檢測選定體積的材料在樣本處理裝置中存在的系統(tǒng)和方法本申請是申請日為2012年5月18日、申請?zhí)枮?01280035189.7(國際申請?zhí)枮镻CT/US2012/038498)、發(fā)明名稱為“檢測選定體積的材料在樣本處理裝置中存在的系統(tǒng)和方法”的發(fā)明專利申請的分案申請。繼續(xù)申請數(shù)據(jù)本申請要求在2011年5月18日提交的序列號為No.61/487,618的美國臨時專利申請的權(quán)益，其以引用的方式結(jié)合到本文中。資助信息根據(jù)美國衛(wèi)生和公眾服務(wù)部生物醫(yī)學(xué)高級研究和開發(fā)局(BARDA)批準(zhǔn)號HHS0100201000049C，本發(fā)明在美國政府的支持下完成。技術(shù)領(lǐng)域本公開大體而言涉及樣本處理或化驗、裝置、系統(tǒng)和方法，具體地涉及用于判斷選定體積的材料是否存在于樣本處理裝置的特定腔室中的系統(tǒng)和方法，并且更具體而言，涉及用于對樣本處理裝置上的特定腔室進(jìn)行光學(xué)詢問以判斷選定體積的材料是否存在于腔室中的系統(tǒng)和方法。

背景技術(shù)：
光學(xué)圓盤系統(tǒng)能夠用于進(jìn)行各種生物、化學(xué)或生化化驗，諸如基于基因的化驗或免疫化驗。在這樣的系統(tǒng)中，具有多個腔室的可旋轉(zhuǎn)的圓盤可用作存儲和處理流體標(biāo)本諸如血液、血漿、血清、尿或其它流體的介質(zhì)。在一個圓盤上的多個腔室可允許同時處理一個樣本的多個部分或者多個樣本，從而縮短了處理多個樣本或一個樣本的多個部分的時間和成本?？尚枰獪?zhǔn)確的腔室間溫度控制、相當(dāng)?shù)臏囟绒D(zhuǎn)變速率和/或在溫度之間快速轉(zhuǎn)變的某些反應(yīng)的示例包括，例如操縱核酸樣本來輔助破譯遺傳密碼。核酸操縱技術(shù)可包括擴(kuò)增方法，諸如聚合酶鏈反應(yīng)(PCR)；目標(biāo)多核苷酸擴(kuò)增方法，諸如：自持序列復(fù)制(3SR)和鏈置換擴(kuò)增(SDA)；基于附著到目標(biāo)多核苷酸的信號擴(kuò)增的方法，諸如“支鏈”DNA擴(kuò)增；基于探針DNA擴(kuò)增的方法，諸如連接酶鏈反應(yīng)(LCR)和QB復(fù)制酶擴(kuò)增(QBR)；基于轉(zhuǎn)錄的方法，諸如連接激活的轉(zhuǎn)錄(LAT)和基于核酸序列的擴(kuò)增(NASBA)；以及各種其它擴(kuò)增方法，諸如修復(fù)鏈反應(yīng)(RCR)和循環(huán)探針反應(yīng)(CPR)。核酸操縱技術(shù)的其它示例包括例如桑格測序、配體結(jié)合化驗等。PCR可用于核酸序列分析。特別地，PCR可用于DNA測序、克隆、基因作圖和其它形式的核酸序列分析。一般而言，PCR依靠DNA復(fù)制酶的能力來在高溫保持穩(wěn)定。在PCR中存在三個主要步驟：變性、退火和擴(kuò)張。在變性期間，液體樣本在大約94℃加熱。在該處理中，雙鏈DNA鏈“熔化”開放為單鏈DNA并且所有酶促反應(yīng)停止。在退火期間，單鏈DNA冷卻到54℃。在該溫度，引物結(jié)合或“退火”到DNA鏈的端部。在擴(kuò)張期間，樣本被加熱到75℃。在該溫度，核苷酸添加到引物并且最終形成DNA模板的互補(bǔ)復(fù)制。存在設(shè)計用于在PCR期間實時確定樣本中的具體DNA和RNA序列的水平的多種現(xiàn)有PCR儀器。這些儀器中的許多基于熒光染料的使用。特別地，許多常規(guī)的實時PCR儀器檢測在PCR產(chǎn)品擴(kuò)增期間成比例地產(chǎn)生的熒光信號。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
本公開的用于處理樣本處理裝置的系統(tǒng)和方法可用于確定在樣本處理腔室中材料的存在。在一些實施例中，樣本處理裝置可為“待應(yīng)答樣本(sampletoanswer)”消耗裝置或“圓盤”，其使用樣本處理系統(tǒng)和方法來處理、處置和化驗。這樣的系統(tǒng)和方法可包括用于在處理期間識別圓盤的性能的錯誤或故障的裝置和步驟。當(dāng)識別了錯誤后，運(yùn)行可中斷或無效，和/或可生成錯誤或故障報告。在一些實施例中，如果在圓盤中出現(xiàn)故障，材料(例如，樣本)可能不充分地移動到檢測腔室，將在隨后向檢測腔室分析或詢問相關(guān)分析物的存在或不存在。因此，本公開的系統(tǒng)、方法和裝置可用于判斷材料是否存在于特定檢測腔室中以判斷或確認(rèn)化驗結(jié)果的有效性。如果不存在材料，則可以推斷出在將材料轉(zhuǎn)移到檢測腔室中出現(xiàn)故障，并且可以避免錯誤的化驗結(jié)果。本公開的一些方面提供一種用于處理樣本處理腔室的方法。該方法可包括：提供包括檢測腔室的樣本處理裝置；使樣本處理裝置繞旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)；以及在使樣本處理裝置旋轉(zhuǎn)時，判斷選定體積的材料是否存在于檢測腔室中。本公開的一些方面提供一種用于處理樣本處理裝置的方法。該方法可包括：提供包括檢測腔室的樣本處理裝置；使樣本處理裝置繞旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)；以及向檢測腔室光學(xué)詢問材料的光學(xué)性質(zhì)以判斷材料是否存在于檢測腔室中，其中，在使樣本處理裝置旋轉(zhuǎn)時發(fā)生光學(xué)詢問。本公開的一些方面提供一種用于處理樣本處理裝置的方法。該方法可包括提供包括處理陣列的樣本處理裝置。處理陣列可包括輸入腔室、檢測腔室和被定位成流體地聯(lián)接輸入腔室與檢測腔室的通道。該方法還可包括：將樣本定位于樣本處理裝置的處理陣列的輸入腔室中；以及使樣本處理裝置繞旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)以將樣本移動到檢測腔室。該方法還可包括：在使樣本處理裝置旋轉(zhuǎn)以將樣本移動到檢測腔室之后，向檢測腔室光學(xué)詢問樣本的光學(xué)性質(zhì)以判斷樣本是否已經(jīng)移動到檢測腔室。在光學(xué)詢問檢測腔室時可使樣本處理裝置旋轉(zhuǎn)。本公開的一些方面提供一種用于處理樣本處理裝置的方法。該方法可包括：提供包括處理陣列的樣本處理裝置。處理陣列可包括輸入腔室、檢測腔室和被定位成流體地聯(lián)接輸入腔室與檢測腔室的通道。該方法還可包括：將樣本定位于樣本處理裝置中的至少一個處理陣列的輸入腔室中；以及使樣本處理裝置繞旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)以將樣本移動到檢測腔室。該方法還可包括：在使樣本處理裝置旋轉(zhuǎn)以將樣本移動到檢測腔室之前光學(xué)詢問處理陣列的檢測腔室來獲得第一次背景掃描；以及在使樣本處理裝置旋轉(zhuǎn)以將樣本移動到檢測腔室之后光學(xué)詢問處理陣列的檢測腔室以獲得第二次掃描。當(dāng)光學(xué)詢問檢測腔室時可使樣本處理裝置繞旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)來獲得第一次背景掃描和第二次掃描中的至少一個。該方法還可包括：比較第一次背景掃描與第二次掃描以判斷在第一次背景掃描與第二次掃描之間是否存在閾值變化。本公開的一些方面提供用于處理樣本處理裝置的系統(tǒng)。該系統(tǒng)可包括：包括檢測腔室的樣本處理裝置；馬達(dá)，其被構(gòu)造成使樣本處理裝置繞旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)；光學(xué)模塊，其相對于樣本處理裝置操作性地定位，并且被構(gòu)造成判斷選定體積的材料是否存在于樣本處理裝置的檢測腔室中。本公開的其它特點和方面將通過考慮詳細(xì)描述和附圖而變得顯而易見。附圖說明圖1為根據(jù)本公開的一個實施例的樣本處理系統(tǒng)的示意圖，該系統(tǒng)包括多重?zé)晒鈾z測裝置、數(shù)據(jù)采集裝置和圓盤處置系統(tǒng)。圖2為示出了示例性光學(xué)檢測模塊的示意圖，其可對應(yīng)于圖1的多重?zé)晒鈾z測裝置的多個光學(xué)模塊中的任一個光學(xué)模塊。圖3為根據(jù)本公開的一個實施例的檢測裝置的正視圖，檢測裝置在殼體內(nèi)包括一組可移除的光學(xué)模塊，包括主要可移除的光學(xué)模塊和兩個補(bǔ)充的可移除的光學(xué)模塊。圖4為圖3的檢測裝置的側(cè)視圖。圖5為圖3至圖4的檢測裝置的透視圖，其中一個光學(xué)模塊被移除以暴露模塊連接器。圖6為圖3至圖5的檢測裝置的示例性主要可移除的光學(xué)模塊的內(nèi)部部件的透視圖。圖7為圖3至圖5的檢測裝置的示例性補(bǔ)充可移除的光學(xué)模塊的內(nèi)部部件的透視圖。圖8為圖3至圖5的檢測裝置的側(cè)視圖，具有位于圓盤上的槽上的激光閥控制系統(tǒng)和機(jī)架系統(tǒng)。圖9為更詳細(xì)地示出了多重?zé)晒鈾z測裝置的示例實施例的示意框圖。圖10為聯(lián)接到光纖束的四個光纖的單個檢測器的框圖。圖11為示出多重?zé)晒鈾z測裝置的示例性操作的流程圖。圖12為示出用于檢測裝置的激光閥控制系統(tǒng)的示例性操作的流程圖。圖13A為在圓盤中的槽的示例性圖。圖13B為示出檢測在圓盤中的槽的內(nèi)邊緣和外邊緣的示例性方法的時序圖。圖13C為用于確定激光閥控制系統(tǒng)的原位置的示例性方法的時序圖。圖14為示出確定激光閥控制系統(tǒng)的原位置的示例的流程圖。圖15為示出從圓盤檢測光和取樣數(shù)據(jù)的示例性方法的流程圖。圖16為根據(jù)本公開的一個實施例的樣本處理裝置的頂部透視圖。圖17為圖16的樣本處理裝置的底部透視圖。圖18為圖16至圖17的樣本處理裝置的頂部平面圖。圖19為圖16至圖18的樣本處理裝置的底部平面圖。圖20為圖16至圖19的樣本處理裝置的一部分的特寫平面圖。圖21為圖20所示的樣本處理裝置的該部分的特寫底部平面圖。圖22為沿著圖21的線22-22所截取的圖16至圖21的樣本處理裝置的截面?zhèn)纫晥D。圖23為根據(jù)本公開的另一實施例的樣本處理裝置的底部平面圖。圖24為根據(jù)本公開的一個實施例的圓盤處置系統(tǒng)的分解透視圖。圖25為用于比較檢測腔室的兩次掃描以確定樣本是否存在于檢測腔室中的方法的一個實施例的示意圖表。圖26為示出了處理樣本處理裝置上的樣本并且判斷樣本是否存在于樣本處理裝置的檢測腔室中的一種示例性方法的流程圖。圖27至圖30分別示出了5μL、10μL、15μL和20μL的彎液面檢測結(jié)果的圖表，如在示例1中所報告；每個圖示出了具有反向散射強(qiáng)度(任何單位)的第一次背景掃描和第二次掃描相對于機(jī)架位置的關(guān)系。圖31示出了如在示例3，方案2中報告的，使用熒光檢測的總流體水平檢測的圖表；每個曲線示出了在背景上的熒光的百分比增加相對于機(jī)架位置的關(guān)系。具體實施例在詳細(xì)地解釋本公開的任何實施例之前，應(yīng)了解本發(fā)明的應(yīng)用并不限于在下文的描述中所陳述或附圖所示出的部件的構(gòu)造和布置的細(xì)節(jié)。本發(fā)明能有其它實施例且能以各種方式來實踐和執(zhí)行。而且，應(yīng)了解本文所用的用語和術(shù)語是出于描述目的，并且不應(yīng)認(rèn)為具有限制意義。在本文中使用“包括”、“包含”或“具有”、“含有”和其變型意謂涵蓋之后列出的項目和其等效物以及額外項目。除非另外規(guī)定或限制，術(shù)語“安裝”、“連接”、“支承”和“聯(lián)接”和其變型廣義地使用并且涵蓋直接和間接安裝、連接、支承和聯(lián)接。另外，“連接”和“聯(lián)接”并不限于物理或機(jī)械連接或聯(lián)接。應(yīng)了解可利用其它實施例，并且可在不偏離本公開的范圍的情況下做出結(jié)構(gòu)或邏輯變化。而且，術(shù)語例如“前”、“后”、“頂部”、“底部”和類似術(shù)語僅用于描述相對于彼此有關(guān)的元件，而絕不表示敘述設(shè)備的具體方位，以指示或暗示所需或必需的設(shè)備方位，或者規(guī)定在使用中將如何來使用、安裝、顯示或定位本文所描述的發(fā)明。本公開大體而言涉及樣本處理系統(tǒng)，用于處理樣本處理裝置和特別地用于檢測材料是否存在于樣本處理裝置的特定腔室內(nèi)的方法和裝置。更具體而言，在一些實施例中，本公開的系統(tǒng)、方法和裝置可用于檢測選定體積的材料是否存在于特定腔室中。在某些情況下，用于流體地處理和操縱樣本的樣本處理裝置可包括各種閥調(diào)和計量元件。例如，樣本可加載于樣本處理裝置上，各種閥、通道、腔室和或計量裝置可用于處理和移動樣本通過樣本處理裝置的各個隔室，最終止于處理或檢測腔室，在處理或檢測腔室中，將化驗或詢問(例如，光學(xué)地)樣本以判斷在樣本中是否存在相關(guān)的分析物和/或分析物的量。為了確定在樣本處理裝置上的樣本的流體處理中是否出現(xiàn)故障，其可用于知道樣本是否適當(dāng)?shù)剞D(zhuǎn)移到處理或檢測腔室。因此，本公開的系統(tǒng)、方法和裝置通常旨在判斷樣本或選定體積的樣本是否存在于檢測腔室中。在本公開的一些實施例(例如，在下文中關(guān)于圖16至圖22的樣本處理裝置300描述)中，相關(guān)樣本(例如，原樣本，諸如原患者樣本、原環(huán)境樣本等)可單獨于將在處理樣本時使用的各種試劑或介質(zhì)來加載，以用于特定化驗。在一些實施例中，這樣的試劑可作為包括相關(guān)化驗所需的所有試劑的單種cocktail(混合)或“mastermix(預(yù)混合)”試劑添加。樣本可以在稀釋液中懸浮或制備，并且稀釋液可包括用于相關(guān)化驗的試劑或者與用于相關(guān)化驗的試劑相同。為了簡單起見，樣本和稀釋液在本文中簡單地被稱作“樣本”，并且與稀釋液組合的樣本通常將仍被認(rèn)為是原樣本，因為尚未執(zhí)行明顯處理、測量、裂解等。樣本可包括固體、液體、半固體、凝膠材料和其組合，例如粒子在液體中的懸浮液。在一些實施例中，樣本可為水性液體。然后樣本處理裝置可包括用于移動樣本和試劑通過樣本處理裝置并且最終在需要的地方和時間組合樣本與試劑的裝置。在一些實施例中，試劑(例如，試劑mastermix)可包括能夠用于證實反應(yīng)和試劑正在工作的一個或更多個內(nèi)部控件。例如，多重檢測系統(tǒng)的一個通道可用于檢測內(nèi)部控件并且確認(rèn)試劑適當(dāng)?shù)剞D(zhuǎn)移到樣本處理裝置中，并且當(dāng)在多重檢測系統(tǒng)的其它通道中并未檢測到擴(kuò)增時適當(dāng)?shù)毓ぷ?。即，?nèi)部控件可用于證實假陰性，并且無內(nèi)部控件擴(kuò)增將使得運(yùn)行無效。但是，在原樣本中，并無類似的內(nèi)部控件。因此，如果樣本操縱和轉(zhuǎn)移(例如，在閥調(diào)或計量裝置中)存在故障使得樣本從不到達(dá)檢測腔室并且從不與試劑mastermix組合，則在試劑mastermix中的內(nèi)部控件仍將擴(kuò)增，從而導(dǎo)致可能的假陰性判斷。本公開的樣本處理系統(tǒng)、方法和裝置可用于檢驗樣本已經(jīng)移動到檢測腔室，和/或選定體積的樣本存在于檢測腔室中。如果并未發(fā)現(xiàn)檢驗，這可例如通過發(fā)出警報，通過生成故障報告，通過使運(yùn)行無效，通過中斷運(yùn)行等或其組合來指示。術(shù)語“原樣本”通常用于指除了僅在稀釋液中稀釋或懸浮，在加載到樣本處理裝置之前并未經(jīng)歷任何處理或操縱的樣本。即，原樣本可包括細(xì)胞、碎屑、抑制劑等并且在加載到樣本處理裝置上之前并未在先前裂解、洗滌、緩沖等。原樣本也可包括直接從來源得到并且從一個容器轉(zhuǎn)移到另一個容器而未操縱的樣本。原樣本還可包括在多種介質(zhì)中的患者樣本，包括但不限于運(yùn)輸培養(yǎng)基、腦脊液、全血、血漿、血清等。例如，從患者獲得的包含病毒粒子的鼻拭子樣本可運(yùn)輸和/或存儲于運(yùn)輸緩沖劑或介質(zhì)(其可包含抗菌劑)中，運(yùn)輸緩沖劑或介質(zhì)用于在處理之前懸浮和穩(wěn)定粒子。運(yùn)輸培養(yǎng)基的帶有懸浮粒子的一部分可被認(rèn)為是“樣本”。用于本公開和本文所討論的裝置和系統(tǒng)的所有“樣本”可為原樣本。圖1至圖15大體上示出了根據(jù)本公開的樣本處理系統(tǒng)，包括該系統(tǒng)的特點、元件、功能和操作方法，包括用于光學(xué)檢測的部件和特點。這樣的樣本處理系統(tǒng)可用于處理樣本處理裝置。樣本處理裝置通?？蔀橄钠?例如，一次性的)，并且包括能引導(dǎo)和操縱相關(guān)樣本的各種射流(例如，微射流)。樣本處理系統(tǒng)可用于檢測樣本和樣本處理裝置的各個特點。圖16至圖23示出了根據(jù)本公開可使用并且可用于本公開的樣本處理系統(tǒng)中的樣本處理裝置(例如，“圓盤”)的示例性實施例。圖24示出了本公開的一個示例性圓盤處置系統(tǒng)的至少一部分，其可形成本公開的樣本處理系統(tǒng)的一部分或者結(jié)合本公開的樣本處理系統(tǒng)使用。特別地，圖24示出了示例性樣本處理裝置(即，圖16至圖22的樣本處理裝置)與圓盤處置系統(tǒng)的覆蓋物和底板相互作用。即，圖24示出了“圓盤”可與本公開的樣本處理系統(tǒng)的各個部件物理地(例如，結(jié)構(gòu)地，機(jī)械地和/或熱)相互作用。應(yīng)了解雖然本公開的樣本處理裝置在本文中被圖示為圓形的形狀并且在本文中被稱作“圓盤”，但本公開的樣本處理裝置的多種其它形狀和配置也是可能的，并且本公開并不限于圓形樣本處理裝置。因此，為了簡單和簡潔起見，術(shù)語“圓盤”常常在本文中代替“樣本處理裝置”使用，但該術(shù)語預(yù)期并無限制意義。樣本處理系統(tǒng)本公開的樣本處理系統(tǒng)可用于涉及熱處理的方法，例如敏感化學(xué)處理例如聚合酶鏈反應(yīng)(PCR)擴(kuò)增、轉(zhuǎn)錄介導(dǎo)的擴(kuò)增(TMA)、基于核酸序列的擴(kuò)增(NASBA)，連接酶鏈反應(yīng)(LCR)，自持序列復(fù)制，酶動力學(xué)研究，同類配體結(jié)合化驗，免疫化驗諸如酶聯(lián)免疫吸附化驗(ELISA)和需要精確的熱控制和/或快速熱變化的更復(fù)雜的生化或其它處理。除了實現(xiàn)對于裝置上處理腔室中的樣本材料的溫度的控制之外，樣本處理系統(tǒng)能夠提供樣本處理裝置的同時旋轉(zhuǎn)。可適用于本發(fā)明的合適構(gòu)造技術(shù)或材料的某些示例可描述于例如名稱為“ENHANCEDSAMPLEPROCESSINGDEVICESSYSTEMSANDMETHODS”(Bedingham等人)的共同轉(zhuǎn)讓的美國專利No.6,734,401、No.6987253、No.7435933、No.7164107以及No.7,435,933中；名稱為“MULTI-FORMATSAMPLEPROCESSINGDEVICES”(Bedingham等人)的美國專利No.6,720,187中；名稱為“MULTI-FORMATSAMPLEPROCESSINGDEVICESANDSYSTEMS”(Bedingham等人)的美國專利No.2004/0179974中；名稱為“MODULARSYSTEMSANDMETHODSFORUSINGSAMPLEPROCESSINGDEVICES”(Bedingham等人)的美國專利No.6,889,468中；名稱為“SYSTEMSFORUSINGSAMPLEPROCESSINGDEVICES”(Bedingham等人)的美國專利No.7,569,186；名稱為“THERMALSTRUCTUREFORSAMPLEPROCESSINGSYSTEM”(Bedingham等人)的美國專利公開No.2009/0263280中；名稱為“VARIABLEVALVEAPPARATUSANDMETHOD”(Bedingham等人)的美國專利No.7,322,254和美國專利公開No.2010/0167304中；名稱為“SAMPLEMIXINGONAMICROFLUIDICDEVICE”(Bedingham等人)的美國專利No.7,837,947和美國專利公開No.2011/0027904中；名稱為“METHODSANDDEVICESFORREMOVALOFORGANICMOLECULESFROMBIOLOGICALMIXTURESUSINGANIONEXCHANGE”(Parthasarathy等人)的美國專利No.7,192,560和No.7,871,827和美國專利公開No.2007/0160504中；名稱為“METHODSFORNUCLEICACIDISOLATIONANDKITSUSINGAMICROFLUIDICDEVICEANDCONCENTRATIONSTEP”(Parthasarathy等人)的美國專利公開No.2005/0142663中；名稱為“SAMPLEPROCESSINGDEVICECOMPRESSIONSYSTEMSANDMETHODS”(Aysta等人)的美國專利No.7,754,474和美國專利公開No.2010/0240124中；名稱為“COMPLIANTMICROFLUIDICSAMPLEPROCESSINGDISKS”(Bedingham等人)的美國專利No.7,763,210和美國專利公開No.2010/0266456中；名稱為“MODULARSAMPLEPROCESSINGAPPARATUSKITSANDMODULES”(Bedingham等人)的美國專利No.7,323,660和No.7,767,937中；名稱為“MULTIPLEXFLUORESCENCEDETECTIONDEVICEHAVINGFIBERBUNDLECOUPLINGMULTIPLEOPTICALMODULESTOACOMMONDETECTOR”(Bedingham等人)的美國專利No.7,709,249中；名稱為“MULTIPLEXFLUORESCENCEDETECTIONDEVICEHAVINGREMOVABLEOPTICALMODULES”(Bedingham等人)的美國專利No.7,507,575中；名稱為“VALVECONTROLSYSTEMFORAROTATINGMULTIPLEXFLUORESCENCEDETECTIONDEVICE”(Bedingham等人)美國專利No.7,527,763和No.7,867,767中；名稱為“HEATINGELEMENTFORAROTATINGMULTIPLEXFLUORESCENCEDETECTIONDEVICE”(Bedingham等人)的美國專利公開No.2007/0009382中；名稱為“METHODSFORNUCLEICAMPLIFICATION”(Parthasarathy等人)的美國專利公開No.2010/0129878中；名稱為“THERMALTRANSFERMETHODSANDSTRUCTURESFORMICROFLUIDICSYSTEMS”(Bedingham等人)的美國專利公開No.2008/0149190中；名稱為“ENHANCEDSAMPLEPROCESSINGDEVICES,SYSTEMSANDMETHODS”(Bedingham等人)的美國專利公開No.2008/0152546中；名稱為“ANNULARCOMPRESSIONSYSTEMSANDMETHODSFORSAMPLEPROCESSINGDEVICES”(Bedingham等人)的美國專利申請公開No.2011/0117607中；名稱為“SYSTEMSANDMETHODSFORPROCESSINGSAMPLEPROCESSINGDEVICES”(Robole等人)的美國專利申請公開No.2011/0117656中；在2000年10月2日提交的名稱為“SAMPLEPROCESSINGDEVICES,SYSTEMSANDMETHODS”(Bedingham等人)的美國臨時專利申請序列號No.60/237,151中；名稱為“SAMPLEPROCESSINGDISCCOVER”(Bedingham等人)的美國專利No.D638550和No.D63895中；在2011年2月4日提交的名稱為“SAMPLEPROCESSINGDISCCOVER”(Bedingham等人)的美國專利申請No.29/384,821中；以及名稱為“ROTATABLESAMPLEPROCESSINGDISK”(Bedingham等人)的美國專利No.D564667中。這些公開的全部內(nèi)容以引用的方式結(jié)合到本文中。其它可能的裝置構(gòu)造可見于例如名稱為“CENTRIFUGALFILLINGOFSAMPLEPROCESSINGDEVICES”(Bedingham等人)的美國專利No.6,627,159中；名稱為“SAMPLEPROCESSINGDEVICES”(Bedingham等人)的美國專利No.7,026,168、No.7,855,083以及No.7,678,334和美國專利公開No.2006/0228811和No.2011/0053785中；名稱為“SAMPLEPROCESSINGDEVICESANDCARRIERS”(Harms等人)的美國專利No.6,814,935和No.7,445,752中；以及，名稱為“SAMPLEPROCESSINGDEVICESANDCARRIERS”(Bedingham等人)的美國專利No.7,595,200中。這些公開的全部內(nèi)容以引用的方式結(jié)合到本文中?，F(xiàn)在將描述能夠進(jìn)行多重?zé)晒鈾z測的樣本處理系統(tǒng)，包括該系統(tǒng)的各個特點、元件和操作。圖1為示出了可用作樣本處理系統(tǒng)2的部分的多重?zé)晒鈾z測裝置10、數(shù)據(jù)采集裝置21和圓盤處置系統(tǒng)500的示例性實施例的示意圖。將在下文中參考圖24更詳細(xì)地描述圓盤處置系統(tǒng)500。檢測裝置10可用于檢測樣本的各種特征，包括樣本或選定體積的樣本是否存在于樣本處理裝置(例如，旋轉(zhuǎn)圓盤13)的檢測腔室中。在一些實施例中，樣本處理裝置是可消耗的并且是可替換的，并且可能未必認(rèn)為形成樣本處理系統(tǒng)12的一部分，而是可用于樣本處理系統(tǒng)12，或者可由樣本處理系統(tǒng)12處理。在圖示示例中，裝置10具有四個光學(xué)模塊16，四個光學(xué)模塊16提供用于對四種不同染料進(jìn)行光學(xué)檢測的四個“通道”。具體地，裝置10具有四個光學(xué)模塊16，這四個光學(xué)模塊16在任何給定時間激發(fā)旋轉(zhuǎn)圓盤13的不同區(qū)域，并且收集從染料以不同波長發(fā)射的熒光光能。因此，模塊16可用于詢問在樣本22內(nèi)發(fā)生的多個并行反應(yīng)和/或判斷樣本22或者選定體積的樣本22是否位于圓盤13的所希望的區(qū)域中(例如，在特定腔室內(nèi))。多個反應(yīng)可例如在旋轉(zhuǎn)盤元13的單個腔室內(nèi)同時發(fā)生。光學(xué)模塊16中的每一個光學(xué)模塊詢問樣本22并且在圓盤13旋轉(zhuǎn)時收集不同波長的熒光光能。例如，在模塊16內(nèi)的激發(fā)源可隨后被啟用足以收集相對應(yīng)波長的數(shù)據(jù)的時段。即，第一光學(xué)模塊16可啟用一段時間以收集被選擇用于與第一反應(yīng)對應(yīng)的第一染料的第一波長范圍的數(shù)據(jù)。然后可停用激發(fā)源，并且可啟用在第二光學(xué)模塊16內(nèi)的激發(fā)源，從而以被選擇用于與第二反應(yīng)對應(yīng)的第二染料的第二波長范圍詢問樣本22。該處理可持續(xù)到已經(jīng)從所有光學(xué)模塊16捕獲到數(shù)據(jù)。在一個實施例中，在光學(xué)模塊16內(nèi)的激發(fā)源中每一個激發(fā)源被啟用大約0.5秒的初始時段以在持續(xù)了圓盤13的10-50次旋轉(zhuǎn)的詢問時段后到達(dá)穩(wěn)態(tài)。在其它實施例中，可將激發(fā)源排序以持續(xù)更短(例如，1毫秒或2毫秒)或更長時段。在一些實施例中，可同時啟用多于一個的光學(xué)模塊以同時詢問樣本22而不停止圓盤13的旋轉(zhuǎn)。盡管示出了單個樣本22，圓盤13可包含保持樣本的多個腔室。光學(xué)模塊16可以以不同波長詢問不同腔室中的某些或全部。在一實施例中，圓盤13包括圍繞圓盤13的圓周的96個腔室空間。利用96個腔室圓盤和四個光學(xué)模塊16，裝置10能夠從384種不同的物種采集數(shù)據(jù)。在一個實施例中，光學(xué)模塊16包括激發(fā)源，激發(fā)源為廉價的高功率發(fā)光二極管(LED)，其可以以多種波長在市場上購買到并且具有較長的壽命(例如，100,000小時或更長)。在另一實施例中，常規(guī)鹵素?zé)襞莼蚬療艨捎米骷ぐl(fā)源。如圖1所示，光學(xué)模塊16中的每一個光學(xué)模塊可聯(lián)接到光纖束14的一個腿。