式(6)、或下述通式(7)表示的含硼基團， [化7]
(式中，R6與上述相同) [化8]
(式中，R6與上述相同，R7表示烴殘基，r是R7上取代的BR62的數(shù)目，為1以上的整數(shù))。上式中R6彼此可以相同也可以不同。作為含硼的A，優(yōu)選烷基硼殘基，烷氧基硼殘基。
另外，具有以下特征的含硅膜形成材料也落入本發(fā)明的范圍，所述特征是，含有具有混合存在上述通式(2)～(7)的取代基的結構的上述通式(1)所示環(huán)狀硅氧烷化合物。
上述通式(1)中，R1是與Si原子直接鍵合的仲烴基或叔烴基時，上述通式(1)表示的環(huán)狀硅氧烷化合物在等離子體中穩(wěn)定化，可得到具有低電容率值、高機械物性的薄膜，故而優(yōu)選。并且，優(yōu)選n是1、x是3～4，另外通式(1)表示的環(huán)狀硅氧烷化合物的分子量優(yōu)選低于1000。
作為上述通式(1)表示的環(huán)狀硅氧烷化合物的具體例，可舉出2，4，6-三叔丁基-2，4，6-三甲氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三仲丁基-2，4，6-三甲氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三異丁基-2，4，6-三甲氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三正丁基-2，4，6-三甲氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三環(huán)丁基-2，4，6-三甲氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三異丙基-2，4，6-三甲氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三正丙基-2，4，6-三甲氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三環(huán)丙基-2，4，6-三甲氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三乙基-2，4，6-三甲氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三甲基-2，4，6-三甲氧基環(huán)三硅氧烷等。
還可舉出2，4，6-三叔丁基-2，4，6-三乙氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三仲丁基-2，4，6-三乙氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三異丁基-2，4，6-三乙氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三正丁基-2，4，6-三乙氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三環(huán)丁基-2，4，6-三乙氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三異丙基-2，4，6-三乙氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三正丙基-2，4，6-三乙氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三環(huán)丙基-2，4，6-三乙氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三乙基-2，4，6-三乙氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三甲基-2，4，6-三乙氧基環(huán)三硅氧烷等。
還可舉出2，4，6-三叔丁基-2，4，6-三正丙氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三仲丁基-2，4，6-三正丙氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三異丁基-2，4，6-三正丙氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三正丁基-2，4，6-三正丙氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三環(huán)丁基-2，4，6-三正丙氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三異丙基-2，4，6-三正丙氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三正丙基-2，4，6-三正丙氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三環(huán)丙基-2，4，6-三正丙氧基環(huán)三硅氧烷、1，3，5-三乙基-1，3，5-三正丙氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三甲基-2，4，6-三正丙氧基環(huán)三硅氧烷等。
還可舉出2，4，6-三叔丁基-2，4，6-三異丙氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三仲丁基-2，4，6-三異丙氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三異丁基-2，4，6-三異丙氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三正丁基-2，4，6-三異丙氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三環(huán)丁基-2，4，6-三異丙氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三異丙基-2，4，6-三異丙氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三正丙基-2，4，6-三異丙氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三環(huán)丙基-2，4，6-三異丙氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三乙基-2，4，6-三異丙氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三甲基-2，4，6-三異丙氧基環(huán)三硅氧烷等。
還可舉出2，4，6，8-四叔丁基-2，4，6，8-四甲氧基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四仲丁基-2，4，6，8-四甲氧基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四異丁基-2，4，6，8-四甲氧基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四正丁基-2，4，6，8-四甲氧基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四環(huán)丁基-2，4，6，8-四甲氧基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四異丙基-2，4，6，8-四甲氧基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四正丙基-2，4，6，8-四甲氧基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四環(huán)丙基-2，4，6，8-四甲氧基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四乙基-2，4，6，8-四甲氧基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四甲基-2，4，6，8-四甲氧基環(huán)四硅氧烷等。
還可舉出2，4，6，8-四叔丁基-2，4，6，8-四乙氧基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四仲丁基-2，4，6，8-四乙氧基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四異丁基-2，4，6，8-四乙氧基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四正丁基-2，4，6，8-四乙氧基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四環(huán)丁基-2，4，6，8-四乙氧基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四異丙基-2，4，6，8-四乙氧基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四正丙基-2，4，6，8-四乙氧基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四環(huán)丙基-2，4，6，8-四乙氧基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四乙基-2，4，6，8-四乙氧基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四甲基-2，4，6，8-四乙氧基環(huán)四硅氧烷等。
還可舉出2，4，6，8-四叔丁基-2，4，6，8-四正丙氧基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四仲丁基-2，4，6，8-四正丙氧基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四異丁基-2，4，6，8-四正丙氧基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四正丁基-2，4，6，8-四正丙氧基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四環(huán)丁基-2，4，6，8-四正丙氧基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四異丙基-2，4，6，8-四正丙氧基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四正丙基-2，4，6，8-四正丙氧基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四環(huán)丙基-2，4，6，8-四正丙氧基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四乙基-2，4，6，8-四正丙氧基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四甲基-2，4，6，8-四正丙氧基環(huán)四硅氧烷等。
