本技術(shù)涉及光纖級(jí)四氯化硅生產(chǎn),尤其是涉及一種光纖級(jí)四氯化硅生產(chǎn)裝置。
背景技術(shù):
1、目前光纖級(jí)四氯化硅制備方法主要有多級(jí)精餾法、吸附絡(luò)合法和氣液混合光催化法,其中,氣液混合光催化法主要是經(jīng)氯氣(氣態(tài))與四氯化硅原料(液態(tài))混合經(jīng)過(guò)光催化反應(yīng)去除雜質(zhì),但是,存在因氣液分布不均、紫外光在液體中穿透效果差,導(dǎo)致產(chǎn)量低、雜質(zhì)去除效果差的問(wèn)題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、針對(duì)上述情況,本實(shí)用新型提供一種光纖級(jí)四氯化硅生產(chǎn)裝置,旨在解決現(xiàn)有氣液混合光催化法存在因氣液分布不均、紫外光在液體中穿透效果差,導(dǎo)致產(chǎn)量低、雜質(zhì)去除效果差的技術(shù)問(wèn)題。
2、為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:
3、本實(shí)用新型提供一種光纖級(jí)四氯化硅生產(chǎn)裝置,包括:
4、汽化器,用于將液態(tài)四氯化硅原料汽化;
5、混合器,具有四氯化硅入口和氯氣入口;四氯化硅入口與汽化器的出口連接,氯氣入口用于導(dǎo)入氯氣;
6、光催化反應(yīng)器,其入口與混合器的出口連接;
7、初級(jí)產(chǎn)品冷卻器,其入口與光催化反應(yīng)器的出口連接;
8、初級(jí)產(chǎn)品罐,其入口與初級(jí)產(chǎn)品冷卻器的出口連接。
9、在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中,汽化器內(nèi)具有電加熱設(shè)備。
10、在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中,初級(jí)產(chǎn)品冷卻器采用噴淋式換熱器。
11、在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中,初級(jí)產(chǎn)品罐具有氣相出口,初級(jí)產(chǎn)品罐的氣相出口與后端的廢氯吸收系統(tǒng)連接。
12、在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中,光催化反應(yīng)器還包括:
13、保護(hù)氣入口,位于光催化反應(yīng)器的底部、用于通入氮?dú)猓?/p>
14、廢氣出口,位于光催化反應(yīng)器的頂部,廢氣出口與后端的廢氯吸收系統(tǒng)連接。
15、在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中,光催化反應(yīng)器內(nèi)具有:
16、石英管,一端與光催化反應(yīng)器的入口通過(guò)分布器連接、另一端與光催化反應(yīng)器的出口連接;
17、紫外燈,多個(gè)紫外燈周向設(shè)置在石英管的外壁上。
18、在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中,分布器包括:
19、主管,一端與光催化反應(yīng)器的入口連接;
20、支管,多個(gè)支管連接在主管的外側(cè)壁上,支管的一端向靠近光催化反應(yīng)器內(nèi)壁的方向延伸;
21、連接法蘭,設(shè)置在主管和支管上,連接法蘭通過(guò)短接組件與石英管連接。
22、在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中,連接法蘭采用不銹鋼材質(zhì)。
23、在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中,石英管的端部具有石英管翻邊;
24、短接組件包括短接件,短接件的一端具有與連接法蘭相匹配的法蘭盤(pán),另一端具有短接翻邊,短接翻邊與石英管翻邊可拆卸連接。
25、在本實(shí)用新型的一些實(shí)施例中,短接件的材質(zhì)為聚四氟乙烯。
26、本實(shí)用新型實(shí)施例至少具有如下優(yōu)點(diǎn)或有益效果:
27、液態(tài)四氯化硅原料汽化后與氯氣在混合器中混合均勻后,才進(jìn)入光催化反應(yīng)器,采用氣氣混合的方式,解決了傳統(tǒng)氣液混合光催化法存在因氣液分布不均、紫外光在液體中穿透效果差,導(dǎo)致產(chǎn)量低、雜質(zhì)去除效果差的問(wèn)題。
28、本實(shí)用新型的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說(shuō)明書(shū)中闡述,并且,部分地從說(shuō)明書(shū)中變得明顯,或者通過(guò)實(shí)施本實(shí)用新型而了解。
1.一種光纖級(jí)四氯化硅生產(chǎn)裝置,其特征在于,包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖級(jí)四氯化硅生產(chǎn)裝置,其特征在于,所述汽化器內(nèi)具有電加熱設(shè)備。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖級(jí)四氯化硅生產(chǎn)裝置,其特征在于,所述初級(jí)產(chǎn)品冷卻器采用噴淋式換熱器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖級(jí)四氯化硅生產(chǎn)裝置,其特征在于,所述初級(jí)產(chǎn)品罐具有氣相出口,所述初級(jí)產(chǎn)品罐的氣相出口與后端的廢氯吸收系統(tǒng)連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖級(jí)四氯化硅生產(chǎn)裝置,其特征在于,所述光催化反應(yīng)器還包括:
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖級(jí)四氯化硅生產(chǎn)裝置,其特征在于,所述光催化反應(yīng)器內(nèi)具有:
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光纖級(jí)四氯化硅生產(chǎn)裝置,其特征在于,所述分布器包括:
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光纖級(jí)四氯化硅生產(chǎn)裝置,其特征在于,所述連接法蘭采用不銹鋼材質(zhì)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光纖級(jí)四氯化硅生產(chǎn)裝置,其特征在于,
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光纖級(jí)四氯化硅生產(chǎn)裝置,其特征在于,所述短接件的材質(zhì)為聚四氟乙烯。