專利名稱：晶片保管容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一張張地收容半導(dǎo)體晶片的晶片保管容器，尤其涉及降低在保管中附著在半導(dǎo)體晶片正面上的微粒的技術(shù)。
背景技術(shù)：
一般來說，由于半導(dǎo)體晶片的正面需要維持清潔，所以在一張張地收容在晶片保管容器內(nèi)的狀態(tài)下加以保管或運(yùn)送。
上述晶片保管容器，例如使用在專利文獻(xiàn)1中所公開的保管容器。圖6是表示現(xiàn)有技術(shù)中所使用的半導(dǎo)體晶片的保管容器的概要的立體圖，圖7是圖6的剖視圖。
如圖6、7所示，晶片保管容器10包括晶片收容部件11，具有可保持晶片W的拱狀凹部11a；蓋部件12；按壓部件13，被配置在晶片W和上述蓋部件12之間。
晶片收容部件11以及蓋部件12例如由聚丙烯形成，晶片收容部件11和蓋部件12卡合以對(duì)晶片收容部進(jìn)行密閉。在晶片正面W1向著下方的狀態(tài)下，將半導(dǎo)體晶片W配置在晶片收容部件11的拱狀凹部11a內(nèi)，使拱狀凹部11a和晶片周緣部相抵接而被保持，從而防止其它部件與晶片正面W1相接觸而附著微粒。
按壓部件13具有從中心部分13a向外射出的多個(gè)腳部13b，中心部分13a以及腳部13b整體上彎曲形成，橫截中心部分13a以及腳部13b的截面呈弓形。此外，將按壓部件13成形為，中心部分13a和腳部13b的前端的位移，比在將蓋部件12卡合在晶片收容部件11上時(shí)所形成在晶片背面W2和蓋部件12的內(nèi)壁面12a之間的空間的高度要大。因而，卡合晶片收容部件11和蓋部件12時(shí)，中心部分13a受到蓋部件12推壓，而以腳部13b的前端推壓晶片背面W2的周緣部。
雖然半導(dǎo)體晶片被收容在上述結(jié)構(gòu)的晶片保管容器10中，但是為了便于處理蓋部件12和晶片收容部件11，并不是采用密封部件等來密閉，因此微粒進(jìn)入卡合部是不可完全避免的。此外有時(shí)還會(huì)發(fā)生如下情況，即在晶片保管容器內(nèi)的空間殘留有微粒，或是因晶片保管容器10自身的劣化而新產(chǎn)生的微粒。
為此，在將半導(dǎo)體晶片收容在上述晶片保管容器中的狀態(tài)下，一直長(zhǎng)時(shí)間放置時(shí)，有可能使微粒附著在半導(dǎo)體晶片的正面及背面上。因此一般來說，通過層壓袋對(duì)收容了晶片的晶片保管容器進(jìn)行包裝，而且排出層壓袋內(nèi)的氣體并利用非活性氣體填充，密閉層壓袋以隔斷與外部氣體的接觸，從而防止微粒從外部進(jìn)入到晶片保管容器內(nèi)。具體而言，將收容了半導(dǎo)體晶片的晶片保管容器放入到具有高氣密性的層壓袋(例如鋁層壓袋)內(nèi)，再將該層壓袋放入真空室并在室內(nèi)減壓，然后在室內(nèi)導(dǎo)入氮?dú)獾确腔钚詺怏w，利用室內(nèi)的加熱器對(duì)層壓袋的開口進(jìn)行熱壓接，從而密閉層壓袋。
專利文獻(xiàn)1特公昭48-28953號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容但是，利用上述晶片保管方法，雖然在以層壓袋包裝晶片保管容器并密閉后，使得微粒進(jìn)入晶片保管容器內(nèi)的可能性較低，但是在用層壓袋包裝晶片保管容器時(shí)存在進(jìn)入微粒的危險(xiǎn)。例如，在將晶片保管容器配置在真空室內(nèi)后，通過真空泵減壓并向室內(nèi)導(dǎo)入非活性氣體時(shí)，會(huì)引起不少空氣的流動(dòng)，所以此時(shí)微?？赡軓纳w部件12和晶片收容部件11的卡合部進(jìn)入到晶片保管容器內(nèi)。
