本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種透明光催化薄膜、制備方法及半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)：

光催化材料是在光的作用下發(fā)生的光化學(xué)反應(yīng)所需的一類半導(dǎo)體催化劑材料，光催化材料的一個重要應(yīng)用就是自清潔和去除有機(jī)污染物，有機(jī)污染物包括：甲醛、苯、揮發(fā)性有機(jī)物、氨、氡等；通常，光催化材料的比表面積越大且顆粒越細(xì)，催化效果越好。然而，顆粒越細(xì)越容易團(tuán)聚，還會導(dǎo)致波粒二象性問題出現(xiàn)，影響光催化材料對光的吸收；而顆粒太大的光觸媒又不具有良好的光活性，這嚴(yán)重影響了光催化材料的自清潔和去除有機(jī)污染物的效果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了克服以上問題，本發(fā)明旨在提供一種透明光催化薄膜及其制備方法，使得該透明光催化薄膜上垂直生長出極薄的連續(xù)納米材料薄膜，避免顆粒團(tuán)聚和波粒二象性問題。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明一種透明光催化薄膜，包括：一透明襯底；垂直生長于透明襯底上的納米網(wǎng)；納米網(wǎng)的平面與透明襯底垂直；所述納米網(wǎng)具有多個微鏤空結(jié)構(gòu)，且所述納米網(wǎng)的底部與透明襯底通過化學(xué)鍵相鍵合；納米網(wǎng)的材料為半導(dǎo)體光催化材料。

優(yōu)選地，所述納米網(wǎng)由納米線垂直于透明襯底生長且相鄰納米線的側(cè)面相接觸形成納米薄膜，再經(jīng)納米薄膜刻蝕形成微鏤空區(qū)域。

優(yōu)選地，相接觸的所述納米線之間通過化學(xué)鍵相鍵合。

優(yōu)選地，納米線的直徑即為所述納米網(wǎng)的厚度。

優(yōu)選地，所述納米網(wǎng)的厚度不大于10nm。

優(yōu)選地，所述納米網(wǎng)的厚度不大于5納米。

優(yōu)選地，所述透明襯底為單層石墨烯薄膜。

優(yōu)選地，所述光催化材料為寬帶隙半導(dǎo)體光催化材料。

優(yōu)選地，所述寬帶隙半導(dǎo)體光催化材料為所述鈦合金納米線和/或鋅合金納米線。

優(yōu)選地，所述鈦合金納米線為二氧化鈦納米線，所述鋅合金納米線為氧化鋅納米線。

優(yōu)選地，所述微鏤空結(jié)構(gòu)為納米級微孔。

優(yōu)選地，相鄰的所述微鏤空結(jié)構(gòu)之間的間距不大于10nm。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明還提供了一種上述任一項(xiàng)的透明光催化薄膜的制備方法，其包括以下步驟：

步驟01：提供一透明襯底；

步驟02：在所述透明襯底上生長納米薄膜；所生長的納米薄膜所在平面垂直于所述透明襯底，所述納米網(wǎng)的底部與透明襯底通過化學(xué)鍵相鍵合；

步驟03：在所述納米薄膜上刻蝕出多個所述微鏤空結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，所述步驟02中，納米薄膜的生長過程包括：

步驟021，在所述透明襯底上制備一維納米種子陣列；

步驟022，以納米種子陣列為基，每顆納米種子曲向生長出納米線，從而形成納米線陣列；

步驟023，相鄰納米線的側(cè)面相互接觸，從而形成垂直于透明襯底的納米薄膜。

優(yōu)選地，在所述步驟021中，其中至少有一列一維納米種子陣列的制備包括：首先，在所述透明襯底上形成納米種子前驅(qū)體溶液，干燥后形成納米種子薄膜；其次，采用激光誘導(dǎo)技術(shù)在所述納米種子薄膜上劃出納米級痕跡，納米級痕跡區(qū)域誘導(dǎo)出納米種子陣列。

