專利名稱:對于用于沉積含鋁金屬膜和含鋁金屬氮化物膜的裝置的清潔方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種對于用于制造半導(dǎo)體元件的裝置的清潔方法，且具體來說，涉及一種對于用于沉積薄膜的裝置反應(yīng)室的干燥清潔方法。
背景技術(shù)：
通常經(jīng)過多個單元操作來制造半導(dǎo)體元件，例如離子植入法、薄膜沉積法、擴(kuò)散法、攝影法和蝕刻法。上述方法中的薄膜沉積法需要改良半導(dǎo)體元件制造方法的重復(fù)性和可靠性。
通過使用濺射法、蒸發(fā)法、化學(xué)氣相沉積法或原子層沉積法來在半導(dǎo)體基板上形成半導(dǎo)體元件薄膜。對于進(jìn)行上述方法用于沉積薄膜的裝置通常包括一反應(yīng)室、一用于向反應(yīng)室內(nèi)供應(yīng)各種氣體的氣體管線和一用于固持半導(dǎo)體基板的基板固持器單元。
在使用用于沉積薄膜的裝置的薄膜形成方法中，將薄膜形成時所產(chǎn)生的反應(yīng)產(chǎn)物不僅沉積于半導(dǎo)體薄膜的表面上，而且沉積于反應(yīng)室內(nèi)表面上。由于用于沉積薄膜以供大規(guī)模生產(chǎn)半導(dǎo)體的裝置處理大量的半導(dǎo)體基板，因此當(dāng)在反應(yīng)產(chǎn)物所沉積的反應(yīng)室內(nèi)進(jìn)行薄膜沉積過程時，反應(yīng)產(chǎn)物剝落，從而產(chǎn)生顆粒物。上述顆粒物可導(dǎo)致在沉積過程中產(chǎn)生品質(zhì)較差的產(chǎn)物，從而降低半導(dǎo)體元件的良率。因此，在預(yù)定時間段之后，或者在完成預(yù)定數(shù)目半導(dǎo)體基板的沉積過程之后，必須清潔反應(yīng)室內(nèi)部。
在對于用于沉積薄膜的裝置的常見清潔方法中，一種方法包括將反應(yīng)室暴露于空氣中，拆卸各組件，通過使用諸如醇的揮發(fā)性物質(zhì)來清潔反應(yīng)室和各組件，及裝配反應(yīng)室，其以所述順序進(jìn)行。然而，上述清潔方法尚未經(jīng)系統(tǒng)性建立，且因此延長了清潔反應(yīng)室所需的時間，從而降低了生產(chǎn)力。
在對于用于沉積薄膜的裝置的清潔方法中，一種干燥清潔方法包括通過使用腐蝕性氣體移除所沉積的物質(zhì)。例如，用于清潔供沉積薄膜的裝置(其沉積硅層、二氧化硅層或氮化硅層)的反應(yīng)室的氣體為全氟化合物氣體，諸如六氟乙烷(C2F6)、八氟丙烷(C3F8)、八氟環(huán)丁烷(C4F8)和六氟化硫(SF6)或三氟化氮(NF3)，且將清潔氣體注入至反應(yīng)室內(nèi)以移除上述層。用于沉積薄膜的裝置在用于沉積氮化鈦(TiN)的情況下，通過使用三氟化氯(ClF3)氣體或通過使用NF3等離子以遠(yuǎn)程等離子法來清潔反應(yīng)室。
近來，已需要一種對于用作擴(kuò)散屏障、電極或加熱元件的氮化鋁鈦(TiAlN)的干燥清潔方法。盡管TiAlN薄膜與TiN薄膜類似，但不同于TiN層，當(dāng)將ClF3氣體用作清潔氣體，或?qū)⒑蟹腘F3或氟(F2)氣體用作清潔氣體時，如圖1所示，殘留氟化鋁(AlF3)的固體殘余物。因此，反應(yīng)室未經(jīng)有效清潔。圖1是說明Al-F二元系統(tǒng)相平衡的吉布斯(Gibbs)自由能對溫度的圖示。盡管使用另一清潔氣體，但根據(jù)加工條件，可易于產(chǎn)生大量殘余物和顆粒物，且因此需要一種對于用于沉積薄膜的裝置(其沉積TiAlN和相似類型的薄膜)的有效干燥清潔方法。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明經(jīng)設(shè)計以解決上述問題。本發(fā)明的一個目標(biāo)在于提供一種對于用于沉積薄膜的裝置的干燥清潔方法，所述裝置沉積含Al金屬膜和含Al金屬氮化物膜。