此外，通常在半導(dǎo)體晶片的周緣部設(shè)置定位邊而非完全圓形，因而進(jìn)入到晶片保管容器內(nèi)的微粒有時(shí)從半導(dǎo)體晶片和晶片收容部的拱狀凹部的間隙繞到半導(dǎo)體晶片正面?zhèn)?，而附著在晶片正面上。在這種情況下，從晶片保管容器取出半導(dǎo)體晶片并直接在該半導(dǎo)體晶片的正面上進(jìn)行外延生長(zhǎng)等時(shí)，有時(shí)會(huì)產(chǎn)生異常生長(zhǎng)等。為此，作為外延生長(zhǎng)的前一工序需要進(jìn)行晶片正面的清洗化處理，所以存在工序復(fù)雜化的問題。
即、重要之處在于，在用層壓袋包裝晶片保管容器時(shí)，不使微粒進(jìn)入到保管容器內(nèi)，或是不使進(jìn)入到保管容器內(nèi)的微粒附著在半導(dǎo)體晶片(特別是正面)上。
本發(fā)明涉及一張張地收容半導(dǎo)體晶片的晶片保管容器，目的是提供一種可有效降低附著在保管中的半導(dǎo)體晶片正面上的微粒的技術(shù)。
本發(fā)明正是為了解決上述課題而提出來的，是一張張地收容晶片的晶片保管容器，包括晶片收容部件，具有與晶片的周緣部相抵接并可保持晶片的拱狀凹部；蓋部件，能與該晶片收容部件相卡合而密閉晶片收容部；晶片背面保護(hù)部件，成型為與上述拱狀凹部的開口部大致相同的形狀，與以正面朝向上述拱狀凹部的方式載置的晶片的整個(gè)背面相密接。
由此，在將半導(dǎo)體晶片收容在晶片保管容器中，利用層壓袋包裝該保管容器并在袋內(nèi)以非活性氣體進(jìn)行置換時(shí)，即使產(chǎn)生空氣流動(dòng)使微粒進(jìn)入晶片保管容器內(nèi)，也可由晶片背面保護(hù)部件將微粒捕獲，因而不會(huì)使微粒附著在半導(dǎo)體晶片背面上。此外，將晶片背面保護(hù)部件成型為與晶片收容部件的拱狀凹部的開口部大致相同的形狀，因而微粒不會(huì)從在定位邊處的位置所產(chǎn)生的間隙進(jìn)入到晶片正面一側(cè)，所以也不會(huì)使微粒附著在半導(dǎo)體晶片的正面上。
此外還包括按壓部件，該按壓部件被配置在上述晶片背面保護(hù)部件和上述蓋部件之間，在卡合上述晶片收容部件和上述蓋部件時(shí)，受到上述蓋部件推壓，從而將晶片向上述晶片收容部推壓。例如，可以使用截面形狀呈弓形的部件或是在上表面部和底面部之間夾持彈性體而成的部件。此時(shí)，由按壓部件推壓的部分既可以是背面保護(hù)部件的整個(gè)面，也可是周緣部等的一部分。由此不僅可將晶片固定在晶片收容部件內(nèi)，而且還可提高晶片背面和晶片背面保護(hù)部件的密接性。
或者是可使上述晶片背面保護(hù)部件具有作為按壓部件的功能，在卡合上述晶片收容部件和上述蓋部件時(shí)，受到上述蓋部件推壓，從而將晶片向上述晶片收容部推壓。例如可通過如下方式實(shí)現(xiàn)，即將板簧等彈性部件設(shè)置在晶片背面保護(hù)部件的與晶片相密接的面的相反面上。
此外，還包括晶片正面保護(hù)部件，配置在上述晶片和上述晶片收容部件之間，與上述拱狀凹部相密接，與晶片周緣部相抵接。半導(dǎo)體晶片的正面?zhèn)?，為了防止晶片正面與其它部件相接觸而由摩擦等產(chǎn)生微粒，開放晶片正面以通過晶片收容部件的拱狀凹部來保持晶片周緣部。然而，為此與通常插入按壓部件的晶片背面?zhèn)认啾龋诎雽?dǎo)體晶片的正面?zhèn)犬a(chǎn)生較大的空間，成為使微粒易于殘存的狀態(tài)。為此，通過設(shè)置晶片正面保護(hù)部件以減小形成在半導(dǎo)體晶片和拱狀凹部之間的空間。
而且，上述晶片背面保護(hù)部件以及晶片正面保護(hù)部件，由聚乙烯、聚丙烯、聚酯或氯乙烯等不易產(chǎn)生微粒的材質(zhì)形成。由此，可以避免保護(hù)部件自身所產(chǎn)生的微粒附著在半導(dǎo)體晶片上。
此外，上述晶片背面保護(hù)部件以及晶片正面保護(hù)部件，優(yōu)選為由氟類樹脂(例如PTFE)等放出氣體量較少的材質(zhì)形成。由此，可以避免因保護(hù)部件自身所產(chǎn)生的脫氣污染半導(dǎo)體晶片而導(dǎo)致晶片的質(zhì)量劣化。