還可舉出2，4，6，8-四叔丁基-2，4，6，8-四異丙氧基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四仲丁基-2，4，6，8-四異丙氧基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四異丁基-2，4，6，8-四異丙氧基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四正丁基-2，4，6，8-四異丙氧基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四環(huán)丁基-2，4，6，8-四異丙氧基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四異丙基-2，4，6，8-四異丙氧基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四正丙基-2，4，6，8-四異丙氧基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四環(huán)丙基-2，4，6，8-四異丙氧基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四乙基-2，4，6，8-四異丙氧基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四甲基-2，4，6，8-四異丙氧基環(huán)四硅氧烷等。
還可舉出2，4，6，8，10-五叔丁基-2，4，6，8，10-五甲氧基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五仲丁基-2，4，6，8，10-五甲氧基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五異丁基-2，4，6，8，10-五甲氧基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五正丁基-2，4，6，8，10-五甲氧基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五環(huán)丁基-2，4，6，8，10-五甲氧基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五異丙基-2，4，6，8，10-五甲氧基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五正丙基-2，4，6，8，10-五甲氧基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五環(huán)丙基-2，4，6，8，10-五甲氧基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五乙基-2，4，6，8，10-五甲氧基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五甲基-2，4，6，8，10-五甲氧基環(huán)五硅氧烷等。
還可舉出2，4，6，8，10-五叔丁基-2，4，6，8，10-五乙氧基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五仲丁基-2，4，6，8，10-五乙氧基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五異丁基-2，4，6，8，10-五乙氧基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五正丁基-2，4，6，8，10-五乙氧基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五環(huán)丁基-2，4，6，8，10-五乙氧基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五異丙基-2，4，6，8，10-五乙氧基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五正丙基-2，4，6，8，10-五乙氧基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五環(huán)丙基-2，4，6，8，10-五乙氧基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五乙基-2，4，6，8，10-五乙氧基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五甲基-2，4，6，8，10-五乙氧基環(huán)五硅氧烷等。
還可舉出2，4，6，8，10-五叔丁基-2，4，6，8，10-五正丙氧基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五仲丁基-2，4，6，8，10-五正丙氧基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五異丁基-2，4，6，8，10-五正丙氧基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五正丁基-2，4，6，8，10-五正丙氧基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五環(huán)丁基-2，4，6，8，10-五正丙氧基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五異丙基-2，4，6，8，10-五正丙氧基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五正丙基-2，4，6，8，10-五正丙氧基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五環(huán)丙基-2，4，6，8，10-五正丙氧基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五乙基-2，4，6，8，10-五正丙氧基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五甲基-2，4，6，8，10-五正丙氧基環(huán)五硅氧烷等。
還可舉出2，4，6，8，10-五叔丁基-2，4，6，8，10-五異丙氧基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五仲丁基-2，4，6，8，10-五異丙氧基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五異丁基-2，4，6，8，10-五異丙氧基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五正丁基-2，4，6，8，10-五異丙氧基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五環(huán)丁基-2，4，6，8，10-五異丙氧基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五異丙基-2，4，6，8，10-五異丙氧基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五正丙基-2，4，6，8，10-五異丙氧基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五環(huán)丙基-2，4，6，8，10-五異丙氧基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五乙基-2，4，6，8，10-五異丙氧基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五甲基-2，4，6，8，10-五異丙氧基環(huán)五硅氧烷等。
還可舉出2，2，4，4，6，6-六甲氧基環(huán)三硅氧烷、2，2，4，4，6，6-六乙氧基環(huán)三硅氧烷、2，2，4，4，6，6-六正丙氧基環(huán)三硅氧烷、2，2，4，4，6，6-六異丙氧基環(huán)三硅氧烷、2，2，4，4，6，6-六環(huán)丙氧基環(huán)三硅氧烷、2，2，4，4，6，6-六叔丁氧基環(huán)三硅氧烷、2，2，4，4，6，6-六仲丁氧基環(huán)三硅氧烷、2，2，4，4，6，6-六異丁氧基環(huán)三硅氧烷、2，2，4，4，6，6-六正丁氧基環(huán)三硅氧烷、2，2，4，4，6，6-六環(huán)丁氧基環(huán)三硅氧烷等。
還可舉出2，2，4，4，6，6，8，8-八甲氧基環(huán)四硅氧烷、2，2，4，4，6，6，8，8-八乙氧基環(huán)四硅氧烷、2，2，4，4，6，6，8，8-八正丙氧基環(huán)四硅氧烷、2，2，4，4，6，6，8，8-八異丙氧基環(huán)四硅氧烷、2，2，4，4，6，6，8，8-八環(huán)丙氧基環(huán)四硅氧烷、2，2，4，4，6，6，8，8-八叔丁氧基環(huán)四硅氧烷、2，2，4，4，6，6，8，8-八仲丁氧基環(huán)四硅氧烷、2，2，4，4，6，6，8，8-八異丁氧基環(huán)四硅氧烷、2，2，4，4，6，6，8，8-八正丁氧基環(huán)四硅氧烷、2，2，4，4，6，6，8，8-八環(huán)丁氧基環(huán)四硅氧烷等。
還可舉出2，2，4，4，6，6，8，8，10，10-十甲氧基環(huán)五硅氧烷、2，2，4，4，6，6，8，8，10，10-十乙氧基環(huán)五硅氧烷、2，2，4，4，6，6，8，8，10，10-十正丙氧基環(huán)五硅氧烷、2，2，4，4，6，6，8，8，10，10-十異丙氧基環(huán)五硅氧烷、2，2，4，4，6，6，8，8，10，10-十環(huán)丙氧基環(huán)五硅氧烷、2，2，4，4，6，6，8，8，10，10-十叔丁氧基環(huán)五硅氧烷、2，2，4，4，6，6，8，8，10，10-十仲丁氧基環(huán)五硅氧烷、2，2，4，4，6，6，8，8，10，10-十異丁氧基環(huán)五硅氧烷、2，2，4，4，6，6，8，8，10，10-十正丁氧基環(huán)五硅氧烷、2，2，4，4，6，6，8，8，10，10-十環(huán)丁氧基環(huán)五硅氧烷等。
還可舉出2，4，6-三(2-甲氧基乙基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(2-叔丁氧基乙基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷、2，4，6，8-四(2-甲氧基乙基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(2-叔丁氧基乙基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8，10-五(2-甲氧基乙基)-2，4，6，8，10-五甲基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五(2-叔丁氧基乙基)-2，4，6，8，10-五甲基環(huán)五硅氧烷等。
還可舉出2，4，6-三(4-甲氧基苯基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(4-叔丁氧基苯基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷、2，4，6，8-四(4-甲氧基苯基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(4-叔丁氧基苯基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8，10-五(4-甲氧基苯基)-2，4，6，8，10-五甲基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五(4-叔丁氧基苯基)-2，4，6，8，10-五甲基環(huán)五硅氧烷等。