優(yōu)選地，所述納米級痕跡的線寬等于或大于納米種子的直徑，所述納米種子陣列所在區(qū)域的寬度等于所述納米級痕跡的線寬。

優(yōu)選地，所述納米級痕跡的線寬不超過5nm。

優(yōu)選地，所述納米級痕跡的線寬不超過1nm。

優(yōu)選地，所述步驟021中，其中至少有一列一維納米種子陣列的制備包括：

首先，在透明襯底上形成一層掩膜；

然后，對掩膜進(jìn)行光刻和/或刻蝕形成一道納米級開口；

最后，在納米級開口所暴露的透明襯底上形成納米種子陣列。

優(yōu)選地，當(dāng)掩膜的材料為光敏感性材料時，采用光刻工藝在掩膜上刻蝕出一道納米級開口；當(dāng)掩膜的材料為無機(jī)材料時，采用光刻和刻蝕工藝或者僅采用各向異性刻蝕工藝來在掩膜上刻蝕出一道納米級開口。

優(yōu)選地，采用物理氣相沉積法、溶膠凝膠法、噴涂法、電鍍法、磁控濺射法在納米級開口所暴露的襯透明襯底上形成納米種子陣列；或者將種子溶液旋涂或滴在納米級開口所暴露的透明襯底上后干燥形成納米種子陣列。

優(yōu)選地，所述步驟022中，采用化學(xué)氣相沉積法、水溶液法、或電化學(xué)鍍法來生長納米線。

優(yōu)選地，所述步驟03中，采用等離子體刻蝕技術(shù)或激光蝕刻來刻蝕出所述微鏤空結(jié)構(gòu)。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體器件，其包括上述的透明光催化薄膜。

本發(fā)明的透明光催化薄膜，通過在透明襯底上垂直生長于透明襯底上的納米網(wǎng)；納米網(wǎng)的平面與透明襯底垂直；由半導(dǎo)體光催化材料構(gòu)成的納米網(wǎng)具有多個鏤空結(jié)構(gòu)，且納米網(wǎng)的底部與透明襯底通過化學(xué)鍵相鍵合，該具有透明襯底和垂直納米網(wǎng)的三維結(jié)構(gòu)，由于納米網(wǎng)的厚度為納米線的直徑，通過控制納米線的直徑和長度，即可使得納米網(wǎng)具有透明性質(zhì)，這樣，納米網(wǎng)的厚度和/或高度都非常微小，可以打破傳統(tǒng)光催化材料顆粒越小導(dǎo)致的團(tuán)聚、波粒二象性的問題，再加上納米網(wǎng)具有微鏤空結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步增加了納米網(wǎng)的比表面積，提高了光催化效率，同時這種納米網(wǎng)結(jié)構(gòu)中，當(dāng)微鏤空結(jié)構(gòu)做到納米級時，還可以具有較高的分子過濾能力，此外，這種納米網(wǎng)結(jié)構(gòu)還可以應(yīng)用于氣體探測領(lǐng)域。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的實(shí)施例一的透明光催化薄膜的俯視結(jié)構(gòu)示意圖

圖2為本發(fā)明的實(shí)施例一的透明光催化薄膜的截面結(jié)構(gòu)示意圖

圖3為本發(fā)明的實(shí)施例二的透明光催化薄膜的制備方法的流程示意圖

圖4-6為本發(fā)明的實(shí)施例二的透明光催化薄膜的制備方法的各步驟示意圖

圖7-9為本發(fā)明的實(shí)施例二的納米薄膜生長過程的各步驟示意圖

圖10-11為本發(fā)明的實(shí)施例二的一維納米線陣列的制備過程的各步驟示意圖

圖12-14為本發(fā)明的實(shí)施例二的一維納米線陣列的制備過程的各步驟示意圖

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚易懂，以下結(jié)合說明書附圖，對本發(fā)明的內(nèi)容作進(jìn)一步說明。當(dāng)然本發(fā)明并不局限于該具體實(shí)施例，本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。

實(shí)施例一

以下結(jié)合附圖1-2和具體實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式、使用非精準(zhǔn)的比例，且僅用以方便、清晰地達(dá)到輔助說明本實(shí)施例的目的。