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種對于用于沉積薄膜的裝置的干燥清潔方法，所述裝置沉積含Al金屬膜和含Al金屬氮化物膜，所述方法包含將用于沉積薄膜的裝置反應(yīng)室內(nèi)部溫度維持在430℃或更高；且通過向反應(yīng)室中供應(yīng)包括Cl2的清潔氣體來清潔反應(yīng)室內(nèi)部。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種對于沉積薄膜的裝置的干燥清潔方法，所述裝置沉積含Al金屬膜和含Al金屬氮化物膜，所述方法包含通過向反應(yīng)室中供應(yīng)包括Cl2等離子的清潔氣體來清潔反應(yīng)室內(nèi)部。
在本發(fā)明的上述方面中，通過以遠(yuǎn)程等離子法將Cl2氣體轉(zhuǎn)化為Cl2等離子，或向涂覆直接等離子的反應(yīng)室中供應(yīng)Cl2氣體而獲得Cl2等離子。
此外，上述方法另外包含在注入清潔氣體之前凈化反應(yīng)室內(nèi)部和氣體管線。在清潔反應(yīng)室之后，為了移除殘留于反應(yīng)室中的清潔氣體，凈化反應(yīng)室內(nèi)部，或用至少一種選自由Ar、N2和H2組成的群組的等離子處理。
此外，當(dāng)含Al金屬氮化物膜是氮化鋁鈦(TiAlN)或氮化鋁鉭(TaAlN)時，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的方法有效。
通過參考以下附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的例示性實(shí)施例，使得本發(fā)明上述和其他特征和優(yōu)點(diǎn)將變?yōu)楦语@而易見。
圖1是說明Al-F二元系統(tǒng)相平衡的吉布斯自由能對溫度的圖示。
圖2展示由根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的對于用于沉積薄膜的裝置的清潔方法所清潔的用于沉積薄膜的裝置。
圖3是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的對于用于沉積薄膜的裝置的清潔方法流程圖。
圖4是說明Ti-Cl二元系統(tǒng)相平衡的吉布斯自由能對溫度的圖示。
圖5是說明Al-Cl二元系統(tǒng)相平衡的吉布斯自由能對溫度的圖示。
圖6是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的對于用于沉積薄膜的裝置的清潔方法流程圖。
10反應(yīng)室 11噴頭12晶片塊 12a加熱器13抽氣擋板 14氣幕塊20供氣裝置 100裝置具體實(shí)施方式
下文將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的例示性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以多種不同形式表現(xiàn)，且不應(yīng)理解為限制于本文所述的實(shí)施例；相反，提供所述實(shí)施例以使得本揭示案更為詳盡且完整，且可向所屬領(lǐng)域技術(shù)人員全面?zhèn)鬟_(dá)本發(fā)明的概念。
可應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的清潔方法來清潔如圖2所示的用于沉積薄膜的裝置。
將圖2用于沉積薄膜的裝置100用于在半導(dǎo)體基板w上沉積含Al金屬膜或含Al金屬氮化物膜，所述半導(dǎo)體基板w諸如安裝于反應(yīng)室10中的晶片塊12上的液晶顯示器(LCD)的硅晶片或玻璃基板。在本實(shí)施例中，含Al金屬膜例如是Al膜，且含Al金屬氮化物膜例如是氮化鋁鈦(TiAlN)或氮化鋁鉭(TaAlN)膜。