還可舉出2，4，6-三(甲氧基甲基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(乙氧基甲基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(正丙氧基甲基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(異丙氧基甲基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(正丁氧基甲基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(異丁氧基甲基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(叔丁氧基甲基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷等。
還可舉出2，4，6-三(甲氧基甲基)-2，4，6-三乙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(乙氧基甲基)-2，4，6-三乙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(正丙氧基甲基)-2，4，6-三乙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(異丙氧基甲基)-2，4，6-三乙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(正丁氧基甲基)-2，4，6-三乙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(異丁氧基甲基)-2，4，6-三乙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(叔丁氧基甲基)-2，4，6-三乙基環(huán)三硅氧烷等。
還可舉出2，4，6-三(甲氧基甲基)-2，4，6-三異丙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(乙氧基甲基)-2，4，6-三異丙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(正丙氧基甲基)-2，4，6-三異丙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(異丙氧基甲基)-2，4，6-三異丙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(正丁氧基甲基)-2，4，6-三異丙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(異丁氧基甲基)-2，4，6-三異丙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(叔丁氧基甲基)-2，4，6-三異丙基環(huán)三硅氧烷等。
還可舉出2，4，6-三(甲氧基甲基)-2，4，6-三正丙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(乙氧基甲基)-2，4，6-三正丙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(正丙氧基甲基)-2，4，6-三正丙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(異丙氧基甲基)-2，4，6-三正丙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(正丁氧基甲基)-2，4，6-三正丙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(異丁氧基甲基)-2，4，6-三正丙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(叔丁氧基甲基)-2，4，6-三正丙基環(huán)三硅氧烷等。
還可舉出2，4，6-三(甲氧基甲基)-2，4，6-三叔丁基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(乙氧基甲基)-2，4，6-三叔丁基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(正丙氧基甲基)-2，4，6-三叔丁基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(異丙氧基甲基)-2，4，6-三叔丁基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(正丁氧基甲基)-2，4，6-三叔丁基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(異丁氧基甲基)-2，4，6-三叔丁基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(叔丁氧基甲基)-2，4，6-三叔丁基環(huán)三硅氧烷等。
還可舉出2，4，6-三(甲氧基甲基)-2，4，6-三環(huán)戊基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(乙氧基甲基)-2，4，6-三環(huán)戊基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(正丙氧基甲基)-2，4，6-三環(huán)戊基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(異丙氧基甲基)-2，4，6-三環(huán)戊基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(正丁氧基甲基)-2，4，6-三環(huán)戊基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(異丁氧基甲基)-2，4，6-三環(huán)戊基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(叔丁氧基甲基)-2，4，6-三環(huán)戊基環(huán)三硅氧烷等。
還可舉出2，4，6-三(甲氧基甲基)-2，4，6-三環(huán)己基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(乙氧基甲基)-2，4，6-三環(huán)己基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(正丙氧基甲基)-2，4，6-三環(huán)己基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(異丙氧基甲基)-2，4，6-三環(huán)己基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(正丁氧基甲基)-2，4，6-三環(huán)己基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(異丁氧基甲基)-2，4，6-三環(huán)己基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(叔丁氧基甲基)-2，4，6-三環(huán)己基環(huán)三硅氧烷等。
還可舉出2，4，6-三(甲氧基乙基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(乙氧基乙基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(正丙氧基乙基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(異丙氧基乙基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(正丁氧基乙基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(異丁氧基乙基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(叔丁氧基乙基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷等。
還可舉出2，4，6-三(甲氧基乙基)-2，4，6-三乙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(乙氧基乙基)-2，4，6-三乙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(正丙氧基乙基)-2，4，6-三乙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(異丙氧基乙基)-2，4，6-三乙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(正丁氧基乙基)-2，4，6-三乙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(異丁氧基乙基)-2，4，6-三乙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(叔丁氧基乙基)-2，4，6-三乙基環(huán)三硅氧烷等。
還可舉出2，4，6-三(甲氧基乙基)-2，4，6-三異丙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(乙氧基乙基)-2，4，6-三異丙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(正丙氧基乙基)-2，4，6-三異丙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(異丙氧基乙基)-2，4，6-三異丙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(正丁氧基乙基)-2，4，6-三異丙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(異丁氧基乙基)-2，4，6-三異丙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(叔丁氧基乙基)-2，4，6-三異丙基環(huán)三硅氧烷等。
還可舉出2，4，6-三(甲氧基乙基)-2，4，6-三正丙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(乙氧基乙基)-2，4，6-三正丙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(正丙氧基乙基)-2，4，6-三正丙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(異丙氧基乙基)-2，4，6-三正丙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(正丁氧基乙基)-2，4，6-三正丙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(異丁氧基乙基)-2，4，6-三正丙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(叔丁氧基乙基)-2，4，6-三正丙基環(huán)三硅氧烷等。