根據(jù)本發(fā)明可知，在將半導(dǎo)體晶片收容在晶片保管容器中，利用層壓袋包裝該保管容器并在袋內(nèi)以非活性氣體進(jìn)行置換時(shí)，即使產(chǎn)生空氣流動(dòng)使微粒進(jìn)入晶片保管容器內(nèi)，也可防止微粒附著在半導(dǎo)體晶片的正面及背面上而引起的污染，可長(zhǎng)期在清潔狀態(tài)下保持半導(dǎo)體晶片正面。因而，半導(dǎo)體裝置的制造業(yè)者從晶片保管容器取出半導(dǎo)體晶片，可以直接在該半導(dǎo)體晶片的正面上進(jìn)行外延生長(zhǎng)，所以具有如下的效果，即作為外延生長(zhǎng)的前一工序也無需進(jìn)行晶片正面的清洗化處理，從而可提高生產(chǎn)性。


圖1是表示第1實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體晶片的保管容器的概要的立體圖。
圖2是第1實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體晶片的保管容器的剖視圖。
圖3是表示第2實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體晶片的保管容器的概要的立體圖。
圖4是第2實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體晶片的保管容器的剖視圖。
圖5是具有按壓部件的功能的晶片背面保護(hù)部件的一例。
圖6是表示以往晶片保管容器的概要的立體圖。
圖7是以往晶片保管容器的剖視圖。
附圖標(biāo)記說明10晶片保管容器11晶片收容部件11a拱狀凹部12蓋部件
13按壓部件13a中央部分13b腳部14晶片背面保護(hù)片(晶片背面保護(hù)部件)15晶片正面保護(hù)片(晶片正面保護(hù)部件)W半導(dǎo)體晶片具體實(shí)施方式
下面，根據(jù)附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行說明。
(第1實(shí)施方式)圖1是表示第1實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體晶片的保管容器的概要的立體圖，圖2是圖1的剖視圖。
如圖1、2所示，晶片保管容器10包括晶片收容部件11，具有可保持晶片W的拱狀凹部11a；蓋部件12；按壓部件13，被配置在晶片W和上述蓋部件12之間。并且在本實(shí)施方式中還備有作為晶片背面保護(hù)部件的晶片背面保護(hù)片14，在將晶片正面W1向著拱狀凹部11a配置時(shí)，晶片背面保護(hù)片14被配置在晶片W和按壓部件13之間，從而與晶片背面W2的整個(gè)面密接。
晶片收容部件11以及蓋部件12例如由聚丙烯形成，晶片收容部件11和蓋部件12相卡合以密閉晶片收容部。在將晶片正面W1向著下方的狀態(tài)下，半導(dǎo)體晶片W被配置在晶片收容部件11的拱狀凹部11a，拱狀凹部11a和晶片周緣部相抵接以保持晶片。
晶片背面保護(hù)片14是厚度為100μm的氟類樹脂薄膜，并被成型為與晶片收容部件的拱狀凹部11a的開口部大致相同的形狀，在以整個(gè)面與半導(dǎo)體晶片背面W2相密接時(shí)，覆蓋拱狀凹部11a的開口部的整個(gè)面。即、也可覆蓋因設(shè)置在半導(dǎo)體晶片W上的定位邊而產(chǎn)生的與晶片收容部件11之間的間隙。此外，晶片背面保護(hù)片14由氟類樹脂薄膜形成，因而從保護(hù)片14自身產(chǎn)生的微粒較少，從而可以防止微粒附著在半導(dǎo)體晶片W上。此外，因?yàn)榉悩渲∧さ臍怏w放出量較少，從而可以避免來自晶片背面保護(hù)片14的放出氣體對(duì)半導(dǎo)體晶片W的污染而使晶片的質(zhì)量劣化。
按壓部件13具有從中心部分13a向外射出的多個(gè)腳部13b，中心部分13a以及腳部13b整體上彎曲形成，橫截中心部分13a以及腳部13b的截面呈弓形。此外，將按壓部件13成形為，中心部分13a和腳部13b的前端的位移比在將蓋部件12與晶片收容部件11相卡合時(shí)形成在晶片背面W2和蓋部件12的內(nèi)壁面12a之間的空間的高度要大。
因而，卡合晶片收容部件11和蓋部件12時(shí)，按壓部件13的中心部分13a被蓋部件12推壓，能以腳部13b的前端經(jīng)晶片背面保護(hù)片14對(duì)晶片背面W2的周緣部進(jìn)行推壓。
另外，在本實(shí)施方式中使用了截面形狀為弓形的按壓部件13，但是也可使用在上表面部和底面部之間夾持彈性體而成的部件。此外，由按壓部件推壓的部分，如本實(shí)施方式所述那樣，既可是背面保護(hù)片的周緣部等一部分，也可是背面保護(hù)片的整個(gè)面。尤其是在使用對(duì)背面保護(hù)片的整個(gè)面進(jìn)行推壓的結(jié)構(gòu)的按壓部件的情況下，也可預(yù)先粘接按壓部件和背面保護(hù)片。
根據(jù)本實(shí)施方式，在晶片保管容器10內(nèi)收容半導(dǎo)體晶片W，利用層壓袋包裝該保管容器10并在袋內(nèi)以非活性氣體進(jìn)行置換時(shí)，即使產(chǎn)生空氣流動(dòng)使微粒進(jìn)入晶片保管容器10內(nèi)，也可由晶片背面保護(hù)片14將微粒捕獲，因而不會(huì)使微粒附著在半導(dǎo)體晶片背面W2上。此外，即使在設(shè)置于半導(dǎo)體晶片W上的定位邊的位置處產(chǎn)生間隙，但因?yàn)檫M(jìn)入到晶片保管容器10內(nèi)的微粒不會(huì)繞到晶片正面?zhèn)龋砸膊粫?huì)使微粒附著在半導(dǎo)體晶片正面W1上。
另外，晶片保管容器10的大小并不受到限制，根據(jù)收容的半導(dǎo)體晶片W的大小，例如可以取為與半導(dǎo)體晶片W的直徑相比，拱狀凹部11a的直徑稍微大一些的容器。
(第2實(shí)施方式)圖3是表示第2實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體晶片的保管容器的概要的立體圖，圖4是圖3的剖視圖。
第2實(shí)施方式所述的晶片保管容器10的構(gòu)成與第1實(shí)施方式大致相同，且相同部件使用相同附圖標(biāo)記。在第2實(shí)施方式中與第1實(shí)施方式的晶片保管容器10不同點(diǎn)在于，在將半導(dǎo)體晶片正面W1向著拱狀凹部11a配置時(shí)，在半導(dǎo)體晶片W和拱狀凹部11a之間備有作為晶片正面保護(hù)部件用的晶片正面保護(hù)片15。
晶片正面保護(hù)片15與晶片背面保護(hù)片同樣，是厚度為200μm的氟類樹脂薄膜，具有與拱狀凹部11a的內(nèi)壁面大致相同的形狀，與拱狀凹部11a密接。由此即使很少也會(huì)使形成在半導(dǎo)體晶片W和拱狀凹部11a之間的空間變小。因而，晶片正面保護(hù)片15的厚度雖沒有被特別限定，但是優(yōu)選加厚到不會(huì)失去保持半導(dǎo)體晶片W的功能的程度。
即、半導(dǎo)體晶片W的正面?zhèn)?，為了防止晶片正面W1與其它部件相接觸而由摩擦等產(chǎn)生微粒，所以開放晶片正面W1以通過晶片收容部件11的拱狀凹部11a來保持晶片周緣部。為此，與插入有按壓部件13的晶片背面?zhèn)认啾?，在半?dǎo)體晶片W的正面?zhèn)犬a(chǎn)生較大的空間，可以說易于殘存微粒，處于較易于附著微粒的狀態(tài)。為此，通過設(shè)置晶片正面保護(hù)片15以縮小形成在半導(dǎo)體晶片W和拱狀凹部11a之間的空間，從而可抑制微粒殘存于上述空間內(nèi)。
根據(jù)本實(shí)施方式，因?yàn)榘雽?dǎo)體晶片W和拱狀凹部11a之間的空間與以往晶片保管容器相比變小，所以在半導(dǎo)體晶片W的正面?zhèn)葰埓嫖⒘５目赡苄砸步档?，因而可進(jìn)一步保持半導(dǎo)體晶片W的正面的清潔。