光纖束14提供從光學(xué)模塊16收集熒光信號而不損失敏感性的靈活機(jī)構(gòu)。一般而言，光纖束包括并排鋪設(shè)并且在端部結(jié)合在一起并且包在柔性保護(hù)套中的多個光纖。替代地，光纖束14可包括玻璃的或塑料的、具有共同端部的、更少數(shù)目的離散、大直徑的多模式纖維。例如，對于四光學(xué)模塊裝置，光纖束16可包括四個離散的多模式纖維，每個具有1mm的芯直徑。束的共同端部包含結(jié)合在一起的四個纖維。在該示例中，檢測器18的孔口可為8mm，其已經(jīng)足夠聯(lián)接到四個纖維。在此示例中，光纖束14將光學(xué)模塊16聯(lián)接到單個檢測器18。光纖運(yùn)送由光學(xué)模塊16收集的熒光并且將所捕獲的光有效地遞送到檢測器18。在一個實施例中，檢測器18為光電倍增管。在另一實施例中，檢測器可在單個檢測器內(nèi)包括多個光電倍增元件，每個光纖一個光電倍增元件。在其它實施例中，可使用一個或更多個固態(tài)檢測器。使用單個檢測器18可為有利的，因為其允許使用高度敏感的并且可能昂貴的檢測器(例如，光電倍增器)，同時維持最小的成本，因為僅需要使用單個檢測器。在本文中討論了單個檢測器；但是，可包括一個或更多個檢測器來檢測更大量的染料。例如，四個額外的光學(xué)模塊16和第二檢測器可添加到該系統(tǒng)以允許檢測從一個圓盤發(fā)射的八種不同的波長。聯(lián)接到用于旋轉(zhuǎn)圓盤13的單個檢測器的示例性光纖束描述于在2005年7月5日提交的名稱為“MULTIPLEXFLUORESCENCEDETECTIONDEVICEHAVINGFIBERBUNDLECOUPLINGMULTIPLEOPTICALMODULESTOACOMMONDETECTOR”的美國專利No.7,709,249中，其全文以引用的方式合并到本文中。光學(xué)模塊16可從該裝置移除并且可易于與被優(yōu)化從而以不同波長進(jìn)行詢問的其它光學(xué)模塊交換。例如，光學(xué)模塊16可物理地安裝到模塊殼體的位置內(nèi)。光學(xué)模塊16中的每一個光學(xué)模塊可易于沿著與光學(xué)模塊的一個或更多個標(biāo)記(例如，引導(dǎo)銷)配合的引導(dǎo)件(例如，凹陷的凹槽)插入于殼體的相應(yīng)位置內(nèi)。光學(xué)模塊16中的每一個光學(xué)模塊可通過閂鎖、磁體、螺釘或其它緊固裝置被固定于托架內(nèi)。每個光學(xué)模塊包括用于聯(lián)接到光纖束14的一個腿的光輸出端口(在圖6和圖7中示出)。光輸出端口可具有聯(lián)接到腿的螺紋連接器的螺紋端部。替代地，可使用“快速連接”形式(例如，具有O形環(huán)和卡扣銷的可滑動連接)，其允許光纖束14與光輸出端口可滑動地接合和脫離。此外，光學(xué)模塊16中的每一個光學(xué)模塊具有當(dāng)完全插入時用于電聯(lián)接到控制單元23的一個或更多個電接觸襯墊或柔性電路。用于旋轉(zhuǎn)圓盤13的示例性可移除的光學(xué)模塊描述于在2005年7月5日提交的名稱為“MULTIPLEXFLUORESCENCEDETECTIONDEVICEHAVINGREMOVABLEOPTICALMODULES”的美國專利No.7,507,575中，其全文以引用的方式合并到本文中。裝置10的模塊化架構(gòu)允許裝置易于適應(yīng)在給定分析環(huán)境中使用的所有熒光染料，例如多重PCR?？捎糜谘b置10的其它化學(xué)反應(yīng)包括Invader(ThirdWave,Madison,Wisconsin)、轉(zhuǎn)錄介導(dǎo)擴(kuò)增(GenProbe,SanDiego,California)、熒光標(biāo)記酶聯(lián)免疫吸附化驗(ELISA)和/或熒光原位雜交(FISH)。裝置10的模塊化架構(gòu)可提供另一優(yōu)點：可通過選擇相對應(yīng)的激發(fā)源(未圖示)以及用于小的特定目標(biāo)波長范圍的激發(fā)和檢測濾光器以選擇性地激發(fā)和檢測多重反應(yīng)中的相對應(yīng)的染料來優(yōu)化每個光學(xué)模塊16的敏感性。出于舉例說明目的，裝置10被示出為4色多重布置，但更多或更少的通道可用于適當(dāng)?shù)墓饫w束14。這種模塊化設(shè)計允許使用者在該領(lǐng)域中通過簡單地向裝置10添加另一光學(xué)模塊16并且將光纖束14的一個腿插入于新光學(xué)模塊中而容易地更新裝置10。光學(xué)模塊16可具有集成電子器件，其識別光學(xué)模塊并且將校準(zhǔn)數(shù)據(jù)下載到裝置10的內(nèi)部控制模塊或其它內(nèi)部電子器件內(nèi)(例如，控制單元23)。在圖1的示例中，樣本22包含于圓盤13的腔室內(nèi)，圓盤13安裝于旋轉(zhuǎn)平臺上，在控制單元23(旋轉(zhuǎn)平臺的一個實施例在圖24中僅以舉例說明的方式示出)的控制之下。槽傳感器觸發(fā)器27提供由控制單元23用于在圓盤旋轉(zhuǎn)期間使數(shù)據(jù)采集裝置21與腔室位置同步的輸出信號。槽傳感器觸發(fā)器27可為機(jī)械、電氣、磁性或光學(xué)傳感器。例如，如在下文中進(jìn)一步詳細(xì)地描述，槽傳感器觸發(fā)器27可包括光源，光源通過穿過圓盤13形成的槽發(fā)射光束，檢測圓盤的每次轉(zhuǎn)動。作為另一示例，槽傳感器觸發(fā)器可感測反射的光，以用于使圓盤13的旋轉(zhuǎn)與模塊16和檢測器18的數(shù)據(jù)采集同步。在其它實施例中，圓盤13可包括凸舌、突起或反射性表面，作為槽的補(bǔ)充或替代。槽傳感器觸發(fā)器27可使用任何物理結(jié)構(gòu)或機(jī)構(gòu)來在圓盤13旋轉(zhuǎn)時確定圓盤13的徑向位置。光學(xué)模塊16可物理地安裝于旋轉(zhuǎn)平臺25上方，使得光學(xué)模塊16可在任何時間與不同的腔室重疊。檢測裝置10還可包括加熱元件(在圖1中未示出，但示例性加熱元件在圖24中示出并且在下文中展開描述)，該加熱元件用于調(diào)節(jié)圓盤13上的樣本22的溫度。加熱元件可包括包含在反射器封殼內(nèi)的圓柱形鹵素?zé)襞?。反射性腔室被成形為將來自燈泡的輻射聚焦到圓盤13的徑向部上。一般而言，圓盤13的加熱區(qū)可包括在圓盤13自旋時的環(huán)形圈。在該實施例中，反射性封殼的形狀可為橢圓形幾何形狀與球形幾何形狀的組合，其允許精確地聚焦。在其它實施例中，反射性封殼可具有不同形狀，或者燈泡可廣泛地輻照較大區(qū)域。在其它實施例中，反射性封殼可被成形為將來自燈泡的輻射聚焦到圓盤13的單個區(qū)域上，例如包含樣本22的單個處理腔室。在一些實施例中，加熱元件可加熱空氣并且迫使熱空氣經(jīng)過一個或更多個樣本來調(diào)節(jié)溫度。此外，樣本可由圓盤直接加熱。在該情況下，加熱元件可位于平臺25中并且熱聯(lián)接到圓盤13。在加熱元件內(nèi)的電阻可受到控制單元23的控制而加熱圓盤的選定區(qū)域。例如，區(qū)域可包含一個或更多個腔室，可能是整個圓盤。用于旋轉(zhuǎn)圓盤13的示例性加熱元件描述于在2005年7月5日提交的名稱為“HEATINGELEMENTFORAROTATINGMULTIPLEXFLUORESCENCEDETECTIONDEVICE”的美國專利申請公開No.2007/0009382中，其全文以引用的方式合并到本文中。作為替代或作為補(bǔ)充，裝置10也可包括冷卻部件(未圖示)。風(fēng)扇可包括于裝置10中用來向圓盤13供應(yīng)冷空氣，即室溫空氣?？赡苄枰鋮s來適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)樣本溫度并且在完成實驗后儲存樣本。在其它實施例中，冷卻部件可包括在平臺25與圓盤13之間的熱聯(lián)接，因為平臺25在需要時可降低其溫度。例如，某些生物樣本可在4℃儲存，以降低酶活性或蛋白質(zhì)變性。檢測裝置10也能夠控制包含在處理腔室內(nèi)的反應(yīng)物種。例如，可有益地將某些物種加載到處理腔室中以產(chǎn)生一個反應(yīng)，并且一旦第一反應(yīng)終止，隨后將另一物種添加到樣本。閥控制系統(tǒng)可用于控制分隔內(nèi)保持腔室與處理腔室的閥，從而在圓盤13旋轉(zhuǎn)期間控制物種向腔室的添加。閥控制系統(tǒng)可位于光學(xué)模塊16之一內(nèi)或安裝于其上或者與光學(xué)模塊16分離。在激光器的正下方，在圓盤13下方可為用于相對于圓盤13定位激光器的激光傳感器。在一個實施例中，閥控制系統(tǒng)包括近紅外(NIR)激光器，其能夠與傳感器組合以兩個或更多個功率水平被驅(qū)動。在低功率設(shè)置下，激光器可用于定位圓盤13并且將選定閥作為目標(biāo)，例如通過傳感器感測由激光器通過在圓盤13中的槽發(fā)射的NIR光。在目標(biāo)閥旋轉(zhuǎn)就位后，控制單元23可指導(dǎo)激光器輸出短叢發(fā)的高功率能量以加熱閥并且打開目標(biāo)閥。能量叢發(fā)在閥中形成空隙，例如通過刺穿、熔化或燒蝕，造成閥打開并且允許流體從內(nèi)部保持腔室通過通道流動到外部處理腔室。在一些實施例中，圓盤13可包含各種大小和材料的多個閥以順序地產(chǎn)生多個反應(yīng)。當(dāng)利用具有多個腔室閥的圓盤時可使用多于一組的閥控制系統(tǒng)。數(shù)據(jù)采集裝置21可循序地或者并行地從裝置10收集每種染料的數(shù)據(jù)。在一個實施例中，數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)21從光學(xué)模塊16順序地收集數(shù)據(jù)，并且通過光學(xué)模塊16中的每一個光學(xué)模塊的從槽傳感器觸發(fā)器27接收到的輸出信號測量到的觸發(fā)延遲來校正空間重疊。裝置10的一個應(yīng)用為實時PCR，但本文所描述的技術(shù)可擴(kuò)展到利用多個波長的熒光檢測的其它平臺。裝置10可組合快速熱循環(huán)，利用加熱元件和被離心驅(qū)動的微射流，以用于分離、擴(kuò)增和檢測核酸。通過使用多重?zé)晒鈾z測，可并行地檢測和分析多個目標(biāo)物種。對于實時PCR，使用熒光來測量三項通用技術(shù)之一的擴(kuò)增量。第一項技術(shù)是使用染料，例如SybrGreen(MolecularProbes,Eugene,Oregon)，其熒光在結(jié)合到雙鏈DNA上時增加。第二項技術(shù)是使用熒光標(biāo)記的探針，當(dāng)結(jié)合到擴(kuò)增的目標(biāo)序列時其熒光變化(雜交探針，發(fā)夾探針等)。該技術(shù)類似于使用雙鏈DNA結(jié)合染料，但更具體地是因為探針將僅結(jié)合目標(biāo)序列的特定段。第三項技術(shù)是使用水解探針(TaqmanTM,AppliedBioSystems,FosterCityCalifornia)，其中，聚合酶的核酸外切酶活性在PCR的延長的階段裂解來自探針的淬滅分子，使其具有熒光活性。在這些方案中的每一個方案中，熒光與擴(kuò)增的目標(biāo)濃度線性地成比例。數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)21在PCR反應(yīng)期間測量自檢測器18的輸出信號(或替代地，可選地，由控制單元取樣和通信)，以接近實時地觀察擴(kuò)增。在多重PCR中，以獨立地測量的不同的染料標(biāo)記多個目標(biāo)。一般而言，每種染料將具有不同的吸光度和發(fā)射光譜。因此，光學(xué)模塊16可具有激發(fā)源、透鏡和相關(guān)的濾光器，其在光學(xué)上被選擇為以不同波長來詢問樣本22。圖2為示出可與圖1的光學(xué)模塊16中的任一個光學(xué)模塊對應(yīng)的示例性光學(xué)模塊16A的示意圖。在該示例中，光學(xué)模塊16A包含高功率激發(fā)源、LED30、準(zhǔn)直透鏡32、激發(fā)濾光器34、二向色濾光器36、聚焦透鏡38、檢測濾光器40和用于將熒光聚焦到光纖束14的一個腿內(nèi)的透鏡42。因此，來自LED30的激發(fā)光由準(zhǔn)直透鏡32校準(zhǔn)，由激發(fā)濾光器34濾光，透射通過二向色濾光器36并且由聚焦透鏡38聚焦到樣本22內(nèi)。由樣本發(fā)射的所得到的熒光由同一聚焦透鏡38收集，從二向色濾光器36反射，并且由檢測濾光器40濾光，之后被聚焦到光纖束14的一個腿內(nèi)。然后，光纖束14將光轉(zhuǎn)移到檢測器18。基于光學(xué)模塊16A所使用的多重染料的吸光度和發(fā)射帶來選擇LED30、準(zhǔn)直透鏡32、激發(fā)濾光器34、二向色濾光器36、聚焦透鏡38、檢測濾光器40和透鏡40。以該方式，多個光學(xué)模塊16可被配置并且加載到裝置10內(nèi)，從而以多種染料為目標(biāo)。下表列出了可在4通道多重?zé)晒鈾z測裝置10中用于多種熒光染料的示例性部件。合適染料的示例包括但不限于可以以商標(biāo)名稱“FAM”購自加利福尼亞諾瓦克的Applera的5-羧基熒光素染料，即熒光素衍生物；可以以商標(biāo)名稱“HEX”購自Applera的6-羧基-2',4,4',5',7,7'-六氯熒光素染料，即熒光素衍生物；可以以商標(biāo)名稱“JOE”購自Applera的6-羧基-4',5'-二氯-2',7'-二甲氧基熒光素染料，即熒光素衍生物；可以以商標(biāo)名稱“VIC”購自Applera的熒光素衍生物染料；可以以商標(biāo)名稱“TET”購自Applera的熒光素衍生物染料；可以以商標(biāo)名稱“ROX”購自加利福尼亞卡爾斯班的Invitrogen的6-羧基-X-若丹明染料，即，若丹明衍生物；可以以商標(biāo)名稱“SYBR”購自Invitrogen的插入染料(在下表中被稱作“SybrGreen”)；可以以商標(biāo)名稱“TEXASRED”購自Invitrogen的若丹明衍生物染料(在下表中被稱作“TxRed”)；可以以商標(biāo)名稱“CY5”購自英國白金漢郡的Amersham的5-N-N'-二乙基四甲基吲哚羰花青染料，即花青衍生物(在下表中被稱作“Cy5”)；可以以商標(biāo)名稱“CALFLUORRED610”購自加利福尼亞諾瓦托的BioSearchTechnologies的亞磷酰胺衍生物染料(在下表和示例中被稱作“CFR610”)；以及可以以商標(biāo)名稱“QUASAR670”購自加利福尼亞諾瓦托的BioSearchTechnologies的吲哚羰花青衍生物染料(在下表中被稱作“Quasar670”)。所描述的模塊化多重檢測架構(gòu)的一個優(yōu)點在于優(yōu)化很多種染料的檢測和/或判斷材料或選定體積的材料是否存在于圓盤13的特定腔室中的靈活性。設(shè)想到使用者可具有能夠根據(jù)需要插入于裝置10內(nèi)的一組若干不同的光學(xué)模塊16，可在任一次使用其中的N個，其中N為由裝置支持的通道的最大數(shù)目。此外，光學(xué)模塊16中一個或更多個光學(xué)模塊的光通道中的一個或更多個光通道可用于感測(例如，光學(xué)詢問)材料或選定體積的材料是否存在于圓盤13的特定腔室中。例如，在一些實施例中，F(xiàn)AM光通道可特別適合于檢測在圓盤13處被導(dǎo)向的電磁信號的反向散射的反射，并且在一些實施例中，CFR610光通道可特別適合于使用熒光來檢測材料或選定體積的材料在檢測腔室中的存在。因此，裝置10和光學(xué)模塊16可用于任何熒光染料和PCR檢測方法。更大的光纖束可用于支持更大數(shù)目的檢測通道。此外，多個光纖束可用于多個檢測器。例如，兩個4腿光纖束可用于八個光學(xué)模塊16和兩個檢測器18。圖3示出了在殼體內(nèi)的可移除的一組光學(xué)模塊的示例的正視圖。在圖3的示例中，裝置10包括基底臂44和模塊殼體46。主光學(xué)模塊48、補(bǔ)充光學(xué)模塊52和補(bǔ)充光學(xué)模塊56包含于模塊殼體46內(nèi)。光學(xué)模塊48、52和56分別產(chǎn)生光輸出束43、49、53和57，其順序地激發(fā)圓盤13的不同的處理腔室。換言之，輸出束43、49、53和57遵循圓盤13的曲率以各自激發(fā)圓盤的包含處理腔室的相同的徑向位置。光學(xué)模塊48包含兩個光通道，光通道每個均輸出不同的束43和49。如圖所示，槽傳感器觸發(fā)器27可包括紅外光源31，紅外光源31產(chǎn)生由檢測器33檢測的光35。光學(xué)模塊48、52和56中的每一個光學(xué)模塊可分別包括用于接合模塊殼體46的相應(yīng)的釋放桿50、54或58。每個釋放桿可提供向上偏壓來接合在模塊殼體46內(nèi)形成的相應(yīng)閂鎖。技術(shù)員或其它使用者能夠分別按壓釋放桿50、54或58，以便從模塊殼體46解鎖并且移除光學(xué)模塊48、52或56。條碼讀取器29可包括用于識別圓盤13的激光器62?；妆?4從檢測裝置10延伸并且向模塊殼體46和光學(xué)模塊48、52和56提供支承。模塊殼體46可固定地安裝到基底臂44頂部。模塊殼體46可包含適于接納光學(xué)模塊48、52和56中的相應(yīng)的一個光學(xué)模塊的位置。盡管出于示例性目的關(guān)于模塊殼體46展開描述，但是檢測裝置10的模塊殼體46可具有用于接納光學(xué)模塊48、52和56的多個位置。換言之，單獨殼體無需用于光學(xué)模塊48、52和56。模塊殼體46的每個位置可包含一個或更多個軌道或引導(dǎo)件，當(dāng)技術(shù)員或其它使用者插入光學(xué)模塊時，該一個或更多個軌道或引導(dǎo)件有助于將相關(guān)聯(lián)的光學(xué)模塊正確地定位于適當(dāng)位置。這些引導(dǎo)件可沿著每個位置的頂部、底部或側(cè)部定位。光學(xué)模塊48、52和56中的每一個光學(xué)模塊可包括引導(dǎo)件或軌道，該引導(dǎo)件或軌道與模塊殼體46的所述位置的引導(dǎo)件或軌道配合。例如，模塊殼體46可具有突出引導(dǎo)件，突出引導(dǎo)件與光學(xué)模塊48、52和56中的凹陷引導(dǎo)件配合。在一些實施例中，模塊殼體46可不完全封閉光學(xué)模塊48、52和56中的每一個光學(xué)模塊。例如，模塊殼體46可提供安裝點以將光學(xué)模塊48、52和56中的每一個光學(xué)模塊固定到基底臂44，但每個光學(xué)模塊的部分或全部可能暴露。在其它實施例中，模塊殼體46可完全封閉光學(xué)模塊48、52和56中的每一個光學(xué)模塊。例如，模塊殼體46可包括在光學(xué)模塊48、52和56上閉合的單個門或者用于模塊中的每一個模塊的相應(yīng)的門。該實施例可適用于模塊很少被移除或者檢測裝置10經(jīng)受極端環(huán)境條件的應(yīng)用。技術(shù)員可容易地移除光學(xué)模塊48、52或56中的任一個光學(xué)模塊，并且這可通過使用僅一只手來完成。例如，技術(shù)員可將他或她的食指放在位于光學(xué)模塊52的釋放桿54下方的模制唇緣下方。然后技術(shù)員的拇指可向下按壓釋放桿54以從模塊殼體46釋放光學(xué)模塊52。雖然在拇指與食指之間握住光學(xué)模塊52，但是技術(shù)員可拉回光學(xué)模塊以從檢測裝置10移除光學(xué)模塊。其它方法可用于移除光學(xué)模塊48、52或56中的任一個光學(xué)模塊，包括利用雙手移除的方法?？梢岳靡恢皇只騼芍皇忠韵喾吹姆绞絹韺崿F(xiàn)插入光學(xué)模塊48、52或56中的任一個光學(xué)模塊。在圖3的示例中，兩個光學(xué)模塊的部件組合以形成主光學(xué)模塊48。主光學(xué)模塊48可包含：光源，光源產(chǎn)生兩種不同波長的光；以及，檢測器，其用于檢測來自圓盤13中的樣本的每種不同波長的熒光。因此，主光學(xué)模塊48可連接到光纖束14的兩個腿。以該方式，主光學(xué)模塊48可被視作雙通道光學(xué)模塊，其具有兩個獨立的光學(xué)激發(fā)和收集通道。在一些實施例中，主光學(xué)模塊48可包含用于多于兩個光學(xué)模塊的光學(xué)部件。在其它情況下，模塊殼體46包含多個(例如，兩個或更多個)單通道光學(xué)模塊，例如補(bǔ)充光學(xué)模塊52和56。在其它情況下，模塊殼體46包含一個或更多個雙通道光學(xué)模塊48和一個或更多個單通道光學(xué)模塊52、56的組合。如圖3所示，主光學(xué)模塊48也可包含用于激光閥控制系統(tǒng)51(位于光學(xué)模塊48內(nèi))的部件。激光閥控制系統(tǒng)51通過位于圓盤13的外邊緣附近的小槽來檢測圓盤13的位置。檢測器(未圖示)檢測低功率激光55以映射圓盤13相對于使圓盤自旋的馬達(dá)的位置。控制單元23使用映射來定位在圓盤13上的閥(在圖3中未示出)并且經(jīng)由激光閥控制系統(tǒng)51來將目標(biāo)閥旋轉(zhuǎn)到打開的位置。當(dāng)目標(biāo)閥就位后，通過使用一個或更多個高功率的短突發(fā)，激光閥控制系統(tǒng)51將激光55聚焦到閥上。短突發(fā)例如通過刺穿、熔化或燒蝕閥在目標(biāo)閥中形成空隙，從而在圓盤13旋轉(zhuǎn)時允許內(nèi)保持腔室的內(nèi)含物流到外處理腔室。檢測裝置10然后可監(jiān)視處理腔室中隨后的反應(yīng)和/或檢測內(nèi)含物或者其選定的體積是否有效地轉(zhuǎn)移到處理腔室。在腔室內(nèi)的內(nèi)含物可包括呈流體或固體狀態(tài)的物質(zhì)。在一些實施例中，激光閥控制系統(tǒng)51可包含于單通道光學(xué)模塊內(nèi)，例如補(bǔ)充光學(xué)模塊54或補(bǔ)充光學(xué)模塊56內(nèi)。在其它實施例中，激光閥控制系統(tǒng)51可相對于光學(xué)模塊48、52或56中的任一個光學(xué)模塊單獨安裝到檢測裝置10上。在該情況下，激光閥控制系統(tǒng)51是可移除的并且適于接合在模塊殼體46內(nèi)或者檢測裝置10的不同殼體內(nèi)的位置。在圖3的示例中，槽傳感器觸發(fā)器27在圓盤13的任一側(cè)上位于可移除模塊附近。在一個實施例中，槽傳感器觸發(fā)器27包含光源31以發(fā)射紅外(IR)光35。當(dāng)圓盤13中的槽允許光通過圓盤到達(dá)檢測器33時，檢測器33檢測IR光35?？刂茊卧?3使用由檢測器33產(chǎn)生的輸出信號使來自光學(xué)模塊48、54和56的數(shù)據(jù)采集與圓盤13的旋轉(zhuǎn)同步。在一些實施例中，槽傳感器觸發(fā)器27可在裝置10操作期間從基底臂44延伸以到達(dá)圓盤13的外邊緣。在其它實施例中，機(jī)械檢測器可用于檢測圓盤13的位置。條碼讀取器29使用激光器62來讀取位于圓盤13的側(cè)邊緣上的條碼。條碼識別圓盤13的類型以允許裝置10適當(dāng)操作。在一些實施例中，條碼可識別實際圓盤來輔助技術(shù)員跟蹤來自多個圓盤13的具體樣本的數(shù)據(jù)。光學(xué)模塊48、52和56的所有表面部件可由聚合物、復(fù)合物或金屬合金構(gòu)成。例如，高分子量聚氨酯可用于形成表面部件。在其它情況下，可形成鋁合金或者碳纖維結(jié)構(gòu)。在任何情況下，材料可耐受熱、疲勞、應(yīng)力和腐蝕。由于檢測裝置10可與生物材料接觸，所以在腔室內(nèi)含物從圓盤13漏出的情況下，該結(jié)構(gòu)可被滅菌。圖4示出了在檢測裝置10的模塊殼體46內(nèi)的一組可移除的光學(xué)模塊48、52和56的示例的側(cè)視圖。在圖4的示例中，基底臂44支承條碼讀取器29以及附連到模塊殼體46內(nèi)的可移除的光學(xué)模塊48、52和56。圓盤13位于光學(xué)模塊48、52和56下方，其中樣本22在不同的時刻位于模塊中每一個模塊的相應(yīng)光路下方。在模塊殼體46內(nèi)，可看到補(bǔ)充模塊56和主光學(xué)模塊48的前部。補(bǔ)充模塊56包含模制的唇緣59和釋放桿58。如先前所描述的那樣，模制唇緣59可用于在移除模塊56或?qū)⒛K56插入到模塊殼體46內(nèi)時抓握該模塊。所有光學(xué)模塊48、52和56可具有相應(yīng)模制唇緣和釋放桿，或者單個釋放桿可用于移除所有光學(xué)模塊。在一些實施例中，光學(xué)模塊48、52和56可包含用于抓握模塊的不同部件。例如，光學(xué)模塊48、52和56中的每一個光學(xué)模塊可包含用于在豎直方向或水平方向從模塊殼體46移除相應(yīng)模塊的把手。光學(xué)模塊48、52和56在模塊殼體46內(nèi)的位置可以是固定的，以在任何特定時刻單獨地激發(fā)在圓盤13內(nèi)的不同樣本。例如，主光學(xué)模塊48可被定位成比補(bǔ)充光學(xué)模塊52和56略微更朝向基底臂44，補(bǔ)充光學(xué)模塊52和56向在主模塊的任一側(cè)的位置偏移。此外，光學(xué)模塊48、52和56可以在水平方向上偏移(如由圖4中的箭頭所示，其中X為光束外側(cè)與光束內(nèi)側(cè)偏離的距離)，使得由模塊產(chǎn)生的激發(fā)光束遵循圓盤13的曲率。在該布置中，由光學(xué)模塊48、52和56產(chǎn)生的光束經(jīng)過與圓盤13旋轉(zhuǎn)相同的路徑，從而激發(fā)光并收集來自沿著該路徑定位的處理腔室的光。在一些實施例中，光學(xué)模塊48、52和56能夠?qū)?zhǔn)，使得激發(fā)光束經(jīng)過圍繞旋轉(zhuǎn)圓盤13的不同路徑。在一些實施例中，光學(xué)模塊48、52和56能夠?qū)?zhǔn)，使得激發(fā)光束經(jīng)過圍繞旋轉(zhuǎn)圓盤13的不同路徑、相同路徑或其組合。在該示例中，基底臂44包含電接觸板66，電接觸板66延伸到模塊殼體46內(nèi)。在模塊殼體46內(nèi)側(cè)，電接觸板66可包含用于光學(xué)模塊48、52和56中的每一個光學(xué)模塊的電接觸件。電接觸板66可電聯(lián)接到控制單元23。在一些實施例中，光學(xué)模塊48、52和56中的每一個光學(xué)模塊可具有連接到控制單元23的單獨的相關(guān)聯(lián)的電接觸板。在一些實施例中，控制單元23的至少一部分和數(shù)據(jù)采集裝置21能夠位于圖3至圖8的裝置10外部。在一些實施例中，控制單元23的至少一部分可位于光學(xué)模塊48、52和56中的一個或更多個光學(xué)模塊內(nèi)。光纖聯(lián)接器68將光纖束14的一個腿聯(lián)接到光學(xué)模塊56的光輸出端口。盡管未圖示，光學(xué)模塊48、52和56中的每一個光學(xué)模塊包括適于接合安裝到模塊殼體46上的相應(yīng)光纖聯(lián)接器的光輸出端口。在光纖聯(lián)接器68與光纖束14的腿之間的連接可為螺紋螺旋鎖、按扣閉合或摩擦配合。條碼讀取器29產(chǎn)生用于讀取圓盤13的條碼的激光64。激光64遵循其與圓盤13的外邊緣相互作用的直接路徑。光64可傳播以一次覆蓋圓盤13的大面積。在一些實施例中，當(dāng)圓盤以緩慢速度旋轉(zhuǎn)時，條碼讀取器29能夠讀取圓盤13上的條碼。在其它實施例中，條碼讀取器29能夠在操作期間周期性地讀取條碼，以確信新圓盤并未加載于裝置10中。在其它實施例中，條碼讀取器29可檢測在圓盤13上的多于一個的條碼。在一些實施例中，基底臂44可相對于圓盤13移動，例如在機(jī)架系統(tǒng)上，在各個機(jī)架位置之間移動。在該情況下，基底臂44可被構(gòu)造成檢測在不同大小的圓盤上的樣本或者位于圓盤13內(nèi)部的樣本。例如，通過將基底臂44進(jìn)一步遠(yuǎn)離圓盤13的中心移動，可使用包含更多處理腔室或更大處理腔室的更大圓盤。模塊殼體46也可具有用于光學(xué)模塊48、52或56中的每一個光學(xué)模塊的可配置的位置，使得每個模塊可移動到圍繞圓盤13的處理腔室的一個或更多個圓形路徑。在一些實施例中，基底臂44可相對于圓盤13的中心徑向向內(nèi)和徑向向外移動，并且機(jī)架位置通?？杀环Q作“徑向機(jī)架位置”或“徑向位置”。圖5示出了裝置10，其中移除了一個模塊以露出模塊連接器。具體地，模塊殼體46在圖5中未示出，并且光學(xué)模塊56被移除以露出光學(xué)模塊52和48以及用于移除的模塊56的連接件。光學(xué)模塊56的釋放桿58(圖3)固定地附連到附連柱69，附連柱69安裝到基底臂44上。在該示例中，附連柱69延伸到光學(xué)模塊56內(nèi)并且聯(lián)接到釋放桿58。在其它實施例中，其它附連機(jī)構(gòu)可用于將光學(xué)模塊56固定到基底臂44上，例如螺釘或按扣固定裝置?；妆?4在模塊殼體46內(nèi)提供兩種不同的操作連接，以用于在插入后接收和接合光學(xué)模塊56。