還可舉出2，4，6-三(甲氧基乙基)-2，4，6-三叔丁基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(乙氧基乙基)-2，4，6-三叔丁基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(正丙氧基乙基)-2，4，6-三叔丁基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(異丙氧基乙基)-2，4，6-三叔丁基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(正丁氧基乙基)-2，4，6-三叔丁基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(異丁氧基乙基)-2，4，6-三叔丁基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(叔丁氧基乙基)-2，4，6-三叔丁基環(huán)三硅氧烷等。
還可舉出2，4，6-三(甲氧基乙基)-2，4，6-三環(huán)戊基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(乙氧基乙基)-2，4，6-三環(huán)戊基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(正丙氧基乙基)-2，4，6-三環(huán)戊基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(異丙氧基乙基)-2，4，6-三環(huán)戊基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(正丁氧基乙基)-2，4，6-三環(huán)戊基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(異丁氧基乙基)-2，4，6-三環(huán)戊基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(叔丁氧基乙基)-2，4，6-三環(huán)戊基環(huán)三硅氧烷等。
還可舉出2，4，6-三(甲氧基乙基)-2，4，6-三環(huán)己基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(乙氧基乙基)-2，4，6-三環(huán)己基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(正丙氧基乙基)-2，4，6-三環(huán)己基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(異丙氧基乙基)-2，4，6-三環(huán)己基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(正丁氧基乙基)-2，4，6-三環(huán)己基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(異丁氧基乙基)-2，4，6-三環(huán)己基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(叔丁氧基乙基)-2，4，6-三環(huán)己基環(huán)三硅氧烷等。
還可舉出2，4，6-三(甲氧基丙基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(甲氧基丙基)-2，4，6-三乙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(甲氧基丙基)-2，4，6-三異丙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(甲氧基丁基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(甲氧基戊基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(甲氧基己基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷等。
還可舉出2，4，6，8-四(甲氧基甲基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(乙氧基甲基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(正丙氧基甲基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(異丙氧基甲基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(正丁氧基甲基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(異丁氧基甲基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(叔丁氧基甲基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷等。
還可舉出2，4，6，8-四(甲氧基甲基)-2，4，6，8-四乙基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(乙氧基甲基)-2，4，6，8-四乙基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(正丙氧基甲基)-2，4，6，8-四乙基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(異丙氧基甲基)-2，4，6，8-四乙基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(正丁氧基甲基)-2，4，6，8-四乙基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(異丁氧基甲基)-2，4，6，8-四乙基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(叔丁氧基甲基)-2，4，6，8-四乙基環(huán)四硅氧烷等。
還可舉出2，4，6，8-四(甲氧基甲基)-2，4，6，8-四正丙基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(乙氧基甲基)-2，4，6，8-四正丙基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(正丙氧基甲基)-2，4，6，8-四正丙基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(異丙氧基甲基)-2，4，6，8-四正丙基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(正丁氧基甲基)-2，4，6，8-四正丙基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(異丁氧基甲基)-2，4，6，8-四正丙基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(叔丁氧基甲基)-2，4，6，8-四正丙基環(huán)四硅氧烷等。
還可舉出2，4，6，8-四(甲氧基甲基)-2，4，6，8-四異丙基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(乙氧基甲基)-2，4，6，8-四異丙基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(正丙氧基甲基)-2，4，6，8-四異丙基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(異丙氧基甲基)-2，4，6，8-四異丙基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(正丁氧基甲基)-2，4，6，8-四異丙基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(異丁氧基甲基)-2，4，6，8-四異丙基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(叔丁氧基甲基)-2，4，6，8-四異丙基環(huán)四硅氧烷等。
還可舉出2，4，6，8-四(甲氧基甲基)-2，4，6，8-四叔丁基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(乙氧基甲基)-2，4，6，8-四叔丁基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(正丙氧基甲基)-2，4，6，8-四叔丁基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(異丙氧基甲基)-2，4，6，8-四叔丁基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(正丁氧基甲基)-2，4，6，8-四叔丁基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(異丁氧基甲基)-2，4，6，8-四叔丁基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(叔丁氧基甲基)-2，4，6，8-四叔丁基環(huán)四硅氧烷等。
還可舉出2，4，6，8-四(甲氧基甲基)-2，4，6，8-四環(huán)戊基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(乙氧基甲基)-2，4，6，8-四環(huán)戊基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(正丙氧基甲基)-2，4，6，8-四環(huán)戊基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(異丙氧基甲基)-2，4，6，8-四環(huán)戊基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(正丁氧基甲基)-2，4，6，8-四環(huán)戊基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(異丁氧基甲基)-2，4，6，8-四環(huán)戊基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(叔丁氧基甲基)-2，4，6，8-四環(huán)戊基環(huán)四硅氧烷等。
還可舉出2，4，6，8-四(甲氧基甲基)-2，4，6，8-四環(huán)己基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(乙氧基甲基)-2，4，6，8-四環(huán)己基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(正丙氧基甲基)-2，4，6，8-四環(huán)己基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(異丙氧基甲基)-2，4，6，8-四環(huán)己基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(正丁氧基甲基)-2，4，6，8-四環(huán)己基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(異丁氧基甲基)-2，4，6，8-四環(huán)己基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(叔丁氧基甲基)-2，4，6，8-四環(huán)己基環(huán)四硅氧烷等。