請參閱圖1和圖2，本實(shí)施例的透明光催化薄膜包括：一透明襯底101；垂直生長于透明襯底101上的納米網(wǎng)(虛線框內(nèi)所示)；本實(shí)施例中以透明襯底101上一列納米線陣列為例進(jìn)行說明，但這不用于限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。納米網(wǎng)(虛線框內(nèi)所示)的平面與透明襯底101垂直；納米網(wǎng)具有多個微鏤空結(jié)構(gòu)103，且納米網(wǎng)的底部與透明襯底101通過化學(xué)鍵相鍵合；納米網(wǎng)的材料為半導(dǎo)體光催化材料。本實(shí)施例中，微鏤空結(jié)構(gòu)103呈交替相錯的陣列排布，微鏤空結(jié)構(gòu)103可以位于納米網(wǎng)的納米線102的側(cè)壁相接觸處，也可以位于納米線102上。這里的納米網(wǎng)是由納米線102垂直于透明襯底101生長且相鄰納米線102的側(cè)面相接觸形成納米薄膜，再經(jīng)納米薄膜刻蝕形成微鏤空區(qū)域103。同時，相接觸的納米線102之間通過化學(xué)鍵相鍵合，由于相鄰納米線102的側(cè)面生長過程中相接觸而會導(dǎo)致在相鄰納米線102界面處一定程度的繼續(xù)生長，從而這些相接觸的納米線102之間由于有這些化學(xué)鍵的結(jié)合而較為牢固，從而構(gòu)成一張納米薄膜。這里，納米線102的直徑即為納米網(wǎng)的厚度，可以通過控制生長工藝比如時間、溫度等來控制相鄰納米線102相接觸時的直徑，從而形成所需厚度的納米薄膜；同時還可以通過控制生長工藝來控制納米薄膜的高度，從而得到較薄且較矮的納米薄膜，以提高納米薄膜的比表面積和光催化活性，同時還可以避免納米薄膜過厚或者過高降低整個透明光催化薄膜的透明度。較佳的，納米網(wǎng)的厚度不大于10nm，例如為5-7nm。

本實(shí)施例的透明襯底101可以為單層石墨烯薄膜、導(dǎo)電或不導(dǎo)電柔性透明襯底，例如ITO薄膜、FTO薄膜等。

本實(shí)施例中，由于納米網(wǎng)需要具有光催化性能才能夠?qū)崿F(xiàn)透明光催化薄膜的光催化能力，因此，納米網(wǎng)的材料為半導(dǎo)體光催化材料。較佳的，光催化材料為寬帶隙光催化材料。相應(yīng)的，納米線102也可以為寬帶隙半導(dǎo)體納米線，例如，鈦合金納米線或鋅合金納米線，而且，這兩種合金材料的成本較低，更加有利于大規(guī)?；a(chǎn)。其中，鈦合金納米線可以選擇為二氧化鈦納米線，鋅合金納米線可以選擇為氧化鋅納米線；二氧化鈦納米線的晶型可以為鈣鈦礦型或金紅石型，氧化鋅納米線的晶型為六面體結(jié)構(gòu)。

需要說明的是，納米線側(cè)壁相接觸時，納米線側(cè)壁之間發(fā)生融合，例如，若納米線為二氧化鈦材料，則相鄰納米線側(cè)壁之間發(fā)生融合。

本實(shí)施例中，微鏤空結(jié)構(gòu)103可以為納米級微孔，較佳的，納米級微孔可以不大于10nm，優(yōu)選地，不大于5nm；較佳的，相鄰的微鏤空結(jié)構(gòu)103之間的間距不大于10nm。微鏤空結(jié)構(gòu)103的設(shè)置，不僅增加了納米網(wǎng)的比表面積，還提高了納米網(wǎng)的吸附效率，同時，微鏤空結(jié)構(gòu)103所形成的納米網(wǎng)從另一種角度來講，相當(dāng)于在納米網(wǎng)是多個更小的納米結(jié)構(gòu)構(gòu)成的，從而進(jìn)一步增加了納米網(wǎng)的光催化效果。需要說明的是，本發(fā)明的微鏤空結(jié)構(gòu)不限于本實(shí)施例的納米級微孔，形狀不限于圓形，還可以為其它形狀，比如：正多邊形、不規(guī)則圖形等均可，本發(fā)明對此不作限制。

此外，納米網(wǎng)還可以用于過濾、氣體探測。當(dāng)微鏤空結(jié)構(gòu)103為納米級微孔，特別是相鄰的微鏤空結(jié)構(gòu)103之間的間距不大于10nm時，還可以用于較大分子的過濾。

實(shí)施例二

以下結(jié)合附圖3-14和具體實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式、使用非精準(zhǔn)的比例，且僅用以方便、清晰地達(dá)到輔助說明本實(shí)施例的目的。

請參閱圖3，本實(shí)施例中以透明襯底上一列納米線陣列為例進(jìn)行說明，但這不用于限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。本實(shí)施例中，上述實(shí)施例一的透明光催化薄膜的制備方法包括：

步驟01：請參閱圖4，提供一透明襯底101；

步驟02：請參閱圖5，在透明襯底101上生長納米薄膜(虛線框內(nèi)所示)；所生長的納米薄膜所在平面垂直于透明襯底101，納米網(wǎng)的底部與透明襯底101通過化學(xué)鍵相鍵合；化學(xué)鍵為納米網(wǎng)材料成分中的原子與透明襯底101的材料成分的原子之間的鍵合，例如，納米網(wǎng)材料為二氧化鈦，透明襯底101的材料為石墨烯，則二氧化鈦的鈦原子和/或或氧原子與石墨烯的碳原子相鍵合得到Ti-C鍵和/或C-O鍵。

步驟03：請參閱圖6，在納米薄膜(虛線框內(nèi)所示)上刻蝕出多個微鏤空結(jié)構(gòu)103。這里，可以采用等離子體刻蝕技術(shù)或激光蝕刻來刻蝕出微鏤空結(jié)構(gòu)103。

具體的，本實(shí)施例的步驟02中納米薄膜的生長過程可以包括：

步驟021，請參閱圖7，在透明襯底101上制備一維納米種子陣列201；例如，鈦酸種子溶液或醋酸鋅種子溶液，這是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以知曉的，這里不再贅述。

步驟022，請參閱圖8，以納米種子陣列201為基，每顆納米種子曲向生長出納米線202，從而形成納米線陣列；這里，可以采用化學(xué)氣相沉積法、水溶液法、或電化學(xué)鍍法來生長納米線202。例如，采用水熱法來制備二氧化鈦納米線，溶液濃度為0.04M前驅(qū)體溶液置于反應(yīng)釜中，在100～150℃的溫度下，恒溫生長01～0.5小時，最后可得到直徑小于10nm的二氧化鈦納米線。再例如，采用水熱法來制備氧化鋅納米線，溶液濃度為0.05M前驅(qū)體溶液置于反應(yīng)釜中，在90～140℃的溫度下，恒溫生長01～0.5小時，最后可得到直徑小于10nm的氧化鋅納米線。關(guān)于納米線的制備也是本領(lǐng)域的常規(guī)技術(shù)，是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以知曉的，這里不再贅述。

步驟023，請參閱圖9，相鄰納米線的側(cè)面相互接觸，從而形成垂直于透明襯底的納米薄膜。步驟023中的納米線203的直徑均大于步驟022中的納米線202的直徑，步驟023中的納米線203的長度均大于步驟022中的納米線202的長度，例如，再繼續(xù)上述生長條件不變，延長生長時間0.1～0.5小時，使得納米線橫向生長接觸，從而形成所需的二氧化鈦納米薄膜或氧化鋅納米薄膜。納米線的生長工藝可以采用常規(guī)方法，例如，可以通過其它條件不變，延長生長時間，或者通過兩步不同的生長溫度或前驅(qū)體濃度來實(shí)現(xiàn)納米線的縱向生長和橫向生長。

需要強(qiáng)調(diào)的，本實(shí)施例的垂直于透明襯底生長的納米薄膜的方式，改變了傳統(tǒng)的納米薄膜平行形成于襯底上的方式，打破了納米薄膜只能平行于襯底的觀念。這種垂直于襯底的納米薄膜的結(jié)構(gòu)，必將在半導(dǎo)體領(lǐng)域得到更多的應(yīng)用。

這里，實(shí)現(xiàn)納米線側(cè)壁相互接觸時納米線直徑的可控可以采取如下方式：

首先，可以通過大量的實(shí)驗(yàn)得到其它條件不變時，在前驅(qū)體溶液濃度不變條件下納米線縱向平均生長速率和橫向平均生長速率；以及在其它條件不變時，在前驅(qū)體溶液濃度不同如濃度M1或M2的條件下納米線縱向平均生長速率和橫向平均生長速率；同理，也可以得到不同溫度P1或P2條件下的納米線縱向平均生長速率和橫向平均生長速率。