用于沉積薄膜的裝置100包括沉積薄膜的反應(yīng)室10、經(jīng)由一氣體管線向反應(yīng)室10內(nèi)供應(yīng)源氣體、惰性氣體和清潔氣體的供氣裝置20。在根據(jù)本發(fā)明的本實(shí)施例的清潔方法中，清潔氣體包括Cl2或Cl2等離子。因此，為進(jìn)行根據(jù)本實(shí)施例的方法，通過供氣裝置20供應(yīng)包括Cl2或Cl2等離子的清潔氣體。通過以遠(yuǎn)程等離子法將Cl2氣體轉(zhuǎn)化為Cl2等離子，或向應(yīng)用直接等離子的反應(yīng)室內(nèi)供應(yīng)Cl2氣體來獲得Cl2等離子。盡管未展示，但在反應(yīng)室10的外部提供遠(yuǎn)程等離子發(fā)生器或直接等離子發(fā)生器。所應(yīng)用的等離子具有50～2000W的功率，和300～500KHz的低頻率和/或13.56MHz～21.12MHz的高頻率。
反應(yīng)室10包括一位于反應(yīng)室10內(nèi)上端部分的噴頭11(經(jīng)其噴射各種氣體)，一位于噴頭11下方的晶片塊12(其上安裝一半導(dǎo)體基板w)，位于晶片塊外周的抽氣擋板13(其用于有效且均勻地抽吸源氣體，惰性氣體和反應(yīng)副產(chǎn)物)及一向噴頭11的外周噴射惰性氣體的氣幕塊14。
加熱器12a包括于晶片塊12中，且將所安裝的半導(dǎo)體基板w加熱至200℃至700℃的溫度范圍內(nèi)。氣幕塊14向半導(dǎo)體基板w的外周內(nèi)噴射惰性氣體，控制半導(dǎo)體基板w外周的組成變化，且將反應(yīng)室10內(nèi)壁的污染降至最低，更具體來說，將由源引起的抽氣擋板13內(nèi)壁的污染降至最低。
接下來將描述圖2所示的對于用于沉積薄膜的裝置100的反應(yīng)室10的清潔方法實(shí)施例。
第一實(shí)施例圖3是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，對于用于沉積薄膜的裝置的清潔方法流程圖。
首先，在圖3所示的步驟s1中，將用于沉積薄膜的裝置100的反應(yīng)室10的內(nèi)部溫度維持在430℃或更高。例如，將待經(jīng)干燥清潔的噴頭11、晶片塊12等的溫度維持在等于或高于430℃。
接著，在步驟s2中，凈化反應(yīng)室10內(nèi)部和氣體管線。這是因?yàn)楫?dāng)氣體殘留于反應(yīng)室10和氣體管線內(nèi)時，可能發(fā)生劇烈反應(yīng)或產(chǎn)生大量顆粒物，且隨后向反應(yīng)室10和氣體管線中供應(yīng)清潔氣體。當(dāng)無所提及的問題時，可省略步驟s2。例如，將氬氣(Ar)或氮?dú)?N2)的惰性氣體用作凈化氣體。
或者，可以相反順序進(jìn)行步驟s1和步驟s2。
接著，在步驟s3中，通過向反應(yīng)室10中供應(yīng)包括Cl2的清潔氣體來清潔反應(yīng)室10內(nèi)部。反應(yīng)室10中的壓力可維持為2托(Torr)，且清潔氣體的通量可為約500標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)毫升/分(sccm)。盡管可根據(jù)反應(yīng)室10的污染程度改變步驟s3所需的時間，但3至20分鐘可適合于清潔反應(yīng)室10。
如圖4和5的圖示所示，當(dāng)用于沉積薄膜的裝置100是沉積TiAlN膜的裝置時，TiAlN的主要成分鈦(Ti)和鋁(Al)與氯(Cl2)反應(yīng)而產(chǎn)生穩(wěn)定氣態(tài)反應(yīng)產(chǎn)物。圖4是說明Ti-Cl二元系統(tǒng)相平衡的吉布斯自由能對溫度的圖示。圖5是說明Al-Cl二元系統(tǒng)相平衡的吉布斯自由能對溫度的圖示。
換句話說，可通過使用化學(xué)反應(yīng)方程式1來移除TiAlN。