還可舉出2，4，6，8-四(甲氧基乙基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(乙氧基乙基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(正丙氧基乙基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(異丙氧基乙基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(正丁氧基乙基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(異丁氧基乙基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(叔丁氧基乙基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷等。
還可舉出2，4，6，8-四(甲氧基乙基)-2，4，6，8-四乙基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(乙氧基乙基)-2，4，6，8-四乙基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(正丙氧基乙基)-2，4，6，8-四乙基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(異丙氧基乙基)-2，4，6，8-四乙基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(正丁氧基乙基)-2，4，6，8-四乙基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(異丁氧基乙基)-2，4，6，8-四乙基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(叔丁氧基乙基)-2，4，6，8-四乙基環(huán)四硅氧烷等。
還可舉出2，4，6，8-四(甲氧基乙基)-2，4，6，8-四正丙基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(乙氧基乙基)-2，4，6，8-四正丙基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(正丙氧基乙基)-2，4，6，8-四正丙基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(異丙氧基乙基)-2，4，6，8-四正丙基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(正丁氧基乙基)-2，4，6，8-四正丙基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(異丁氧基乙基)-2，4，6，8-四正丙基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(叔丁氧基乙基)-2，4，6，8-四正丙基環(huán)四硅氧烷等。
還可舉出2，4，6，8-四(甲氧基乙基)-2，4，6，8-四異丙基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(乙氧基乙基)-2，4，6，8-四異丙基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(正丙氧基乙基)-2，4，6，8-四異丙基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(異丙氧基乙基)-2，4，6，8-四異丙基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(正丁氧基乙基)-2，4，6，8-四異丙基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(異丁氧基乙基)-2，4，6，8-四異丙基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(叔丁氧基乙基)-2，4，6，8-四異丙基環(huán)四硅氧烷等。
還可舉出2，4，6，8-四(甲氧基乙基)-2，4，6，8-四叔丁基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(乙氧基乙基)-2，4，6，8-四叔丁基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(正丙氧基乙基)-2，4，6，8-四叔丁基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(異丙氧基乙基)-2，4，6，8-四叔丁基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(正丁氧基乙基)-2，4，6，8-四叔丁基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(異丁氧基乙基)-2，4，6，8-四叔丁基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(叔丁氧基乙基)-2，4，6，8-四叔丁基環(huán)四硅氧烷等。
還可舉出2，4，6，8-四(甲氧基乙基)-2，4，6，8-四環(huán)戊基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(乙氧基乙基)-2，4，6，8-四環(huán)戊基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(正丙氧基乙基)-2，4，6，8-四環(huán)戊基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(異丙氧基乙基)-2，4，6，8-四環(huán)戊基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(正丁氧基乙基)-2，4，6，8-四環(huán)戊基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(異丁氧基乙基)-2，4，6，8-四環(huán)戊基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(叔丁氧基乙基)-2，4，6，8-四環(huán)戊基環(huán)四硅氧烷等。
還可舉出2，4，6，8-四(甲氧基乙基)-2，4，6，8-四環(huán)己基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(乙氧基乙基)-2，4，6，8-四環(huán)己基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(正丙氧基乙基)-2，4，6，8-四環(huán)己基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(異丙氧基乙基)-2，4，6，8-四環(huán)己基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(正丁氧基乙基)-2，4，6，8-四環(huán)己基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(異丁氧基乙基)-2，4，6，8-四環(huán)己基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(叔丁氧基乙基)-2，4，6，8-四環(huán)己基環(huán)四硅氧烷等。
還可舉出2，4，6，8-四(甲氧基丙基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)三硅氧烷、2，4，6，8-四(甲氧基丙基)-2，4，6，8-四乙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6，8-四(甲氧基丙基)-2，4，6，8-四異丙基環(huán)三硅氧烷、2，4，6，8-四(甲氧基丁基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)三硅氧烷、2，4，6，8-四(甲氧基戊基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)三硅氧烷、2，4，6，8-四甲氧基己基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)三硅氧烷等。
還可舉出2，4，6，8，10-五(甲氧基甲基)-2，4，6，8，10-五甲基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五(甲氧基甲基)-2，4，6，8，10-五乙基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五(甲氧基甲基)-2，4，6，8，10-五異丙基環(huán)五硅氧烷等。
還可舉出2，4，6，8，10-五(甲氧基乙基)-2，4，6，8，10-五甲基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五(甲氧基乙基)-2，4，6，8，10-五乙基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五(甲氧基乙基)-2，4，6，8，10-五異丙基環(huán)五硅氧烷等。
還可舉出2，4，6-三叔丁基-2，4，6-三(二甲基氨基)環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三叔丁基-2，4，6-三(二乙基氨基)環(huán)三硅氧烷、2，4，6，8-四叔丁基-2，4，6，8-四(二甲基氨基)環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四叔丁基-2，4，6，8-四(二乙基氨基)環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8，10-五叔丁基-2，4，6，8，10-五(二甲基氨基)環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五叔丁基-2，4，6，8，10-五(二乙氨基)環(huán)五硅氧烷等。
還可舉出2，4，6-三異丙基-2，4，6-三(二甲基氨基)環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三異丙基-2，4，6-三(二乙基氨基)環(huán)三硅氧烷、2，4，6，8-四異丙基-2，4，6，8-四(二甲基氨基)環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四異丙基-2，4，6，8-四(二乙基氨基)環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8，10-五異丙基-2，4，6，8，10-五(二甲基氨基)環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五異丙基-2，4，6，8，10-五(二乙基氨基)環(huán)五硅氧烷等。