下面，使用上述第1實(shí)施方式、第2實(shí)施方式所述的晶片保管容器10，對(duì)以層壓袋包裝晶片保管容器10并在袋內(nèi)以非活性氣體(例如氮?dú)?置換前后的晶片正面及背面的微粒量的測(cè)定結(jié)果進(jìn)行表示。
具體而言，首先測(cè)定半導(dǎo)體晶片正面及背面的微粒(包裝前的微粒量)，將測(cè)定后的半導(dǎo)體晶片收容在晶片保管容器內(nèi)，再把該晶片保管容器放入到層壓袋中。而且將上述層壓袋放入到真空室內(nèi)并在真空室內(nèi)減壓，此后在室內(nèi)導(dǎo)入氮?dú)獾确腔钚詺怏w，通過室內(nèi)的加熱器對(duì)層壓袋的開口進(jìn)行熱壓接，從而密閉層壓袋。接下來以該狀態(tài)放置數(shù)小時(shí)(例如3小時(shí))后，打開層壓袋從晶片保管容器中取出半導(dǎo)體晶片，進(jìn)行晶片正面及背面的微粒量的測(cè)定(包裝后的微粒)。在此處，對(duì)于晶片正面的微粒使用雜質(zhì)檢查裝置來測(cè)定，通過目視來觀察晶片背面的微粒。
另外，半導(dǎo)體晶片使用直徑2英寸的InP半導(dǎo)體晶片，對(duì)多個(gè)InP半導(dǎo)體晶片進(jìn)行測(cè)定。此外，作為比較例，使用以往的晶片保管容器(參考圖5、6)進(jìn)行同樣的測(cè)定。
表1是通過雜質(zhì)檢查裝置測(cè)定50張InP半導(dǎo)體晶片的晶片正面的微粒后的微粒密度的平均值，對(duì)象是粒徑為0.3μm以上的微粒。
根據(jù)表1，在比較例中包裝后的晶片正面微粒密度與包裝前相比增加0.16個(gè)/cm2，與此相對(duì)，在使用僅設(shè)置背面保護(hù)片14的第1實(shí)施方式的晶片保管容器的情況下，包裝后的晶片正面微粒密度僅增加0.04個(gè)/cm2。由此，通過晶片背面保護(hù)片14，可高效地抑制在以非活性氣體置換時(shí)進(jìn)入的微粒附著在晶片正面上。而且在使用也設(shè)置了晶片正面保護(hù)片15的第2實(shí)施方式的晶片保管容器的情況下，包裝前后沒有觀察到晶片正面微粒密度的變化，可以說幾乎完全抑制了非活性氣體置換時(shí)進(jìn)入的微粒附著在晶片正面上。


表2是對(duì)于20張InP半導(dǎo)體晶片目測(cè)觀察晶片背面的微粒后的晶片上的微粒數(shù)的平均值，對(duì)象是粒徑大約為0.1mm以上的微粒。在此，對(duì)于附著在半導(dǎo)體晶片的背面上的微粒來說，對(duì)于半導(dǎo)體晶片的質(zhì)量影響不大，因而可以說沒有必要對(duì)于附著在晶片背面上的微粒進(jìn)行嚴(yán)格評(píng)價(jià)，采取目視觀察。
根據(jù)表2，在比較例中包裝后的晶片背面的微粒密度與包裝前相比增加1.3個(gè)/晶片，與此相對(duì)，在使用僅設(shè)置背面保護(hù)片14的第1實(shí)施方式以及第2實(shí)施方式的晶片保管容器的情況下，均沒有觀察到包裝后的晶片背面的微粒個(gè)數(shù)有變化。即、利用背面保護(hù)片14，可以說幾乎完全抑制了非活性氣體置換時(shí)進(jìn)入的微粒附著在晶片正面上。


根據(jù)上述內(nèi)容可知，根據(jù)本發(fā)明所述的晶片保管容器，在晶片保管容器中收容半導(dǎo)體晶片，以層壓袋包裝該保管容器，在袋內(nèi)通過非活性氣體置換時(shí)，即使產(chǎn)生空氣流動(dòng)而使微粒進(jìn)入到晶片保管容器內(nèi)，也可有效防止因微粒附著在半導(dǎo)體晶片的正面以及背面而引起的污染，所以可在清潔的狀態(tài)下長(zhǎng)期保持半導(dǎo)體晶片的正面。因而，半導(dǎo)體裝置的制造業(yè)者可以從晶片保管容器取出半導(dǎo)體晶片，直接在該半導(dǎo)體晶片的正面上進(jìn)行外延生長(zhǎng)，所以作為外延生長(zhǎng)的前一工序也無需進(jìn)行晶片正面的清洗化處理，從而可提高生產(chǎn)性。
以上基于實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明人作出的發(fā)明進(jìn)行了具體說明，但是本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施方式，在不脫離其主旨的范圍內(nèi)可進(jìn)行變更。
例如，在上述實(shí)施方式中，能以PTFE等氟類樹脂薄膜形成晶片背面保護(hù)片14以及晶片正面保護(hù)片15，但是其材質(zhì)并不限定于此，可以通過聚乙烯、聚丙烯、聚酯或是氯乙烯等不易產(chǎn)生微粒的材質(zhì)來形成。
此外，按壓部件的形狀并不限定于上述實(shí)施方式中所說明的情況。例如圖5所示，可以在晶片背面保護(hù)部件22的與晶片相密接的面的相反面上設(shè)置板簧等彈性部件21，作為兼有按壓部件功能的晶片背面保護(hù)部件20。
此外，自不必說，收容的半導(dǎo)體晶片的種類也并不受到限制，可以用作InP以外的半導(dǎo)體晶片用的保管容器。
權(quán)利要求
1.一種一張張地收容晶片的晶片保管容器，其特征在于，包括晶片收容部件，具有與晶片的周緣部相抵接并能保持晶片的拱狀凹部；蓋部件，能與該晶片收容部件相卡合而密閉晶片收容部；晶片背面保護(hù)部件，成型為與上述拱狀凹部的開口部大致相同的形狀，與正面朝向上述拱狀凹部地載置的晶片的整個(gè)背面相密接。
2.如權(quán)利要求1所述的晶片保管容器，其特征在于，包括按壓部件，該按壓部件被配置在上述晶片背面保護(hù)部件和上述蓋部件之間，在卡合上述晶片收容部件和上述蓋部件時(shí)，該按壓部件受到上述蓋部件推壓，從而將晶片向上述晶片收容部推壓。
3.如權(quán)利要求1所述的晶片保管容器，其特征在于，上述晶片背面保護(hù)部件具有作為按壓部件的功能，在卡合上述晶片收容部件和上述蓋部件時(shí)受到上述蓋部件推壓，從而將晶片向上述晶片收容部推壓。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的晶片保管容器，其特征在于，上述晶片背面保護(hù)部件由聚乙烯、聚丙烯、聚酯或氯乙烯等不易產(chǎn)生微粒的材質(zhì)形成。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的晶片保管容器，其特征在于，上述晶片背面保護(hù)部件由氟類樹脂薄膜等放出氣體量較少的材質(zhì)形成。
6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的晶片保管容器，其特征在于，備有晶片正面保護(hù)部件，所述晶片正面保護(hù)部件具有與上述拱狀凹部的內(nèi)壁面大致相同的形狀，與上述拱狀凹部相密接，與晶片周緣部相抵接。
7.如權(quán)利要求6所述的晶片保管容器，其特征在于，上述晶片正面保護(hù)部件由聚乙烯、聚丙烯、聚酯或氯乙烯等微粒污染較少的材質(zhì)形成。
8.如權(quán)利要求6或7所述的晶片保管容器，其特征在于，上述晶片正面保護(hù)部件由氟類樹脂薄膜等脫氣量較少的材質(zhì)形成。
全文摘要
本發(fā)明涉及一張張地收容半導(dǎo)體晶片的晶片保管容器，提供一種可有效降低附著在保管中的半導(dǎo)體晶片正面上的微粒的技術(shù)。一種一張張地收容晶片的晶片保管容器，其中，具有晶片收容部件，具有與晶片的周緣部相抵接并可保持晶片的拱狀凹部；蓋部件，與該晶片收容部件相卡合，從而可密閉晶片收容部，還包括晶片背面保護(hù)部件，成型為與上述拱狀凹部的開口部大致相同的形狀，與以正面向著上述拱狀凹部的方式載置的晶片的整個(gè)背面相密接。
文檔編號(hào)B65D85/86GK1985367SQ20058002409
公開日2007年6月20日 申請(qǐng)日期2005年3月23日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月19日
發(fā)明者木村政幸, 平野立一, 栗田英樹 申請(qǐng)人:日礦金屬株式會(huì)社