本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種雙進氣通道氣體混合裝置及半導(dǎo)體薄膜設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體薄膜設(shè)備中，通常需要將多種氣體輸送到反應(yīng)腔內(nèi)，如反應(yīng)氣體、載氣等。其中反應(yīng)氣體的種類通常為兩種或兩種以上，這些反應(yīng)氣體需要被充分混合后再均勻地輸送到反應(yīng)腔內(nèi)，以便在加熱的基體表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并沉積形成所需的薄膜。

2、在現(xiàn)有的混氣裝置中，普遍存在的問題是，如何使多種氣體能夠充分混合且將混合后的氣體沿進氣路徑均勻分布后輸送到反應(yīng)腔內(nèi)，這對提高薄膜的整體性能顯得尤為關(guān)鍵。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的是提供一種雙進氣通道氣體混合裝置及半導(dǎo)體薄膜設(shè)備，旨在解決如何使多種氣體能夠充分混合且將混合后的氣體沿進氣路徑均勻分布后輸送到反應(yīng)腔內(nèi)的問題。

2、為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的：提供一種雙進氣通道氣體混合裝置，包括：

3、分氣塊，呈盤狀設(shè)置；

4、多個進氣腔道，相對設(shè)置于所述分氣塊上層內(nèi)部且用于多種氣體進入；

5、多個混合腔道，相對設(shè)置于所述分氣塊上層內(nèi)部，每一混合腔道與所有進氣腔道連通；

6、多個一級分氣腔道，相對設(shè)置于所述分氣塊下層內(nèi)部，且與多個混合腔道一一對應(yīng)連通；

7、多個二級分氣腔道，相對設(shè)置于所述分氣塊下層內(nèi)部，一級分氣腔道至少與兩個二級分氣腔道連通。

8、進一步地，所述分氣塊的圓周外側(cè)設(shè)有多個進氣口，多個進氣口分別對應(yīng)連通多個進氣腔道的中部位置。

9、進一步地，所述進氣腔道和混合腔道的形狀均為圓弧形，所述進氣腔道和混合腔道在繞所述分氣塊中心的圓周方向上徑向分布，所述進氣腔道位于所述混合腔道的徑向外側(cè)。

10、進一步地，所述進氣腔道和混合腔道均設(shè)有相互對稱的兩個，所述進氣腔道和混合腔道的圓弧形角度范圍為70～110度。

11、進一步地，多個混合腔道與多個一級分氣腔道相互對稱設(shè)置，所述混合腔道的中部位置與所述一級分氣腔道的中部位置連通。

12、進一步地，所述一級分氣腔道和二級分氣腔道的形狀均為圓弧形，所述二級分氣腔道位于所述一級分氣腔道的徑向外側(cè)。

13、進一步地，每個一級分氣腔道的兩端分別與相鄰的兩個二級分氣腔道的中部位置連通，每個二級分氣腔道的兩端均設(shè)有出氣孔。

14、進一步地，所述分氣塊的上層表面和下層表面上開設(shè)多個弧形凹槽，每一弧形凹槽上密封蓋裝有弧形封條，從而形成對應(yīng)的所述進氣腔道、混合腔道、一級分氣腔道和二級分氣腔道。

15、進一步地，所述進氣腔道、混合腔道、一級分氣腔道和二級分氣腔道依次之間通過開設(shè)的孔道連通。

16、本發(fā)明實施例還提供一種半導(dǎo)體薄膜設(shè)備，包括如上所述的雙進氣通道氣體混合裝置。

17、本發(fā)明實施例的有益效果為：一種氣體可對應(yīng)進入一個進氣腔道，多種氣體分別通過多個進氣腔道進入并可到達所有混合腔道進行混合?；旌虾蟮臍怏w可進入一級分氣腔道中進行一次混勻，再從一級分氣腔道中進入多個二級分氣腔道進行二次混勻，每個混合腔道和分氣腔道都是獨立的，通過一次混合和兩次混勻后，可以提高多種氣體的混合均勻性，從而提高薄膜的整體性能。

技術(shù)特征：

1.一種雙進氣通道氣體混合裝置，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙進氣通道氣體混合裝置，其特征在于，所述分氣塊的圓周外側(cè)設(shè)有多個進氣口，多個進氣口分別對應(yīng)連通多個進氣腔道的中部位置。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙進氣通道氣體混合裝置，其特征在于，所述進氣腔道和混合腔道的形狀均為圓弧形，所述進氣腔道和混合腔道在繞所述分氣塊中心的圓周方向上徑向分布，所述進氣腔道位于所述混合腔道的徑向外側(cè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙進氣通道氣體混合裝置，其特征在于，所述進氣腔道和混合腔道均設(shè)有相互對稱的兩個，所述進氣腔道和混合腔道的圓弧形角度范圍為70～110度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙進氣通道氣體混合裝置，其特征在于，多個混合腔道與多個一級分氣腔道相互對稱設(shè)置，所述混合腔道的中部位置與所述一級分氣腔道的中部位置連通。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙進氣通道氣體混合裝置，其特征在于，所述一級分氣腔道和二級分氣腔道的形狀均為圓弧形，所述二級分氣腔道位于所述一級分氣腔道的徑向外側(cè)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙進氣通道氣體混合裝置，其特征在于，每個一級分氣腔道的兩端分別與相鄰的兩個二級分氣腔道的中部位置連通，每個二級分氣腔道的兩端均設(shè)有出氣孔。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙進氣通道氣體混合裝置，其特征在于，所述分氣塊的上層表面和下層表面上開設(shè)多個弧形凹槽，每一弧形凹槽上密封蓋裝有弧形封條，從而形成對應(yīng)的所述進氣腔道、混合腔道、一級分氣腔道和二級分氣腔道。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙進氣通道氣體混合裝置，其特征在于，所述進氣腔道、混合腔道、一級分氣腔道和二級分氣腔道依次之間通過開設(shè)的孔道連通。

10.一種半導(dǎo)體薄膜設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求1～9任一項所述的雙進氣通道氣體混合裝置。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種雙進氣通道氣體混合裝置及半導(dǎo)體薄膜設(shè)備。雙進氣通道氣體混合裝置包括：分氣塊、多個進氣腔道、多個混合腔道、多個一級分氣腔道和多個二級分氣腔道；分氣塊呈盤狀設(shè)置；多個進氣腔道相對設(shè)置于所述分氣塊上層內(nèi)部且用于多種氣體進入；多個混合腔道相對設(shè)置于所述分氣塊上層內(nèi)部，每一混合腔道與所有進氣腔道連通；多個一級分氣腔道相對設(shè)置于所述分氣塊下層內(nèi)部，且與多個混合腔道一一對應(yīng)連通；多個二級分氣腔道相對設(shè)置于所述分氣塊下層內(nèi)部，一級分氣腔道至少與兩個二級分氣腔道連通。本發(fā)明的多種氣體通過一次混合和兩次混勻，以提高多種氣體的混合均勻性，從而提高薄膜的整體性能。

技術(shù)研發(fā)人員：胡祥明,孫少東
受保護的技術(shù)使用者：拓荊科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9