還可舉出2，4，6-三甲基-2，4，6-三(二甲基氨基)環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三甲基-2，4，6-三(二乙基氨基)環(huán)三硅氧烷、2，4，6，8-四甲基-2，4，6，8-四(二甲基氨基)環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四甲基-2，4，6，8-四(二乙基氨基)環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8，10-五甲基-2，4，6，8，10-五(二甲基氨基)環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五甲基-2，4，6，8，10-五(二乙基氨基)環(huán)五硅氧烷等。
還可舉出2，4，6-三(4-二甲氨基苯基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(4-二乙氨基苯基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷、2，4，6，8-四(4-二甲氨基苯基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(4-二乙氨基苯基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8，10-五(4-二甲氨基苯基)-2，4，6，8，10-五甲基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五(4-二乙氨基苯基)-2，4，6，8，10-五甲基環(huán)五硅氧烷等。
還可舉出2，4，6-三叔丁基-2，4，6-三(二甲基硼)環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三叔丁基-2，4，6-三(二乙基硼)環(huán)三硅氧烷、2，4，6，8-四叔丁基-2，4，6，8-四(二甲基硼)環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四叔丁基-2，4，6，8-四(二乙基硼)環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8，10-五叔丁基-2，4，6，8，10-五(二甲基硼)環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五叔丁基-2，4，6，8，10-五(二乙基硼)環(huán)五硅氧烷等。
還可舉出2，4，6-三異丙基-2，4，6-三(二甲基硼)環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三異丙基-2，4，6-三(二乙基硼)環(huán)三硅氧烷、2，4，6，8-四異丙基-2，4，6，8-四(二甲基硼)環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四異丙基-2，4，6，8-四(二乙基硼)環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8，10-五異丙基-2，4，6，8，10-五(二甲基硼)環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五異丙基-2，4，6，8，10-五(二乙基硼)環(huán)五硅氧烷等。
還可舉出2，4，6-三甲基-2，4，6-三(二甲基硼)環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三甲基-2，4，6-三(二乙基硼)環(huán)三硅氧烷、2，4，6，8-四甲基-2，4，6，8-四(二甲基硼)環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四甲基-2，4，6，8-四(二乙基硼)環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8，10-五甲基-2，4，6，8，10-五(二甲基硼)環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五甲基-2，4，6，8，10-五(二乙基硼)環(huán)五硅氧烷等。
還可舉出2，4，6-三(4-二甲基硼苯基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(4-二乙基硼苯基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷、2，4，6，8-四(4-二甲基硼苯基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8-四(4-二乙基硼苯基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷、2，4，6，8，10-五(4-二甲基硼苯基)-2，4，6，8，10-五甲基環(huán)五硅氧烷、2，4，6，8，10-五(4-二乙基硼苯基)-2，4，6，8，10-五甲基環(huán)五硅氧烷等。
本發(fā)明的含硅膜形成材料含有通式(1)表示的環(huán)狀硅氧烷化合物，為了作為絕緣膜材料使用，優(yōu)選除了硅、碳、氧、氫、氮、硼以外，雜質量少于10ppb，并且含水量少于50ppm。
上述通式(1)表示的環(huán)狀硅氧烷化合物的制造方法沒有特殊限制，例如，作為制造具有上述通式(2)的結構的環(huán)狀硅氧烷化合物的方法，可以采用在酸或堿的共存或不共存下將下述通式(8)表示的含氧硅烷化合物進行水解的方法， [化9]
(式中，R1、R8與上述相同) 或在Pd、Ni或Rh催化劑下使下述通式(9)表示的環(huán)狀硅氧烷與醇類反應，進行制造的方法。
[化10]
(式中，R1、n、x與上式相同) 作為制造具有上述通式(3)的結構的環(huán)狀硅氧烷化合物的方法，例如可以采用以下方法，在酸或堿的共存下或不共存下，將使相應的格利雅試劑或有機鋰化合物與有機硅烷化合物反應得到的下述通式(10)表示的含氧硅烷化合物進行水解的方法， [化11]
(式中，R1、R2、R3、R9、p與上述相同。s表示1或2，t表示0或1，s+t為1～2)，或在Pt催化劑下使上述通式(9)表示的環(huán)狀硅氧烷與具有R2O基的炔烴化合物反應進行制造的方法。
作為制造有上述通式(4)的結構的環(huán)狀硅氧烷的方法，例如可以采用在酸或堿的共存或不共存下將下述通式(11)表示的含氮及氧的硅烷化合物進行水解的方法。
[化12]
(式中，R1、R4、R10與上述相同。u表示1或2，v表示0或1，u+v為1～2。) 作為制造具有上述通式(5)的結構的環(huán)狀硅氧烷化合物的方法，例如可以采用在酸或堿的共存或不共存下將例如下述通式(12)表示的含氮和氧的硅烷化合物進行水解的方法， [化13]
(式中，R1、R4、R5、R11，q與上述相同。y表示1或2，z表示0或1，y+z是1～2)。
作為制造具有上述通式(6)的結構的環(huán)狀硅氧烷的方法，例如可以采用在酸或堿的共存或不共存下將例如下述通式(13)表示的含有硼和氧的硅烷化合物進行水解的方法， [化14]
(式中，R1、R6、R12與上述相同。a表示1或2，b表示0或1，a+b是1～2)。
作為制造具有上述通式(7)的結構的環(huán)狀硅氧烷的方法，例如可以采用在酸或堿的共存或不共存下將下述通式(14)表示的含有硼和氧的硅烷化合物進行水解的方法， [化15]
(式中，R1、R6、R7、R13，r與上述相同。c表示1或2，d表示0或1，c+d是1～2)。
反應時，作為共存的酸，例如可以使用鹽酸、硝酸、硫酸等無機酸，及甲苯磺酸等有機酸。另外，反應時，作為共存的堿，例如可以使用氫氧化鈉、氫氧化鉀、甲醇鈉、甲醇鉀、乙醇鈉、乙醇鉀、叔丁醇鈉、叔丁醇鉀等。
作為使上述通式(9)的環(huán)狀硅氧烷化合物和醇類反應時可以使用的Pd、Ni或Rh催化劑，可以使用載負在高表面積活性炭上的Pd(0)、Ni(0)或Rh(0)催化劑，或者下述通式(15)表示的非均相或均相類催化劑。
[化16] MXeLf(15) (式中，M表示Pd、Ni或Rh，X表示氟、氯、溴或碘，L表示給電子性化合物。e及f表示0以上的數(shù)，e+f是滿足M的價數(shù)及配位數(shù)的數(shù))。
作為上述通式(15)中L表示的給電子性化合物，例如，可以使用膦類化合物、胺類化合物等。具體地，可以使用下述通式(16)或下述通式(17)表示的膦化合物。
[化17] PR143(16) (式中，R14與上述相同。R14彼此可以相同也可以不同)。
[化18]
(式中，R15與上述相同，R15彼此可以相同也可以不同)。
或者通式(18)或(19)表示的胺化合物。
[化19] NR163(18) (式中，R16表示與前述同樣，R16彼此可以相同也可以不同)。
[化20]
(式中，R17表示與前述同樣。R17彼此可以相同也可以不同)。
制造通式(1)表示的環(huán)狀硅氧烷化合物時可使用的反應溶劑，只要是該技術領域中使用的溶劑則沒有特殊限定，例如，可以使用正戊烷、異戊烷、正己烷、環(huán)己烷、正庚烷、正癸烷等飽和烴類，甲苯、二甲苯、癸烯-1等不飽和烴類，乙醚、丙醚、叔丁基甲基醚、丁醚、環(huán)戊基甲基醚、四氫呋喃等醚類，甲醇、乙醇、異丙醇、正丁醇、叔丁醇、2-乙基己醇等醇。還可以使用這些溶劑的混合溶劑。尤其是使用醚類或醇類的場合，有時可高收率地制造具有特定分子量的通式(1)表示的環(huán)狀硅氧烷化合物。
制造通式(1)表示的環(huán)狀硅氧烷化合物時的反應溫度，通常在作為工業(yè)上使用的溫度的-100～200℃的范圍，優(yōu)選在-85～150℃的范圍進行。反應的壓力條件可以是加壓下、常壓下、減壓下任何一種。
對于制造的通式(1)表示的環(huán)狀硅氧烷化合物的精制方法，為了使作為絕緣膜材料使用中有用的水分含量為低于50ppm，使硅、碳、氧、氫以外的雜質，例如，金屬雜質量為低于10ppb，可以采用常壓或減壓蒸餾或者使用二氧化硅、氧化鋁、高分子凝膠的柱分離等的精制方法。此時，可以根據(jù)需要將這些的方法組合使用。
最終制得的通式(1)表示的環(huán)狀硅氧烷化合物中的水分或硅、碳、氧、氫以外的元素雜質，尤其是金屬雜質殘渣高時，成為不適合作為絕緣膜材料使用的化合物。
制造時，其他的條件優(yōu)選參照該有機合成及有機金屬化合物合成領域中的方法。即，優(yōu)選在脫水及脫氧的氮或氬環(huán)境氣氛下進行，使用的溶劑及精制用的柱填充劑等優(yōu)選預先實施脫水操作。并優(yōu)選預先除去金屬殘渣及粒子等雜質。
本發(fā)明的通式(1)表示的環(huán)狀硅氧烷化合物可以作為含硅膜形成材料使用，可以以這種環(huán)狀硅氧烷化合物作為原料制造含硅膜。此時的成膜方法沒有特殊限定，優(yōu)選采用CVD進行，特優(yōu)選采用PECVD。
此時的PECVD的種類及使用的裝置沒有特殊限定，例如該PECVD可以使用半導體制造領域、液晶顯示器制造領域等該技術領域中一般使用的PECVD。
在PECVD裝置中，可利用氣化器使本發(fā)明的含硅膜形成材料氣化，導入成膜腔內，利用高頻電源施加到成膜腔內的電極上產生等離子體，在成膜腔內的硅襯底等上形成等離子體CVD薄膜。此時，為了使之產生等離子體，可以導入氬、氖等的氣體、氧、一氧化二氮等氧化劑。另外，為了薄膜的多孔化，同時導入有機過氧化物或環(huán)氧化合物也落入本發(fā)明的范圍。使用PECVD裝置，使用本發(fā)明的含硅膜形成材料進行成膜時，可以形成作為用于半導體器件的低介電常數(shù)材料(Low-k材料)使用的適合的薄膜。
PECVD裝置的等離子體產生方法沒有特殊限定，可以使用該技術中使用的電感耦合型等離子體、電容耦合型等離子體、ECR等離子體、微波等離子體等。優(yōu)選是電感耦合型等離子體、電容耦合型等離子體。另外，作為等離子體發(fā)生源，可以使用平行平板型、天線型等各種等離子體發(fā)生源，作為對PECVD裝置的腔內供給的非活性氣體，可以使用該技術領域中使用的氦、氬、氪、氖、氙等。