然后，根據(jù)所求得的平均生長速率，在相應(yīng)的生長環(huán)境條件下，設(shè)定納米線的目標(biāo)直徑D和目標(biāo)長度L；

接著，根據(jù)目標(biāo)直徑D，在透明襯底上設(shè)置納米線的位置，納米線的位置也即是種子的位置；種子的理論間距也為D，在實(shí)際工藝中，會出現(xiàn)多個種子聚集情況，只要在D的范圍內(nèi)具有至少一個種子即可，這樣，如果形成一維連續(xù)納米種子膜即可實(shí)現(xiàn)；而且，也可以采用模板和刻蝕工藝相結(jié)合，具體的一維納米種子陣列的制備將在后續(xù)具體描述。

然后，關(guān)于步驟22和步驟23的生長時間以及直徑的計(jì)算可以采用如下過程：

一種方法是：設(shè)定將D/平均縱向生長速率得到所需時間t1，將L/平均橫向生長速率得到所需時間t2，考慮到所需納米線直徑是決定納米網(wǎng)厚度的主要因素，無論t1和t2的大小如何，所選擇的實(shí)際生長時間t應(yīng)大于或等于時間t1；在納米線生長環(huán)境不變的前提下，實(shí)質(zhì)上步驟022和步驟023是一個連續(xù)的過程，只需設(shè)置納米線的總生長時間為t即可。

另一種方法是：可以在其它條件不變時，根據(jù)在前驅(qū)體溶液濃度不同的條件下納米線縱向平均生長速率和橫向平均生長速率，利用設(shè)定納米線的目標(biāo)直徑D和目標(biāo)長度L，分別選擇用于步驟022和步驟023的前驅(qū)體濃度，并計(jì)算相應(yīng)的生長時間，此時，步驟022的前驅(qū)體溶液的濃度設(shè)為M1，生長時間設(shè)為T1；步驟023的前驅(qū)體溶液的濃度設(shè)為M2，則根據(jù)在濃度M1下的納米線縱向平均生長速率V1(可以由之前的大量實(shí)驗(yàn)得到)，得到步驟022完成后納米線的直徑D1＝V1*T1；再將目標(biāo)直徑D-D1，得到直徑差值D2，然后，根據(jù)在濃度M2下的納米線縱向平均生長速率V2(可以由之前的大量實(shí)驗(yàn)得到)，得到步驟023所需的生長時間T2＝D2/V2。該情況下，較佳的，所選擇的前驅(qū)體溶液濃度M1＜M2，使得步驟023的橫向生長時間縮短。

再一種方法是：可以在其它條件不變時，根據(jù)在生長溫度不同的條件下納米線縱向平均生長速率和橫向平均生長速率，利用設(shè)定納米線的目標(biāo)直徑D和目標(biāo)長度L，分別選擇用于步驟022和步驟023的前驅(qū)體濃度，并計(jì)算相應(yīng)的生長時間，此時，步驟022的生長溫度設(shè)為P1，生長時間設(shè)為T1；步驟023的生長溫度設(shè)為P2，則根據(jù)在生長溫度P1下的納米線縱向平均生長速率V1(可以由之前的大量實(shí)驗(yàn)得到)，得到步驟022完成后納米線的直徑D1＝V1*T1；再將目標(biāo)直徑D-D1，得到直徑差值D2，然后，根據(jù)在生長溫度P2下的納米線縱向平均生長速率V2(可以由之前的大量實(shí)驗(yàn)得到)，得到步驟023所需的生長時間T2＝D2/V2。該情況下，較佳的，所選擇的生長溫度P1＜P2，使得步驟023的橫向生長時間縮短。

需要說明的是，關(guān)于種子層的制備、納米線的縱向生長和橫向生長的具體工藝均是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以知曉的。

下面詳細(xì)描述其中一列一維納米種子陣列的制備過程。

本實(shí)施例中，其中至少有一列一維納米種子陣列的制備可以包括：

首先，請參閱圖10，在透明襯底上形成納米種子前驅(qū)體溶液，干燥后形成納米種子薄膜301；這里，各種納米種子前驅(qū)體因納米材料的不同而不同，例如，氧化鋅納米種子的前驅(qū)體溶液可以為醋酸鋅溶液，二氧化鈦納米種子的前驅(qū)體溶液可以為氯化鈦溶液等等，這是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以知曉的，這里不再贅述。

其次，請參閱圖11，采用激光誘導(dǎo)技術(shù)在納米種子薄膜301上劃出納米級痕跡，納米級痕跡區(qū)域(圖11中虛線框所示)誘導(dǎo)出納米種子陣列302。這里，納米級痕跡的線寬可以等于或大于納米種子的直徑，納米種子陣列302所在區(qū)域的寬度等于納米級痕跡的線寬。較佳的，納米級痕跡的線寬不超過5nm，進(jìn)一步的，納米級痕跡的線寬可以更小例如不超過1nm，從而使得生長出的納米種子的直徑不超過5nm甚至1nm，以及后續(xù)生長出的納米線的直徑不至于過大，甚至在5nm以下。需要說明的是，由于激光誘導(dǎo)的納米級痕跡是連續(xù)的且線寬超細(xì)，使得納米種子陣列中的種子間距和種子直徑均小于納米級痕跡的線寬。

此外，本實(shí)施例中，其中至少有一列一維納米種子陣列的制備還可以采用以下步驟：

首先，請參閱圖12，在透明襯底上形成一層掩膜401；

然后，請參閱圖13，對掩膜401進(jìn)行光刻和/或刻蝕形成一道納米級開口402；這里，當(dāng)掩膜401的材料為光敏感性材料時，可以采用光刻工藝在掩膜401上刻蝕出一道納米級開口402；當(dāng)掩膜401的材料為無機(jī)材料時，可以采用光刻和刻蝕工藝或者僅采用各向異性刻蝕工藝來在掩膜401上刻蝕出一道納米級開口402。關(guān)于該納米級開口402的形成，采用現(xiàn)有光刻工藝已經(jīng)可以做到10nm，7nm以下包括7nm、5nm、3nm技術(shù)采用多次重復(fù)曝光和極紫外線光刻(EUV)技術(shù)是可以實(shí)現(xiàn)的。因此，本實(shí)施例的納米級開口402可以做到10nm以下的線寬，納米種子的直徑和間距以及所形成的納米線的直徑也是極微小的，本實(shí)施例的納米薄膜和納米網(wǎng)有望大規(guī)模的生產(chǎn)和應(yīng)用。

最后，請參閱圖14，并結(jié)合圖13，在納米級開口402所暴露的透明襯底上形成納米種子陣列403。這里，可以采用物理氣相沉積法、溶膠凝膠法、噴涂法、電鍍法、磁控濺射法在納米級開口所暴露的透明襯底上形成納米種子陣列403；或者將種子溶液旋涂或滴在納米級開口402所暴露的透明襯底上后干燥形成納米種子陣列403。關(guān)于納米種子陣列403的形成可以采用常規(guī)工藝，針對不同的納米材料所采用不同的納米材料的前驅(qū)體溶液來制備，通常為旋涂法、滴注法將納米種子前驅(qū)體溶液形成于納米級開口中，經(jīng)惰性氣體例如氮?dú)獯蹈?，形成納米種子前驅(qū)體膜，經(jīng)低溫加熱例如不高于100℃的溫度即可使得納米種子前驅(qū)體膜上結(jié)晶出納米種子陣列，這也是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以知曉的，這里不再贅述。由于納米級開口402的線寬極細(xì)，使得納米種子的直徑和間距都較小，從而使得形成的納米線的直徑、納米薄膜的厚度以及納米網(wǎng)的厚度都在納米級例如在10nm以下，從而得到了尺寸極小的納米網(wǎng)，具有較高的比表面積，還抑制了現(xiàn)有的極細(xì)的納米顆粒團(tuán)聚和波粒二象性問題，因此，本實(shí)施例的透明光催化薄膜具有較高的光催化效率和良好的透明度，可以應(yīng)用于所有需要透明材質(zhì)的領(lǐng)域，例如窗戶、屏幕、透明玻璃上，當(dāng)然這些透明的材質(zhì)可以作為透明光催化薄膜的透明襯底，不僅可以透光，還可以作為分子篩進(jìn)行分子級的過濾、殺菌、消除有害氣體，還可以進(jìn)行氣體探測應(yīng)用于氣敏傳感器中，以及應(yīng)用于醫(yī)療、生物領(lǐng)域等。

雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然所述實(shí)施例僅為了便于說明而舉例而已，并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下可作若干的更動與潤飾，本發(fā)明所主張的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求書所述為準(zhǔn)。