TiAlN+(7/2)Cl2→TiCl4(g)+AlCl3(g)+(1/2)N2如圖4和5所示，由于四氯化鈦(TiCl4)(g)和三氯化鋁(AlCl3)(g)的化學(xué)活性較強(qiáng)，因此上述反應(yīng)較為穩(wěn)定。然而，應(yīng)注意在低于430℃的溫度下產(chǎn)生AlCl3(s)。因此，在步驟s1中，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，將反應(yīng)室10的內(nèi)部溫度維持在430℃或更高，從而防止產(chǎn)生AlCl3(s)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可通過使用氯(Cl2)移除粘附于反應(yīng)室10內(nèi)部的含Al金屬氮化物膜，諸如TiAlN膜，而無殘余產(chǎn)物。反應(yīng)室10內(nèi)部溫度的上限不受限制。為了改良清潔效率，高溫較為有利，且然而，通過考慮能量、反應(yīng)室10內(nèi)部物質(zhì)的熱阻等來選擇適當(dāng)溫度。所屬領(lǐng)域技術(shù)人員可適當(dāng)選擇反應(yīng)室10內(nèi)部溫度的上限。
在清潔步驟s3之后，進(jìn)行移除殘留于反應(yīng)室10中的含Cl清潔氣體的步驟s4。例如，長時間凈化反應(yīng)室10的內(nèi)部，或通過使用諸如移除氯(Cl2)的氫氣(H2)的氣體等離子，或諸如不與任何其他元素發(fā)生化學(xué)反應(yīng)但進(jìn)行濺射的氬氣(Ar)或氮?dú)?N2)的氣體等離子來進(jìn)行處理。
第二實(shí)施例圖6是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例，對于用于沉積薄膜的裝置的清潔方法流程圖。
如第一實(shí)施例所述，可通過使用氯(Cl2)來移除諸如TiAlN的含Al金屬氮化物膜，且然而，通過在低于430℃的溫度下與鋁(Al)反應(yīng)來產(chǎn)生殘余產(chǎn)物AlCl3(s)。因此，重要的是將反應(yīng)室10內(nèi)部溫度維持在430℃或更高。如在本實(shí)施例中，當(dāng)不可將反應(yīng)室10內(nèi)部溫度升高至高于430℃時，使用包括Cl2等離子的清潔氣體。
首先，如在圖6的步驟s11中，凈化反應(yīng)室10內(nèi)部和氣體管線。這是因?yàn)楫?dāng)氣體殘留于反應(yīng)室10和氣體管線內(nèi)時，可能發(fā)生劇烈反應(yīng)或產(chǎn)生大量顆粒物，且隨后向反應(yīng)室10和氣體管線中供應(yīng)清潔氣體。當(dāng)無所提及的問題時，可省略步驟s11。
接下來，在步驟s12中，通過向反應(yīng)室10中供應(yīng)包括Cl2的清潔氣體來清潔反應(yīng)室10的內(nèi)部。通過以遠(yuǎn)程等離子法將Cl2氣體轉(zhuǎn)化為Cl2等離子，或向應(yīng)用直接等離子的反應(yīng)室內(nèi)供應(yīng)Cl2氣體來獲得Cl2等離子。如上文所述，當(dāng)通過使用等離子來活化Cl2時，盡管并未將反應(yīng)室10的內(nèi)部溫度維持為高溫，但仍可防止產(chǎn)生殘余產(chǎn)物。
在清潔步驟s12之后，進(jìn)行移除殘留于反應(yīng)室10中的含Cl清潔氣體的步驟s13。例如，長時間凈化反應(yīng)室10的內(nèi)部，或通過使用諸如移除氯(Cl2)的氫氣(H2)的氣體等離子，或諸如不與任何其他元素發(fā)生化學(xué)反應(yīng)但進(jìn)行濺射的氬氣(Ar)或氮?dú)?N2)的氣體等離子來進(jìn)行處理。
實(shí)驗(yàn)實(shí)例表1說明如在第一實(shí)施例中通過使用氯(Cl2)移除TiAlN的結(jié)果。在實(shí)驗(yàn)實(shí)例中，反應(yīng)室內(nèi)壓力為2托，且清潔氣體(Cl2)的通量為500標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)毫升/分。供應(yīng)氯(Cl2)的時間為3至20分鐘。