作為PECVD裝置的一例，圖1中示出了平行平板電容耦合型PECVD裝置。圖1所示的平行平板電容耦合型PECVD裝置1，包括PECVD裝置腔內噴淋頭上部電極和可控制基板溫度的下部電極、將上述通式(1)氣化后向腔內供給的氣化器裝置、高頻電源以及匹配電路構成的等離子體發(fā)生裝置、由真空泵構成的排氣系統(tǒng)。
具體地，該PECVD裝置1包括PECVD腔2、具有用于向腔內均勻供給上述通式(1)的化合物的噴淋頭的上部電極3、具有用于設置硅基板等的薄膜形成用基板5的溫度控制裝置8的下部電極4、用于使通式(1)的化合物氣化的氣化裝置9～15，作為等離子體發(fā)生源的匹配電路6和RF電源7，用于將室內的未反應物和副產物進行排氣的排氣裝置16。17、18是接地。
作為等離子體發(fā)生源的匹配電路6和RF電源7與上部電極3相連，通過放電使之產生等離子體。RF電源7的規(guī)格沒有特殊限定，可以使用該技術領域中使用的電力為1W～2000W，優(yōu)選10W～1000W，頻率50kHz～2.5GHz，優(yōu)選100kHz～100MHz，特優(yōu)選200kHz～50MHz的RF電源。
基板溫度的控制沒有特殊限定，通常為-90～1,000℃，優(yōu)選是0～500℃的范圍。
氣化裝置包括充填常溫常壓下是液體的通式(1)的化合物13，并具有滴液配管和利用上述非活性氣體進行加壓的配管15的容器12、控制液體的通式(1)的化合物13流量的液體流量控制裝置10，使液體的通式(1)的化合物氣化的氣化器9、經(jīng)由氣化器將上述非活性氣體向PECVD裝置腔內供給的配管14及控制氣體流量的氣體流量控制裝置11。本氣化裝置從氣化器9通過配管連接到具有噴淋頭的上部電極3。
另外，作為PECVD裝置的一例，圖2示出了電感耦合型遠程PECVD裝置。圖2所示的電感耦合型遠程PECVD裝置19包括等離子體發(fā)生裝置和排氣系統(tǒng)，所述等離子體發(fā)生裝置包括，在PECVD裝置腔上部的石英的周圍纏繞成線圈狀的等離子體發(fā)生部、可控制溫度的基板設置部、將上述通式(1)表示的化合物氣化并向腔內供給的氣化器裝置、高頻電源和匹配電路的等離子體發(fā)生裝置，所述排氣系統(tǒng)包括真空泵。
具體地，該PECVD裝置19包括PECVD腔20，作為等離子體發(fā)生部的線圈21和石英管22、用于設置硅基板等的薄膜形成用基板24的加熱器部23、溫度控制裝置27、用于使通式(1)的化合物氣化的氣化裝置28～35、作為等離子體發(fā)生源的匹配電路25、RF電源、電源26、用于排放腔內的未反應物及副產物的排氣裝置36。37是接地。
作為等離子體發(fā)生部的石英周圍的線圈與匹配電路25相連，石英管中在RF電流形成的天線電流磁場下放電，產生等離子體。有關RF電源26的規(guī)格沒有特殊限定，可以使用該技術領域中使用的電力為1W～2000W，優(yōu)選10W～1000W，頻率50kHz～2.5GHz，優(yōu)選100kHz～100MHz，特優(yōu)選200kHz～50MHz的RF電源。
基板溫度的控制沒有特殊限定，通常為-90～1,000℃，優(yōu)選是0～500℃的范圍。
氣化裝置包括充填常溫常壓下是液體的通式(1)的化合物33，具有滴液配管和利用上述非活性氣體加壓的配管35的容器32、控制液體的通式(1)的化合物33流量的液體流量控制裝置29、使液體的通式(1)的化合物33氣化的氣化器28，經(jīng)由氣化器向PECVD裝置腔內供給上述非活性氣體的配管34、控制氣體流量的氣體流量控制裝置30、用于將非活性氣體和氣化的通式(1)的化合物33均勻地向腔內供給的噴淋頭31。
通式(1)表示的化合物使用上述舉出的PECVD裝置等進行氣化，根據(jù)需要與非活性氣體一起向腔內供給，采用PECVD進行成膜。此時腔內的壓力沒有特殊限定，通常是0.1Pa～10000Pa，優(yōu)選是1Pa～5000Pa。
這樣地可制得含硅膜，該膜的電容率低，由于根據(jù)條件可得到具有2.0以下的電容率的膜，故可作為低介電常數(shù)膜使用。另外，優(yōu)選該膜具有環(huán)狀硅氧烷結構，該環(huán)狀硅氧烷結構可以是殘留有通式(1)表示的環(huán)狀硅氧烷化合物中的環(huán)狀硅氧烷結構的結構，還可以是利用等離子體新生成的結構。結果，具有環(huán)狀硅氧烷結構的膜成為主要的細孔徑為1nm以下的多孔性膜，又由于該孔不連續(xù)，金屬不會向膜中擴散，并且具有高的機械物性和高的傳熱性，成為特別適合作為用于半導體器件的低介電常數(shù)材料(Low-k材料)使用的薄膜。即，更優(yōu)選在不破壞通式(1)所示環(huán)狀硅氧烷化合物中的環(huán)狀硅氧烷結構的這種PECVD條件下進行成膜。
另外，通過對上述的含硅膜進行熱處理，紫外線照射處理或電子射線處理，可以得到多孔化或機械強度提高的薄膜。實施這些組合處理的含硅膜也落入本發(fā)明的范圍。通過本處理制得的薄膜是適合作為低介電常數(shù)絕緣材料的薄膜。
本發(fā)明的含硅膜均適合作為低介電常數(shù)材料?？梢詫⑦@些膜作為絕緣膜用于半導體器件。特別適用于使用多層布線的ULSI的制造。
本發(fā)明的通式(1)表示的化合物之中，尤其是通式(20)表示的化合物是新型化合物。其中R18、R19、g、h如前述，優(yōu)選R18是C1～6的烷基、R19是C1～6的烷基、g是3或4，h是1或2，更優(yōu)選R18是C1～4的烷基，R19是C1～4的烷基。
作為通式(20)表示的化合物的具體例，可舉出2，4，6-三異丙基-2，4，6-三甲氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三異丙基-2，4，6-三乙氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三異丙基-2，4，6-三正丙氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三異丙基-2，4，6-三異丙氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(甲氧基甲基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷、2，4，6，8-四(甲氧基甲基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷、2，4，6-三(乙氧基甲基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷、2，4，6，8-四(乙氧基甲基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷、2，4，6-三(異丙氧基甲基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷、2，4，6，8-四(異丙氧基甲基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷等。
還可舉出2，4，6-三(甲氧基乙基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷、2，4，6，8-四(甲氧基乙基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷、2，4，6-三(乙氧基乙基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷、2，4，6，8-四(乙氧基乙基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷、2，4，6-三(異丙氧基乙基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷、或2，4，6，8-四(異丙氧基乙基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷等。
以下舉出實施例，但本發(fā)明不受這些的實施例任何限定。再者膜厚測定使用堀場制作所公司制造的干涉式膜厚測定裝置。另外，電容率(k值)的測定使用Four Dimension Inc.公司制汞探針(mercury prober)進行測定，剛性及楊氏模量使用Hysitron Inc.公司制造的納米壓頭(nanoindentater)進行測定。
實施例1 [通式(10)表示的有機硅烷化合物的制造] 在氮氣流下向具有滴液漏斗、攪拌裝置的1L的四口燒瓶中加入26.7g(2.20mol)金屬鎂和0.53L干燥四氫呋喃，冷卻到0℃。然后邊攪拌邊用5小時滴加187g(1.00mol)的4-溴苯甲醚，在室溫下反應3小時，制得4-甲氧基苯基溴化鎂的四氫呋喃溶液。在氮氣流下向具有滴液漏斗，攪拌裝置的2L的四口燒瓶中加入130g(0.952mol)甲基三甲氧基硅烷和52.0mol干燥四氫呋喃，冷卻到0℃。然后邊攪拌邊用1小時滴加1.00mol上述制備的4-甲氧基苯基溴化鎂的四氫呋喃溶液，在室溫下反應4小時。反應結束后，過濾除去副產的甲醇鎂殘渣，通過對得到的濾液進行減壓蒸餾得到106g(0.501mol)作為目的物的甲基(4-甲氧基苯基)二甲氧基硅烷。收率是52.6％。
使用1H-NMR、13C-NMR、GC-MS對分離的甲基(4-甲氧基苯基)二甲氧基硅烷進行分析的結果如以下所述。
1H-NMR；δ0.33ppm(s，3H，CH3-Si)、δ3.55ppm(s，6H，2CH3-O-Si)、δ3.81ppm(s，3H，CH3-O-Ph)、δ6.93～6.94ppm(m，2H，Ph-H)、δ7.55～7.56ppm(m，2H，Ph-H)、 13C-NMR；δ4.8ppm(CH3-Si)、50.7ppm(CH3-O-Si)、55.2ppm(CH3-O-Ph)、δ113.9ppm(Ph)、δ125.0ppm(Ph)、δ135.8ppm(Ph)、δ161.5ppm(Ph) GC-MS；Mw＝212、C10H16O3Si。
[通式(1)表示的環(huán)狀硅氧烷化合物的制造] 向100ml的Schlenk管中加入21.2g(100mmol)甲基(4-甲氧基苯基)二甲氧基硅烷、1.80g(100mmol)純水、9.81g(100mmol)硫酸、20ml四氫呋喃，在室溫、攪拌條件下反應1小時。反應結束后，餾去THF和水。使用分子篩干燥得到的有機層，減壓蒸餾后，得到作為目的物的2，4，6-三(4-甲氧基苯基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷。收率是11.3％，甲基(4-甲氧基苯基)二甲氧基硅烷的轉化率是33.8％。
使用GC-MS對分離出的2，4，6-三(4-甲氧基苯基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷進行分析的結果如下述。
GC-MS；Mw＝498、C24H30O6Si3。
實施例2 [通式(1)表示的環(huán)狀硅氧烷化合物的制造] 向具有攪拌裝置和滴液漏斗的50ml的Schlenk管中加入0.0141g(0.0800mmol)氯化鈀、20.5g(640mmol)甲醇，進行攪拌。在室溫下用30分鐘由滴液漏斗滴加4.81g(20.0mmol)的2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷。滴加結束后，再在室溫下攪拌15小時。反應結束后餾去甲醇，使用玻璃過濾器過濾出Pd殘渣，得到作為目的物的2，4，6，8-四甲基-2，4，6，8-四甲氧基環(huán)四硅氧烷。采用氣相色譜測得的收率是1.5％。
使用GC-MS對分離出的2，4，6，8-四甲基-2，4，6，8-四甲氧基環(huán)四硅氧烷進行分析的結果如下述。
GC-MS；Mw＝360、C8H24O8Si4。