具體地，基底臂44提供電接觸板66，電接觸板66包括用于聯(lián)接到包含于光學(xué)模塊56內(nèi)的電接觸件(未圖示)的電連接件70。電連接件70允許控制單元23與模塊56內(nèi)的電部件通信。例如，模塊56可包括電路、硬件、固件或其任何組合。在一個示例中，內(nèi)部電部件可存儲并且向控制單元23輸出獨特標(biāo)識信息，例如序列號。作為替代或作為補(bǔ)充，電部件可提供描述包含于可移除的模塊56內(nèi)的光學(xué)部件的具體特征的信息。例如，電部件可包括可編程只讀存儲器(PROM)、閃速存儲器或其它內(nèi)部或可移除的存儲介質(zhì)。其它實施例可包括一組電阻器、電路或嵌入式處理器，該嵌入式處理器用于向控制單元23輸出光學(xué)模塊48、52或56的獨特標(biāo)志。在另一示例中，光學(xué)模塊56可包括激光源和形成激光閥控制系統(tǒng)的部分的其它部件，例如激光閥控制系統(tǒng)51。電接觸板66可被移除并且被與不同可移除的光學(xué)模塊相關(guān)聯(lián)的另一型式的電接觸板替換。該選項可支持裝置升級能力。在其它實施例中，連接件70可包含更多或更少的連接引腳。此外，基底臂44和模塊殼體46在用于接納光學(xué)模塊56的位置設(shè)有光通道72。光通道72連接到光纖聯(lián)接器68(圖4)，光纖聯(lián)接器68與光纖束14的腿對接。光通道72插入于光學(xué)模塊56內(nèi)的位置。由光學(xué)模塊56捕獲的光可被引導(dǎo)通過光通道72、光纖聯(lián)接器68和光纖束14到達(dá)檢測器18。這些連接件之間的裝配可較緊，以確保光并不從光路逸出或者進(jìn)入光路。在一些實施例中，到光學(xué)模塊56的連接件可布置為不同構(gòu)造。例如，連接件可位于從另一方向接納光學(xué)模塊56的另一位置。在其它實施例中，電連接件可位于光學(xué)模塊56的一側(cè)上，而光連接件位于模塊56的第二表面上。在任何情況下，位于模塊殼體46的位置內(nèi)的電連接件和光連接件適應(yīng)可移除的光學(xué)模塊，即在該示例中光學(xué)模塊56。在圖5中所描述的模塊56的光連接件和電連接件可用于任何模塊，包括光學(xué)模塊48和52。此外，用于每個光學(xué)模塊的連接件可不同。因為連接件可被修改以與所希望的可移除的光學(xué)模塊聯(lián)接，所以由插入于模塊殼體46的特定位置的任何特定光學(xué)模塊使用的連接件在任何時間可不同。圖6示出了示例性的可移除的主光學(xué)模塊48的內(nèi)部部件。在圖6的示例中，主光學(xué)模塊48包括釋放桿50、樞軸銷61和閂鎖74。內(nèi)殼體78分隔模塊48的每一側(cè)并且包含連接到帶81的電接觸襯墊80。光學(xué)部件包括LED82、準(zhǔn)直透鏡84、激發(fā)濾光器86、二向色濾光器88、聚焦透鏡90、檢測濾光器92和透鏡94。光輸出端口17聯(lián)接到光纖束14的腿。用于第二光通道(未圖示)的單獨的一組光學(xué)部件位于內(nèi)殼體78的另一側(cè)上。此外，主模塊48包括連接器96、激光二極管98和聚焦透鏡100作為受到控制單元23控制的激光閥控制系統(tǒng)51的部分。釋放桿50由樞軸銷61附連到光學(xué)模塊48。樞軸銷61允許釋放桿50繞銷61的軸線旋轉(zhuǎn)。當(dāng)按壓釋放桿50時，臂63繞銷61的軸線逆時針旋轉(zhuǎn)以提高閂鎖74。在提高閂鎖74后，光學(xué)模塊48可處于自由狀態(tài)以從模塊殼體46移除?？纱嬖趶椈苫蛘弑３謱︶尫艞U50的偏壓力以將閂鎖74保持在向下位置的其它機(jī)構(gòu)。在一些實施例中，彈簧可被包括于樞軸銷61附近以提供將閂鎖74保持在向下或閂鎖位置的力臂。在其它實施例中，作為上文所描述的桿的替代，可添加或使用其它安裝機(jī)構(gòu)。例如，光學(xué)模塊48可通過一個或更多個螺釘或銷附連到模塊殼體46。安裝板76可安裝到光學(xué)模塊48內(nèi)用于附連通信帶81和LED82。帶81連接到電接觸襯墊80并且提供在襯墊與光學(xué)模塊48內(nèi)的電部件之間的連接。接觸襯墊80和帶81可運(yùn)送主光學(xué)模塊48的兩側(cè)所需的信息，包括激光閥控制系統(tǒng)51和任何內(nèi)部存儲器或其它存儲介質(zhì)。帶81可為柔性的以在光學(xué)模塊48內(nèi)彎曲。帶81可包含多個電導(dǎo)線以在電部件與控制單元23之間傳送信號和/或?qū)㈦娏f送給電部件。在一些實施例中，每個電部件可具有連接該部件與控制單元23的單獨電纜。當(dāng)從殼體移除光學(xué)模塊48時，技術(shù)員可能需要使電纜或柔性電路與模塊殼體46斷開連接。在一些實施例中，光學(xué)模塊48可包含用于檢測來自圓盤13的光的檢測器并且包括用于處理和存儲數(shù)據(jù)的電子器件。電子器件可包含遙測電路，該遙測電路用于將表示檢測到的光的數(shù)據(jù)無線地傳輸?shù)娇刂茊卧?3?？捎杉t外光、射頻、藍(lán)牙或其它遙測技術(shù)來執(zhí)行無線通信。光學(xué)模塊48還可包括電池以向電子器件供電，電池可例如由控制單元23再充電。LED82固結(jié)到安裝板76上并且電聯(lián)接到帶81。LED產(chǎn)生預(yù)定波長的激發(fā)光49以激發(fā)樣本22。由第二光通道(未圖示)產(chǎn)生激發(fā)光43。在光49離開LED82后，在光進(jìn)入激發(fā)濾光器86之前，由準(zhǔn)直透鏡84來擴(kuò)展光。一個波段的光49經(jīng)過二向色濾光器88并且由聚焦透鏡90聚焦在樣本上。光49激發(fā)樣本，并且熒光由聚焦透鏡90收集并且由二向色濾光器88遞送到檢測濾光器92。所得到的波段的光由透鏡94收集并且遞送給光輸出端口17，在光輸出端口17處，收集的熒光進(jìn)入光纖束14的腿以輸送到檢測器18。這樣的熒光可指示相關(guān)分析物的存在(例如，由于當(dāng)前的化驗結(jié)果)，和/或這樣的熒光能夠指示選定體積的材料的存在，例如通過光學(xué)詢問腔室的特定位置(例如，徑向位置)以查看材料是否存在于腔室中的特定位置或高度。當(dāng)對腔室進(jìn)行光學(xué)詢問時，腔室被詢問相關(guān)材料的光學(xué)性質(zhì)以判斷該材料是否存在于該腔室中。該光學(xué)性質(zhì)可包括多種性質(zhì)，包括但不限于吸光度、熒光、所發(fā)出的電磁信號的反向瑞利散射、反向散射的反射等或者其組合?？赏ㄟ^詢問上述光學(xué)性質(zhì)中的任何性質(zhì)來生成“信號”，并且信號可相對于基線增大和/或減小。舉例而言，信號可來自以下模式：(i)反向散射(或反射)-反向散射可來自通過折射率變化檢測液體中的彎液面，來自檢測在被檢測材料中的微粒，來自被詢問的圓盤13上的腔室的背側(cè)反射或者其組合。(ii)熒光–通過檢測被檢測材料的熒光或熄滅背景熒光(例如，如果熒光團(tuán)位于形成檢測腔室底部的表面中或表面上，諸如通過合并到粘合劑、涂層或類似物內(nèi))。這兩種檢測模式，即反向散射和熒光可受到被檢測的材料與腔室中的空氣和可能的圓盤13中的材料之間的折射率差異的影響。所造成的折射可增強(qiáng)或減弱信號。在一些實施例中，結(jié)構(gòu)化的表面可位于形成相關(guān)腔室的底部或頂部的表面上以輔助聚焦光或分散光。例如，具有與被檢測的材料相同折射率(＝～1)的結(jié)構(gòu)材料可在干燥時將光從檢測路徑反射出來，并且在濕潤時允許直線路徑反射，即，與被檢測的材料接觸。此外，這兩種檢測模式都可受到被檢測的材料和/或圓盤13的部件對信號的吸收度的影響。在一些實施例中，可通過將發(fā)色團(tuán)定位于形成腔室底部的表面中或表面上(例如，合并到粘合劑、涂層或類似物中)來調(diào)制信號。作為替代或作為補(bǔ)充，在一些實施例中，可在將材料加載到圓盤13上之前或之后將發(fā)色團(tuán)添加到被檢測的材料來調(diào)制信號。光49可由圓盤13或者其一部分，例如在圓盤13上的腔室或者定位于圓盤13上的腔室內(nèi)的樣本22反向散射，而無需激發(fā)樣本并且造成熒光。例如，電磁信號(例如，光49)可發(fā)射到檢測腔室內(nèi)，并且可通過檢測來自檢測腔室的電磁信號的反向散射反射來獲得掃描。這樣的反向散射反射可類似于熒光那樣來收集和檢測。即，反向散射的光可由透鏡94收集并且遞送到光輸出端口17，在該光輸出端口17處，收集的反向散射的光進(jìn)入光纖束14的腿以輸送到檢測器18。僅舉例而言，遞送和收集來自圓盤13的反向散射的光可為判斷(例如通過光學(xué)詢問)樣本或者選定體積的樣本是否存在于圓盤13上的特定腔室中的一種方式。如果校準(zhǔn)，反向散射的電磁信號可用于量化在腔室中的材料的量。內(nèi)殼體78可支承激發(fā)選定波長的樣本和檢測由該樣本發(fā)射的熒光所包括的所有部件。在內(nèi)殼體78的另一側(cè)上，可包括光學(xué)部件的類似構(gòu)造以產(chǎn)生不同波長的光并且檢測相對應(yīng)的不同熒光波長。每一側(cè)的分離可排除來自一側(cè)的光污染進(jìn)入到另一側(cè)的光通道。激光閥控制系統(tǒng)51的部件可部分地容納于模塊48的每一側(cè)之間，激光閥控制系統(tǒng)51的部件包括連接器96、激光二極管98和聚焦透鏡100。內(nèi)殼體78可提供這些部件的物理支承。帶81連接到連接器96以將驅(qū)動信號和電力傳送到激光源。激光二極管98連接到連接器96并且產(chǎn)生用于打開圓盤13上的閥的激光能量55。激光二極管98可將這種近紅外(NIR)光遞送到聚焦透鏡100，以將激光能量55引導(dǎo)到圓盤13上的具體閥。NIR傳感器可位于圓盤13下方，以定位需要打開的特定閥。在其它實施例中，這些部件可單獨于光學(xué)部件容納。在一些實施例中，激光閥控制系統(tǒng)51的發(fā)射透鏡98和聚焦透鏡100可包含于單通道光學(xué)模塊內(nèi)，例如補(bǔ)充光學(xué)模塊52和56內(nèi)(圖3)。圖7示出了可容易地從檢測裝置10移除或插入于檢測裝置10中的示例性補(bǔ)充光學(xué)模塊的內(nèi)部部件。在圖7的示例中，光學(xué)模塊56包括釋放桿58、樞軸銷59和閂鎖102，類似于主光學(xué)模塊48。光學(xué)模塊56還包括連接到帶107的電接觸襯墊106。帶107也可連接到安裝板104。類似于主光學(xué)模塊48，光學(xué)部件包括LED108、準(zhǔn)直透鏡110、激發(fā)濾光器112、二向色濾光器114、聚焦透鏡116、檢測濾光器118和透鏡120。光輸出端口19聯(lián)接到光纖束14的腿。釋放桿58和閂鎖102可與在圖6中示出并且在上文中描述的光學(xué)模塊48的釋放桿和閂鎖基本上相同地操作。安裝板104可安裝到光學(xué)模塊56內(nèi)用于附連通信帶107和LED108。帶107連接到電接觸襯墊106并且提供在襯墊與光學(xué)模塊56內(nèi)的電部件之間的連接。接觸襯墊106和帶107可運(yùn)送操作光學(xué)部件所需的信息。帶107可為柔性的以在光學(xué)模塊56內(nèi)彎曲。帶107可包含多個電導(dǎo)線以在部件與控制單元23之間傳送信號和/或?qū)㈦娏f送給電部件。在一些實施例中，每個電部件可具有連接該部件與控制單元23的單獨電纜。當(dāng)從殼體移除光學(xué)模塊56時，技術(shù)員可能需要使電纜或柔性電路與模塊殼體46斷開連接。類似于在上文中描述并且在圖6中示出的光學(xué)模塊48，在一些實施例中，光學(xué)模塊56可包含用于檢測來自圓盤13的光的檢測器并且包括用于處理和存儲數(shù)據(jù)的電子器件。電子器件可包含遙測電路，以使用上文所描述的無線通信模式或技術(shù)中的任一個將表示檢測到的光的數(shù)據(jù)無線傳輸?shù)娇刂茊卧?3。光學(xué)模塊56還可包括電池以向電子器件供電，電池可例如由控制單元23再充電。LED108固結(jié)到安裝板104上并且電聯(lián)接到帶107。LED108產(chǎn)生預(yù)定波長的激發(fā)光101以激發(fā)樣本22。在光101離開LED108后，在光進(jìn)入激發(fā)濾光器112之前，由準(zhǔn)直透鏡110來擴(kuò)展光。一個波段的光101經(jīng)過二向色濾光器114并且由聚焦透鏡116聚焦在樣本上。光101激發(fā)樣本，并且熒光由聚焦透鏡116收集并且由二向色濾光器114遞送到檢測濾光器118。所得到的波段的光由透鏡120收集并且遞送給光輸出端口19，在光輸出端口19處，收集的熒光進(jìn)入光纖束14的腿以輸送到檢測器18。類似于光學(xué)模塊48，光學(xué)模塊56(和/或光學(xué)模塊52)也可(或作為光學(xué)模塊48的替代)用于遞送和檢測來自圓盤13的反向散射光或者其一部分，諸如來自圓盤13上的腔室或者定位于圓盤上的腔室內(nèi)的樣本22，而無需激發(fā)樣本并且造成熒光。這樣的反向散射光可類似于熒光那樣來收集和檢測。即，反向散射的光可由透鏡120收集并且遞送到光輸出端口19，在光輸出端口19處，所收集的反向散射的光進(jìn)入光纖束14的腿以輸送到檢測器18。如同光學(xué)模塊48，熒光和/或反向散射的光可為用于判斷在圓盤13的特定腔室中是否存在特定體積的材料的手段。補(bǔ)充光學(xué)模塊56也可包含激光閥控制系統(tǒng)51的部件。激光閥控制系統(tǒng)51可為用于裝置10內(nèi)的唯一系統(tǒng)或者多個激光閥控制系統(tǒng)之一。用于該系統(tǒng)的部件可類似于在圖6的光學(xué)模塊48中所描述的部件。補(bǔ)充光學(xué)模塊56的部件可類似于用于發(fā)射和檢測一個波段的光的任何補(bǔ)充光學(xué)模塊或者任何光學(xué)模塊。在一些實施例中，這些部件的配置可更改以適應(yīng)不同的實驗應(yīng)用。例如，任何光學(xué)模塊可被修改為從不同方向插入并且相對于圓盤13放置于該裝置內(nèi)的不同位置。在任何情況下，光學(xué)模塊是可移除的以提供裝置10的修改靈活性。圖8為在裝置殼體內(nèi)的可移除的一組光學(xué)模塊48、52和56的示例的側(cè)視圖的圖示，其中激光閥控制系統(tǒng)位于圓盤上的槽上。圖8的示例類似于圖4。但是，激光閥控制系統(tǒng)51定位成通過在圓盤13中的槽75對準(zhǔn)來自能源即激光二極管的激光71。當(dāng)光通過槽75時，傳感器73檢測激光71。機(jī)架60可用于在水平方向(如箭頭所示并且由圖8中的“X”表示)上相對于圓盤13的中心移動模塊殼體46和所包含的光學(xué)模塊48、52和56。換言之，模塊殼體46和所包含的光學(xué)模塊48、52和56能相對于圓盤13的中心在徑向上移動。也可采用機(jī)架60的其它移動方向，例如在二維平面中、三維空間中移動等。激光71可由激光器以減弱的電流發(fā)射以產(chǎn)生低功率輻射(例如，近紅外(NIR)光)，從而定位在圓盤13中的槽75。在某些情況下，機(jī)架60可在水平方向上平移模塊殼體46，而激光閥控制系統(tǒng)51輸出激光71以便定位槽75。傳感器73可在激光行進(jìn)通過槽75之后檢測激光71，使傳感器73向控制單元23輸出表示感測到的低功率激光71的電信號。在從傳感器73接收到電信號時，控制單元23將感測到的圓盤位置映射到旋轉(zhuǎn)平臺25的已知位置，并且相對于旋轉(zhuǎn)平臺25的已知位置構(gòu)建識別圓盤13的每個閥位置的位置映射。控制單元23隨后可使用所構(gòu)建的位置映射來移動激光器，旋轉(zhuǎn)圓盤，或進(jìn)行這兩種操作，以便將圓盤13的所希望的閥作為目標(biāo)。在其它實施例中，傳感器73可位于圓盤13的與激光閥控制系統(tǒng)51相同的一側(cè)部上，以檢測來自圓盤13的一個或更多個反射部分的激光71。在將激光閥控制系統(tǒng)51定位于選定閥上時，控制單元23指導(dǎo)激光閥控制系統(tǒng)遞送高功率能量的短脈沖(例如，以1瓦(W)1秒)以打開選定閥。閥可由聚合物或者吸收發(fā)射的電磁能，即激光71的類似材料構(gòu)成，造成聚合物破裂，從而在內(nèi)保持腔室與外處理腔室之間打開通道。可使用其它能源(例如，射頻能源)，并且可選擇吸收所產(chǎn)生的能量并且破裂(即，打開)的材料。在閥打開后，圓盤13的旋轉(zhuǎn)將相應(yīng)內(nèi)保持腔室的內(nèi)含物引導(dǎo)至相應(yīng)外處理腔室。在一些實施例中，激光閥控制系統(tǒng)51和槽傳感器觸發(fā)器27可通信以有效定位圓盤13。例如，槽傳感器觸發(fā)器27可通常通過感測槽75的存在來定位圓盤13的徑向位置。激光閥控制系統(tǒng)51可具體地為了圓盤13的更準(zhǔn)確的徑向和角位置檢測槽75的邊緣中的每一個邊緣。由于槽75的邊緣為小于槽75本身的更小特點，所以激光閥控制系統(tǒng)51可提供比槽傳感器觸發(fā)器27更高空間分辨率的檢測系統(tǒng)。替代地，槽傳感器觸發(fā)器27能夠提供更高的時間分辨率，因為可以以高旋轉(zhuǎn)速度來檢測槽75的位置。高旋轉(zhuǎn)速度的激光閥控制系統(tǒng)51可能檢測不到槽75的邊緣。另外，一些實施例可能不包括水平(或徑向)移動部件以對準(zhǔn)光路與圓盤13上的結(jié)構(gòu)的機(jī)架60。例如，激光閥控制系統(tǒng)51和光學(xué)模塊48、52和56可固定于離圓盤13的中心適當(dāng)徑向距離處。作為另一示例，激光閥控制系統(tǒng)51和/或光學(xué)模塊48、52和56可在控制單元23的指導(dǎo)下樞轉(zhuǎn)以使激光瞄準(zhǔn)圓盤13的不同徑向位置。圖9為多重?zé)晒鈾z測裝置10的功能框圖。特別地，圖9指示了在裝置部件(以實線箭頭示出)與穿過部件的總體光路(以虛線箭頭示出)之間的電連接。在圖9的示例中，裝置10包括至少一個處理器122或其它控制邏輯、存儲器124、圓盤馬達(dá)126、光源30、激發(fā)濾光器34、透鏡38、檢測濾光器40、集光透鏡42、檢測器18、槽傳感器觸發(fā)器27、通信接口130、加熱元件134、激光器136和電源132。如圖9所示，透鏡38和集光透鏡42無需電連接到另一部件。另外，光源30、濾光器34和40、透鏡38和集光透鏡42表示一個光學(xué)模塊16。盡管在圖9中未圖示，但是裝置10可包含額外的光學(xué)模塊16，如先前所描述。在那種情況下，每個額外光學(xué)模塊可包括基本上類似于圖9所示布置的部件。光遵循穿過圖9中的若干部件的特定路徑。在光源30發(fā)射光之后，光進(jìn)入激發(fā)濾光器34并且作為離散波長的光離開。光然后通過透鏡38，在透鏡38處，光離開檢測裝置10并且激發(fā)在處理腔室(未圖示)內(nèi)的樣本22。樣本22通過發(fā)出不同波長的熒光或者反向散射光進(jìn)行回應(yīng)，在此時，此光進(jìn)入透鏡38并且由檢測濾光器40濾光。濾光器40移除來自樣本22的在所希望的熒光或者反向散射的光之外的波長的背景光。其余光被發(fā)送通過集光透鏡42并且在由檢測器18檢測之前進(jìn)入光纖束14的腿。檢測器18隨后放大了所接收到的光信號。處理器122、存儲器124和通信接口130可為控制單元23的部分，并且如上文所提到的那樣，控制單元23的一個或更多個部件可位于光學(xué)模塊16內(nèi)。處理器122控制圓盤馬達(dá)126以使圓盤13根據(jù)需要旋轉(zhuǎn)或自旋，以收集光學(xué)(例如，熒光)信息或者移動流體通過圓盤13。處理器122可使用從槽傳感器觸發(fā)器27接收的圓盤位置信息來在旋轉(zhuǎn)期間識別在圓盤13上的腔室位置，并且使得從圓盤接收的光學(xué)數(shù)據(jù)的采集同步。如果在圓盤13的特定腔室中在需要時并未檢測到選定體積的材料，處理器122也可暫停、取消和/或輸出錯誤代碼、警示或通知。處理器122也可控制在光學(xué)模塊16內(nèi)的光源30何時開啟和關(guān)閉。在一些實施例中，處理器122控制激發(fā)濾光器34和檢測濾光器40。取決于被照射的樣本，處理器122可改變?yōu)V光器以允許不同波長的激發(fā)光到達(dá)樣本或者不同波長的熒光到達(dá)集光透鏡42。在一些實施例中，一個或兩個濾光器可針對特定光學(xué)模塊16的光源30優(yōu)化并且不可由處理器122改變。集光透鏡42聯(lián)接到纖維束14的一個腿，纖維束14提供光從集光透鏡到檢測器18的光路。處理器122可控制檢測器18的操作。雖然檢測器18可恒定地檢測所有光，但是一些實施例可利用其它采集模式。處理器122可確定檢測器18何時收集數(shù)據(jù)，并且可編程地設(shè)置檢測器18的其它配置參數(shù)。在一個實施例中，檢測器18為光電倍增管，其從集光透鏡42提供的光捕獲熒光信息。響應(yīng)地，檢測器18產(chǎn)生表示所接收的光的輸出信號128(例如，模擬輸出信號)。盡管在圖9中未示出，但是檢測器18可同時從裝置10的其它光學(xué)模塊16接收光。在此情況下，輸出信號128電氣地表示由檢測器18從各個光學(xué)模塊16接收的光輸入的組合，并且也可包括與在圓盤13上的特定腔室中選定體積的材料的存在有關(guān)的信息。處理器122也可控制來自裝置10的數(shù)據(jù)流。數(shù)據(jù)，諸如來自檢測器18的取樣的熒光或檢測到的反向散射光(例如，相對于圓盤13上的特定腔室的特定位置(例如，機(jī)架位置)用于判斷選定體積的材料是否存在于(多個)特定腔室中)、自來檢測器18的取樣的熒光(例如，用于確定特定化驗的結(jié)果)、來自加熱元件134和相關(guān)傳感器的樣本的溫度和圓盤旋轉(zhuǎn)信息可存儲到存儲器124內(nèi)用于分析。處理器122可包括下列中的任一個或更多個：微處理器、數(shù)字信號處理器(DSP)、專用集成電路(ASIC)、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)或其它數(shù)字邏輯電路。此外，處理器122可為存儲于計算機(jī)可讀介質(zhì)諸如存儲器124上的固件、軟件或其組合提供操作環(huán)境。存儲器124可包括一個或更多個存儲器以存儲多種信息。例如，一個存儲器可包含具體配置參數(shù)、可執(zhí)行的指令，并且一個存儲器可包含收集的數(shù)據(jù)。因此，處理器122可使用存儲于存儲器124中的數(shù)據(jù)來控制裝置操作和校準(zhǔn)。存儲器124可包括下列中的任一個或更多個：隨機(jī)存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、電可擦除的可編程的ROM(EEPROM)、閃速存儲器等。處理器122可額外地控制加熱元件134?；诎诖鎯ζ?24內(nèi)的指令，加熱元件134可被選擇性地驅(qū)動以根據(jù)所希望的加熱分布來控制一個或更多個腔室的溫度。一般而言，在圓盤自旋時，加熱元件加熱圓盤13的一個徑向段。加熱元件134可包括鹵素?zé)襞莺头瓷淦饕詫⒓訜崮芰烤劢乖趫A盤13的特定區(qū)域上，或者更具體而言，聚焦在旋轉(zhuǎn)平臺25上或者其特定區(qū)域上，使得熱然后可從平臺25傳導(dǎo)至圓盤13的特定區(qū)域。在一些實施例中，加熱元件134可循序加熱一個或更多個腔室。這樣的實施例在加熱平臺25和/或圓盤13的一部分時需要圓盤13是固定的。在任何實施例中，加熱元件134能夠根據(jù)需要極快地開啟和關(guān)閉。激光器136用于控制閥開口，閥開口允許保持腔室的內(nèi)含物流到圓盤13上的另一腔室，例如處理或檢測腔室。處理器122和支持硬件驅(qū)動激光器136以選擇性地打開包含于圓盤13內(nèi)的特定閥。處理器122可與定位于圓盤13下方或者相對于圓盤13定位于其它地方的激光傳感器(諸如圖8的傳感器73)互動，用于確定激光器相對于所希望的閥的位置。處理器122然后可與圓盤馬達(dá)126互動以將旋轉(zhuǎn)平臺25和因此圓盤13旋轉(zhuǎn)就位。當(dāng)就位時，處理器122輸出信號以指導(dǎo)激光器136產(chǎn)生以該閥為目標(biāo)的能量突發(fā)。在某些情況下，突發(fā)可持續(xù)大約0.5秒，而其它實施例可包括更短持續(xù)時間或更長持續(xù)時間的打開時間。激光能量和脈沖持續(xù)時間可由處理器122通過與激光器136通信來控制。處理器122利用通信接口130來與數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)21通信。通信接口130可包括轉(zhuǎn)移數(shù)據(jù)的單種方法或方法組合。為了具有高數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移速率的硬線連通性，某些方法可包括通用串行總線(USB)端口或IEEE1394端口。在一些實施例中，存儲裝置可直接附連到這些端口之一用于數(shù)據(jù)存儲或后處理。數(shù)據(jù)可由處理器122預(yù)處理并且準(zhǔn)備用于查看，或者在能夠開始分析之前，可能需要完全處理原數(shù)據(jù)。與檢測裝置10的通信也可由射頻(RF)通信或局域網(wǎng)(LAN)連接來實現(xiàn)。此外，可通過直接連接或者通過可支持有線或無線通信的網(wǎng)絡(luò)接入點，諸如集線器或路由器來實現(xiàn)連通性。例如，檢測裝置10可傳輸關(guān)于特定RF頻率的數(shù)據(jù)以由目標(biāo)數(shù)據(jù)采集裝置21接收。數(shù)據(jù)采集裝置21可為通用計算機(jī)、筆記本計算機(jī)、手持計算裝置或?qū)Ｓ醚b置。另外，多個數(shù)據(jù)采集裝置可同時接收數(shù)據(jù)。在其它實施例中，數(shù)據(jù)采集裝置21可與檢測裝置10包括在一起作為一個集成檢測和采集系統(tǒng)。此外，檢測裝置10能夠通過網(wǎng)絡(luò)例如互聯(lián)網(wǎng)從遠(yuǎn)程裝置下載更新的軟件、固件和校準(zhǔn)數(shù)據(jù)。通信接口130也能夠允許處理器122監(jiān)視庫存或者報告任何故障或錯誤。如果出現(xiàn)操作問題，處理器122能夠輸出錯誤信息以通過提供操作數(shù)據(jù)來輔助遇到困難的使用者解決問題。例如，處理器122可提供信息來幫助使用者診斷出現(xiàn)故障的加熱元件、同步問題或者圓盤13中的各個計量和/或閥調(diào)結(jié)構(gòu)中的故障(例如，通過從檢測器18接收指示在圓盤13的一個或更多個腔室中不存在選定體積的材料的信息)。電源132向裝置10部件遞送操作功率。電源132可利用來自標(biāo)準(zhǔn)115伏電插座的電力或者包括電池和發(fā)電電路以產(chǎn)生操作功率。在一些實施例中，電池可被再充電以允許延長操作。例如，裝置10可為便攜式的以在緊急情況下例如在災(zāi)區(qū)檢測生物樣本?？赏ㄟ^115伏電插座來實現(xiàn)再充電。在其它實施例中，可使用傳統(tǒng)電池。圖10為聯(lián)接到光纖束14的四個光纖的單個檢測器18的功能框圖。在該實施例中，檢測器18為光電倍增管。光纖束14的每個腿，即光纖14A、光纖14B、光纖14C和光纖14D聯(lián)接到檢測器18的光輸入接口138。以該方式，由光纖14中的任一個光纖運(yùn)送的光被提供給檢測器18的單個光輸入接口138。光輸入接口138向電子倍增器140提供集合光。陽極142收集電子并且產(chǎn)生相對應(yīng)的模擬信號作為輸出信號。換言之，如圖所示，光纖14裝配于檢測器18的輸入光學(xué)孔口內(nèi)。因此，檢測器18可用于同時檢測來自光纖束14的每個腿的光。光輸入接口138向電子倍增器140提供光。對于光電倍增管，來自光纖的光子首先撞擊光電發(fā)射陰極，而光電發(fā)射陰極釋放光電子。光電子然后通過撞擊一系列倍增電極而級聯(lián)，更多的光電子在與每個倍增電極接觸時射出。所得到的電子組顯著地倍增原來由光纖14傳輸?shù)男」庑盘枴Ｔ黾恿康碾娮幼罱K由陽極142收集。來自陽極142的該電流作為模擬輸出信號由流向電壓放大器144的電流轉(zhuǎn)移，模擬輸出信號表示由多個光學(xué)模塊16提供的來自樣本的光學(xué)熒光信號。在一些實施例中，控制電路23可包括模擬至數(shù)字(A/D)轉(zhuǎn)換器146，模擬至數(shù)字(A/D)轉(zhuǎn)換器146將模擬信號轉(zhuǎn)換為取樣的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)流，即，數(shù)字信號。處理器122接收數(shù)字信號并且在存儲器124中存儲用于傳送到數(shù)據(jù)采集裝置21的取樣數(shù)據(jù)，如上文所描述的那樣。在一些實施例中，A/D轉(zhuǎn)換器146可包含于檢測器18內(nèi)，作為形成控制單元23的一部分的替代。以該方式，單個檢測器18可用于收集來自光纖束14的所有光并且產(chǎn)生表示所述光的信號。在信號由放大器144放大并且轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號后，其可數(shù)字地分成與由每個單獨的光學(xué)模塊16收集的光對應(yīng)的數(shù)據(jù)。整個(即，集合)信號可以通過頻率范圍被分成表示每種熒光的每個檢測的信號。這些頻率可由數(shù)據(jù)采集裝置21采用的數(shù)字濾波器或者在裝置10內(nèi)的數(shù)字濾波器分開。在其它實施例中，放大的信號可使用模擬濾波器通過頻率而分離，并且在A/D轉(zhuǎn)換器146之前被發(fā)送給單獨通道。每個通道然后可被單獨地數(shù)字化并且被發(fā)送給數(shù)據(jù)采集裝置。在任一情況下，單個檢測器能夠從每個光學(xué)模塊16捕獲所有熒光信息，或其它光信號或信息。數(shù)據(jù)采集裝置21然后可繪制曲線，并且實時分析從圓盤13的每個阱采集的信號，而無需多個檢測器。在一些實施例中，檢測器18可能并非光電倍增管。一般而言，檢測器18可為能夠從光學(xué)遞送機(jī)構(gòu)，即光纖束14的多個腿捕獲光并且產(chǎn)生捕獲的光的可傳輸?shù)谋硎镜娜魏晤愋偷哪M或數(shù)字檢測裝置。圖11為示出多重?zé)晒鈾z測裝置10的操作的流程圖。最初，在步驟148，使用者規(guī)定數(shù)據(jù)采集裝置21的程序參數(shù)，或者經(jīng)由與控制單元23的接口進(jìn)行。例如，這些參數(shù)可包括用于旋轉(zhuǎn)圓盤13的速度和時段，限定反應(yīng)的溫度分布，和圓盤13上的樣本位置。之后，在步驟150，使用者能將圓盤13加載到檢測裝置10中。在固定裝置10時，使用者能夠開始程序(152)，使得控制單元23使圓盤以規(guī)定速率開始自旋(154)。在圓盤開始自旋后，可發(fā)生兩個同時的處理。首先，在步驟156，檢測裝置10能夠開始檢測來自一個或更多個樣本內(nèi)的一個或更多個反應(yīng)產(chǎn)生的激發(fā)光的熒光或其它光信號或信息。檢測器18放大來自每個樣本的光學(xué)(例如，熒光)信號，這些信號被同步到每個相應(yīng)樣本和發(fā)射熒光的時間(158)。在該處理中，處理器122將捕獲的數(shù)據(jù)保存到存儲器124并且可將數(shù)據(jù)實時傳送到數(shù)據(jù)采集裝置21，以監(jiān)視運(yùn)行的進(jìn)程和其它處理(160)。替代地，處理器122可在裝置10內(nèi)保存數(shù)據(jù)直到程序完成。處理器122繼續(xù)檢測樣本的熒光并且保存數(shù)據(jù)直到完成了程序(162)。在完成了運(yùn)行后，控制單元23停止圓盤的自旋(164)。在該處理中，控制單元23能夠監(jiān)視圓盤溫度(166)并且調(diào)節(jié)圓盤或每個樣本的溫度以達(dá)到該時間的目標(biāo)溫度(168)?？刂茊卧?3能夠繼續(xù)監(jiān)視并且控制溫度直到程序完成(170)。一旦運(yùn)行完成，控制單元23就將樣本的溫度保持在目標(biāo)存儲溫度，通常4攝氏度(172)。裝置10的操作可不同于圖11的示例。例如，圓盤每分鐘的轉(zhuǎn)數(shù)可在整個程序中修改，可監(jiān)視在圓盤13上的各個腔室以判斷是否存在選定體積的材料，和/或激光器136可用于打開在圓盤上的腔室之間的閥以允許多個反應(yīng)和/或材料移動。這些步驟可以取決于使用者限定的程序在操作內(nèi)以任何次序發(fā)生。圖12是示出檢測裝置10的激光閥控制系統(tǒng)51的示例性操作的流程圖。出于示例性目的，圖12將參考圓盤13和裝置10，具體地參考圖8，展開描述。最初，控制單元23將激光閥控制系統(tǒng)51置于低功率模式(也被稱作“目標(biāo)模式”)，其利用減弱的電流(149)。之后，控制單元23起始圓盤13A的旋轉(zhuǎn)(151)。傳感器73(例如，NIR傳感器)在圓盤13旋轉(zhuǎn)時在檢測到槽75的邊緣時向控制單元23輸出觸發(fā)信號，允許控制單元23將圓盤13的方位和圓盤13上閥的位置準(zhǔn)確地映射為裝置10的旋轉(zhuǎn)平臺25的已知位置(153)。使用映射，控制單元23接合機(jī)架60以將激光閥控制系統(tǒng)51移動到相對于圓盤13的中心或旋轉(zhuǎn)軸線的閥的已知位置(即，定位于圖8的左邊)?？刂茊卧?3然后將圓盤13旋轉(zhuǎn)到待打開的第一選定閥(157)。之后，控制單元23將激光閥控制系統(tǒng)51放置于高功率模式，并且指導(dǎo)系統(tǒng)產(chǎn)生高能激光71的脈沖以打開閥(159)。如果需要打開額外的閥(161)，控制單元23旋轉(zhuǎn)圓盤13到下一閥(157)并且打開該閥(159)。繼續(xù)該處理直到打開了所有希望打開的閥。然后，控制單元23使圓盤13自旋以移動流體，例如從位于更靠近圓盤13的旋轉(zhuǎn)軸線的腔室(有時被稱作“輸入腔室”或“保持腔室”)，通過打開的閥到位于離旋轉(zhuǎn)軸線更遠(yuǎn)的腔室中(有時被稱作“處理腔室”或“檢測腔室”)，諸如朝向圓盤13的外周(163)。在其它實施例中，控制單元23可使圓盤13持續(xù)地自旋，同時指導(dǎo)激光閥控制系統(tǒng)51打開閥。最后，控制單元23可接合機(jī)架60，以移動光學(xué)模塊48、52和/或56到處理腔室上的徑向位置，并且開始檢測來自處理腔室中的材料和/或反應(yīng)的熒光或其它光信號(165)。在一些實施例中，保持腔室的內(nèi)含物可用于降低處理腔室中產(chǎn)品的活性或者穩(wěn)定處理腔室中的產(chǎn)品。在這樣的情況下，檢測裝置10可或可不需要監(jiān)視新樣本或反應(yīng)。圖13A示出了圓盤中的槽75的示例圖。在圖13A、圖13B和圖13C中，圓盤13將用作裝置10中的示例性圓盤。槽75包括外邊緣210、內(nèi)邊緣214、前邊緣212和后邊緣216。激光閥控制系統(tǒng)51檢測每個邊緣以提供圓盤13位置的準(zhǔn)確映射。距離D為從槽75的外邊緣徑向位置減去內(nèi)邊緣徑向位置。每個邊緣210、212、214和216形成在圓盤13的材料與圓盤中的被描述為槽75的空隙之間的可檢測的邊界。在一些實施例中，槽75可具有任何形狀或大小。圖13B示出檢測圓盤中的槽的內(nèi)邊緣和外邊緣的示例性方法的時序圖?？刂茊卧?3移動激光閥控制系統(tǒng)51遠(yuǎn)離圓盤13。圓盤13自旋，同時機(jī)架60朝向圓盤13的中心或者旋轉(zhuǎn)軸線移動激光閥控制系統(tǒng)51。僅當(dāng)槽75允許激光71通過圓盤13時，傳感器73檢測到激光71(圖8)。當(dāng)機(jī)架60向內(nèi)前移時檢測到槽75的外邊緣210時，來自傳感器73的信號218變化到尖峰(spike)220。隨著槽75間歇地使激光71通過，信號218繼續(xù)調(diào)制。尖峰222指示控制單元23標(biāo)記為槽75的內(nèi)邊緣214的最后信號變化。記錄槽75的外邊緣210和內(nèi)邊緣214的機(jī)架位置?？刂茊卧?3現(xiàn)在具有圓盤13位置的映射的徑向分量?？刂茊卧?3將激光閥控制系統(tǒng)51移動到內(nèi)邊緣徑向位置與外邊緣徑向位置之間中途的徑向位置。該位置將為內(nèi)邊緣214的徑向位置加上距離D的一半。將激光閥控制系統(tǒng)51定位到槽75的這個位置允許系統(tǒng)檢測槽75的角位置，而不檢測槽75的拐角的圓度，例如，在內(nèi)邊緣214與后邊緣216之間的拐角，從而造成槽75的邊緣的角位置誤差。在一些實施例中，可不需要旋轉(zhuǎn)圓盤13來使激光閥控制系統(tǒng)51檢測槽75的內(nèi)邊緣和外邊緣。圖13C示出了用于確定激光閥控制系統(tǒng)51的原位置的示例性方法的時序圖。將信號224遞送給控制單元23，控制單元23指示激光71的存在。激光閥控制系統(tǒng)51定位圓盤13上的槽75的前邊緣212與后邊緣216。在圓盤13固定時，信號224是恒定的。在圓盤13緩慢順時針旋轉(zhuǎn)后，尖峰226指示槽75的前邊緣212的角位置。激光71由傳感器73檢測到直到后邊緣216被檢測為尖峰228。控制單元23然后使圓盤13停止并且逆時針緩慢地旋轉(zhuǎn)圓盤13直到尖峰230再次指示后邊緣216的出現(xiàn)?？刂茊卧?3存儲該角位置作為原始角位置。激光閥控制系統(tǒng)51現(xiàn)使用來自圖13B徑向位置和來自圖13C的角位置來定位閥或圓盤13上的其它結(jié)構(gòu)。在其它實施例中，激光閥控制系統(tǒng)51可僅檢測前邊緣212或后邊緣216以有效定位圓盤13。在一些實施例中，驅(qū)動系統(tǒng)(例如，包括馬達(dá))和/或旋轉(zhuǎn)平臺25可以以兩種不同模式操作，速度模式和位置模式。當(dāng)驅(qū)動系統(tǒng)處于速度模式時，徑向原位置或機(jī)架位置可在恒定速度下確定(例如，以150rpm)。在確定了機(jī)架原位置后，馬達(dá)可緩慢停止并且切換到位置模式，在位置模式，能夠從一個標(biāo)記(即，位置)緩慢地掃到下一位置，尋找機(jī)架的原位置。在速度模式與位置模式之間的差異可為由驅(qū)動系統(tǒng)使用的比例積分微分(PID)常數(shù)。位置模式可允許在任何位置進(jìn)行嚴(yán)格控制，其例如可用于閥調(diào)。速度模式可用于需要穩(wěn)定速度時，例如在熒光數(shù)據(jù)采集期間。在一些實施例中，圓盤13可在相反方向上旋轉(zhuǎn)。在其它實施例中，來自圖13B和圖13C的示例性信號可逆變并且處于使信號強(qiáng)度與時間相關(guān)的任意比例。在其它實施例中，激光閥控制系統(tǒng)51可在檢測到圓盤13的徑向位置之前首先檢測到圓盤13的角位置。所描述的定位方法的次序可改變以適應(yīng)特定應(yīng)用、圓盤或技術(shù)員的喜好。圖14為示出確定激光閥控制系統(tǒng)的原位置的示例的流程圖?？刂茊卧?3可始于使圓盤13自旋(228)。從圓盤13外側(cè)，機(jī)架60可使激光閥控制系統(tǒng)51朝向圓盤13的中心移動(230)。激光閥控制系統(tǒng)51可定位圓盤13中的槽75的外邊緣210，并且保存該外徑向位置(232)。在機(jī)架60繼續(xù)移動時，當(dāng)激光71不再由傳感器73檢測到時激光閥控制系統(tǒng)51可定位槽75的內(nèi)邊緣214，并且保存該內(nèi)徑向位置(234)。控制單元23可存儲兩個徑向位置并且停止圓盤13的旋轉(zhuǎn)(236)?？刂茊卧?3然后可將激光閥控制系統(tǒng)51直接移動到在內(nèi)徑向位置與外徑向位置之間的中部的徑向位置(238)?？刂茊卧?3可緩慢旋轉(zhuǎn)圓盤13來移動槽的前邊緣212和后邊緣216經(jīng)過激光閥控制系統(tǒng)51(240)。在檢測到后邊緣216之后，控制單元可在相反方向上緩慢旋轉(zhuǎn)圓盤13(212)。當(dāng)再次檢測到槽75的后邊緣216之后，控制單元23能夠?qū)⒑筮吘壍奈恢?244)保存為零角位置或原始角位置。控制單元23現(xiàn)具有槽75的徑向和角位置，并且能存儲這條信息作為圓盤13的原位置(246)。在某些情況下，槽傳感器觸發(fā)器27可與激光閥控制系統(tǒng)51一起工作以準(zhǔn)確地映射圓盤13的位置。例如，槽傳感器觸發(fā)器27可提供高分辨率時間位置信息，而激光控制系統(tǒng)51提供高分辨率空間位置信息。由于兩種系統(tǒng)使用圓盤13相同的結(jié)構(gòu)，所以合作定位可提供更準(zhǔn)確的定位信息。圖15為示出從圓盤13檢測光和取樣數(shù)據(jù)的示例性方法的流程圖。最初，使用者規(guī)定哪些光學(xué)模塊48、52、56將檢測來自圓盤13的熒光，并且控制單元23接通模塊的LED(249)。在LED被溫?zé)岬椒€(wěn)態(tài)后，控制單元23使圓盤13自旋，例如以大約1470轉(zhuǎn)/分鐘的速率(251)，直到由槽傳感器27檢測到圓盤的槽75?？刂茊卧?3可開始一個完整旋轉(zhuǎn)的熒光的數(shù)據(jù)采集。在該旋轉(zhuǎn)期間，模塊收集從圓盤13的處理(或“檢測”)腔室發(fā)出的熒光，并且控制單元23將來自每個處理腔室的所希望的數(shù)目的樣本(例如，16)置于與每個處理腔室相關(guān)聯(lián)的存儲器BIN中(255)?？刂茊卧?3可檢測槽75的第二次經(jīng)過以確保以正確的馬達(dá)速度采集數(shù)據(jù)，并且控制單元22能夠?qū)r間相依性數(shù)據(jù)置于存儲器中。如果圓盤13需要使另一旋轉(zhuǎn)自旋(257)，則控制單元23執(zhí)行圓盤13的另一繞轉(zhuǎn)(251)。如果已經(jīng)取樣所希望轉(zhuǎn)數(shù)，則該模塊已經(jīng)利用LED完成了檢測。例如，如果取樣16轉(zhuǎn)，并且每轉(zhuǎn)從每個處理腔室采集16個取樣，則每個處理腔室被取樣總共256次。在已經(jīng)完成了所希望轉(zhuǎn)數(shù)后，控制單元23能關(guān)掉LED(259)。如果另一模塊需要繼續(xù)檢測(261)，則控制單元23能夠開啟下一模塊LED(249)。如果不需要其它模塊來收集數(shù)據(jù)，則控制單元23可中止從圓盤13收集數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)采集裝置21可整合每個模塊的單獨的掃描，并且為每個阱和模塊計算直方圖數(shù)值，其可被記錄為數(shù)據(jù)文件。在一些實施例中，每個處理腔室可比16個樣本和16轉(zhuǎn)更多次或更少次取樣。控制單元23可以使圓盤13以更快的速率自旋以提供更快的結(jié)果，或者使圓盤13以更緩慢的速率自旋以采集更多的樣本。圖15所示的處理可用于檢測相關(guān)分析物的存在或不存在(例如，使用熒光檢測)，并且也可例如使用熒光檢測和/或反向散射光用于收集關(guān)于選定體積的材料是否存在于圓盤13上的特定腔室中的信息，如上所述。在圓盤13自旋時，存在于圓盤13中的腔室中的材料將被迫抵靠腔室的徑向最外部的邊緣。因此，機(jī)架60可將一個或更多個光學(xué)模塊從徑向外部位置轉(zhuǎn)位到徑向內(nèi)部位置，例如開始經(jīng)過腔室的徑向最外部邊緣，并且沿著半徑朝向圓盤13的中心移動。由于在圓盤13旋轉(zhuǎn)時，材料將被迫抵靠腔室的最外部邊緣，所以如果在腔室中的材料的體積小于腔室的內(nèi)部體積，那么在腔室的徑向最內(nèi)邊緣與腔室的徑向最外邊緣之間的位置(例如，徑向位置)將存在材料的彎液面層或流體液位。能夠通過熒光改變或者通過反射的反向散射的電磁能的折射來檢測這樣的流體液位。根據(jù)圖15的處理，在圓盤13自旋時，機(jī)架60可沿著該半徑在徑向方向上(例如，向內(nèi))移動光學(xué)模塊，收集在多個機(jī)架位置(例如，在多個徑向位置)處的數(shù)據(jù)。然后可分析這樣的流體液位或彎液面的這樣的數(shù)據(jù)。例如，當(dāng)已知在相關(guān)的(多個)腔室中并不存在材料時，對于圓盤13上的每個相關(guān)的腔室可運(yùn)行背景掃描，并且在假定材料或選定體積的材料存在于(多個)腔室中后，可對于(多個)腔室運(yùn)行另一掃描。然后可比較兩次掃描以確定檢測流體液位(例如，彎液面層)的徑向位置。作為替代或作為補(bǔ)充，機(jī)架(例如，徑向)位置可推算(例如，基于先前校準(zhǔn))出體積。作為替代或作為補(bǔ)充，特定機(jī)架位置可用作閾值，使得如果檢測到流體液位的機(jī)架位置小于閾值數(shù)，則數(shù)據(jù)采集裝置21可輸出不存在足夠量的材料用于化驗的結(jié)果(例如，無效化驗、錯誤代碼、化驗故障或中斷等)，但如果檢測到流體液位的機(jī)架位置大于或等于閾值數(shù)，則能夠確認(rèn)存在所希望體積的材料。樣本處理裝置在圖16至圖22中示出了本公開的一個示例性樣本處理裝置或圓盤300。樣本處理裝置300的額外細(xì)節(jié)和特點可見于在2011年5月18日提交的美國設(shè)計專利申請No.29/392,223中，其以全文引用的方式結(jié)合到本文中。樣本處理裝置300以舉例說明的方式僅示出為圓形。樣本處理裝置300可包括中心301，并且樣本處理裝置300可繞穿過樣本處理裝置300的中心301延伸的旋轉(zhuǎn)軸線A-A旋轉(zhuǎn)。樣本處理裝置300可為多層復(fù)合結(jié)構(gòu)，其由基板或主體302、聯(lián)接到基板302的頂表面306的一個或更多個第一層304以及聯(lián)接到基板302的底表面309的一個或更多個第二層308形成。如圖22所示，基板302包括臺階狀構(gòu)造，其中，三個臺階或階層313存在于頂表面306中。因此，被設(shè)計成在樣本處理裝置300的每個臺階313中保持一定體積的材料(例如，樣本)的流體結(jié)構(gòu)(例如，腔室)可至少部分地由基板302、第一層304和第二層308限定。此外，由于包括三個臺階313的臺階狀構(gòu)造，樣本處理裝置300可包括三個第一層304，樣本處理裝置300的每個臺階313一個第一層304。這種流體結(jié)構(gòu)的布置和臺階狀構(gòu)造僅以舉例說明的方式示出，并且本公開預(yù)期并不限于這樣的設(shè)計。基板302能夠由多種材料形成，包括但不限于聚合物、玻璃、硅、石英、陶瓷或其組合。在基板302為聚合物的實施例中，基板302可由相對簡易的方法形成，例如模制。盡管基板302被描繪為同質(zhì)、單件式整體主體，其可替代地被提供為非同質(zhì)的主體，例如由相同或不同材料層形成。對于基板302將與樣本材料直接接觸的那些樣本處理裝置300，基板302可由不與樣本材料起反應(yīng)的一種或更多種材料形成?？捎糜谠S多不同生物分析應(yīng)用中的物質(zhì)的某些合適聚合材料的示例包括但不限于聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯(例如，等規(guī)聚丙烯)、聚乙烯、聚酯等或其組合。這些聚合物通常表現(xiàn)出可用于限定流體結(jié)構(gòu)的疏水性表面，如下文所描述。聚丙烯通常比其它聚合材料中的某些聚合材料諸如聚碳酸酯或PMMA疏水性更強(qiáng)；但是所有列出的聚合材料通常比二氧化硅基微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)裝置的疏水性更強(qiáng)。如圖17和圖19所示，樣本處理裝置300可包括穿過基板302形成的槽375或其它結(jié)構(gòu)(例如，反射性凸舌等)，用于例如相對于電磁能源、光學(xué)模塊等歸位或定位樣本處理裝置300，如在上文中關(guān)于圖12至圖14所描述的。樣本處理裝置300包括多個處理或檢測腔室350，其中的每一個限定用于包含樣本和與樣本一起進(jìn)行熱處理(例如，循環(huán))的任何其它材料的體積。如用于本公開的“熱處理”(和其變型)表示控制(例如，維持，升高或降低)樣本材料的溫度以獲得所希望的反應(yīng)。作為熱處理的一種形式，“熱循環(huán)”(和其變型)意味著在兩個或更多個溫度設(shè)置點之間循序改變樣本材料的溫度以獲得所希望的反應(yīng)。熱循環(huán)可涉及，例如在下溫度與上溫度之間循環(huán)，在下溫度、上溫度與至少一個中溫度之間循環(huán)等。圖示的裝置300包括八個檢測腔室350，每個通路303一個，但應(yīng)了解結(jié)合根據(jù)本公開制造的裝置提供的檢測腔室350的精確數(shù)目可根據(jù)需要多于或少于八個。在圖示裝置300中的檢測腔室350呈腔室形式，但在本公開的裝置中的檢測腔室可設(shè)置為毛細(xì)管、通路、通道、凹槽或任何其它適當(dāng)?shù)叵薅ǖ捏w積的形式。在一些實施例中，樣本處理裝置300的基板302、第一層304和第二層308可以以充分的強(qiáng)度附連或結(jié)合在一起，以例如在位于檢測腔室350中的成分在熱處理期間迅速被加熱時，抵抗可能在檢測腔室350內(nèi)形成的膨脹力。如果裝置300用于熱循環(huán)處理，例如PCR擴(kuò)增，則部件之間的結(jié)合的牢固性可能特別重要。在這樣的熱循環(huán)中涉及的重復(fù)加熱和冷卻可造成對于樣本處理裝置300的側(cè)部之間的結(jié)合的更嚴(yán)格的要求。由部件之間的更牢固的結(jié)合解決的另一可能問題是用于制造部件的不同材料的熱膨脹系數(shù)之間的任何差異。第一層304可由透明、不透明或半透明膜或箔形成，諸如涂有粘合劑的聚酯、聚丙烯或金屬箔，或者其組合，使得樣本處理裝置300的下層結(jié)構(gòu)是可見的。第二層308可為透明的或不透明的，但通常由導(dǎo)熱金屬(例如，金屬箔)或其它合適導(dǎo)熱材料形成，以通過從樣本處理裝置300物理地聯(lián)接的(和/或被推壓以接觸的)壓板和/或熱結(jié)構(gòu)(例如，聯(lián)接到或者形成旋轉(zhuǎn)平臺25的一部分)向樣本處理裝置300和特別地在需要時檢測腔室350傳導(dǎo)來傳遞熱或冷。第一層304和第二層308可與任何所希望的鈍化層、粘合劑層、其它合適層或其組合組合使用，如在美國專利No.6,734,401和美國專利申請公告No.2008/0314895和No.2008-0152546中所描述的。此外，第一層304和第二層308可使用任何所希望的技術(shù)或技術(shù)的組合聯(lián)接到基板302，包括但不限于粘合劑、焊接(化學(xué)、熱和/或聲波)等，如在美國專利No.6,734,401和美國專利申請公告No.2008/0314895和2008/0152546中所描述的。僅舉例而言，樣本處理裝置300被圖示為包括八個不同的通路、楔狀物、部分或段303，每個通路303與其它通路303流體隔離，使得八個不同的樣本在相同的時間或不同的時間(例如，循序)在樣本處理裝置300上被處理。為了抑制在通路303之間的交叉污染，在使用之前和在使用期間，例如，在將原樣本加載到樣本處理裝置300的給定通路303中之后，每個通路可與周圍流體隔離。例如，如圖16所示，在一些實施例中，樣本處理裝置300可包括預(yù)使用層305(例如，膜、箔或包括壓敏粘合劑的類似物)作為可在使用之前粘附到樣本處理裝置300的頂表面306的至少一部分的最內(nèi)部的第一層304，并且其可在使用該特定通路之前從給定通路303選擇性地移除(例如，通過剝離)。如圖16所示，在一些實施例中，預(yù)使用層305可包括折疊、穿孔或刻劃線312，以便于根據(jù)需要在選擇性地暴露樣本處理裝置300的一個或更多個通路303時移除預(yù)使用層305的僅一部分。此外，在一些實施例中，如圖16所示，預(yù)使用層305可包括一個或更多個凸舌(例如，每個通路303一個凸舌)，以便于抓握預(yù)使用層305的邊緣進(jìn)行移除。在一些實施例中，樣本處理裝置300和/或預(yù)使用層305可與通路303中的每一個通路相鄰編號以使通路303彼此清楚地區(qū)分。如在圖16中以舉例說明的方式示出，預(yù)使用層305已經(jīng)從樣本處理裝置300的通路編號1-3移除，但不從通路編號4-8移除。在預(yù)使用層305已經(jīng)從樣本處理裝置300移除的情況下，顯露了被標(biāo)注為“SAMPLE(樣本)”的第一輸入孔口或端口310和用于試劑的被標(biāo)注為“R”的第二輸入孔口或端口360。此外，為了進(jìn)一步抑制在通路303之間，在通路303的試劑材料處置部分與通路303的樣本材料處置部分之間和/或在周圍環(huán)境與樣本處理裝置300的內(nèi)部之間的交叉污染，第一輸入孔口310和第二輸入孔口360中的一個或兩個被諸如圖16所示的塞子307塞住或阻塞。多種材料、形狀和構(gòu)造可用于塞住輸入孔口310和360，并且塞子307僅以舉例說明的方式被示出為組合式塞子，組合式塞子可以以一個手指按壓而插入到第一輸入孔口310與第二輸入孔口360內(nèi)。替代地，在一些實施例中，預(yù)使用層305也可用作密封件或覆蓋層，并且可在樣本和/或試劑已經(jīng)加載到該通路303中后再施加到特定通路303的頂表面306上，以重新密封隔離通路303與周圍環(huán)境。在這樣的實施例中，預(yù)使用層305的每段的凸舌可在層305已經(jīng)重新施加到相對應(yīng)的通路303的頂表面306上之后從層305的其余部分移除(例如，沿著穿孔撕開)。移除凸舌可抑制可能在凸舌與任意處理步驟諸如閥調(diào)、圓盤自旋等之間出現(xiàn)的任何干擾。此外，在這樣的實施例中，預(yù)使用層305可被剝離到僅足以暴露第一輸入孔口310和第二輸入孔口360，并且然后鋪回到頂表面306上，使得預(yù)使用層305從不完全從頂表面306移除。例如，在一些實施例中，在預(yù)使用層305的相鄰段之間的穿孔或刻痕線312可止于通孔處，通孔可充當(dāng)撕裂止擋件。這樣的通孔可定位于預(yù)使用層305的最外邊緣的徑向外部，使得預(yù)使用層305的每段的最內(nèi)部無需完全從頂表面306移除。如圖17、圖19和圖21所示，在圖16至圖22的圖示實施例中，樣本處理裝置300的每個通路303包括通路303的樣本處置部分或側(cè)部311和通路303的試劑處置部分或側(cè)部361，并且樣本處置部分311和試劑處置部分361可彼此流體隔離，直到例如通過打開一個或更多個閥而使兩個側(cè)部彼此流體連通，如下文所描述。每個通路303有時可被稱作“分配系統(tǒng)”或“處理陣列”，或者在一些實施例中，通路303的每個側(cè)部311、361可被稱作“分配系統(tǒng)”或“處理陣列”。但通常，“處理陣列”指輸入腔室、檢測腔室和它們之間的任何流體連接件。參考圖17、圖19和圖21，第一輸入孔口310通向輸入阱或腔室315。類似的輸入腔室365位于通路303的試劑處置側(cè)361上，第二輸入孔口360通向輸入腔室365。每個通路303的單獨的樣本和試劑輸入孔口310和360，輸入腔室315和365以及處置側(cè)311和361允許原始的、未經(jīng)處理的樣本加載到樣本處理裝置300上用于分析而無需大量的或任何預(yù)處理、稀釋、測量、混合等。因此，可添加樣本和/或試劑，而無需精確的測量或處理。因此，樣本處理裝置300可有時被稱作“中等復(fù)雜性”圓盤，因為相對復(fù)雜的“板上”處理可在樣本處理裝置300上執(zhí)行而無需太多或任何預(yù)處理。即，樣本處理裝置300可包括板上計量結(jié)構(gòu)，其可用于從輸入腔室315、365向檢測腔室350遞送選定體積的樣本和/或試劑介質(zhì)。通過向檢測腔室350遞送選定體積，可以實現(xiàn)所希望的樣本與試劑比，而無需使用者精確地測量并且將具體體積的樣本或試劑加載到樣本處理裝置300上。而是，使用者可將非具體量的樣本和/或試劑加載到樣本處理裝置300上，并且樣本處理裝置300本身可計量到達(dá)檢測腔室350的所希望量的材料。將首先描述樣本處置側(cè)311。如圖所示，在一些實施例中，輸入腔室315可包括一個或更多個擋板或壁316或其它合適的流體引導(dǎo)結(jié)構(gòu)，其被定位成將輸入腔室315劃分成至少計量部、計量腔室或計量儲集器318和廢品部、廢品腔室或廢品儲集器320。擋板316可用于引導(dǎo)和/或容納在輸入腔室315中的流體。如在圖示實施例中所示，樣本可經(jīng)由輸入孔口310被加載到樣本處理裝置300上的一個或更多個通路303中。隨著樣本處理裝置300繞旋轉(zhuǎn)軸線A-A旋轉(zhuǎn)，樣本將會被引導(dǎo)(例如，由一個或更多個擋板316)到計量儲集器318中。計量儲集器318被配置成固持或保持選定體積的材料，任何過量的材料被引導(dǎo)至廢品儲集器320。在一些實施例中，輸入腔室315或其一部分可被稱作“第一腔室”或“第一處理腔室”，并且檢測腔室350可被稱作“第二腔室”或“第二處理腔室”。如圖21和圖22所示，計量儲集器318包括朝向樣本處理裝置300的中心301和旋轉(zhuǎn)軸線A-A定位的第一端322和遠(yuǎn)離中心301和旋轉(zhuǎn)軸線A-A定位的第二端324(即，在第一端322的徑向外部)，使得在樣本處理裝置300旋轉(zhuǎn)時，樣本被迫朝向計量儲集器318的第二端324。限定計量儲集器318的第二端324的一個或更多個擋板或壁316可包括被布置成限定選定體積的基底323和側(cè)壁326(即，部分側(cè)壁，參看圖21)。側(cè)壁326的布置和形狀允許超過選定體積的任何體積從側(cè)壁326溢出并且流出到廢品儲集器320。因此，廢品儲集器320的至少一部分可位于計量儲集器318或者輸入腔室315的其余部分的徑向外部，以便于將過量體積的材料移動到廢品儲集器320中，并且在徑向向外導(dǎo)向的力下抑制過量的體積流回到計量儲集器318中(例如，在樣本處理裝置300繞旋轉(zhuǎn)軸線A-A旋轉(zhuǎn)時)。換言之，繼續(xù)參考圖21，輸入腔室315可包括：一個或更多個第一擋板316A，其被定位成將來自輸入孔口310的材料朝向計量儲集器318引導(dǎo)；以及，一個或更多個第二擋板316B，其被定位成容納選定體積的流體和/或?qū)⒊^選定體積的流體引導(dǎo)至廢品儲集器320中。如圖所示，基底323可包括形成于其中的開口或流體路徑328，開口或流體路徑328被構(gòu)造成形成毛細(xì)管閥330的至少一部分。因此，流體路徑328的截面可相對于計量儲集器318(或者保留在計量儲集器318中的流體的體積)足夠小，使得由于毛細(xì)力而抑制流體流入到流體路徑328中。因此，在一些實施例中，流體路徑328可被稱作“縮窄部”或“縮窄的路徑”。在一些實施例中，計量儲集器318、廢品儲集器320、擋板316中的一個或更多個擋板(例如，基底323、側(cè)壁326、可選的一個或更多個第一擋板316A)和流體路徑328(或毛細(xì)管閥330)可一起被稱作“計量結(jié)構(gòu)”，其負(fù)責(zé)容納能夠在需要時被遞送到下游流體結(jié)構(gòu)的選定體積的材料。僅舉例而言，當(dāng)樣本處理裝置300以第一速度(例如，角速度RPM)繞旋轉(zhuǎn)軸線A-A旋轉(zhuǎn)時，第一離心力施加到樣本處理裝置300中的材料上。計量儲集器318和流體路徑328可被構(gòu)造成(例如，在表面能、相對尺寸和截面積方面等)使得第一離心力不足以造成具有給定表面張力的樣本被迫進(jìn)入到相對較窄的流體路徑328中。但是，當(dāng)樣本處理裝置300以第二速度(例如，角速度，RPM)旋轉(zhuǎn)時，第二離心力施加到樣本處理裝置300中的材料上。計量儲集器318和流體路徑328可被構(gòu)造成使得第二離心力足以造成具有給定表面張力的樣本被迫進(jìn)入到流體路徑328中。替代地，添加劑(例如，表面活性劑)可添加到樣本以改變其表面張力，使得樣本在需要時流入到流體路徑328中。在一些實施例中，可通過控制樣本處理裝置300在不同處理階段旋轉(zhuǎn)的加速度分布和速度來至少部分地控制第一力和第二力。這樣的速度和加速度在下文中參考圖26更詳細(xì)地描述。在一些實施例中，可控制流體路徑328的截面積相對于輸入腔室315的體積(或其一部分，例如計量儲集器318)的縱橫比，以例如對于具有給定表面張力的流體而言至少部分地確保流體將不流入到流體路徑328中，直到希望時。例如，在一些實施例中，流體路徑的截面積(Ap)(例如，在計量儲集器318的基底323處的流體路徑328的入口)與流體可從其移入到流體路徑328中的儲集器(例如，輸入腔室315或其一部分，例如計量儲集器318)的體積(V)的比例，即Ap:V可在約1:25至約1:500的范圍內(nèi)，在一些實施例中，可在約1:50至約1:300的范圍內(nèi)，并且在一些實施例中，可在約1:100至約1:200的范圍內(nèi)。換言之，在一些實施例中，Ap/V的分?jǐn)?shù)可為至少約0.01，在一些實施例中，至少約0.02，并且在一些實施例中，至少約0.04。在一些實施例中，Ap/V的分?jǐn)?shù)可不大于約0.005，在一些實施例中，不大于約0.003，并且在一些實施例中，不大于約0.002。再換一種說法，在一些實施例中，V/Ap的分?jǐn)?shù)或者V與Ap的比可為至少約25(即，25比1)，在一些實施例中，至少約50(即，50比1)，并且在一些實施例中，至少約100(即，約100比1)。在一些實施例中，V/Ap的分?jǐn)?shù)或V與Ap的比可不大于約500(即，約500比1)，在一些實施例中，不大于約300(即，300比1)，并且在一些實施例中，不大于約200(即，約200比1)。在一些實施例中，這些比可采用流體路徑328的各種尺寸來實現(xiàn)。例如，在一些實施例中，流體路徑328的橫向尺寸(即，垂直于其從中心101沿著半徑的長度，諸如直徑，寬度、深度、厚度等)不大于約0.5mm，在一些實施例中，不大于約0.25mm，并且在一些實施例中，不大于約0.1mm。在一些實施例中，流體路徑328的截面積Ap可不大于約0.1mm2，在一些實施例中，不大于約0.075mm2，以及在一些實施例中，不大于約0.5mm2。在一些實施例中，流體路徑328的長度至少約0.1mm，在一些實施例中，至少約0.5mm，以及在一些實施例中，至少約1mm。在一些實施例中，流體路徑328可具有不大于約0.5mm的長度，在一些實施例中，不大于約0.25mm，并且在一些實施例中，不大于約0.1mm。在一些實施例中，例如，流體路徑328可具有約0.25mm的寬度，約0.25mm的深度(即，約0.0625mm2的截面積)和約0.25mm的長度。如圖17、圖19、圖21和圖22所示，毛細(xì)管閥330可定位成與計量儲集器318的第二端324流體連通，使得流體路徑328相對于旋轉(zhuǎn)軸線A-A定位于計量儲集器318的徑向外部。毛細(xì)管閥330可被構(gòu)造成抑制流體(即，液體)從計量儲集器318向流體路徑328流動，這取決于下列中的至少一個：流體路徑328的尺寸、限定計量儲集器318和/或流體路徑328的表面的表面能、流體的表面張力、施加于流體上的力、可能存在的任何背壓(例如，由于形成于下游的氣塞現(xiàn)象，如下文所描述)和其組合。因此，流體路徑328(例如，縮窄部)可被構(gòu)造成(例如，尺寸被形成為)抑制流體進(jìn)入閥腔室334，直到施加于流體上的力(例如，通過使樣本處理裝置300繞旋轉(zhuǎn)軸線A-A旋轉(zhuǎn))、流體的表面張力和/或流體路徑328的表面能足以使流體移動經(jīng)過流體路徑328。如在圖示實施例中所示，毛細(xì)管閥330可被布置成與隔膜閥332串聯(lián)，使得毛細(xì)管閥330定位于隔膜閥332的徑向內(nèi)部并且與隔膜閥332的入口流體連通。隔膜閥332可包括閥腔室334和閥隔片336。在旋轉(zhuǎn)平臺上的給定方位(例如，基本上水平)，毛細(xì)力可被離心力平衡并且抵消以控制流體流動。隔膜閥332(有時也被稱作“相位變化型閥”)能夠接收熱源(例如，電磁能)，熱源可造成閥隔片336熔化，以通過閥隔片336來打開路徑。隔片336可在樣本處理裝置300中位于閥腔室334與一個或更多個下游流體結(jié)構(gòu)之間。因此，檢測腔室350可與隔膜閥332的出口(即，閥腔室334)流體連通，并且可相對于旋轉(zhuǎn)軸線A-A和中心301至少部分地定位于閥腔室334的徑向外部。隔片336可包括(i)閉合配置，其中隔片336不可滲透流體(并且具體地，液體)，并且被定位成流體隔離閥腔室334與任何下游流體結(jié)構(gòu)；以及，(ii)開放配置，其中，隔片334可滲透流體，具體地液體(例如，包括大小適于促進(jìn)樣本流過的一個或更多個開口)，并且允許在閥腔室334與任何下游流體結(jié)構(gòu)之間的流體連通。即，閥隔片336在其完整時可防止流體(即，液體)在閥腔室334與任何下游流體結(jié)構(gòu)之間移動。閥調(diào)結(jié)構(gòu)和工藝的各個特點和細(xì)節(jié)描述于在2011年5月18日提交的美國專利申請No.61/487,669和在2011年5月25日提交的No.61/490,012中，其中的每一個以全文引用的方式合并到本文中。閥隔片336可包括不可滲透的屏障或者由不可滲透的屏障形成，該屏障是不透明的或者對于電磁能，諸如在可見、紅外和/或紫外光譜中的電磁能是吸收性的。如關(guān)于本公開使用的術(shù)語“電磁能”(和其變型)表示能夠在不存在物理接觸的情況下從源遞送到所希望的位置或材料的電磁能(無論波長/頻率如何)。電磁能的非限制性示例包括激光能量、射頻(RF)、微波輻射、光能(包括紫外到紅外光譜)等。在一些實施例中，電磁能可限于屬于紫外到紅外輻射(包括可見光譜)的能量。閥隔片336或其一部分可不同于基板302(例如，由不同于基板302所用的材料形成)。通過將不同的材料用于基板302和閥隔片336，可根據(jù)其所希望的特征來選擇每種材料。替代地，閥隔片336可與基板302一體并且由與基板302相同的材料形成。例如，閥隔片336可簡單地被模制到基板302上。若如此，其可被涂布或浸漬以促進(jìn)或提高其吸收電磁能的能力。閥隔片336可由任何合適的材料制成，盡管特別有用的是，如果隔片336的材料形成空隙(即，當(dāng)打開隔片336時)而不會產(chǎn)生可能會干擾樣本處理腔室300中進(jìn)行的反應(yīng)或處理的任何大量副產(chǎn)物、廢物等?？捎米鏖y隔片336或其一部分的材料類別的一個示例包括色素定向的聚合膜，例如，用于制造市售的罐內(nèi)襯或袋子的膜。合適的膜可為黑色的罐內(nèi)襯，1.18mil厚，可以以商標(biāo)名稱406230E購自康涅狄格州丹伯里的HimoleneIncorporated。但是，在一些實施例中，隔片336可由與基板302本身相同的材料形成，但可具有比基板302的其它部分小的厚度。隔片厚度可受到用于形成基板302的模具或工具控制，使得隔片足夠薄，以足以通過從電磁信號吸收能量而打開。在一些實施例中，閥隔片336的截面積至少約1mm2，在一些實施例中，至少約2mm2，以及在一些實施例中，至少約5mm2。在一些實施例中，閥隔片336可具有不大于約10mm2的截面積，在一些實施例中，不大于約8mm2，以及在一些實施例中，不大于約6mm2。在一些實施例中，閥隔片336的厚度至少約0.1mm，在一些實施例中，至少約0.25mm，以及在一些實施例中，至少約0.4mm。在一些實施例中，閥隔片336可具有不大于約1mm的厚度，在一些實施例中，不大于約0.75mm，以及在一些實施例中，不大于約0.5mm。在一些實施例中，閥隔片336可大體上為圓形，可具有大約1.5mm的直徑(即，約5.3mm2的截面積)以及約0.4mm的厚度。在一些實施例中，閥隔片336可包括易于吸收選定波長的電磁能并且將該能量轉(zhuǎn)換成熱的材料，從而導(dǎo)致在閥隔片336中形成空隙。吸收性材料可包含于閥隔片336或其一部分中(即，浸漬于形成隔片的材料(樹脂)中)或者涂布于其表面上。例如，如圖20所示，閥隔片336可被構(gòu)造成被從頂部(即，在基板302的頂表面306處)放射電磁能。因此，在閥隔片區(qū)域(參看圖16)上的第一層304對于用來在閥隔片336中形成空隙的電磁能的選定波長或波長范圍是透明的，并且閥隔片336可吸收這樣的(多個)波長。毛細(xì)管閥330在圖16至圖22的實施例中被示出與隔膜閥332串聯(lián)，并且特別地，在隔膜閥332的上游并且與隔膜閥332的入口或上游端流體連通。毛細(xì)管閥330和隔膜閥332的這樣的構(gòu)造可在閥隔片336處于閉合配置時形成汽塞現(xiàn)象(即，在閥腔室334中)，并且樣本移動，并且允許在樣本處理裝置300中形成壓力。這樣的構(gòu)造還可允許使用者控制何時允許流體(即，液體)進(jìn)入閥腔室334，并且在鄰近閥隔片336處收集流體(例如，通過控制樣本處理裝置300旋轉(zhuǎn)的速度，這影響施加到樣本上的離心力，例如當(dāng)樣本的表面張力保持恒定時；和/或通過控制樣本的表面張力)。即，毛細(xì)管閥330可在打開隔膜閥332之前，即當(dāng)閥隔片336處于閉合配置時，抑制流體(即，液體)進(jìn)入閥腔室334，并且鄰近閥隔片336地匯聚或收集流體。毛細(xì)管閥330和隔膜閥332可一起或單獨地被稱作樣本處理裝置300的“閥”或“閥調(diào)結(jié)構(gòu)”。即，樣本處理裝置300的閥調(diào)結(jié)構(gòu)大體上在上文中描述為包括毛細(xì)管閥和隔膜閥；但是，應(yīng)了解在一些實施例中，樣本處理裝置300的閥或閥調(diào)結(jié)構(gòu)可簡單地被描述為包括流體路徑328、閥腔室334和閥隔片336。而且，在一些實施例中，流體路徑328可被描述為形成輸入腔室315的一部分(例如，形成計量儲集器318的一部分)，使得下游端324包括流體路徑328，流體路徑328被構(gòu)造成抑制流體進(jìn)入閥腔室334直到需要時。通過抑制流體(即，液體)在閥隔片336一側(cè)的附近收集，可打開閥隔片336，即，從閉合配置變?yōu)榇蜷_配置，而不干擾其它物質(zhì)。例如，在一些實施例中，可通過將合適波長的電磁能引導(dǎo)至閥隔片336的一側(cè)(例如，在樣本處理裝置300的頂表面306處)在閥隔片336中形成空隙來打開閥隔片336。本發(fā)明者發(fā)現(xiàn)在某些情況下，如果流體已經(jīng)收集在閥隔片336的相對側(cè)上，則流體可能會由于充當(dāng)電磁能的散熱器而干擾空隙形成(例如，熔化)過程，這可能會增加在閥隔片336中形成空隙所需的功率和/或時間。因此，通過抑制流體(即，液體)鄰近閥隔片336的一側(cè)收集，通過在無流體(例如，液體，例如樣本或試劑)存在于閥隔片336的第二側(cè)上時將電磁能引導(dǎo)至閥隔片336的第一側(cè)而打開閥隔片336。通過抑制流體(例如，液體)在閥隔片336的背側(cè)上收集，隔膜閥332可靠地在多種閥調(diào)狀態(tài)下打開，諸如激光功率(例如440、560、670和890毫瓦(mW))、激光脈沖寬度或持續(xù)時間(例如，1秒或2秒)和激光脈沖的數(shù)目(例如，1個脈沖或2個脈沖)。因此，毛細(xì)管閥330用于(i)有效地形成計量儲集器318的閉合端，使得能夠計量選定體積的樣本并且將其遞送到下游的檢測腔室350；以及(ii)在閥隔片336處于其閉合配置時，例如通過在閥腔室334中形成汽塞現(xiàn)象，有效地抑制流體(例如，液體)鄰近閥隔片336的一側(cè)收集。在一些實施例中，閥調(diào)結(jié)構(gòu)可包括相對于樣本處理裝置300的中心301基本上沿徑向定向的縱向方向。在一些實施例中，閥隔片336可包括在縱向方向上延伸的、大于可能在閥隔片336中形成的一個或更多個開口或空隙的尺寸的長度，使得可根據(jù)需要沿著閥隔片336的長度形成一個或更多個開口。即，在一些實施例中，能通過在沿著閥隔片336的長度的選定位置形成開口而移除選定的等份的樣本?？苫谠陂_口之間的徑向距離(例如，相對于旋轉(zhuǎn)軸線A-A測量)和閥腔室334的在開口之間的截面積來確定選定等份的體積。這樣的“可變閥”的其它實施例和細(xì)節(jié)可見于美國專利No.7,322,254和美國專利申請公開No.2010/0167304。已經(jīng)在閥隔片336中形成開口或空隙之后，閥腔室334經(jīng)由在閥隔片336中的空隙而與下游流體結(jié)構(gòu)諸如檢測腔室350流體連通。如上文所提到的那樣，在已經(jīng)將樣本加載到通路303的樣本處置側(cè)311內(nèi)之后，第一輸入孔口310可閉合、密封和/或塞住。因此，在處理期間，樣本處理裝置300可與周圍環(huán)境密封隔離或者“不通風(fēng)”。如結(jié)合本公開使用的“不通風(fēng)的處理陣列”或“不通風(fēng)的分配系統(tǒng)”為下面這樣的分配系統(tǒng)(即，“處理腔室陣列”、“處理陣列”或“通路”303)：在該分配系統(tǒng)中，僅通往其中的流體結(jié)構(gòu)體積的開口位于用于樣本的輸入腔室315(或者用于試劑的輸入腔室365)中。換言之，為了到達(dá)在不通風(fēng)的分配系統(tǒng)內(nèi)的檢測腔室350，樣本(和/或試劑)材料被遞送到輸入腔室315(或輸入腔室365)，并且隨后輸入腔室315與周圍環(huán)境密封隔離。如圖16至圖22所示，這樣的不通風(fēng)的分配系統(tǒng)可包括用來將樣本材料遞送到檢測腔室350(例如，在下游方向上)的一個或更多個專用通道，和用來允許空氣或另一流體經(jīng)由并非樣本流動的單獨路徑離開檢測腔室350的一個或更多個專用通道。相反，通風(fēng)的分配系統(tǒng)將在處理期間向周圍環(huán)境打開，并且也可能包括定位于沿著分配系統(tǒng)的一個或更多個位置，諸如靠近檢測腔室350的通氣部。如上文所提到的那樣，不通風(fēng)的分配系統(tǒng)抑制在環(huán)境與樣本處理裝置300的內(nèi)部之間的污染(例如，從樣本處理裝置300泄漏，或者從環(huán)境或使用者引入污染物到樣本處理裝置300內(nèi))，并且也抑制在樣本處理裝置300上的多個樣本或通路303之間的交叉污染。如圖17、圖19和圖21所示，為了在處理期間便于在樣本處理裝置300中的流體流動，通路303可包括一個或更多個均衡通道355，所述一個或更多個均衡通道355被定位成流體地聯(lián)接通路303的下游或徑向外部(例如，檢測腔室350)與檢測腔室350上游或徑向內(nèi)部的一個或更多個流體結(jié)構(gòu)(例如，輸入腔室315的至少一部分，輸入腔室365的在試劑處置側(cè)361上的至少一部分，或二者)。僅舉例而言，如圖20和圖21所示，圖示的樣本處理裝置300的每個通路303包括均衡通道355，均衡通道355被定位成流體地聯(lián)接檢測腔室350與通路303的試劑處置側(cè)361上的試劑輸入腔室365的上游或徑向內(nèi)部(即，相對于中心)。均衡通道355為允許流體(例如，氣體，諸如截留的空氣)從流體結(jié)構(gòu)的原本汽塞現(xiàn)象的下游部分向上游移動以便于其它流體(例如，樣本材料、液體等)向下游移動到樣本處理裝置300的那些原本汽塞現(xiàn)象的區(qū)域的額外通道。這樣的均衡通道355允許在樣本處理裝置300上的流體結(jié)構(gòu)在樣本處理期間，即，流體在樣本處理裝置300上移動期間相對于周圍環(huán)境保持不通風(fēng)或閉合。因此，在一些實施例中，均衡通道355可被稱作“內(nèi)部通風(fēng)部”或“通風(fēng)通道”，并且釋放截留的流體以便于材料移動的處理可被稱作“內(nèi)部通風(fēng)”。換言之，在一些實施例中，樣本(或試劑)從輸入腔室315(或試劑輸入腔室365)向檢測腔室350的流動可限定第一移動方向，并且均衡通道355可限定不同于第一方向的第二移動方向。特別地，第二方向與第一方向相反或基本上相反。當(dāng)樣本(或試劑)經(jīng)由力(例如，離心力)移動到檢測腔室350時，第一方向可大致沿著該力的方向定向，并且第二方向可大致與該力的方向相反定向。當(dāng)閥隔片336變化到打開配置(例如，通過將電磁能發(fā)射到隔片336處)時，可釋放在閥腔室334中的汽塞現(xiàn)象，至少部分地是因為連接隔片336的下游側(cè)回到輸入腔室365的均衡通道355。釋放汽塞現(xiàn)象可允許流體(例如液體)流入到流體路徑328中，到閥腔室334中并且到檢測腔室350。在一些實施例中，當(dāng)通道與腔室疏水時，或者大體上由疏水表面限定時，可便于這種現(xiàn)象。即，在一些實施例中，至少部分地限定通道和腔室的基板302和任何覆蓋物或?qū)?04、305和308(或涂布于其上的粘合劑，例如包括硅酮聚脲)可具體地與水性樣本和/或試劑材料相比由疏水材料形成或者包括疏水表面。在一些實施例中，材料表面的疏水性可通過測量在相關(guān)液滴與相關(guān)表面之間的接觸角來確定。在目前的情況下，可在各個樣本和/或試劑材料和將用于形成將與樣本和/或試劑接觸的樣本處理裝置的至少一些表面的材料之間進(jìn)行這樣的測量。在一些實施例中，樣本和/或試劑材料可為水性液體(例如，懸浮液或類似物)。在一些實施例中，在本公開的樣本和/或試劑與形成樣本處理裝置300的至少一部分的基板材料之間的接觸角可為至少約70°，在一些實施例中至少約75°，在一些實施例中至少約80°，在一些實施例中至少約90°，在一些實施例中至少約95°，并且在一些實施例中至少約99°。在一些實施例中，當(dāng)充分的力施加在流體上時(例如，當(dāng)已經(jīng)實現(xiàn)了在流體上的閾值力時，例如，當(dāng)樣本處理裝置300繞旋轉(zhuǎn)軸線A-A的旋轉(zhuǎn)已經(jīng)超過了閾值加速度或旋轉(zhuǎn)加速度時)，流體可流入到流體路徑328中。在流體克服了在毛細(xì)管閥330中的毛細(xì)力后，流體能通過打開的閥隔片336流到下游流體結(jié)構(gòu)(例如，檢測腔室350)。如貫穿本公開所討論的，被移動通過樣本處理裝置300的樣本和/或試劑材料的表面張力可能影響到將材料移動到流體路徑328中和克服毛細(xì)力所需的力。一般而言，被移動通過樣本處理裝置300的材料的表面張力越低，需要施加在材料上以便克服毛細(xì)力的力就越低。在一些實施例中，樣本和/或試劑材料的表面張力可為至少約40mN/m，在一些實施例中，至少約43mN/m，在一些實施例中，至少約45mN/m，在一些實施例中，至少約50mN/m，在一些實施例中，至少約54mN/m。在一些實施例中，表面張力可不大于約80mN/m，在一些實施例中，不大于約75mN/m，在一些實施例中，不大于約72mN/m，在一些實施例中，不大于約70mN/m，以及在一些實施例中，不大于約60mN/m。在一些實施例中，被移動通過樣本處理裝置300的樣本和/或試劑材料的密度可為至少約1.00g/mL，在一些實施例中，至少約1.02g/mL，在一些實施例中，至少約1.04g/mL。在一些實施例中，密度可不大于約1.08g/mL，在一些實施例中，不大于約1.06g/mL，以及在一些實施例中，不大于約1.05g/mL。在一些實施例中，被移動通過樣本處理裝置的樣本和/或試劑材料的粘度可為至少約1厘泊(nMs/m2)，在一些實施例中，至少約1.5厘泊，以及在一些實施例中，至少約1.75厘泊。在一些實施例中，粘度可不大于約2.5厘泊，在一些實施例中，不大于約2.25厘泊，以及在一些實施例中，不大于約2.00厘泊。在一些實施例中，粘度可為1.0019厘泊或2.089厘泊。下表包括可在本公開中用作樣本稀釋液和/或試劑的水性介質(zhì)的各種數(shù)據(jù)。一個示例為病毒、衣原體、支原體和脲原體的Copan通用運(yùn)輸培養(yǎng)基("UTM")，3.0mL管，部件編號330C，批次39P505(CopanDiagnostics,Murrietta,GA)。這種UTM在示例中用作樣本。另一示例為可購自FocusDiagnostics(Cypress,CA)的試劑mastermix(“試劑”)。25℃的水和25％的甘油水溶液的粘度和密度數(shù)據(jù)包括于下表中，因為本公開的某些樣本和/或試劑材料可具有從水至25％甘油水溶液的范圍的材料性質(zhì)。對于黑色聚丙烯測量在下表中的接觸角測量，黑色聚丙烯通過在壓力機(jī)處組合購自FlintHillsResources(堪薩斯州的威奇托)的產(chǎn)品編號為No.P4G3Z-039的自然聚丙烯與購自ClariantCorporation(瑞士的穆滕茨)的Clariant著色劑UN0055P，深黑(炭黑)3％LDR而形成。這樣的黑色聚丙烯可在一些實施例中用于形成本公開的樣本處理裝置(例如，樣本處理裝置300)的至少一部分(例如，基板302)?？赏ㄟ^在旋轉(zhuǎn)期間交替地將裝置加速和減速來便于在包括不通風(fēng)的分配系統(tǒng)的樣本處理裝置內(nèi)移動樣本材料，從而基本上使樣本材料脈動(burping)通過各個通道和腔室?？墒褂弥辽賰蓚€加速/減速循環(huán)，即初始加速，之后減速，第二回合加速和第二回合減速來執(zhí)行旋轉(zhuǎn)。在包括具有均衡通道諸如均衡通道355的分配系統(tǒng)的處理裝置(例如，樣本處理裝置300)的實施例中可能不需要加速/減速循環(huán)。均衡通道355可有助于防止空氣或其它流體干擾樣本材料通過流體結(jié)構(gòu)的流動。均衡通道355可提供用于使移位的空氣或其它流體離開檢測腔室350以均衡在分配系統(tǒng)內(nèi)的壓力的路徑，這可最小化對于加速和/或減速以“脈動(burp)”分配系統(tǒng)的需要。但是，加速和/或減速技術(shù)仍可用來進(jìn)一步便于樣本材料通過不通風(fēng)的分配系統(tǒng)的分配。加速和/或減速技術(shù)還可用于輔助在不規(guī)則表面諸如EM引起的閥調(diào)形成的粗糙邊緣、不完美的模制通道/腔室等上和/或周圍移動流體。如果加速和/或減速是快速的，可更加有用。在一些實施例中，旋轉(zhuǎn)可僅在一個方向上，即，可能無需在加載處理中使旋轉(zhuǎn)方向反向。這樣的加載處理允許樣本材料使空氣在系統(tǒng)的如下部分中移位，該部分被定位成比到系統(tǒng)的(多個)開口離樣本處理裝置300的旋轉(zhuǎn)中心301更遠(yuǎn)。實際加速率和減速率可根據(jù)多種因素而不同，諸如溫度、裝置大小、樣本材料離旋轉(zhuǎn)軸線的距離、用于制造裝置的材料、樣本材料的性質(zhì)(例如，粘性)等。適用加速/減速處理的一個示例可包括初始加速到約每分鐘4000轉(zhuǎn)(rpm)，之后在約1秒的周期減速到約1000rpm，其中裝置的旋轉(zhuǎn)速度以1秒的間隔在1000rpm與4000rpm之間振蕩，直到樣本材料已經(jīng)行進(jìn)了所希望的距離。適用加載處理的另一示例可包括以至少約20轉(zhuǎn)/秒2的初始加速度加速到約500rpm的第一旋轉(zhuǎn)速度，之后5秒保持在該第一旋轉(zhuǎn)速度，之后以至少約20轉(zhuǎn)/秒2的第二加速度加速到約1000rpm的第二旋轉(zhuǎn)速度，之后5秒保持在第二旋轉(zhuǎn)速度。適用加載處理的另一示例可包括以至少約20轉(zhuǎn)/秒2的初始加速度加速到約1800rpm的旋轉(zhuǎn)速度，之后10秒保持在該旋轉(zhuǎn)速度。如圖20和圖21所示，均衡通道355可由在基板302的頂表面306和/或底表面309上的一系列通道和在頂表面306與底表面309之間延伸的一個或更多個貫通孔形成，貫通孔可有助于穿過基板302的頂表面306中的臺階部。具體而言，如圖20所示，圖示的均衡通道355包括：第一通道或第一部分356，其沿著最外部臺階313的頂表面306延伸；第一貫通孔357，其從頂表面306延伸到底表面309，以避免均衡通道355必須穿過頂表面306的臺階部；以及，第二通道或第二部分358(參看圖21)，其延伸到輸入腔室365的徑向內(nèi)部。當(dāng)檢測腔室350接收樣本材料或其它材料時，在檢測腔室350內(nèi)的空氣或另一流體可移位。均衡通道355可提供用于使移位的空氣或其它移位的流體從檢測腔室350離開的路徑。均衡通道355可通過使分配系統(tǒng)的某些通道專用于在一個方向(例如，上游方向或下游方向)上的流體流動，從而均衡在樣本處理裝置300的每個分配系統(tǒng)(例如，輸入腔室315和檢測腔室350和連接輸入腔室315和檢測腔室350的各個通道)內(nèi)的壓力，來有助于流體更高效地移動通過樣本處理裝置300。在圖16至圖22所示的實施例中，樣本通常從輸入腔室315，通過毛細(xì)管閥330和隔膜閥332并且通過分配通道340向下游并且沿徑向向外流動到檢測腔室350(例如，當(dāng)樣本處理裝置繞中心301旋轉(zhuǎn)時)。其它流體(例如，存在于檢測腔室350中的氣體)可通常從檢測腔室350通過均衡通道355向上游或沿徑向向內(nèi)流動到輸入腔室365。返回至閥調(diào)結(jié)構(gòu)，閥隔片336的下游側(cè)(即，其面向圖示樣本處理裝置300的頂表面306，參考圖20和圖22)面向并且最終通向(即，在閥隔片336中形成了開口或空隙后)分配通道340，分配通道340流體地聯(lián)接閥腔室334(和最終輸入腔室315，并且具體地，計量儲集器318)和檢測腔室350。類似于均衡通道355，分配通道340可由在基板302的頂表面306和/或底表面309上的一系列通道以及在頂表面306和底表面309之間延伸的的一個或更多個貫通孔形成，貫通孔可有助于穿過基板302的頂表面306中的臺階部。例如，如圖20至圖22所示，在一些實施例中，分配通道340可包括：第一通道或第一部分342(參看圖20和圖22)，其沿著基板302的中部臺階313的頂表面306延伸；第一貫通孔344(參看圖20至圖22)，其從底表面309延伸到頂表面306；第二通道或第二部分346(參看圖21和圖22)，其沿著底表面309延伸以避免穿過臺階狀的頂表面306；第二貫通孔347(參看圖20至圖22)，其從底表面309延伸到頂表面306；以及第三通道或第三部分348(參看圖20和圖22)，其沿著頂表面306延伸并且流注到檢測腔室350。為了簡單起見，從圖18至圖22的樣本處理裝置300移除了所有層和覆蓋物，使得僅示出基板302；但是，應(yīng)了解形成于底表面309上的任何通道和腔室也可至少部分地由(多個)第二層308限定，并且形成于頂表面306上的任何通道和腔室也可至少部分地由(多個)第一層304限定，如圖16至圖17所示。力可施加于樣本上以使之從輸入腔室315(即，計量儲集器318)通過流體路徑328移動到閥腔室334中，通過在閥隔片336中的空隙沿著分配通道340流動到檢測腔室350中。如上文所提到的那樣，這樣的力可為通過使樣本處理裝置300例如繞旋轉(zhuǎn)軸線A-A旋轉(zhuǎn)而生成的將樣本從旋轉(zhuǎn)軸線A-A沿徑向向外移動(即，因為檢測腔室350的至少一部分位于輸入腔室315的徑向外部)的離心力。但是，這樣的力也可以由壓差(例如，正壓和/或負(fù)壓)和/或重力而造成。在適當(dāng)力下，樣本可經(jīng)過各個流體結(jié)構(gòu)，包括貫通孔，最終駐留在檢測腔室350中。特別地，如受到計量儲集器318(即，擋板316和廢品儲集器320)控制的選定體積的樣本將在打開隔膜閥332后移動到檢測腔室350，并且充分的力施加在樣本上以使得樣本移動通過毛細(xì)管閥330的流體路徑328。在圖16至圖22所示的實施例中，閥隔片336位于閥腔室334與檢測(或處理)腔室350之間，并且具體地位于閥腔室334與通往檢測腔室350的分配通道340之間。雖然僅以舉例說明的方式示出了分配通道340，應(yīng)了解在一些實施例中，閥腔室334可直接通向檢測腔室350，使得閥隔片336直接位于閥腔室334與檢測腔室350之間。通路303的試劑處置側(cè)361的構(gòu)造可基本上類似通路303的樣本處置側(cè)311的構(gòu)造。因此，上文所描述的樣本處置側(cè)311的任何細(xì)節(jié)、特點或其替代物可擴(kuò)展到試劑處置側(cè)361的特點。如圖17、圖19和圖21所示，試劑處置側(cè)361包括通向輸入腔室或阱365的第二輸入孔口360。如圖所示，在一些實施例中，輸入腔室365可包括一個或更多個擋板或壁366或其它合適流體引導(dǎo)結(jié)構(gòu)，其被定位成將輸入腔室365劃分成至少計量部分、計量腔室或計量儲集器368和廢品部分、廢品腔室或廢品儲集器370。擋板366可用于引導(dǎo)和/或容納在輸入腔室365中的流體。如在圖示實施例中所示，試劑可經(jīng)由輸入孔口360加載到樣本處理裝置300上的與相對應(yīng)樣本相同的通路303中。在一些實施例中，試劑可包括可在希望的時間加載用于給定化驗的完整試劑cocktail或mastermix。但是，在一些實施例中，試劑可包括根據(jù)特定化驗的需要在不同時間加載的多個部分。已經(jīng)指出了特別的優(yōu)點，其中試劑呈化驗cocktail或mastermix的形式，使得特定化驗所需的所有酶、熒光標(biāo)記、探針等能夠(由非專業(yè)的使用者)一次加載，并且隨后在適當(dāng)?shù)臅r間計量和遞送(通過樣本處理裝置300)到樣本。在試劑加載到樣本處理裝置300上之后，樣本處理裝置300可繞旋轉(zhuǎn)軸線A-A旋轉(zhuǎn)，將試劑(例如，通過一個或更多個擋板366)引導(dǎo)到計量儲集器368。計量儲集器368被構(gòu)造成保留或保持選定體積的材料，任何過量的材料被引導(dǎo)至廢品儲集器370。在一些實施例中，輸入腔室365或其一部分可被稱作“第一腔室”、“第一處理腔室”，而檢測腔室350可被稱作“第二腔室”或“第二處理腔室”。如圖21所示，計量儲集器368包括朝向樣本處理裝置300的中心301和旋轉(zhuǎn)軸線A-A定位的第一端372和遠(yuǎn)離中心301和旋轉(zhuǎn)軸線A-A定位的第二端374(即，在第一端372的徑向外部)，使得在樣本處理裝置300旋轉(zhuǎn)時，迫使試劑朝向計量儲集器368的第二端374。限定計量儲集器368的第二端374的一個或更多個擋板或壁366可包括被布置成限定選定體積的基底373和側(cè)壁376(例如部分側(cè)壁)。側(cè)壁376被布置成和成形為允許超過選定體積的任何體積從側(cè)壁376溢出并且流出到廢品儲集器370。因此，廢品儲集器370的至少一部分可位于計量儲集器368或輸入腔室365的剩余部分徑向外部，以便于在樣本處理裝置300旋轉(zhuǎn)時將過量提及的材料移動到廢品儲集器370中，并且抑制過量體積的材料移動回到計量儲集器368。換言之，繼續(xù)參考圖21，輸入腔室365可包括：一個或更多個第一擋板336A，其被定位成將來自輸入孔口360的材料朝向計量儲集器368引導(dǎo)；以及，一個或多個第二擋板366B，其被定位成容納選定體積的流體和/或?qū)⒊^選定體積的流體引導(dǎo)至廢品儲集器370中。如圖所示，基底373可包括形成于其中的開口或流體路徑378，開口或流體路徑378可被構(gòu)造成形成毛細(xì)管閥380的至少一部分。毛細(xì)管閥380和計量儲集器368的功能可與通路303的樣本處置側(cè)311的毛細(xì)管閥330和計量儲集器318相同。此外，流體路徑378的縱橫比和其范圍可與上文關(guān)于毛細(xì)管閥330所描述的相同。如圖17、圖19和圖21所示，在一些實施例中，試劑計量儲集器368可被構(gòu)造成保持大于樣本計量儲集器318的體積。因此，特定化驗所需要的所希望的(和相對較小的)體積的樣本可由樣本計量儲集器318保持并且向下游發(fā)送(例如，經(jīng)由閥調(diào)結(jié)構(gòu)330、332和分配通道340)到檢測腔室350用于處理，并且特定化驗(或其步驟)所需的所希望的(和相對較大的)體積的試劑可由試劑計量儲集器368保持，并且經(jīng)由現(xiàn)將描述的結(jié)構(gòu)向下游發(fā)送到檢測腔室350用于處理。類似于樣本處置側(cè)311，在試劑處置側(cè)361上的毛細(xì)管閥380可與隔膜閥382串聯(lián)布置。隔膜閥382可包括閥腔室384和閥隔片386。如在上文中關(guān)于隔片336所描述的，隔片386可在樣本處理裝置300中位于閥腔室384與一個或更多個下游流體結(jié)構(gòu)之間，并且隔片386可包括閉合配置和打開配置，并且在完整時可防止流體(即，液體)在閥腔室384與任意下游流體結(jié)構(gòu)之間流動。閥隔片386可包括上文關(guān)于閥隔片336所描述的材料中的任意材料或者由其形成，并且可具有類似的構(gòu)造和操作。在一些實施例中，試劑閥隔片386可易受與樣本閥隔片336不同的波長或波長范圍的電磁能的影響，但在一些實施例中，兩個閥隔片336和386可基本上相同并且易受相同電磁能影響使得一個能源(或激光器)可用于打開在樣本處理裝置300上的所有隔膜閥330和380。已經(jīng)在閥隔片386中形成了開口或空隙后，閥腔室384經(jīng)由閥隔片386中的空隙與下游流體結(jié)構(gòu)諸如檢測腔室350流體連通，其中，試劑可與樣本組合。在已經(jīng)將試劑加載到通路303的試劑處置側(cè)361中后，第二輸入孔口360可閉合、密封和/或塞住。因此，樣本處理裝置300可在處理期間與周圍環(huán)境密封隔離或者“不通風(fēng)”。在圖16至圖22所示的實施例中，相同的均衡通道355可便于流體在樣本處置側(cè)311和試劑處置側(cè)361上在下游方向上移動，以輔助將樣本和試劑兩者移動到檢測腔室350，這可同時或不同時發(fā)生。閥隔片386的下游側(cè)(即，其面向圖示樣本處理裝置300的頂表面306，參看圖20)面向并且最終通向(即，在閥隔片386中形成了開口或空隙后)分配通道390，分配通道390流體地聯(lián)接閥腔室384(和最終輸入腔室365，并且具體地，計量儲集器368)與檢測腔室350。類似于均衡通道355和樣本分配通道340，分配通道390可由在基板302的頂表面306和/或底表面309上的一系列通道和在頂表面306與底表面309之間延伸的一個或更多個貫通孔形成，貫通孔可有助于穿過基板302的頂表面306中的臺階部。例如，如圖20和圖21所示，在一些實施例中，分配通道390可包括：第一通道或第一部分392(參看圖20)，其沿著基板302的中間臺階313的頂表面306延伸；第一貫通孔394(參看圖20和圖21)，其從頂表面306延伸到底表面309；第二通道或第二部分396(參看圖21)，其沿著底表面309延伸以避免穿過臺階狀頂表面306；第二貫通孔397(參看圖20和圖21)，其從底表面309延伸到頂表面306；以及第三通道或第三部分398(參看圖20)，其沿著頂表面306延伸并且流注到檢測腔室350。力可施加到試劑上以使之從輸入腔室365(即計量腔室368)，通過流體路徑378，移動到閥腔室384，通過在閥隔片386中的空隙，沿著分配通道390移動到檢測腔室350，在檢測腔室350中，試劑與樣本可組合。如上文所提到的那樣，這樣的力可為通過使樣本處理裝置300例如繞旋轉(zhuǎn)軸線A-A旋轉(zhuǎn)而生成的離心力，但這樣的力也可由壓差(例如，正壓和/或負(fù)壓)和/或重力形成。在適當(dāng)力下，試劑可穿過各個流體結(jié)構(gòu)，包括貫通孔，最終駐留在檢測腔室350中。特別地，如由計量儲集器368(即，擋板366和廢品儲集器370)控制的選定體積的試劑將在打開隔膜閥382之后移動到檢測腔室350，并且充分的力施加到試劑上以移動試劑通過毛細(xì)管閥380的流體路徑378。在圖16至圖22所示的實施例中，閥隔片386位于閥腔室384與檢測(或處理)腔室350之間，并且具體地位于閥腔室384與通往檢測腔室350的分配通道390之間。雖然僅以舉例說明的方式示出了分配通道390，應(yīng)了解在某些實施例中，閥腔室384可直接通向檢測腔室350，使得閥隔片386直接位于閥腔室384與檢測腔室350之間。此外，在一些實施例中，既不采用樣本分配通道340也不采用試劑分配通道390，或者僅采用分配通道340、390中的一個，而不是如在圖16至圖22中所示的兩者。樣本處理裝置300用于示例2和示例3以及圖31中。圖23示出了根據(jù)本公開的另一實施例的另一樣本處理裝置400的一個通路403，其中類似的附圖標(biāo)記表示類似的元件。樣本處理裝置400的許多元件和特征結(jié)構(gòu)與上文參考圖16至圖22的圖示實施例所描述的相同。因此，與圖16至圖22的圖示實施例中的元件和特征結(jié)構(gòu)對應(yīng)的元件和特征結(jié)構(gòu)在400系列中具備相同的附圖標(biāo)記。關(guān)于圖23所示的實施例的特征結(jié)構(gòu)和元件(和這樣的特征結(jié)構(gòu)和元件的替代物)的更全面的描述，參考上文所伴隨的圖16至圖22的描述。樣本處理裝置400也通常為圓形或圓盤形，并且一個通路403在圖23中僅以舉例說明的方式示出。樣本處理裝置400包括中心401，樣本處理裝置400可繞中心401旋轉(zhuǎn)以移動材料通過該樣本處理裝置400。樣本處理裝置400包括樣本處置側(cè)411和試劑處置側(cè)461。樣本處理裝置400包括底表面409在圖23中示出的基板402并且還可包括第一層和第二層(包括預(yù)使用層)，諸如在上文中關(guān)于圖16至圖22的樣本處理裝置300所描述的那些。樣本處理裝置400可包括穿過基板402形成的槽475或者用于相對于電磁能源、光學(xué)模塊等歸位和定位樣本處理裝置400的其它結(jié)構(gòu)(例如，反射性凸舌等)，如在上文中關(guān)于圖12至圖14所述。每一側(cè)411、461包括輸入孔口410、460，輸入腔室415、465和分配通道440、490，分配通道440、490用于分別將樣本和試劑運(yùn)輸?shù)綑z測腔室450，在檢測腔室450中，組合樣本與試劑。如在圖23中所示，在一些實施例中，試劑輸入腔室465的大小可大于樣本輸入腔室415以容納比樣本更大體積的試劑。不同于樣本處理裝置300，樣本處理裝置400不包括具體的計量或閥調(diào)結(jié)構(gòu)。但是，分配通道440、490的入口的橫截面積相對于相應(yīng)輸入腔室415、465的體積的縱橫比可與上文關(guān)于樣本處理裝置300的流體路徑328所描述的縱橫比相同，使得能控制樣本和/或試劑從輸入腔室415、465轉(zhuǎn)移到檢測腔室450的時機(jī)。此外，樣本分配通道440的縱橫比可無需與試劑分配通道490的縱橫比相同，使得即使樣本和試劑同時被加載到樣本處理裝置400上，樣本和試劑仍可取決于施加在材料上的力(例如，由于旋轉(zhuǎn)速度)在不同的時間轉(zhuǎn)移到檢測腔室450。在一些實施例中，樣本可首先被加載到樣本處理裝置400上，并且通過使樣本處理裝置400自旋而轉(zhuǎn)移到檢測腔室450，并且然后可加載試劑，并且可使樣本處理裝置400自旋以將試劑轉(zhuǎn)移到檢測腔室450，在檢測腔室450中，試劑可與樣本組合，并且可選地被熱處理。在某些情況下，圖23的樣本處理裝置400可用于測試處理和系統(tǒng)，以判斷材料或選定體積的材料是否存在于樣本處理裝置的特定腔室中，因為去除了變量，即計量和閥調(diào)結(jié)構(gòu)。樣本處理裝置400用于示例1和圖27至圖30中。包括示例性樣本處理裝置的示例性圓盤處置系統(tǒng)本公開的樣本處理系統(tǒng)的一些實施例可包括圓盤處置系統(tǒng)。這樣的圓盤處置系統(tǒng)可包括底板(例如先前所描述的旋轉(zhuǎn)平臺25)，其附連到驅(qū)動系統(tǒng)上使得提供底板繞旋轉(zhuǎn)軸線的旋轉(zhuǎn)。當(dāng)樣本處理裝置被固定到底板上時，樣本處理裝置可隨著底板旋轉(zhuǎn)。底板可包括至少一個熱結(jié)構(gòu)，熱結(jié)構(gòu)可用于加熱樣本處理裝置的部分并且也可包括多種其它部件，例如溫度傳感器、電阻加熱器、熱電模塊、光源、光檢測器、傳輸器、接收器等。用于處理樣本處理和/或處置裝置的系統(tǒng)和方法的其它元件和特征結(jié)構(gòu)可見于美國專利申請公開No.2011/0117607中，其以全文引用的方式結(jié)合到本文中。在圖24中示出了一個說明性圓盤處置系統(tǒng)500。圖24所示的系統(tǒng)500大體上被構(gòu)造用于處置樣本處理裝置(例如，樣本處理裝置300)，包括使樣本處理裝置旋轉(zhuǎn)和將樣本處理裝置定位于相對于樣本處理裝置的其他部件12(例如，光學(xué)模塊等，在圖24中并未示出)的特定位置。此外，系統(tǒng)500可被構(gòu)造成加熱和/或冷卻樣本處理裝置，例如用于熱處理。如圖24所示，系統(tǒng)500可包括底板510，底板510繞旋轉(zhuǎn)軸線511旋轉(zhuǎn)。底板510也例如經(jīng)由軸522附連到例如驅(qū)動系統(tǒng)520。但應(yīng)了解底板510可通過任何合適的替代布置，例如直接在底板510上操作的皮帶或驅(qū)動輪等聯(lián)接到驅(qū)動系統(tǒng)520。在圖24中還描繪了樣本處理裝置300和環(huán)形覆蓋物560，環(huán)形覆蓋物560可結(jié)合底板510使用。在一些實施例中，本公開的圓盤處置系統(tǒng)和/或樣本處理系統(tǒng)可實際上不包括樣本處理裝置，因為在某些情形下樣本處理裝置為消耗裝置，其用于執(zhí)行多種測試等并且然后被丟棄。因此，本公開的系統(tǒng)可用于多種不同的樣本處理裝置，并且樣本處理裝置300僅以舉例說明的方式示出。如圖24所示，所描繪的底板510包括熱結(jié)構(gòu)530，熱結(jié)構(gòu)530可包括在底板510的頂表面512上暴露的熱傳遞表面532?！氨┞丁北硎緹峤Y(jié)構(gòu)530的傳遞表面532可放置成與樣本處理裝置300的一部分物理接觸，使得熱結(jié)構(gòu)530和樣本處理裝置550熱聯(lián)接以經(jīng)由傳導(dǎo)來傳遞熱能。在一些實施例中，熱結(jié)構(gòu)530的傳遞表面532在樣本處理期間可位于樣本處理裝置300的選定部分的正下方。例如，在一些實施例中，樣本處理裝置300的選定部分可包括一個或更多個處理腔室，例如處理腔室350，其可被認(rèn)為是“熱處理腔室”。處理腔室，例如可包括在名稱為“ENHANCEDSAMPLEPROCESSINGDEVICESSYSTEMSANDMETHODS”的美國專利No.6,734,401(Bedingham等人)中所討論的那些。舉出另一例子，樣本處理裝置300可包括各種特征結(jié)構(gòu)和元件，諸如在名稱為“COMPLIANTMICROFLUIDICSAMPLEPROCESSINGDISKS”的美國專利公告No.2007/0009391(Bedingham等人)中所描述的特征結(jié)構(gòu)和元件。因此，僅舉例而言，樣本處理裝置300的輸入腔室315、365可有時被稱作“非熱”腔室或“非熱”處理腔室，其被定位成與熱處理腔室350流體連通。樣本可加載到樣本處理裝置300上，并且經(jīng)由通道(例如，微流體通道)和/或閥移動到其它腔室和/或最終到熱處理腔室350，如在上文中關(guān)于圖16至圖22所描述的。在一些實施例中，如圖24所示，輸入孔口310、360可定位于樣本處理裝置300的中心301與熱處理腔室350中的至少一個熱處理腔室之間。此外，環(huán)形覆蓋物560可被構(gòu)造成允許接入樣本處理裝置300的包括輸入孔口310、360的一部分，使得當(dāng)覆蓋物560鄰近樣本處理裝置300定位或者聯(lián)接到樣本處理裝置300時可接入輸入孔口310、360。如圖24所示，環(huán)形覆蓋物560以及底板510擠壓位于它們之間的樣本處理裝置300，例如以促進(jìn)在底板510上的熱結(jié)構(gòu)530與樣本處理裝置300之間的熱耦合。此外，環(huán)形覆蓋物560可用于將樣本處理裝置300保持和/或維持在底板510上，使得當(dāng)?shù)装?10通過驅(qū)動系統(tǒng)520繞軸線511旋轉(zhuǎn)時，樣本處理裝置300和/或覆蓋物560可隨著底板510旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)軸線511可限定系統(tǒng)500的z軸。如本文所用的術(shù)語“環(huán)形”或其派生詞可指具有外邊緣和內(nèi)邊緣使得內(nèi)邊緣限定開口的結(jié)構(gòu)。例如，環(huán)形覆蓋物可具有環(huán)形或圓形的形狀(例如，圓環(huán))或者任何其它合適形狀，包括但不限于三角形、矩形、正方形、梯形、多邊形等或其組合。而且，本發(fā)明的“環(huán)形”未必為對稱的，而是可為不對稱的或不規(guī)則的形狀；但是利用對稱和/或圓形的形狀，某些優(yōu)點也是可能的?？墒褂枚喾N不同的結(jié)構(gòu)或結(jié)構(gòu)的組合來實現(xiàn)在底板510與覆蓋物560之間產(chǎn)生的擠壓力。描繪于圖24的實施例中的一個示例性擠壓結(jié)構(gòu)包括位于(或至少操作地聯(lián)接于)覆蓋物560上的磁性元件570和位于(或至少操作性地聯(lián)接到)底板510上的相對應(yīng)的磁性元件572。在磁性元件570與572之間的磁性吸引可用于將覆蓋物560和底板510拉向彼此，從而擠壓、保持和/或使位于它們之間的樣本處理裝置300變形。因此，磁性元件570和572可被構(gòu)造成彼此吸引以沿著系統(tǒng)500的z軸在第一方向D1上推動環(huán)形覆蓋物560，使得樣本處理裝置300的至少一部分被推壓成與底板510的傳遞表面532接觸。如本文所用的“磁性元件”為表現(xiàn)出磁場或者受到磁場影響的結(jié)構(gòu)或物品。在一些實施例中，磁場可具有足夠的強(qiáng)度以形成所希望的擠壓力，所希望的擠壓力造成在樣本處理裝置300與底板510的熱結(jié)構(gòu)530之間的熱耦合，如在本文中所討論的那樣。磁性元件可包括磁性材料，即，既表現(xiàn)出永磁場的材料，能夠表現(xiàn)出暫時磁場的材料和/或受到永磁場或暫時磁場影響的材料?？赡芎线m的磁性材料的某些示例包括，例如，磁性鐵氧體或“鐵氧體”，其為包括混合鐵氧化物和一種或更多種其它金屬的物質(zhì)，例如納米晶體鈷鐵氧體。但是，也可使用其它鐵氧體材料?？捎糜谙到y(tǒng)500中的其它磁性材料可包括但不限于：陶瓷和由鍶氧化亞鐵制成的柔性磁性材料，其可與聚合物質(zhì)(例如，塑料、橡膠等)組合；NdFeB(該磁性材料也可包括鏑)；硼化釹；SmCo(釤鈷)；以及鋁、鎳、鈷、銅、鐵、鈦等的組合；以及其它材料。磁性材料也可包括，例如，不銹鋼、順磁性材料或通過使可磁化的材料經(jīng)受充分的電場和/或磁場而具有充分的磁性的其它可磁化的材料。在一些實施例中，磁性元件570和/或磁性元件572可包括強(qiáng)鐵磁材料以減輕隨著時間的磁化損失，使得磁性元件570和572可以以可靠的磁力聯(lián)接，而不會使得該力隨著時間顯著損失。而且，在一些實施例中，本公開的磁性元件可包括電磁體，其中，可在第一磁性狀態(tài)與第二非磁性狀態(tài)之間接通和切斷磁場以在需要時在所希望的配置中在系統(tǒng)500的各個區(qū)域中激活磁場。在一些實施例中，磁性元件570和572可為操作地聯(lián)接到覆蓋物560和底板510的離散物品，如在圖24中所描繪的那樣(其中，磁性元件570和572分別為圓柱形的物品)。但是，在一些實施例中，底板510、熱結(jié)構(gòu)530和/或覆蓋物560可包括具有充分磁性的材料(例如，模制或以其它方式設(shè)置于部件的結(jié)構(gòu)中)，使得不需要單獨離散的磁性元件。在一些實施例中，可采用離散磁性元件和具有充分磁性的材料(例如，模制或以其它方式)的組合。如圖24所示，環(huán)形覆蓋物560包括：中心501，在圖示實施例中，當(dāng)覆蓋物560聯(lián)接到底板510時，中心501與旋轉(zhuǎn)軸線511對齊；內(nèi)邊緣563，其至少部分地限定開口566；以及外邊緣565。如上文所描述的那樣，開口566可便于接入樣本處理裝置300的至少一部分(例如，包括輸入孔口310、360的一部分)，例如，甚至當(dāng)環(huán)形覆蓋物560鄰近樣本處理裝置300定位或聯(lián)接到樣本處理裝置300時也是如此。如圖24所示，環(huán)形覆蓋物560的內(nèi)邊緣563可被構(gòu)造成，例如當(dāng)環(huán)形覆蓋物560鄰近樣本處理裝置300定位時，相對于環(huán)形覆蓋物560的中心501定位于熱處理腔室350的內(nèi)部(例如，徑向內(nèi)部)。此外，環(huán)形覆蓋物560的內(nèi)邊緣563可被構(gòu)造成定位于輸入孔口310、360的徑向外部。而且，在一些實施例中，如圖24所示，環(huán)形覆蓋物560的外邊緣565可被構(gòu)造成定位于熱處理腔室350的外部(例如，徑向外部)(并且也位于輸入孔口310、360的外部)。內(nèi)邊緣563可被定位成離環(huán)形覆蓋物560的中心501第一距離d1(例如，第一徑向距離或“第一半徑”)。在這樣的實施例中，如果環(huán)形覆蓋物560具有基本上圓環(huán)形狀，則開口566可具有等于第一距離d1兩倍的直徑。此外，外邊緣565可定位成離環(huán)形覆蓋物560的中心501第二距離d2(例如，第二徑向距離或“第二半徑”)。此外，環(huán)形覆蓋物560可包括內(nèi)壁562(例如，“內(nèi)周向壁”或“內(nèi)徑向壁”，在一些實施例中，其可充當(dāng)內(nèi)部擠壓環(huán)，如上文所描述)和外壁564(例如，“外周向壁”或“外徑向壁”，在一些實施例中，其可充當(dāng)外擠壓環(huán)，如在下文中所描述)。在一些實施例中，內(nèi)壁562和外壁564可分別包括或限定內(nèi)邊緣563和外邊緣565，使得內(nèi)壁562可定位于熱處理腔室350的內(nèi)部(例如，徑向內(nèi)部)并且外壁564可定位于熱處理腔室350的外部(例如，徑向外部)。如在圖24中進(jìn)一步示出，在一些實施例中，內(nèi)壁562可包括磁性元件570，使得磁性元件570形成內(nèi)壁562的一部分或聯(lián)接到內(nèi)壁562。例如，在一些實施例中，磁性元件570可嵌入(例如，模制)于內(nèi)壁562中。如圖24所示，環(huán)形覆蓋物560還可包括上壁567，上壁567可定位成覆蓋樣本處理裝置300的一部分，諸如包括熱處理腔室350的一部分。在一些實施例中，上壁567可在內(nèi)壁562和磁性元件570的內(nèi)部(例如，徑向內(nèi)部)延伸。在圖24所示的實施例中，上壁567并不在內(nèi)壁562內(nèi)部延伸太遠(yuǎn)。但是，在一些實施例中，例如，上壁567可在內(nèi)壁562和/或磁性元件570的內(nèi)部較遠(yuǎn)地延伸(例如，朝向覆蓋物560的中心501)，使得開口566的大小小于圖24所描繪的開口大小。而且，在一些實施例中，上壁567可限定內(nèi)邊緣563和/或外邊緣565。在一些實施例中，覆蓋物560的至少一部分，諸如內(nèi)壁562、外壁564和上壁567中的一個或更多個可為光學(xué)透明的。如本文所用的術(shù)語“光學(xué)透明”可指對于從紅外到紫外光譜(例如，從約10nm至約10μm(10,000nm))的電磁輻射透明的物體；但是，在一些實施例中，術(shù)語“光學(xué)透明”可指對于可見光譜(例如，約400nm至約700nm)的電磁輻射透明的物體。在一些實施例中，術(shù)語“光學(xué)透明”可指透射上述波長范圍內(nèi)的至少約80％的物體。這樣的環(huán)形覆蓋物560的構(gòu)造可用于當(dāng)覆蓋物560聯(lián)接到樣本處理裝置300或鄰近樣本處理裝置300定位時有效地或基本上隔離樣本處理裝置300的熱處理腔室350。例如，覆蓋物560可物理地、光學(xué)地和/或熱隔離樣本處理裝置300的一部分，諸如包括熱處理腔室350的一部分。在一些實施例中，樣本處理裝置300可包括一個或更多個熱處理腔室350，并且另外在一些實施例中，一個或更多個熱處理腔室350可被布置于圍繞樣本處理裝置300的中心301的環(huán)形空間中，其可有時被稱作“環(huán)形處理圈”。在這樣的實施例中，環(huán)形覆蓋物560可適于覆蓋和/或隔離樣本處理裝置300的包括環(huán)形處理圈或熱處理腔室350的一部分。例如，環(huán)形覆蓋物56包括內(nèi)壁562，外壁564和上壁567以覆蓋和/或隔離樣本處理裝置300的包括熱處理腔室350的部分。在一些實施例中，內(nèi)壁562、外壁564和上壁567中的一個或更多個可為連續(xù)的壁，如圖所示，或者可由多個部分形成，多個部分一起充當(dāng)內(nèi)壁或外壁(或者內(nèi)擠壓圈或外擠壓圈)或者上壁。在一些實施例中，當(dāng)內(nèi)壁562、外壁564和上壁567中的至少一個為持續(xù)壁時，可獲得增強(qiáng)的物理和/或熱隔離。此外，在一些實施例中，環(huán)形覆蓋物560覆蓋和有效地?zé)岣綦x熱處理腔室350與周圍環(huán)境和/或系統(tǒng)500的其它部分的能力可為重要的，因為否則，在底板510和樣本處理裝置300繞旋轉(zhuǎn)軸線511旋轉(zhuǎn)時，可使空氣快速地移動經(jīng)過熱處理腔室350，其例如可能會在希望加熱腔室350時不當(dāng)?shù)乩鋮s熱處理腔室350。因此，在一些實施例中，取決于樣本處理裝置300的構(gòu)造，內(nèi)壁562、上壁567和外壁564中的一個或更多個對于熱隔離而言可為重要的。如圖24所示，在一些實施例中，樣本處理裝置300的基板302可包括外唇緣、外凸緣或外壁395。在一些實施例中，如圖所示，外壁395可包括適于與底板510合作的一部分391和適于與環(huán)形覆蓋物560合作的一部分399。例如，如圖所示，環(huán)形覆蓋物560(例如，外壁564)的尺寸可適于接納于由樣本處理裝置300的外壁395限定的區(qū)域內(nèi)。因此，在一些實施例中，樣本處理裝置300的外壁395可與環(huán)形覆蓋物560合作，以覆蓋和/或隔離熱處理腔室350。這樣的合作也可便于環(huán)形覆蓋物560相對于樣本處理裝置300定位，使得熱處理腔室350可受到保護(hù)并且被覆蓋，而無需環(huán)形覆蓋物560下壓或接觸熱處理腔室350中的任一個。在一些實施例中，樣本處理裝置300的外壁395和樣本處理裝置300的一個或更多個臺階313(例如，圖24所示的中部臺階313)可有效地限定樣本處理裝置300中(例如，在樣本處理裝置300的頂表面中)的凹部(例如，環(huán)形凹部)353，環(huán)形覆蓋物560的至少一部分定位于凹部353中。例如，如圖24所示，當(dāng)環(huán)形覆蓋物560定位于樣本處理裝置300上或聯(lián)接到樣本處理裝置300時，內(nèi)壁562(例如，包括磁性元件570)和外壁564可定位于樣本處理裝置300的凹部353中。因此，在一些實施例中，外壁395、臺階313和/或凹部353可提供覆蓋物560相對于樣本處理裝置300的可靠定位。在一些實施例中，如圖所示，覆蓋物560的磁性元件570可形成在內(nèi)壁562的至少一部分處或聯(lián)接到內(nèi)壁562，使得磁性元件570可充當(dāng)內(nèi)擠壓圈562的至少一部分，以抵靠底板510的熱結(jié)構(gòu)530的熱傳遞表面532擠壓、保持和/或使樣本處理裝置300變形。如圖24所示，磁性元件570和572中的一個或兩個可布置于例如圍繞旋轉(zhuǎn)軸線511的環(huán)形空間中。而且，在一些實施例中，磁性元件570和572中的至少一個可包括磁性力圍繞該環(huán)形空間的基本上均勻的分布。此外，磁性元件570的在覆蓋物560中的布置和磁性元件572的在底板510中的相對應(yīng)布置可提供覆蓋物560相對于樣本處理裝置300和底板510中一個或兩個的額外定位輔助。例如，在一些實施例中，磁性元件570和572可各包括磁性元件的交替極性和/或具體構(gòu)造或布置的部段，使得覆蓋物560的磁性元件570和底板510的磁性元件572可相對于彼此“鍵連接”，以允許覆蓋物560相對于樣本處理裝置300和底板510中的至少一個可靠地定位于所希望的方位(例如，相對于旋轉(zhuǎn)軸線511的角位置)。盡管在圖24中并未明確地描繪，但是在一些實施例中，底板510可被構(gòu)造成使得熱結(jié)構(gòu)530暴露在底板510的頂部第一表面512以及底部第二表面514上。通過使熱結(jié)構(gòu)530暴露在底板510的頂表面512(例如，單獨地或者以及底表面514)上，直接熱路徑可設(shè)置于熱結(jié)構(gòu)530的傳遞表面532與位于覆蓋物560和底板510之間的樣本處理裝置300之間。作為替代或作為補(bǔ)充，當(dāng)利用將電磁能引導(dǎo)至底板510的底表面514上的源發(fā)射的電磁能來加熱熱結(jié)構(gòu)530時，在底板510的底表面514上暴露熱結(jié)構(gòu)530可提供優(yōu)點。僅舉例而言，系統(tǒng)500包括電磁能源590，電磁能源590被定位成向熱結(jié)構(gòu)530遞送熱能，其中由源590發(fā)射的電磁能被引導(dǎo)至底板510的底表面514上和熱結(jié)構(gòu)530的在底板510的底表面514上暴露的部分。某些合適電磁能源的示例可包括但不限于激光器、寬帶電磁能源(例如白光)等。雖然系統(tǒng)500被圖示為包括電磁能源590，但是在一些實施例中，可利用能夠向熱結(jié)構(gòu)530遞送熱能的任何合適的能源來控制熱結(jié)構(gòu)530的溫度。結(jié)合本公開使用的并非電磁能源的可能合適能源的示例包括例如珀爾貼元件、電阻加熱器等。系統(tǒng)500為樣本處理系統(tǒng)(例如，圓盤處置系統(tǒng))的一部分的示例，其可被構(gòu)造成保持、處置、旋轉(zhuǎn)、定位和/或熱處理本公開的樣本處理裝置。系統(tǒng)500可合并到圖1至圖15的系統(tǒng)12中。例如，參考圖8，樣本處理裝置300可取代圓盤13，并且系統(tǒng)500可用于相對于系統(tǒng)12的其它部件(例如，在機(jī)架60上)定位樣本處理裝置300。此外，樣本22可位于樣本處理裝置300上的熱處理腔室350中。而且，底板510和驅(qū)動系統(tǒng)520可用作圖1的旋轉(zhuǎn)平臺。因此，從上文的公開和附圖清楚看出本公開的圓盤或樣本處理裝置可如何被保持、處置、旋轉(zhuǎn)、熱處理和/或相對于系統(tǒng)12的其它部件(例如，檢測裝置10)定位。雖然僅以舉例說明的方式，在附圖中示出了本公開的各種實施例，但是應(yīng)了解可使用本文所描述和示出的實施例的多種組合而不偏離本公開的范圍。例如，樣本處理裝置300被示出結(jié)合圖24的系統(tǒng)500使用，但應(yīng)了解圖23的樣本處理裝置400可替代地結(jié)合系統(tǒng)500使用。此外，系統(tǒng)500的各個特征結(jié)構(gòu)可用作圖1至圖15的整個系統(tǒng)12的部分。而且，圖16至圖22的樣本處理裝置300的各個特征結(jié)構(gòu)可用于圖23的樣本處理裝置400并且反之亦然。因此，本公開總體上應(yīng)看作本文所描述的各個特征結(jié)構(gòu)、元件和上述特征結(jié)構(gòu)和元件的替代物以及這樣的特征結(jié)構(gòu)和元件的可能組合。用于判斷選定體積的材料是否存在的處理現(xiàn)將參考圖1至圖15的樣本處理系統(tǒng)12、圖24的系統(tǒng)500和圖16至圖22的樣本處理系統(tǒng)300來描述將樣本和試劑加載到樣本處理裝置中并且檢驗選定體積的樣本是否已經(jīng)移動到檢測腔室350或在檢測腔室350中存在的示例性處理。特別地，將關(guān)于樣本移動來描述樣本處理裝置300的一個通路303。如上文所提到的那樣，為了檢測樣本已經(jīng)移動到或存在于給定通路303的檢測腔室350中，可使用多種方法：(1)可僅在已經(jīng)加載了樣本、已經(jīng)打開任何需要的閥(例如，在通路303的樣本處置側(cè)311上)、并且樣本處理裝置300已經(jīng)旋轉(zhuǎn)以將樣本移動到檢測腔室350后掃描檢測腔室350；(2)可僅在已經(jīng)加載了試劑、已經(jīng)打開任何需要的閥(例如，在通路303的試劑處置側(cè)311上)、并且試劑處理裝置300已經(jīng)旋轉(zhuǎn)以將試劑移動到檢測腔室350后掃描檢測腔室350；(3)可在已經(jīng)加載了樣本和試劑兩者、已經(jīng)打開任何需要的閥(例如，在通路303的兩側(cè)311、361上)，并且樣本處理裝置300已經(jīng)旋轉(zhuǎn)以將樣本和試劑移動到檢測腔室350后掃描檢測腔室350；和/或(4)上述方法中的任意方法的組合。方法(4)的示例可包括在僅轉(zhuǎn)移了試劑后形成檢測腔室350的第一次掃描，并且然后在進(jìn)一步將樣本添加到檢測腔室350之后形成檢測腔室350的第二次掃描，并且然后比較兩次掃描。在下文中描述該示例的進(jìn)一步發(fā)展。在一些實施例中(例如，方法(1))中，檢測裝置10的熒光檢測能力可用于檢測光信號的反向散射反射以檢測在材料中的彎液面層。但是，在一些實施例中，檢測裝置10可檢測來自材料(例如，試劑)中的一個或更多個熒光探針的熒光信號，并且這樣的信號的‘邊緣’(例如峰)將指示在檢測阱中的流體量。然而，在一些實施例中，可采用這些檢測機(jī)制的組合。在任一類型的檢測機(jī)制中(即，反向散射和/或熒光)中，以下列方式中的一個或更多個來掃描檢測腔室350：(a)可在移動樣本(或樣本和試劑)之前和之后從一個徑向端向另一個徑向端掃描檢測腔室350，并且可形成兩次掃描，其表示在移動了材料之前和之后從一端到另一端(例如，其中在這樣的掃描的圖形表示中，x軸可表示機(jī)架或徑向位置)的檢測腔室350；(b)可在將樣本(或者樣本和試劑)移動到檢測腔室350之前和之后，在一個徑向位置掃描檢測腔室350，以判斷當(dāng)材料存在時，掃描是否改變；或者(c)其組合。在任何掃描方法中，可檢測材料的存在或不存在和/或可確定材料量?？稍跇颖咎幚硌b置300旋轉(zhuǎn)時執(zhí)行所有掃描方法以利用在檢測腔室350中存在的任何材料將經(jīng)受離心力的現(xiàn)象，并且所有掃描方法將具有大體上明確限定的并且位于檢測腔室350的徑向最內(nèi)端(或“內(nèi)邊界”)351與徑向最外端(或“外邊界”)352之間的上層(參看圖20)。即，樣本處理裝置300繞旋轉(zhuǎn)軸線A-A的旋轉(zhuǎn)可迫使存在于檢測腔室350中的任何材料定位于檢測腔室350中的更遠(yuǎn)離旋轉(zhuǎn)軸線A-A的位置，使得材料被迫抵靠檢測腔室350的外邊界352。而且，如上文所提到的那樣，如在圖16至圖22的樣本處理裝置300的情況下通過計量，或者如在圖23的樣本處理裝置400的情況下，通過將每一種所希望的體積準(zhǔn)確地加載到輸入阱中，可將所希望體積的樣本和試劑移動到檢測腔室350。因此，系統(tǒng)12可被校準(zhǔn)以使得在檢測腔室350中的徑向位置(例如，圖8的機(jī)架60的機(jī)架位置)與材料體積相關(guān)。如果例如使用方法(1)，并且如果樣本的體積V1(例如，10微升)應(yīng)轉(zhuǎn)移到檢測腔室350，則系統(tǒng)12可被校準(zhǔn)以使得位置P1(例如，徑向或機(jī)架位置，參看圖20)與體積V1相關(guān)，或者可將位置P1選擇成在體積V1的液位以下，或者略微在體積V1的液位以下。在樣本處理裝置300旋轉(zhuǎn)時，這樣的位置P1將與體積V1相關(guān)，使得材料被迫抵靠檢測腔室350的徑向最外壁。如果例如使用方法(2)，并且如果試劑的體積V2(例如，40微升)應(yīng)被轉(zhuǎn)移到檢測腔室350，則系統(tǒng)12可被校準(zhǔn)使位置P2(參看圖20)與體積V2相關(guān)，或者可將位置P2選擇成在體積V2的液位以下，或者略微在體積V2的液位以下。而且，如果使用者知道在使樣本和試劑移動到檢測腔室350后總體積V3(例如，在加載40微升的試劑和10微升的樣本的情況下，50微升的總體積)應(yīng)存在于檢測腔室350中，可校準(zhǔn)系統(tǒng)12使得位置P3(參看圖20)與體積V3相關(guān)，或者位置P3可被選擇成在體積V3的液位以下，或略微在體積V3的液位以下。在一些實施例中，位置P3可在靠近檢測腔室350的內(nèi)邊界351的徑向位置。參考圖20和圖25，在一些實施例中，可利用組合了樣本與試劑之后在試劑中的熒光的稀釋現(xiàn)象來確認(rèn)樣本或選定體積的樣本已經(jīng)大致移動到檢測腔室350。例如，在一些實施例中，可比較第一僅試劑掃描S1(即，從檢測腔室350的外邊界352到內(nèi)邊界351)與第二樣本+試劑掃描S2。因為熒光探針的濃度在將樣本添加到試劑后應(yīng)通常由于信號稀釋而減小，第一次掃描(即，僅試劑)S1的峰值熒光將通常大于第二次掃描(即，樣本+試劑)S2并且具體地在位置P2處的峰值熒光。但是，由于在第一次掃描S1中并無材料存在于位置P3，所以在第一次掃描S1中的位置P3處的信號應(yīng)很低。相反，在第二次掃描S2中，在位置P2處的熒光將由于熒光減小的濃度而減少，但在位置P3處的熒光應(yīng)高于第一次掃描S1的熒光，因為當(dāng)存在樣本與試劑兩者時，材料將存在于位置P3。因此，在位置P2處的兩次掃描S1、S2的熒光之間的差異(或百分比減小)和/或在位置P3處的在兩次掃描S1、S2的熒光之間的差異(或百分比增加)可用于確認(rèn)樣本，或選定體積的樣本是否已經(jīng)移動到檢測腔室350。在一些實施例中，“信號”單位可為相對熒光強(qiáng)度單位，并且在一些實施例中，可為相對于背景信號的百分比變化。為了判斷樣本已經(jīng)移動到檢測腔室350或者已經(jīng)移動了所希望體積的樣本，可在將樣本(或樣本和試劑)移動到檢測腔室350之前和之后掃描檢測腔室350，并且可比較掃描。即，當(dāng)假定檢測腔室350為空的時進(jìn)行第一次“背景掃描”，并且比較該掃描與當(dāng)(i)樣本、(ii)試劑，和/或(iii)樣本與試劑假定存在于檢測腔室350中時的第二次掃描。如果在第一次背景掃描與第二次掃描(例如，在所希望的徑向位置)之間存在閾值變化或差異(例如，百分比變化)，可以確定樣本或選定體積的樣本存在于檢測腔室350中。在一些實施例中，可通過首先確定發(fā)現(xiàn)閾值變化的檢測腔室350中的徑向位置并且然后使徑向位置與一定體積相關(guān)以確定存在于檢測腔室350中的材料體積來確定在檢測腔室350中的材料體積。為了在樣本處理期間避免由于溫度變化而造成的任何可能的光信號漂移，可在進(jìn)行后來掃描的相同處理溫度(例如，在細(xì)胞裂解溫度)進(jìn)行檢測腔室350的背景掃描。但是，在一些實施例中，樣本處理裝置300可能并不以此方式“預(yù)熱”，并且可在室溫進(jìn)行背景掃描。應(yīng)當(dāng)指出的是可在將任何材料(或樣本)加載到樣本處理裝置300中之前或者加載材料之后但在打開任何閥之前(即，在使任何材料移動到檢測腔室350之前)來進(jìn)行背景掃描。將參考圖26來描述示例性處理600的細(xì)節(jié)。僅舉例而言，對于示例性處理600而言，在將樣本處理裝置300定位于系統(tǒng)500上之前，將樣本和試劑都加載到樣本處理裝置300上。但是應(yīng)了解，樣本和試劑可替代地在已經(jīng)獲得了檢測腔室350的背景掃描之后加載到樣本處理裝置300上。通過移除相關(guān)通路303上的預(yù)使用層305并且將原樣本經(jīng)由在通路303的樣本處置側(cè)311上的輸入孔口310注射(例如，移液)到輸入腔室310中來將樣本和試劑加載到樣本處理裝置或“圓盤”300(圖26中的步驟602)。也可在此時加載試劑，因此對于該示例，將假定在此時經(jīng)由在通路303的試劑處置側(cè)361上的輸入孔口360將試劑注入到輸入腔室365中而將試劑也加載到圓盤300上。塞子307或其它適當(dāng)密封件、膜或覆蓋物然后可用于密封孔口310、360與周圍環(huán)境，如上文所描述那樣。例如，在一些實施例中，預(yù)使用層305可簡單地在輸入孔口310、360上被更換。圓盤300可加載到圓盤處置系統(tǒng)500上(步驟604)，并且聯(lián)接于底板510與覆蓋物560之間，使得圓盤300并且具體地檢測腔室(或熱處理腔室)350被推壓成與底板510的傳遞表面532接觸。驅(qū)動系統(tǒng)520可通過操作使得底板510繞旋轉(zhuǎn)軸線511旋轉(zhuǎn)，這使得圓盤300繞其中心301旋轉(zhuǎn)，中心301與旋轉(zhuǎn)軸線511對準(zhǔn)。圓盤300可以以足以迫使樣本和試劑進(jìn)入到其相應(yīng)計量儲集器318、368的第一速度(或速度分布)和第一加速度(或加速度分布)旋轉(zhuǎn)，并且超過所希望體積的任何過量體積被引導(dǎo)至相應(yīng)廢品儲集器320、370(步驟606)。例如，在一些實施例中，第一速度分布可包括下列：圓盤300(i)以第一速度旋轉(zhuǎn)以將材料移動到其相應(yīng)計量儲集器318、368，而不迫使所有材料進(jìn)入到廢品儲集器320、370；(ii)保持一段時間(例如，3秒)；以及(iii)以第二速度旋轉(zhuǎn)以使得大于計量儲集器316、368的體積的任意材料量溢出到廢品儲集器320、370中。這樣的旋轉(zhuǎn)機(jī)制可被稱作“計量分布”、“計量機(jī)制”等，因為其允許材料移動到相應(yīng)計量儲集器318、368中同時確保并不迫使材料完全進(jìn)入到廢品儲集器320、370中。在這樣的示例中，速度和加速度保持低于將造成樣本和/或試劑移動到相應(yīng)流體路徑328、378中并且“濕潤”閥隔片336、386的速度和加速度。因為該速度和加速度分布將足以計量樣本和試劑同時保持低于可能濕潤隔片336、386的速度和加速度，所以該速度和加速度分布可簡單地被描述為“第一”速度和加速度。即，第一速度和加速度不足以迫使樣本或試劑進(jìn)入到相應(yīng)流體路徑328、378中，使得計量的體積的樣本和試劑保留在其相應(yīng)輸入腔室315、365中。計量系統(tǒng)和處理的各個特點和細(xì)節(jié)描述于在2011年5月18日提交的美國專利申請No.61/487,672和在2011年5月25日提交的No.61/490,014中，其中的每一個以全文引用的方式合并到本文中?？稍试S圓盤300繼續(xù)旋轉(zhuǎn)，并且然后可對檢測腔室350進(jìn)行背景掃描，通常遵循在圖15中概述并且在上文中描述的程序(步驟608)。電磁源590可被開啟，使得在圓盤300旋轉(zhuǎn)時，電磁源590加熱熱結(jié)構(gòu)530，并且熱結(jié)構(gòu)530的傳遞表面532通過傳導(dǎo)加熱檢測腔室350。這樣的加熱可充當(dāng)上文所描述的圓盤300的“預(yù)熱”。檢測裝置10并且具體地光學(xué)模塊48、52、56中的一個或更多個光學(xué)模塊可通過機(jī)架60相對于樣本處理裝置300的中心301沿著半徑移動。光學(xué)模塊48將僅以舉例說明的方式描述。光學(xué)模塊48可根據(jù)上文所描述的檢測機(jī)制(即，反向散射和/或熒光)對檢測腔室350進(jìn)行光學(xué)詢問，并且形成從檢測腔室350的徑向最外部位置一直到檢測腔室350的徑向最內(nèi)部位置的背景掃描。替代地，如上文所描述的那樣，光學(xué)模塊48可對檢測腔室350的一個或更多個離散徑向位置(例如，位置P1、P2和/或P3)進(jìn)行詢問。在此時，圓盤300可停止旋轉(zhuǎn)并且樣本隔膜閥332和試劑隔膜閥382中的一個或兩個可打開，例如通過使用激光閥控制系統(tǒng)51在閥隔片336、386中形成空隙。對于該示例而言，將假定在將試劑移動到檢測腔室350之前將進(jìn)行僅樣本掃描，使得將首先打開樣本隔膜閥332(步驟610)。樣本閥隔片336可根據(jù)在圖12和圖14中概述和上文所描述的處理定位和打開，以使輸入腔室315和檢測腔室350經(jīng)由下游方向流體連通。然后可以以足以將樣本移動到流體路徑328(即，足以打開毛細(xì)管閥330并且允許樣本通過它移動)，通過隔片336中形成的開口，通過分配通道340移動到檢測腔室350中的第二速度(或速度分布)和第一加速度(或加速度分布)來旋轉(zhuǎn)圓盤300(步驟612)。同時，在樣本移動到檢測腔室350中時，存在于檢測腔室350中的任何流體(例如，氣體)可移位到均衡通道355中。這種旋轉(zhuǎn)速度和加速度足以將樣本移動到檢測腔室350，但并不足以使試劑移動到毛細(xì)管閥380的流體路徑378中并且濕潤隔片386。然后可旋轉(zhuǎn)圓盤300，通過操作光學(xué)模塊48和機(jī)架60來對檢測腔室350執(zhí)行僅樣本的掃描(步驟614)，如上文所述。在該檢測步驟期間發(fā)生的圓盤300的旋轉(zhuǎn)可為與第二速度和加速度相同或不同的旋轉(zhuǎn)速度和加速度。此外，可在使樣本移動到檢測腔室350后停止圓盤300并且然后再次旋轉(zhuǎn)用于檢測，可在假定樣本已經(jīng)移動到檢測腔室350后使圓盤300簡單地繼續(xù)旋轉(zhuǎn)，或其組合。該步驟也可包括加熱(例如，使用電磁源390和熱結(jié)構(gòu)530)檢測腔室350(例如，75℃)。例如，該加熱步驟可造成樣本中的細(xì)胞裂解。在一些實施例中，重要的是對于該加熱步驟，試劑并不存在于檢測腔室350中，因為熱細(xì)胞裂解所需的溫度可能會使得試劑中存在的必需的酶(例如，逆轉(zhuǎn)錄酶)變性。僅以舉例說明的方式描述了熱細(xì)胞裂解，但應(yīng)了解可替代地使用其它(例如，化學(xué))裂解方案。然后可使圓盤300停止旋轉(zhuǎn)并且可打開試劑隔膜閥382(步驟616)?？赏ㄟ^使用激光閥控制系統(tǒng)51(即，根據(jù)在圖12和圖14中概述的處理)在試劑閥隔片386中形成空隙，使得輸入腔室365經(jīng)由下游方向與檢測腔室350流體連通來打開閥382。然后可以以第二速度(或速度分布)和第二加速度(或加速度分布)或者高于第二速度和加速度的速度和/或加速度旋轉(zhuǎn)圓盤300，以將試劑轉(zhuǎn)移到檢測腔室350(步驟618)。即，旋轉(zhuǎn)速度和加速度可足以將試劑移動到流體路徑378中(即，足以打開毛細(xì)管閥380和允許試劑移動通過它)，通過在隔片386中形成的開口，通過分配通道390移動到檢測腔室350中。同時，在試劑移動到檢測腔室350中時，存在于檢測腔室350中的任何額外流體(例如，氣體)可移位到均衡通道355中。特別地由諸如圓盤300的實施例來允許這種情況，因為當(dāng)圓盤300旋轉(zhuǎn)時，存在于檢測腔室350中的任何液體(例如，樣本)被迫抵靠最外端352，使得存在于檢測腔室350中的任何液體將位于分配通道390和均衡通道355連接到檢測腔室350的位置的徑向外部，從而發(fā)生氣體交換。換言之，當(dāng)圓盤300旋轉(zhuǎn)時，分配通道390和均衡通道350在檢測腔室350中流體液位上游(例如，徑向內(nèi)部)的位置連接到檢測腔室350。處理的步驟618還可包括操作一個或更多個光學(xué)模塊來執(zhí)行檢測腔室350的額外掃描，以判斷材料或選定體積的材料是否存在于檢測腔室350中。例如，在一些實施例中，可獲得背景掃描，可獲得第一僅樣本(或僅試劑)的掃描，并且然后可獲得第二樣本+試劑的掃描。如上文所提到的那樣，這些掃描中的任一個或全部可包括沿著檢測腔室350的全部徑向位置、在多個離散的徑向位置或者在一個離散徑向位置處的掃描。此外，用于將試劑移動到檢測腔室350的旋轉(zhuǎn)步驟可繼續(xù)用于檢測，圓盤300可停止旋轉(zhuǎn)并且然后再次旋轉(zhuǎn)用于檢測，或者其組合。然后，可根據(jù)所希望的反應(yīng)和檢測機(jī)制來根據(jù)需要繼續(xù)圓盤300的旋轉(zhuǎn)(步驟620)。例如，既然試劑存在于檢測腔室350中，檢測腔室350可被加熱到開始逆轉(zhuǎn)錄所需的溫度(例如，47℃)?？筛鶕?jù)需要采用額外熱循環(huán)，諸如PCR所需的加熱和冷卻循環(huán)等?？梢栽诟鱾€處理階段對樣本處理腔室300中的材料施加各種力。如通過在圖26中所報告和上文所描述的速度和加速度機(jī)制而顯而易見的是，可通過控制樣本處理裝置300的旋轉(zhuǎn)速度和加速度分布(例如，角加速度，以每秒的平方的轉(zhuǎn)數(shù)或圈數(shù)來報告(轉(zhuǎn)/秒2))來至少部分地控制這樣的力。一些實施例可包括：(i)第一速度和第一加速度，其可用于計量在樣本處理裝置上的一個或更多個處理陣列100中的流體并且不足以造成流體移動到該樣本處理裝置上的任何處理陣列100的流體路徑128中；(ii)第二速度和第一加速度，其可用于將流體移動到樣本處理裝置上的處理陣列100中的至少一個處理陣列的流體路徑128中(例如，在已經(jīng)打開了下游隔膜閥132并且已經(jīng)釋放了閥腔室134中的汽塞現(xiàn)象的處理陣列100中，同時仍抑制流體流入到下游隔膜閥132并未打開的其余處理陣列100的流體路徑128中)；以及(iii)第三速度和第二加速度，其可用于將流體移動到樣本處理裝置上的所有處理陣列100的流體路徑128中。在一些實施例中，第一速度可不大于約1000rpm，在一些實施例中，不大于約975rpm，在一些實施例中，不大于約750rpm，并且在一些實施例中，不大于約525rpm。在一些實施例中，“第一速度”可實際上包括兩個離散的速度，一個用于將材料移動到計量儲集器118中，而另一個則用于通過溢出計量儲集器118并且允許過量材料移動到廢品儲集器120中而計量材料。在一些實施例中，第一轉(zhuǎn)移速度可為約525rpm，并且第二計量速度可為約975rpm。二者可都以相同的加速度產(chǎn)生。在一些實施例中，第一加速度可不大于約75轉(zhuǎn)/秒2，在一些實施例中，不大于約50轉(zhuǎn)/秒2，在一些實施例中，不大于約30轉(zhuǎn)/秒2，在一些實施例中，不大于約25轉(zhuǎn)/秒2，并且在一些實施例中，不大于約20轉(zhuǎn)/秒2。在一些實施例中，第一加速度可為約24.4轉(zhuǎn)/秒2。在一些實施例中，第二速度可不大于約2000rpm，在一些實施例中，不大于約1800rpm，在一些實施例中，不大于約1500rpm，并且在一些實施例中，不大于約1200rpm。在一些實施例中，第二加速度可至少為約150轉(zhuǎn)/秒2，在一些實施例中，至少約200轉(zhuǎn)/秒2，并且在一些實施例中，至少約250轉(zhuǎn)/秒2。在一些實施例中，第二加速度可為約244轉(zhuǎn)/秒2。在一些實施例中，第三速度可至少為約3000rpm，在一些實施例中，至少約3500rpm，在一些實施例中，至少約4000rpm，并且在一些實施例中，至少約4500rpm。但是，在一些實施例中，第三速度可與第二速度相同，只要速度和加速度分布足以克服在相應(yīng)流體路徑128中的毛細(xì)力即可。應(yīng)當(dāng)指出的是，圖26的處理600可一次用于圓盤300上的一個通路303，或者一個或更多個通路可根據(jù)圖26的處理600同時加載和處理。本公開的以下實施例旨在是說明性的而不是限制性的。實施例實施例1為用于處理樣本處理裝置的方法，該方法包括：提供樣本處理裝置，樣本處理裝置包括檢測腔室；使樣本處理裝置繞旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)；以及在使樣本處理裝置旋轉(zhuǎn)時判斷選定體積的材料是否存在于檢測腔室中。實施例2為實施例1的方法，其中，判斷選定體積的材料是否存在于檢測腔室中包括判斷選定體積的樣本是否存在于檢測腔室中。實施例3為實施例1的方法，其中，判斷選定體積的材料是否存在于檢測腔室中包括判斷選定總體積的樣本和試劑介質(zhì)是否存在于檢測腔室中。實施例4為實施例1至3中的任一項的方法，其中，判斷選定體積的材料是否存在于檢測裝置中包括以光學(xué)方式詢問在選定位置處的檢測腔室以判斷材料是否存在于選定位置。實施例5為實施例1至4中的任一項的方法，其中，判斷選定體積的材料是否存在于檢測腔室中包括向檢測腔室光學(xué)詢問樣本的光學(xué)性質(zhì)以判斷樣本是否存在于檢測腔室中。實施例6為實施例1至5中的任一項的方法，其中，檢測腔室包括最靠近旋轉(zhuǎn)軸線定位的內(nèi)邊界，并且其中，判斷選定體積的材料是否存在于檢測腔室中包括在靠近檢測腔室的內(nèi)邊界的機(jī)架位置光學(xué)詢問檢測腔室。實施例7為實施例4至6中的任一項的方法，其中，光學(xué)詢問檢測腔室包括對檢測腔室光學(xué)詢問彎液面。實施例8為實施例4至7中的任一項的方法，其中，光學(xué)詢問檢測腔室包括：向檢測腔室內(nèi)發(fā)射電磁信號；以及在將電磁信號發(fā)射到檢測腔室內(nèi)后，通過檢測電磁信號的反向散射的反射來獲得掃描。實施例9為實施例8的方法，其中，獲得掃描包括：獲得檢測腔室的第一次背景掃描；在將樣本定位于檢測腔室中后，獲得檢測腔室的第二次掃描；以及比較第一次背景掃描與第二次掃描以判斷選定體積的樣本是否位于檢測腔室中。實施例10為實施例9的方法，其中，比較第一次背景掃描與第二次掃描以判斷選定體積的樣本是否位于檢測腔室中包括判斷在第一次背景掃描與第二次掃描之間是否存在閾值變化。實施例11為實施例10的方法，還包括，提供相對于樣本處理裝置操作性地定位于機(jī)架上的光學(xué)模塊，其中，光學(xué)詢問檢測腔室包括利用相對于旋轉(zhuǎn)軸線在多個徑向位置處的光學(xué)模塊來光學(xué)詢問檢測腔室。實施例12為實施例11的方法，還包括：確定在第一次背景掃描與第二次掃描之間出現(xiàn)閾值變化的徑向位置；以及使用該徑向位置來確定位于檢測腔室中的樣本的體積。實施例13為實施例8至12中的任一項的方法，其中，使用FAM光通道來執(zhí)行通過檢測電磁信號的反向散射反射而獲得掃描。實施例14為實施例4至7中的任一項的方法，其中，光學(xué)詢問包括：向檢測腔室中發(fā)射電磁信號；以及在將電磁信號發(fā)射到檢測腔室中之后，通過檢測由檢測腔室中的材料發(fā)射的熒光來獲得掃描。實施例15為實施例14的方法，其中，獲得掃描包括：獲得檢測腔室的第一次背景掃描；在將樣本定位于檢測腔室中后，獲得檢測腔室的第二次掃描；以及比較第一次背景掃描與第二次掃描以判斷選定體積的樣本是否存在于檢測腔室中。實施例16為實施例15的方法，其中，比較第一次背景掃描與第二次掃描以判斷選定體積的樣本是否位于檢測腔室中包括判斷在第一次背景掃描與第二次掃描之間是否存在熒光的閾值變化。實施例17為實施例16的方法，還包括，提供相對于樣本處理裝置操作性地定位于機(jī)架上的光學(xué)模塊，其中，光學(xué)詢問檢測腔室包括利用相對于旋轉(zhuǎn)軸線在多個徑向位置處的光學(xué)模塊來光學(xué)詢問檢測腔室。實施例18為實施例17的方法，還包括：確定在第一次背景掃描與第二次掃描之間出現(xiàn)熒光的閾值變化的徑向位置；以及使用該徑向位置來確定存在于檢測腔室中的樣本的體積。實施例19為實施例1至18中的任一項的方法，還包括：加熱檢測腔室，其中，判斷選定體積的材料是否存在于檢測腔室中在加熱檢測腔室時發(fā)生。實施例20為實施例4至19中的任一項的方法，其中，光學(xué)詢問包括：以第一波長將電磁信號發(fā)射到檢測腔室中；以及在以第一波長將電磁信號發(fā)射到檢測腔室中后，檢測以第二波長從檢測腔室發(fā)射的電磁信號。實施例21為實施例4至20中的任一項的方法，其中，材料包括待分析的樣本和試劑介質(zhì)，并且其中，光學(xué)詢問檢測腔室包括向檢測腔室詢問檢測腔室中的樣本和試劑介質(zhì)中的至少一者的光學(xué)性質(zhì)。實施例22為實施例4至21中的任一項的方法，還包括提供相對于樣本處理裝置操作性地定位于機(jī)架上的光學(xué)模塊，并且其中，光學(xué)詢問檢測腔室包括利用位于預(yù)定機(jī)架位置的光學(xué)模塊來光學(xué)詢問檢測腔室。實施例23為實施例4至21中的任一項的方法，還包括提供相對于樣本處理裝置操作性地定位于機(jī)架上的光學(xué)模塊，并且其中，光學(xué)詢問檢測腔室包括利用在多個機(jī)架位置處的光學(xué)模塊來光學(xué)詢問檢測腔室。實施例24為實施例23的方法，其中，多個機(jī)架位置中的每一個機(jī)架位置與材料量相關(guān)聯(lián)，并且該方法還包括：檢測在機(jī)架位置處的閾值信號；以及使機(jī)架位置與存在于檢測腔室中的材料的量相關(guān)。實施例25為實施例23或24的方法，其中，多個機(jī)架位置包括相對于旋轉(zhuǎn)軸線在檢測腔室中的不同徑向位置。實施例26為實施例23至25中的任一項的方法，其中，第一機(jī)架位置定位于第二機(jī)架位置的徑向外部。實施例27為實施例11至12、17至18和22至26中的任一項的方法，其中，光學(xué)模塊被構(gòu)造用于進(jìn)行多重?zé)晒鈾z測。實施例28為實施例1至27中的任一項的方法，其中，樣本處理裝置包括多個檢測腔室，并且其中，光學(xué)詢問檢測腔室包括在使樣本處理裝置旋轉(zhuǎn)時光學(xué)詢問多個檢測腔室中的至少一個檢測腔室。實施例29為實施例1至28中的任一項的方法，其中，在判斷選定體積的材料是否存在于檢測腔室中時使樣本處理裝置旋轉(zhuǎn)迫使存在于檢測腔室中的任何材料到達(dá)檢測腔室中的離旋轉(zhuǎn)軸線最遠(yuǎn)定位的位置。實施例30為實施例1至29中的任一項的方法，其中，檢測腔室包括相對于離旋轉(zhuǎn)軸線最遠(yuǎn)定位的外邊界，并且其中，在判斷選定體積的材料是否存在于檢測腔室中時使樣本處理裝置旋轉(zhuǎn)迫使存在于檢測腔室中的任何材料朝向檢測腔室的外邊界。實施例31為實施例1至30中的任一項的方法，其中，樣本處理裝置包括處理陣列，處理陣列包括：輸入腔室；檢測腔室；以及通道，其被定位成流體地聯(lián)接輸入腔室與檢測腔室；并且還包括將樣本定位于樣本處理裝置的輸入腔室中；其中，使樣本處理裝置繞旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)造成樣本向檢測腔室移動。實施例32為實施例31的方法，其中，樣本處理裝置還包括定位于通道中的閥，使得輸入腔室與檢測腔室在閥閉合時并不經(jīng)由通道流體連通，并且當(dāng)閥打開時經(jīng)由通道流體連通，并且該方法還包括打開該閥，其中，使樣本處理裝置繞旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)以將樣本移動到檢測腔室在打開閥之后發(fā)生。實施例33為實施例31或32的方法，其中，使樣本處理裝置繞旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)以將樣本移動到檢測腔室包括計量到達(dá)檢測腔室的選定量的樣本。實施例34為實施例31至33中的任一項的方法，其中，使樣本處理裝置繞旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)以將樣本移動到檢測腔室包括將試劑介質(zhì)移動到檢測腔室。實施例35為實施例1至34中的任一項的方法，其中，判斷選定體積的材料是否存在于檢測腔室中包括光學(xué)詢問檢測腔室。實施例36為用于處理樣本處理裝置的方法，該方法包括：提供包括檢測腔室的樣本處理裝置；使樣本處理裝置繞旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)；以及向檢測腔室光學(xué)詢問材料的光學(xué)性質(zhì)以判斷材料是否存在于檢測腔室中，其中，在使樣本處理裝置旋轉(zhuǎn)時發(fā)生光學(xué)詢問。實施例37為實施例36的方法，其中，檢測腔室形成樣本處理裝置中處理陣列的一部分，并且該方法還包括將樣本定位于樣本處理裝置的處理陣列中。實施例38為實施例36的方法，其中，使樣本處理裝置繞旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)造成樣本向檢測腔室移動。實施例39為用于處理樣本處理裝置的方法，該方法包括：提供包括處理陣列的樣本處理裝置，處理陣列包括：輸入腔室；檢測腔室；以及通道，其被定位成流體地聯(lián)接輸入腔室與檢測腔室；將樣本定位于樣本處理裝置的處理陣列的輸入腔室中；使樣本處理裝置繞旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)以將樣本移動到檢測腔室；在使樣本處理裝置旋轉(zhuǎn)以將樣本移動到檢測腔室之后，向檢測腔室光學(xué)詢問樣本的光學(xué)性質(zhì)以判斷樣本是否已經(jīng)移動到檢測腔室；以及在光學(xué)詢問檢測腔室時使樣本處理裝置旋轉(zhuǎn)。實施例40為實施例39的方法，其中，樣本處理裝置還包括定位于通道中的閥，使得輸入腔室與檢測腔室在閥閉合時并不經(jīng)由通道流體連通，并且當(dāng)閥打開時經(jīng)由通道流體連通，并且該方法還包括打開該閥，其中，使樣本處理裝置繞旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)以將樣本移動到檢測腔室在打開閥之后發(fā)生。實施例41為實施例39或40的方法，其中，使樣本處理裝置繞旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)以將樣本移動到檢測腔室包括計量到達(dá)檢測腔室的選定量的樣本。實施例42為實施例39至41中的任一項的方法，其中，使樣本處理裝置繞旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)以將樣本移動到檢測腔室包括將試劑介質(zhì)移動到檢測腔室。實施例43為實施例39至42中的任一項的方法，其中，在光學(xué)詢問檢測腔室時使樣本處理裝置旋轉(zhuǎn)迫使存在于檢測腔室中的任何材料到達(dá)檢測腔室中的最遠(yuǎn)離旋轉(zhuǎn)軸線的位置。實施例44為實施例39至43中的任一項的方法，其中，檢測腔室包括相對于旋轉(zhuǎn)軸線最遠(yuǎn)定位的外邊界，并且其中，在光學(xué)詢問檢測腔室時使樣本處理裝置旋轉(zhuǎn)迫使存在于檢測腔室中的任何材料朝向檢測腔室的外邊界。實施例45為實施例39至44中的任一項的方法，其中，樣本處理裝置從第一旋轉(zhuǎn)步驟持續(xù)旋轉(zhuǎn)到第二旋轉(zhuǎn)步驟，使得樣本處理裝置在旋轉(zhuǎn)步驟之間并不停止旋轉(zhuǎn)。實施例46為實施例39至45中的任一項的方法，其中，光學(xué)詢問檢測腔室包括對檢測腔室光學(xué)詢問彎液面。實施例47為實施例39至46中的任一項的方法，其中，光學(xué)詢問檢測腔室包括：向檢測腔室中發(fā)射電磁信號；以及在將電磁信號發(fā)射到檢測腔室中后，通過檢測電磁信號的反向散射的反射來獲得掃描。實施例48為實施例47的方法，其中，獲得掃描包括：在使樣本處理裝置旋轉(zhuǎn)以將樣本移動到檢測腔室之前獲得檢測腔室的第一次背景掃描，在使樣本處理裝置旋轉(zhuǎn)以將樣本移動到檢測腔室之后獲得檢測腔室的第二次掃描，以及比較第一次背景掃描與第二次掃描以判斷選定體積的樣本是否位于檢測腔室中。實施例49為實施例48的方法，其中，比較第一次背景掃描與第二次掃描以判斷選定體積的樣本是否位于檢測腔室中包括判斷在第一次背景掃描與第二次掃描之間是否存在閾值變化。實施例50為實施例49的方法，還包括，提供相對于樣本處理裝置操作性地定位的光學(xué)模塊，其中，光學(xué)詢問檢測腔室包括利用相對于旋轉(zhuǎn)軸線在多個徑向位置處的光學(xué)模塊來光學(xué)詢問檢測腔室。實施例51為實施例50的方法，還包括，確定在第一次背景掃描與第二次掃描之間出現(xiàn)閾值變化的徑向位置；以及使用該徑向位置來確定存在于檢測腔室中的樣本的量。實施例52為實施例47至51中的任一項的方法，其中，使用FAM光通道來執(zhí)行通過檢測電磁信號的反向散射反射而獲得掃描。實施例53為實施例39至46中的任一項的方法，其中，光學(xué)詢問包括：向檢測腔室中發(fā)射電磁信號；以及在將述電磁信號發(fā)射到檢測腔室中之后，通過檢測由檢測腔室中的材料發(fā)射的熒光來獲得掃描。實施例54為實施例53的方法，其中，獲得掃描包括：在使樣本處理裝置旋轉(zhuǎn)以將樣本移動到檢測腔室之前獲得檢測腔室的第一次背景掃描，在使樣本處理裝置旋轉(zhuǎn)以將樣本移動到檢測腔室之后獲得檢測腔室的第二次掃描，以及比較第一次背景掃描與第二次掃描以判斷選定體積的樣本是否存在于檢測腔室中。實施例55為實施例54的方法，其中，比較第一次背景掃描與第二次掃描以判斷選定體積的樣本是否存在于檢測腔室中包括判斷在第一次背景掃描與第二次掃描之間是否存在熒光的閾值變化。實施例56為實施例55的方法，還包括，提供相對于樣本處理裝置操作性地定位的光學(xué)模塊，其中光學(xué)詢問檢測腔室包括利用相對于旋轉(zhuǎn)軸線在多個徑向位置處的光學(xué)模塊來光學(xué)詢問檢測腔室。實施例57為實施例56的方法，還包括，確定在所述第一次背景掃描與第二次掃描之間出現(xiàn)熒光的閾值變化的徑向位置；以及使用該徑向位置來確定存在于檢測腔室中的樣本的量。實施例58為實施例39至57中的任一項的方法，還包括加熱檢測腔室，其中，判斷選定體積的材料是否存在于檢測腔室中在加熱檢測腔室時發(fā)生。實施例59為實施例38至58中的任一項的方法，其中，光學(xué)詢問包括：以第一波長將電磁信號發(fā)射到檢測腔室中；以及在以第一波長將電磁信號發(fā)射到檢測腔室中后，檢測以第二波長從檢測腔室發(fā)射的電磁信號。實施例60為實施例39至59中的任一項的方法，其中，樣本包括待分析的樣本和試劑介質(zhì)，并且其中，光學(xué)詢問檢測腔室包括向檢測腔室光學(xué)詢問檢測腔室中的樣本和試劑介質(zhì)中的至少一個的光學(xué)性質(zhì)。實施例61為實施例39至60中的任一項的方法，還包括提供相對于樣本處理裝置操作性地定位于機(jī)架上的光學(xué)模塊，并且其中，光學(xué)詢問檢測腔室包括利用位于預(yù)定機(jī)架位置的光學(xué)模塊來光學(xué)詢問檢測腔室。實施例62為實施例39至61中的任一項的方法，還包括提供相對于樣本處理裝置操作性地定位于機(jī)架上的光學(xué)模塊，并且其中，光學(xué)詢問檢測腔室包括利用在多個機(jī)架位置處的光學(xué)模塊來光學(xué)詢問檢測腔室。實施例63為實施例62的方法，其中，多個機(jī)架位置中的每一個機(jī)架位置與材料量相關(guān)聯(lián)，并且還包括：檢測在機(jī)架位置的閾值信號；以及使機(jī)架位置與存在于檢測腔室中的材料的量相關(guān)。實施例64為實施例62或63的方法，其中，多個機(jī)架位置包括在檢測腔室中的相對于旋轉(zhuǎn)軸線不同徑向位置。實施例65為實施例62至64中的任一項的方法，其中，第一機(jī)架位置定位于第二機(jī)架位置的徑向外部。實施例66為實施例50至51、56至57和61至65中的任一項的方法，其中，光學(xué)模塊被構(gòu)造用于進(jìn)行多重?zé)晒鈾z測。實施例67為實施例39至66中的任一項的方法，還包括光學(xué)詢問檢測腔室以確定存在于檢測腔室中的樣本的量。實施例68為實施例39至67中的任一項的方法，其中，樣本處理裝置包括多個處理陣列和多個檢測腔室，并且其中，光學(xué)詢問檢測腔室包括在使樣本處理裝置旋轉(zhuǎn)時光學(xué)詢問多個檢測腔室中的至少一個檢測腔室。實施例69為用于處理樣本處理裝置的方法，該方法包括：提供包括處理陣列的樣本處理裝置，處理陣列包括：輸入腔室；檢測腔室；以及通道，其被定位成流體地聯(lián)接輸入腔室與檢測腔室；將樣本定位于樣本處理裝置中的至少一個處理陣列的輸入腔室中；以及使樣本處理裝置繞旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)以將樣本移動到檢測腔室；在使樣本處理裝置旋轉(zhuǎn)以將樣本移動到檢測腔室之前，光學(xué)詢問處理陣列的檢測腔室以獲得第一次背景掃描；以及在使樣本處理裝置旋轉(zhuǎn)來將樣本移動到檢測腔室之后，光學(xué)詢問處理陣列的檢測腔室以獲得第二次掃描；在光學(xué)詢問檢測腔室以獲得第二次掃描時使樣本處理裝置繞旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)；以及比較第一次背景掃描與第二次掃描以判斷在第一次背景掃描與第二次掃描之間是否存在閾值變化。實施例70為實施例69的方法，其中，光學(xué)詢問檢測腔室以生成第一次背景掃描和光學(xué)詢問檢測腔室以生成第二次掃描以相同溫度發(fā)生。實施例71為用于處理樣本處理裝置的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括：包括檢測腔室的樣本處理裝置；馬達(dá)，其被構(gòu)造成使樣本處理裝置繞旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)；光學(xué)模塊，其相對于樣本處理裝置操作性地定位，并且被構(gòu)造成判斷選定體積的材料是否存在于樣本處理裝置的檢測腔室中。實施例72為實施例71的系統(tǒng)，其中，光學(xué)模塊被構(gòu)造成在馬達(dá)使樣本處理裝置繞旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)時判斷選定體積的材料是否存在于檢測腔室中。實施例73為實施例71或72的系統(tǒng)，其中，光學(xué)模塊包括多個光通道，并且其中，光通道中的至少一個光通道被構(gòu)造成判斷選定體積的材料是否存在于樣本處理裝置的檢測腔室中。實施例74為實施例71至73中的任一項的系統(tǒng)，其中，樣本處理裝置還包括：輸入腔室；以及通道，其被定位成流體地聯(lián)接輸入腔室與檢測腔室。實施例75為實施例74的系統(tǒng)，其中，樣本處理裝置還包括定位于通道中的閥，其中當(dāng)閥閉合時，輸入腔室與檢測腔室并不經(jīng)由通道流體連通，并且其中當(dāng)閥打開時，輸入腔室和檢測腔室經(jīng)由通道流體連通。實施例76為實施例74或75的系統(tǒng)，其中，輸入腔室包括計量腔室，計量腔室被構(gòu)造成計量到達(dá)檢測腔室的選定量的樣本。實施例77為實施例71至76中的任一項的系統(tǒng)，其中，光學(xué)模塊經(jīng)由機(jī)架相對于樣本處理裝置操作性地定位，并且其中，光學(xué)模塊被構(gòu)造成相對于旋轉(zhuǎn)軸線定位于多個機(jī)架位置處，并且還被構(gòu)造成在多個機(jī)架位置處光學(xué)詢問檢測腔室。實施例78為實施例77的系統(tǒng)，其中，多個機(jī)架位置與在檢測腔室中的相對于旋轉(zhuǎn)軸線的不同徑向位置對應(yīng)。實施例79為實施例77或78的系統(tǒng)，其中，第一機(jī)架位置定位于第二機(jī)架位置的徑向外部。實施例80為實施例71至76中的任一項的系統(tǒng)，其中，光學(xué)模塊經(jīng)由機(jī)架相對于樣本處理裝置操作性地定位，并且其中，光學(xué)模塊被構(gòu)造成相對于旋轉(zhuǎn)軸線定位于多個機(jī)架位置，并且還被構(gòu)造成在預(yù)定機(jī)架位置處光學(xué)詢問檢測腔室。實施例81為實施例80的系統(tǒng)，其中，檢測腔室包括最靠近旋轉(zhuǎn)軸線定位的內(nèi)邊界，并且其中，光學(xué)模塊被構(gòu)造成在靠近檢測腔室的內(nèi)邊界處的機(jī)架位置光學(xué)詢問檢測腔室。實施例82為實施例71至81中的任一項的系統(tǒng)，其中，光學(xué)模塊被構(gòu)造成光學(xué)詢問檢測腔室以判斷選定體積的材料是否存在于檢測腔室中。實施例83為實施例71至82中的任一項的系統(tǒng)，其中，光學(xué)模塊被構(gòu)造用于進(jìn)行多重?zé)晒鈾z測。實施例84為實施例71至83中的任一項的系統(tǒng)，其中，光學(xué)模塊被構(gòu)造成通過向檢測腔室中發(fā)射電磁信號并且檢測電磁信號的反向散射反射來判斷選定體積的材料是否存在于檢測腔室中。實施例85為實施例71至84中的任一項的系統(tǒng)，其中，光學(xué)模塊被構(gòu)造成通過向檢測腔室中發(fā)射電磁信號并且檢測由檢測腔室中的材料發(fā)射的熒光來判斷選定體積的材料是否存在于檢測腔室中。實施例86為實施例71至85中的任一項的系統(tǒng)，其中，光學(xué)模塊被構(gòu)造成通過以第一波長向檢測腔室中發(fā)射電磁信號，并且在以第一波長將所述電磁信號發(fā)射到檢測腔室中后，檢測以第二波長從檢測腔室發(fā)射的電磁信號來判斷選定體積的材料是否存在于檢測腔室中。實施例87為實施例71至86中的任一項的系統(tǒng)，其中，光學(xué)模塊還被構(gòu)造成確定存在于檢測腔室中的材料的量。以下工作示例旨在用于說明本公開而無限制意義。示例示例1示例1展示了在ChannelDevelopmentDisk的檢測腔室中的直接樣本(流體)檢測。材料：樣本：用于病毒、衣原體、支原體和脲原體的Copan通用運(yùn)輸培養(yǎng)基(UTM)，3.0ml管，部件編號330C，批次39P505(CopanDiagnostics,Murrietta,GA)。器械：在上文中描述并且在圖23中示出的可購自明尼蘇達(dá)州的圣保羅的3M公司的“ChannelDevelopmentDisk”在該示例中用作樣本處理裝置或“圓盤”。在該示例中，可購自明尼蘇達(dá)州的圣保羅的3M公司的IntegratedCyclerModel3954與ChannelDevelopmentDisk一起用作樣本處理系統(tǒng)或“儀器”。儀器包含F(xiàn)AM模塊(藍(lán)色LED，475nm激發(fā)濾光器，520nm檢測濾光器)。ChannelDevelopmentDisk的樣本流體檢測分析的過程：1.將空的ChannelDevelopmentDisk添加到IntegratedCycler儀器。2.根據(jù)上文關(guān)于圖14所描述的方法執(zhí)行激光器歸位。3.執(zhí)行所有檢測腔室的背景掃描；初始機(jī)架＝4000至最終機(jī)架＝8000；步長＝100；設(shè)置點溫度＝25℃，使用FAM模塊。4.停止圓盤并且從儀器移除圓盤。5.向圓盤上的不同通路添加各種量的UTM樣本：a.通路5:5μL運(yùn)輸培養(yǎng)基b.通路6:10μL運(yùn)輸培養(yǎng)基c.通路7:15μL運(yùn)輸培養(yǎng)基d.通路8:20μL運(yùn)輸培養(yǎng)基6.將加載的圓盤放回到儀器上。7.執(zhí)行激光器歸位，同樣根據(jù)在上文中關(guān)于圖14所描述的方法。8.根據(jù)以下旋轉(zhuǎn)機(jī)制，經(jīng)由圓盤的旋轉(zhuǎn)將流體加載到檢測腔室中：5個循環(huán)的a.以244轉(zhuǎn)/秒2的加速度加速到4500rpm。b.保持在4500持續(xù)1秒。c.以244轉(zhuǎn)/秒2的減速度減速到750rpm。d.保持在750rpm持續(xù)1秒。9.執(zhí)行樣本檢測掃描；初始機(jī)架＝4000至最終機(jī)架＝9000；步長＝100；設(shè)置點溫度＝25℃，使用FAM模塊。參看圖27：在通路#5的檢測腔室中5μLUTM參看圖28：在通路#6的檢測腔室中10μLUTM參看圖29：在通路#7的檢測腔室中15μLUTM參看圖30：在通路#8的檢測腔室中20μLUTM圖27至圖30分別表示5μL、10μL、15μL和20μL的樣本的彎液面檢測結(jié)果。每幅圖為反向散射強(qiáng)度(任意單位)的掃描與機(jī)架位置的關(guān)系，其中機(jī)架沿徑向向內(nèi)移動，使得隨著機(jī)架從徑向外部位置移動到徑向內(nèi)部位置，機(jī)架位置增加。彎液面造成激發(fā)光束以反向散射強(qiáng)度折射，其表現(xiàn)為在機(jī)架位置6000-7000之間的下降。在FAM模塊中獲得最大和最可靠的測量。下降的量值以背景掃描值的10％至15％變化。圖27所示的5μL的樣本的結(jié)果表明在該較低的流體液位，彎液面不能被可靠地檢測到。但是，在10μL、15μL和20μL的樣本流體液位，可檢測到彎液面。示例2示例2為在ModerateComplexityDisk中自動檢測10μL樣本的最佳機(jī)架位置和閾值的確定。材料：樣本：用于病毒、衣原體、支原體和脲原體的Copan通用運(yùn)輸培養(yǎng)基(UTM)，3.0ml管，部件編號330C，批次39P505(CopanDiagnostics,Murrietta,GA)。器械：可購自明尼蘇達(dá)州的圣保羅的3M公司的、包含F(xiàn)AM模塊(藍(lán)色LED，475nm激發(fā)濾光器，520nm檢測濾光器)的IntegratedCycler儀器、模型3954，和可以產(chǎn)品編號No.3958購自明尼蘇達(dá)州的圣保羅的3M公司、在上文中描述和在圖16至圖22中示出的兩個“ModerateComplexityDisk”在該示例中用作樣本處理裝置或“圓盤”。表示“樣本存在”情況的第一圓盤在通路1-8的樣本端口中被加載50μL的UTM。表示“樣本不存在”情況的第二圓盤并未被加載任何材料。可通過以下過程對兩個圓盤進(jìn)行同樣處理：1.將圓盤放置到IntegratedCycler儀器上。2.執(zhí)行計量：圓盤通過24.4轉(zhuǎn)/秒2的加速度以525rpm旋轉(zhuǎn)，保持5秒，然后通過24.4轉(zhuǎn)/秒2的加速度以975rpm旋轉(zhuǎn)，并且保持5秒。3.執(zhí)行激光器歸位，根據(jù)在圖14中示出和上文所描述的處理。激光器用作高功率密度的激光二極管，部件編號SLD323V，可購自日本東京的Sony公司。4.使用FAM模塊根據(jù)機(jī)架位置(初始機(jī)架＝4000，最后機(jī)架＝9000，步長＝100)對檢測腔室進(jìn)行背景掃描。5.根據(jù)在圖12中示出并且在上文中描述的處理，使馬達(dá)停止并且利用一個800毫瓦(mW)的2秒的激光脈沖打開樣本閥。6.通過24.4轉(zhuǎn)/秒2的加速度以1800rpm旋轉(zhuǎn)圓盤并且保持10秒來將樣本轉(zhuǎn)移到檢測腔室。7.使用FAM模塊，根據(jù)機(jī)架位置來掃描檢測腔室；初始機(jī)架＝4000，最終機(jī)架＝9000，步長＝100。對于在每個圓盤上的每個檢測腔室，根據(jù)FAM模塊的機(jī)架位置來計算來自背景的信號的百分比變化。在下表1中示出了在不同機(jī)架位置的數(shù)據(jù)的一部分。在圓盤1(樣本存在)上的每個檢測腔室在機(jī)架位置5900處具有最大信號變化。在圓盤2(樣本不存在)上的每個檢測腔室在機(jī)架位置5900處具有可忽略的百分比變化；實際上，在所有機(jī)架位置均存在可忽略的百分比變化。計算并且在下表1和2中示出了來自每個圓盤的數(shù)據(jù)的平均和標(biāo)準(zhǔn)偏差。表1示例1圓盤1“樣本存在”表2示例1圓盤2“樣本不存在”數(shù)據(jù)示出在樣本存在圓盤與樣本不存在圓盤之間的顯著差異。通過從圓盤1的機(jī)架位置5900的百分比變化的平均值減去3個標(biāo)準(zhǔn)偏差來計算在臨床化驗中在5900的最佳機(jī)架位置自動檢測樣本存在的閾值。計算閾值12.298-(3×1.814)＝6.85。示例3示例3展示了利用熒光試劑mastermix針對ModerateComplexityDisk的兩種不同的流體檢測方案。材料：樣本：用于病毒、衣原體、支原體和脲原體的Copan通用運(yùn)輸培養(yǎng)基(UTM)，3.0ml管，部件編號330C，批次39P505(CopanDiagnostics,Murrietta,GA)。試劑mastermix：AppliedBiosystems(中美洲，福斯特城)10xPCR緩沖劑，P/N4376230，批號1006020，利用無核酸酶的水稀釋1倍，加入了ROX參比染料，Invitrogen(中美洲，卡爾斯巴德)P/N12223-012，批號786140。最終染料濃度為800nM。器械：可以以產(chǎn)品編號3958購自明尼蘇達(dá)州的圣保羅的3M公司、在上文中描述并且在圖16至圖22中示出的“ModerateComplexityDisk”在該示例中用作樣本處理裝置或“圓盤”。可購自明尼蘇達(dá)州的圣保羅的3M公司、具有FAM模塊(參看示例1和示例2)和CFR610模塊(黃色LED、580nm激發(fā)濾光器和610nm發(fā)射濾光器)的IntegratedCyclerModel3954在該示例中用作樣本處理系統(tǒng)或“儀器”。ModerateComplexityDisk上的樣本和總流體檢測的過程：1.以下列方式來加載圓盤的每個通路：通路樣本輸入試劑輸入150μLUTM空250μLUTM空3空具有ROX的50μLPCR緩沖劑4空具有ROX的50μLPCR緩沖劑550μLUTM具有ROX的50μLPCR緩沖劑650μLUTM具有ROX的50μLPCR緩沖劑7空空8空空2.將加載圓盤定位于儀器上。3.通過以下過程將樣本和試劑流體(10μL樣本和40μL試劑)計量入計量儲集器中：使圓盤通過24.4轉(zhuǎn)/秒2的加速度以525rpm旋轉(zhuǎn)，保持5秒，然后通過24.4轉(zhuǎn)/秒2的加速度以975rpm旋轉(zhuǎn)，并且保持5秒。4.執(zhí)行激光器歸位，根據(jù)在圖4中示出和上文所描述的處理。所用的激光器為可購自日本東京的Sony公司的高功率密度二極管，部件編號SLD323V。5.使用FAM模塊根據(jù)機(jī)架位置(初始機(jī)架＝4000，最終機(jī)架＝9000，步長＝100)來對檢測腔室執(zhí)行背景掃描。6.根據(jù)在圖12中示出并且在上文中描述的處理，停止馬達(dá)并且利用一個800mW的2秒的激光脈沖來打開樣本隔膜閥。7.使圓盤通過24.4轉(zhuǎn)/秒2的加速度以1800rpm旋轉(zhuǎn)，并且保持10秒以將UTM樣本轉(zhuǎn)移到檢測腔室。8.使用FAM模塊，根據(jù)機(jī)架位置來掃描檢測腔室；初始機(jī)架＝4000，最終機(jī)架＝9000，步長＝100。9.根據(jù)上文關(guān)于圖12描述的方法，停止馬達(dá)并且利用一個800mW的2秒的激光脈沖來打開試劑隔膜閥。10.使圓盤通過244轉(zhuǎn)/秒2的加速度以2250rpm旋轉(zhuǎn)，并且保持10秒，以將PCR緩沖劑+ROX試劑轉(zhuǎn)移到檢測腔室。11.使用CFR610模塊，根據(jù)機(jī)架位置來掃描檢測腔室；(初始機(jī)架＝4000，最終機(jī)架＝9000，步長＝100)。方案1：使用FAM模塊的僅樣本的彎液面檢測在將樣本轉(zhuǎn)移到檢測腔室(步驟7)后，使用在步驟8中收集的數(shù)據(jù)來計算在機(jī)架位置5900處彎液面液位處反向散射強(qiáng)度的百分比變化。在示例2中確定的用于自動檢測在檢測腔室中樣本存在的閾值6.85應(yīng)用于表4中示出的百分比變化結(jié)果。如在表4中的結(jié)果所示，準(zhǔn)確地確定在檢測腔室中樣本的存在與否。表4：樣本彎液面檢測，F(xiàn)AM模塊、機(jī)架位置5900方案2：使用CFR610模塊的總流體檢測(樣本+試劑)處理從步驟11采集的CFR610模塊的數(shù)據(jù)用于總流體液位檢測。在該情況下，信號為來自緩沖劑中的ROX染料的熒光。在僅樣本和空的檢測腔室中并無信號。相對于樣本+試劑的情況，從僅試劑(PCR緩沖劑+ROX)檢測到的信號具有更高的峰值和更低的機(jī)架位置，這是因為10μL樣本添加到40μL緩沖劑的稀釋效果，并且更高的體積到達(dá)更靠近檢測腔室的內(nèi)邊緣處。圖31示出了該示例，例如，示出了與檢測腔室1和7相比，檢測腔室3和5的大的％增加。在圖31中省略了通路2、4、6和8，因為它們分別為通路1、3、5和7的復(fù)制品。使用具有含(i)PCR緩沖劑+ROX或(ii)PCR緩沖劑+ROX和樣本的檢測腔室的一系列圓盤來確定最佳機(jī)架位置和閾值以描寫試劑與試劑+樣本腔室關(guān)系的情況，之后為類似于示例2的處理的處理。最佳機(jī)架位置被確定為在僅試劑腔室與試劑+樣本腔室之間的信號最大差異的位置。最佳機(jī)架位置被確定為7600，并且閾值被確定為1398％。在7600的機(jī)架位置并且使用1398％的閾值，準(zhǔn)確地檢測在檢測腔室3和4中50μL的總流體的存在。包含僅10μL樣本(UTM)的檢測腔室1&2；包含僅40μL試劑(PCR緩沖劑+ROX)的檢測腔室3&4；以及空檢測腔室7&8全都具有低于1398閾值的百分比變化值，并且因此指定為并不具有正確的總流體液位。表5示出了使用機(jī)架位置＝7600來將總流體液位檢測方案應(yīng)用于示例3中的圓盤的結(jié)果。表5使用熒光、CFR610在機(jī)架7600處的總流體液位檢測在上文中描述并且在附圖中示出的實施例僅以舉例說明的方式給出，并且預(yù)期并不限制本公開的概念和原理。因此，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將意識到，能夠?qū)υ推錁?gòu)造和布置做出各種變化，而不偏離本公開的精神和范圍。在本文中引用的所有參考和公開明確地以其全文引用的方式合并到本公開中。在所附權(quán)利要求中陳述了本公開的各個特征和方面。