如表1所示，當(dāng)將反應(yīng)室內(nèi)溫度維持在430℃或更高，且通過使用Cl2(樣品號2至6)來處理反應(yīng)室時，幾乎可完全移除粘附于反應(yīng)室內(nèi)部的TiAlN薄膜。隨后，在高溫下幾乎完全移除TiAlN(樣品號2至6)，且然而存在少量殘余三氯化鋁AlCl3(s)(樣品號1)。
根據(jù)本發(fā)明，可有效干燥蝕刻用于沉積薄膜的裝置，所述裝置沉積用于擴(kuò)散屏障、電極或加熱元件的含Al金屬氮化物膜或類似膜，諸如TiAlN。換句話說，可有效清潔用于沉積薄膜的裝置反應(yīng)室，而不具有殘余產(chǎn)物和顆粒物。因此，可通過使用用于沉積薄膜的裝置來完成有效大規(guī)模生產(chǎn)。因此，可改良半導(dǎo)體裝置的生產(chǎn)力，包括含Al金屬膜或含Al金屬氮化物膜。
盡管已參考其例示性實(shí)施例來特別展示且描述本發(fā)明，但所屬領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)了解在不偏離附加權(quán)利要求
書所定義的本發(fā)明的精神和范疇下，可對本文進(jìn)行各種形式和細(xì)節(jié)上的改變。應(yīng)僅認(rèn)為例示性實(shí)施例具有描述意義，而并非限制目的。因此，本發(fā)明的范疇并非由本發(fā)明的詳細(xì)描述加以定義，而是由附加權(quán)利要求
書來定義，且應(yīng)將所述范疇內(nèi)的所用差異理解為包括于本發(fā)明內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種對于用于沉積薄膜的裝置的干燥清潔方法，所述裝置沉積含鋁金屬膜和含鋁金屬氮化物膜，所述對于用于沉積薄膜的裝置的干燥清潔方法包含將用于沉積薄膜的所述裝置的反應(yīng)室的內(nèi)部溫度維持在430℃或更高；和通過向所述反應(yīng)室內(nèi)供應(yīng)包括氯氣的清潔氣體來清潔所述反應(yīng)室內(nèi)部。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的對于用于沉積薄膜的裝置的干燥清潔方法，進(jìn)一步包含在清潔所述反應(yīng)室內(nèi)部之后凈化所述反應(yīng)室內(nèi)部，以移除殘留于所述反應(yīng)室中的所述清潔氣體。
3.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的對于用于沉積薄膜的裝置的干燥清潔方法，進(jìn)一步包含在清潔所述反應(yīng)室內(nèi)部之后，用至少一種選自由氬氣、氮?dú)夂蜌錃饨M成的群組的等離子處理所述反應(yīng)室內(nèi)部，以移除殘留于所述反應(yīng)室中的所述清潔氣體。
4.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的對于用于沉積薄膜的裝置的干燥清潔方法，其中所述含鋁氮化物膜由氮化鋁鈦或氮化鋁鉭制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的對于用于沉積薄膜的裝置的干燥清潔方法，進(jìn)一步包含在注入所述清潔氣體之前，凈化所述反應(yīng)室內(nèi)部和氣體管線。
6.根據(jù)權(quán)利要求
5所述的對于用于沉積薄膜的裝置的干燥清潔方法，進(jìn)一步包含在清潔所述反應(yīng)室內(nèi)部之后，凈化所述反應(yīng)室內(nèi)部，以移除殘留于所述反應(yīng)室中的所述清潔氣體。
7.根據(jù)權(quán)利要求
5所述的對于用于沉積薄膜的裝置的干燥清潔方法，進(jìn)一步包含在清潔所述反應(yīng)室內(nèi)部之后，用至少一種選自由氬氣、氮?dú)夂蜌錃饨M成的群組的等離子處理所述反應(yīng)室內(nèi)部，以移除殘留于所述反應(yīng)室中的所述清潔氣體。