實施例3 [通式(1)表示的環(huán)狀硅氧烷化合物的制造] 向具有攪拌裝置和滴液漏斗的200ml的Schlenk管中加入13.62g(0.100mol)甲基三甲氧基硅烷和100ml甲苯，攪拌，調整為80℃。在80℃下用10分鐘由滴液漏斗滴加1.35g純水。滴加結束后，再在回流條件下攪拌2小時。反應結束后餾去甲苯、減壓蒸餾得到作為目的物的2，4，6，8-四甲基-2，4，6，8-四甲氧基環(huán)四硅氧烷。收率是4.6％。甲基三甲氧基硅烷的轉化率是13.8％。
使用GC-MS對分離出的2，4，6，8-四甲基-2，4，6，8-四甲氧基環(huán)四硅氧烷進行分析的結果如下述。
GC-MS；Mw＝360、C8H24O8Si4。
實施例4 [通式(1)表示的環(huán)狀硅氧烷化合物的制造] 向具有攪拌裝置和滴液漏斗的200ml的Schlenk管中加入96.2g(1.60mol)異丙醇和0.740g(0.80mmol)的三(三苯基膦)氯化銠(I)，攪拌，在室溫下用20分鐘由滴液漏斗滴加48.1g(0.20mol)的2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷。滴加結束后，在異丙醇回流條件下攪拌4小時。反應結束后，餾去異丙醇、減壓蒸餾，得到作為目的物的2，4，6，8-四甲基-2，4，6，8-四異丙氧基環(huán)四硅氧烷。收率是54.9％。
使用GC-MS對分離出的2，4，6，8-四甲基-2，4，6，8-四異丙氧基環(huán)四硅氧烷進行分析的結果如下述。
GC-MS；Mw＝472、C16H40O8Si4。
實施例5 [通式(1)表示的環(huán)狀硅氧烷化合物的制造] 向具有攪拌裝置和滴液漏斗的200ml的Schlenk管中加入20.0g(0.217mol)的甲苯、0.01N的硫酸水溶液2.4g，進行攪拌。在室溫下用5分鐘由滴液漏斗滴加20.0g(0.133mol)甲基(甲氧基甲基)二甲氧基硅烷。滴加結束后在室溫下攪拌7小時。反應結束后餾去甲苯、減壓蒸餾，得到作為目的物的2，4，6，8-四(甲氧基甲基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷。收率是15.3％。甲基(甲氧基甲基)二甲氧基硅烷的轉化率是61.2％。
使用1H-NMR、13C-NMR、GC-MS對分離出的2，4，6，8-四(甲氧基甲基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷進行分析的結果如下述。
1H-NMR；δ0.17～0.19ppm(m，12H，4CH3-Si)、 δ3.04～3.07ppm(m，8H，4CH3-O-CH2Si)、 δ3.34～3.36ppm(m，12H，4CH3-O-CH2Si) 13C-NMR；δ-2.2ppm(CH3-Si)、 δ62.9ppm(CH3-O-CH2Si)、 δ65.8ppm(CH3-O-CH2Si)。
GC-MS；Mw＝416、C12H32O8Si4。
實施例6 [使用式(1)所示的環(huán)狀硅氧烷化合物的PECVD成膜] 使用圖1表示的電容耦合型PECVD裝置將實施例1合成的2，4，6-三(4-甲氧基苯基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷在硅基板上進行成膜。成膜條件，按10sccm供給作為非活性氣體的氬氣，連續(xù)供給氣化的2，4，6-三(4-甲氧基苯基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷使腔內壓力為10Pa，在基板溫度150℃、RF電源電力為30W、RF電源頻率為13.56MHz的條件下進行成膜。結果成膜速度是4.3nm/分、電容率(k值)是2.7。有關機械特性，剛性是1.3GPa，楊氏模量是13.9GPa。
實施例7 [使用式(1)所示環(huán)狀硅氧烷化合物的PECVD成膜] 除了將2，4，6-三(4-甲氧基苯基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷改成實施例3合成的2，4，6，8-四甲基-2，4，6，8-四甲氧基環(huán)四硅氧烷以外，與實施例6同樣地制得PECVD薄膜。結果，成膜速度是12.8nm/分，電容率(k值)是2.6。有關機械特性，剛性是1.36GPa，楊氏模量是15.2GPa。
實施例8 [使用通式(1)所示的環(huán)狀硅氧烷化合物的PECVD成膜] 除了使2，4，6-三(4-甲氧基苯基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷改成實施例4合成的2，4，6，8-四甲基-2，4，6，8-四異丙氧基環(huán)四硅氧烷以外，與實施例6同樣地制得PECVD薄膜。結果，成膜速度是11.2nm/分，電容率(k值)是2.4。有關機械特性，剛性是1.1GPa，楊氏模量是17.1GPa。
實施例9 [使用通式(1)所示環(huán)狀硅氧烷化合物的PECVD成膜] 除了使2，4，6-三(4-甲氧基苯基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷改成實施例5合成的2，4，6，8-四(甲氧基甲基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷以外，與實施例6同樣地制得PECVD薄膜。結果，成膜速度是6.8nm/分，電容率(k值)是1.8。有關機械特性，剛性是1.6GPa，楊氏模量是22.1GPa。
比較例1 除了使2，4，6-三(4-甲氧基苯基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷改成2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷以外，與實施例6同樣地制得PECVD薄膜。結果，成膜速度是10.4nm/分，電容率(k值)是2.9。有關機械特性，剛性是1.1GPa，楊氏模量是10.7GPa。
參照特定的實施方式詳細地說明了本發(fā)明，但是對于本領域技術人員來說，不脫離本發(fā)明的精神和范圍而加以各種變更和修改是顯而易見的。
本申請是基于2005年1月31日申請的日本專利申請(特愿2005-023256)及2005年12月2日申請的日本專利申請(特愿2005-349432)的申請，這里引入其內容作為參考。
工業(yè)實用性 根據(jù)本發(fā)明可提供新型的含硅膜形成材料，尤其是適用于PECVD裝置的含環(huán)狀硅氧烷化合物的低介電常數(shù)絕緣膜用材料，還可提供使用該材料的含硅膜及含這些膜的半導體器件。
權利要求
1.一種含硅膜形成材料，其含有下述通式(1)表示的環(huán)狀硅氧烷化合物，
[化1]
式中，A表示包含選自氧原子、硼原子和氮原子中的至少一種的基團，R1表示氫原子或烴基，n表示1或2，x表示2～10的整數(shù)。
2.權利要求1所述的含硅膜形成材料，其中，通式(1)表示的環(huán)狀硅氧烷化合物中的A為烷氧基、硅烷氧基、烷氧基芳基、或烷氧基烷基。
3.權利要求1所述的含硅膜形成材料，其中，通式(1)表示的環(huán)狀硅氧烷化合物中的A是烷基氨基、二烷基氨基、芳基氨基或二芳基氨基。
4.權利要求1所述的含硅膜形成材料，其中，通式(1)表示的環(huán)狀硅氧烷化合物中的A是烷基硼基、烷氧基硼基。
5.權利要求1～4中任何一項所述的含硅膜形成材料，其中，通式(1)表示的環(huán)狀硅氧烷化合物的n是1，并且R1是C1～6的烷基。
6.權利要求1～5中任何一項所述的含硅膜形成材料，其中，通式(1)表示的環(huán)狀硅氧烷化合物中的x是3～4。
7.權利要求1～6中任何一項所述的含硅膜形成材料，其中，通式(1)表示的環(huán)狀硅氧烷化合物的分子量小于1000。
8.權利要求1～7中任何一項所述的含硅膜形成材料，其中，硅、碳、氧、氫、氮、硼以外的雜質量小于10ppb，并且含水量小于50ppm。
9.一種含硅膜的制造方法，其中，使用權利要求1～8中任何一項所述的含硅膜形成材料作為原料。
10.權利要求9所述的制造方法，其中，通過化學氣相沉積法進行成膜。
11.權利要求10所述的制造方法，其中，化學氣相沉積法是等離子體增強化學氣相沉積法。
12.一種含硅膜，其通過權利要求9～11中任何一項所述的制造方法制得。
13.權利要求12所述的含硅膜，其含有通式(1)表示的環(huán)狀硅氧烷化合物中的環(huán)狀硅氧烷結構。
14.一種含硅膜的制造方法，該方法包括，對權利要求12或13所述的含硅膜進行熱處理、紫外線照射處理或電子射線處理。
15.一種含硅膜，其通過權利要求14所述的制造方法制得。
16.一種半導體器件，其使用權利要求12、13或15所述的膜作為絕緣膜。
17.一種環(huán)狀硅氧烷化合物，該化合物用下述通式(20)表示，
[化2]
(20)
式中，R18表示烴基，R19表示氫原子或烴基，g表示2～10的整數(shù)，h表示1～3的整數(shù)。
18.權利要求17所述的環(huán)狀硅氧烷化合物，其中，通式(20)表示的化合物是2，4，6-三異丙基-2，4，6-三甲氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三異丙基-2，4，6-三乙氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三異丙基-2，4，6-三正丙氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三異丙基-2，4，6-三異丙氧基環(huán)三硅氧烷、2，4，6-三(甲氧基甲基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷、2，4，6，8-四(甲氧基甲基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷、2，4，6-三(乙氧基甲基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷、2，4，6，8-四(乙氧基甲基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷、2，4，6-三(異丙氧基甲基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷、2，4，6，8-四(異丙氧基甲基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷、2，4，6-三(甲氧基乙基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷、2，4，6，8-四(甲氧基乙基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷、2，4，6-三(乙氧基乙基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷、2，4，6，8-四(乙氧基乙基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷、2，4，6-三(異丙氧基乙基)-2，4，6-三甲基環(huán)三硅氧烷、或2，4，6，8-四(異丙氧基乙基)-2，4，6，8-四甲基環(huán)四硅氧烷。
全文摘要
本發(fā)明目的在于提供新型的含硅膜形成材料，尤其是含有適用于PECVD裝置的環(huán)狀硅氧烷化合物的低介電常數(shù)絕緣膜用材料，并提供使用該材料的含硅膜及含這些膜的半導體器件。本發(fā)明涉及含有下述通式(1)(式中，A表示含有選自氧原子、硼原子及氮原子中至少一種的基團，n表示1或2、x表示2～10的整數(shù))所示環(huán)狀硅氧烷化合物的含硅膜形成材料及其用途等。
文檔編號C23C16/42GK101111501SQ20068000372
公開日2008年1月23日 申請日期2006年1月17日 優(yōu)先權日2005年1月31日
發(fā)明者原大治, 高森真由美 申請人:東曹株式會社