8.根據(jù)權(quán)利要求
5所述的對于用于沉積薄膜的裝置的干燥清潔方法，其中所述含鋁氮化物膜由氮化鋁鈦或氮化鋁鉭制成。
9.一種對于用于沉積薄膜的裝置的干燥清潔方法，所述裝置沉積含鋁金屬膜和含鋁金屬氮化物膜，所述對于用于沉積薄膜的裝置的干燥清潔方法包含通過向用于沉積薄膜的所述裝置的反應(yīng)室內(nèi)供應(yīng)用于清潔所述反應(yīng)室的包括氯氣等離子的清潔氣體來清潔所述反應(yīng)室內(nèi)部。
10.根據(jù)權(quán)利要求
9所述的對于用于沉積薄膜的裝置的干燥清潔方法，其中所述氯氣等離子是通過以遠(yuǎn)程等離子法將氯氣轉(zhuǎn)化為所述氯氣等離子。
11.根據(jù)權(quán)利要求
9所述的對于用于沉積薄膜的裝置的干燥清潔方法，其中所述氯氣等離子是通過向應(yīng)用直接等離子的所述反應(yīng)室內(nèi)供應(yīng)氯氣來獲得。
12.根據(jù)權(quán)利要求
9所述的對于用于沉積薄膜的裝置的干燥清潔方法，進(jìn)一步包含在清潔所述反應(yīng)室內(nèi)部之后，凈化所述反應(yīng)室內(nèi)部，以移除殘留于所述反應(yīng)室中的所述清潔氣體。
13.根據(jù)權(quán)利要求
9所述的對于用于沉積薄膜的裝置的干燥清潔方法，進(jìn)一步包含在清潔所述反應(yīng)室內(nèi)部之后，用至少一種選自由氬氣、氮?dú)夂蜌錃饨M成的群組的等離子處理所述反應(yīng)室內(nèi)部，以移除殘留于所述反應(yīng)室中的所述清潔氣體。
14.根據(jù)權(quán)利要求
9所述的對于用于沉積薄膜的裝置的干燥清潔方法，其中所述含鋁氮化物膜由氮化鋁鈦或氮化鋁鉭制成。
15.根據(jù)權(quán)利要求
9所述的對于用于沉積薄膜的裝置的干燥清潔方法，進(jìn)一步包含在注入所述清潔氣體之前，凈化所述反應(yīng)室內(nèi)部和氣體管線。
16.根據(jù)權(quán)利要求
15所述的對于用于沉積薄膜的裝置的干燥清潔方法，進(jìn)一步包含在清潔所述反應(yīng)室內(nèi)部之后，凈化所述反應(yīng)室內(nèi)部，以移除殘留于所述反應(yīng)室中的所述清潔氣體。
17.根據(jù)權(quán)利要求
15所述的對于用于沉積薄膜的裝置的干燥清潔方法，進(jìn)一步包含在清潔所述反應(yīng)室內(nèi)部之后，用至少一種選自由氬氣、氮?dú)夂蜌錃饨M成的群組的等離子處理所述反應(yīng)室內(nèi)部，以移除殘留于所述反應(yīng)室中的所述清潔氣體。
18.根據(jù)權(quán)利要求
15所述的對于用于沉積薄膜的裝置的干燥清潔方法，其中所述含鋁氮化物膜由氮化鋁鈦或氮化鋁鉭制成。
專利摘要
本發(fā)明提供一種對于用于沉積薄膜的裝置的干燥清潔方法，所述裝置沉積含鋁金屬膜和含鋁金屬氮化物膜。所述方法包括將用于沉積薄膜的裝置反應(yīng)室內(nèi)部溫度維持在430℃或更高，且通過向所述反應(yīng)室內(nèi)供應(yīng)包括氯氣的清潔氣體來清潔所述反應(yīng)室內(nèi)部。當(dāng)難以將反應(yīng)室內(nèi)部溫度維持在430℃或更高時，所述方法包括通過使用包括氯氣等離子的清潔氣體來清潔所述反應(yīng)室內(nèi)部。因此，可有效清潔用于沉積薄膜的裝置，而不具有殘余產(chǎn)物和顆粒物，所述裝置沉積氮化鋁鈦膜和相似類型的薄膜。
文檔編號B08B3/00GK1990898SQ200610126946
公開日2007年7月4日 申請日期2006年9月6日
發(fā)明者李起薰, 李相鎮(zhèn), 徐泰旭 申請人:株式會社整合制程系統(tǒng)導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan