專利名稱：用于將保護(hù)膜貼敷在半導(dǎo)體晶片上的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于將一保護(hù)膜貼敷在一半導(dǎo)體晶片上的方法和裝置，其中在將保護(hù)膜貼敷到半導(dǎo)體晶片的表面上后，切割該保護(hù)膜使其與晶片的形狀相吻合。
背景技術(shù)：
在制造一半導(dǎo)體時(shí)，要對半導(dǎo)體晶片(以下簡稱晶片)的底面進(jìn)行一磨削步驟(通稱為背部磨削)使其變薄從以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體芯片的小型化，在此步驟中上表面(也即形成有電路的表面)通過貼敷一保護(hù)膜而受到保護(hù)，此保護(hù)膜由一種柔性薄膜制成，該柔性薄膜包括一種基材，如一種粘性薄膜或類似物。
至于公知的貼敷該保護(hù)膜的方法，一種方法是先將保護(hù)膜預(yù)先切割成與晶片相同的形狀之后再貼敷該保護(hù)膜，而另一種方法是先將該保護(hù)膜貼敷于晶片上然后再將其切割使其與晶片的形狀相吻合。
相應(yīng)地，在下面將要描述的本發(fā)明方法中，沿保護(hù)膜的進(jìn)給方向及其相反方向施加一張緊力(背部張力)以將保護(hù)膜保持在一拉緊狀態(tài)，以此來防止形成皺褶，并且以這種狀態(tài)將保護(hù)膜貼敷到晶片上。
但是，在上述現(xiàn)有技術(shù)方法中，不能調(diào)節(jié)此背部張力的大小。結(jié)果，當(dāng)此背部張力太大時(shí)就會(huì)有一收縮力作用在所貼敷的保護(hù)膜上，這樣就會(huì)產(chǎn)生諸如翹曲或斷裂的可能性。
再有，如果此背部張力太小，保護(hù)膜上就可能形成皺褶，空氣泡就可能進(jìn)入保護(hù)膜與晶片之間，從而導(dǎo)致此晶片不能被用于磨削步驟的風(fēng)險(xiǎn)。
另一方面，針對于先在晶片上貼保護(hù)膜而后再切割該保護(hù)膜使其與晶片相狀相配的方法，現(xiàn)有技術(shù)給出了一種方法，在這種方法中這種切割操作通過沿晶片周邊移動(dòng)一切割裝置而進(jìn)行，并給出了另一種方法，在這種方法中切割裝置固定切割操作通過轉(zhuǎn)動(dòng)晶片來進(jìn)行。
為了將半導(dǎo)體晶片定位，形成了一直線部分，此直線部分被稱作一定位平面部分，在切割晶片保護(hù)膠條的現(xiàn)有技術(shù)方法中，晶片的定位平面部分與周邊部分的交點(diǎn)形成一尖角部分，在此尖角部分產(chǎn)生一切割保護(hù)膠條的余料(毛邊)。
當(dāng)一切割余料存在于此尖角部分時(shí)，該切割余料就有可能在背部磨削步驟中被卷入到磨削裝置內(nèi)，一旦此種情況發(fā)生整個(gè)半導(dǎo)體晶片將被毀掉。所以，直到今于仍一直強(qiáng)烈要求一種不留下此類切割余料的保護(hù)膜貼敷裝置。再有，如果保護(hù)膜與晶片粘接不夠緊密，此部分也可能被帶入磨削裝置，產(chǎn)生與上述相同的問題，這就導(dǎo)致了更加強(qiáng)烈的改進(jìn)要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第一個(gè)目的是提供一種用于將一保護(hù)膜貼敷在一半導(dǎo)體晶片上的方法和裝置，此方法和裝置可防止晶片翹曲或受損，并可防止保護(hù)膜上形成皺褶。
為了達(dá)到該第一目的，在本發(fā)明中，在將保護(hù)膜貼敷在半導(dǎo)體晶片的表面上時(shí)，一可調(diào)節(jié)的張力沿一與保護(hù)膜進(jìn)給方向相反的方向施加在保護(hù)膜上。
本發(fā)明的第二個(gè)目的是提供一種用于將一保護(hù)膜貼敷在一半導(dǎo)體晶片上的方法和裝置，此方法和裝置可以準(zhǔn)確地切除保護(hù)膜使其與晶片的形狀相吻合。
為了達(dá)到該第二目的，在本發(fā)明中，先將一具有一定位平面部分和一周邊部分的半導(dǎo)體晶片置于一平臺(tái)上，而后再將一保護(hù)膜貼敷在該半導(dǎo)體晶片上。完成此項(xiàng)工作后、切割保護(hù)膜使其與半導(dǎo)體晶片的形狀相吻合。該操作是通過如下步驟完成的移動(dòng)切割裝置或平臺(tái)以沿定位平面部分切割保護(hù)膜，在移動(dòng)切割裝置或平臺(tái)的轉(zhuǎn)動(dòng)平臺(tái)，將切割裝置的切割方向設(shè)置成與半導(dǎo)體晶片的周邊部分的切線方向成一規(guī)定角度或小于一規(guī)定角度的角度，而后轉(zhuǎn)動(dòng)平臺(tái)以沿半導(dǎo)體晶片的周邊部分切割保護(hù)膜。
再有，在本發(fā)明中，導(dǎo)向輪可置于切割裝置進(jìn)給方向的前方和/或后方以便擠壓保護(hù)膜使其緊貼在半導(dǎo)體晶片上。


圖1是用于將一保護(hù)膜貼敷在一半導(dǎo)體晶片上的本發(fā)明裝置的一實(shí)施例的正視圖。
圖2是用于將一保護(hù)膜貼敷在一半導(dǎo)體晶片上的本發(fā)明裝置的俯視圖。
圖3是用于將一保護(hù)膜貼敷在一半導(dǎo)體晶片上的本發(fā)明裝置的側(cè)視圖。
圖4A和4B分別是本發(fā)明切割部分的放大正視圖和側(cè)視圖。
圖5是示出用于將一保護(hù)膜貼敷在一半導(dǎo)體晶片上的本發(fā)明裝置的控制系統(tǒng)的方框圖。
圖6A-6E是示出用于將一保護(hù)膜貼敷在一半導(dǎo)體晶片上的本發(fā)明裝置的工作過程的解釋圖。
圖7是圖6B的俯視圖。
圖8A-8D是示出本發(fā)明晶片之周邊部分的切割操作的解釋圖。
圖9是示出本發(fā)明之周邊的切割操作的另一幅解釋圖。
具體實(shí)施例方式
下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明做詳細(xì)描述圖1，圖2和圖3分別示出了本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的正視圖、俯視圖和側(cè)視圖。如圖1所示，用于將一保護(hù)膜貼敷在一半導(dǎo)體晶片上的本發(fā)明裝置包括一用來提供保護(hù)膜的保護(hù)膜供給部分100、一用于傳輸一晶片的晶片傳輸部分200、和一用于切割保護(hù)膜的保護(hù)膜切割部分300。下面將依次描述上述各部分。
在保護(hù)膜供給部分100中，由一種感壓膠膜構(gòu)成的保護(hù)膜109與釋放襯帶111一起繞在供帶盤101上并經(jīng)導(dǎo)向輪103和張緊輪105延伸到壓輪107，所述感壓膠膜通過在一基材和如柔性膜上涂一種感壓粘合劑制成。供帶盤101的轉(zhuǎn)軸上帶有一彈簧102(見圖2)，該彈簧102緊壓在固定于轉(zhuǎn)軸頂端的摩擦片102a和102b上以在轉(zhuǎn)軸上施加一摩擦力。釋放帶111通過一夾輪113與保護(hù)膜109分開，之后經(jīng)主動(dòng)輪115、夾輪117和導(dǎo)向輪119纏繞在卷輪121上。主動(dòng)輪115和卷輪121由電動(dòng)機(jī)123驅(qū)動(dòng)。張緊輪105由一扭矩電動(dòng)機(jī)125繞著與保護(hù)膜進(jìn)給方向相反的方向轉(zhuǎn)動(dòng)以對保護(hù)膜109施加一張緊力(背部張緊力)。此背部張緊力的大小可按如下方式調(diào)節(jié)。
如圖3所示，壓輪107由一個(gè)支撐體127支撐，該支撐體127由套管29在垂直方向自由定向并由氣缸131垂直移動(dòng)。在壓輪107附近，夾盤135包括兩個(gè)分別布置在壓輪107兩端的“L”形盤。這兩個(gè)“L”形盤可以打開也可以閉合以將保護(hù)膜夾持在兩者之間的空間內(nèi)。至于這方面，“L”形盤由一氣缸137打開和關(guān)閉。氣缸137固定在一沿垂直方向移動(dòng)夾盤135的氣缸139上。氣缸139又固定在一氣缸141(見圖1)上，該氣缸141沿保護(hù)膜109的橫向(在圖3中為左右方向)移動(dòng)夾盤135。氣缸141同時(shí)又固定在壓輪107的支撐體127上，因此夾盤135隨壓輪107一起升降。
在晶片傳輸部分200中，用于支撐一晶片W的轉(zhuǎn)動(dòng)平臺(tái)201固定在平臺(tái)基座203的頂部以便可以在其上自由轉(zhuǎn)動(dòng)。平臺(tái)201由一電動(dòng)機(jī)帶動(dòng)轉(zhuǎn)動(dòng)。平臺(tái)基座203裝在一導(dǎo)軌205上以便可在其上自由移動(dòng)，一皮帶207被張緊于皮帶輪209、210之間以使其平行導(dǎo)軌205，該皮帶通過一連接盤211與平臺(tái)基座203相連。皮帶輪210由一電動(dòng)機(jī)213驅(qū)動(dòng)，這樣通過操縱電動(dòng)機(jī)213就可使轉(zhuǎn)動(dòng)平臺(tái)201沿導(dǎo)軌205來回運(yùn)動(dòng)。
如圖2所示，在平臺(tái)201的頂面上成形有一些槽201a，這些槽具有與晶片輪廓和尺寸一致的形狀并與各種尺寸的晶片相對應(yīng)。再有，在轉(zhuǎn)動(dòng)平臺(tái)201上形成有一些小孔(圖中未示)，這些小孔經(jīng)一真空管215(見圖1)與一真空裝置(圖中未示)相連，因此所產(chǎn)生的吸咐作用可將置于平臺(tái)201上的晶片W牢固地吸住。
如圖1和圖4所示，在保護(hù)膜切割部分300中，一超聲波切割裝置301相對晶片W的側(cè)面以一定傾斜角度布置。這樣，通過用一相對晶片W側(cè)面傾斜的切割刀片301a來實(shí)施一切割操作，就可使保護(hù)膜109不從晶片W周邊突出。超聲波切割裝置301具有一尖端并固定于一切割裝置基座303上，此尖端上裝有超聲波震動(dòng)刀片301a。刀片301a位于導(dǎo)向輪305之間，導(dǎo)向輪305裝在支撐盤307上并在切割裝置的進(jìn)給方向(在圖4B中為刀片301a的左右方向)上處于刀片301a前方和后方。支撐盤307經(jīng)一滑塊309通過一夾具308固定在切割裝置基座303上以便可在垂直方向上自由移動(dòng)，張緊彈簧311懸掛在超聲波切割裝置301上的銷301b和支撐盤307上的銷307a之間。這些彈簧311的力推動(dòng)導(dǎo)向輪305使其垂直壓在轉(zhuǎn)動(dòng)平臺(tái)201頂面上。
切割裝置基座303與氣缸313的活塞313a相連，氣缸313固定在傾斜盤315上。另外，一滑架316也固定在傾斜盤315上，切割裝置基座303通過一安裝盤314固定在該滑架316上。超聲波切割裝置301由氣缸313帶動(dòng)沿傾斜盤315以一傾斜角度上下運(yùn)動(dòng)。切割裝置基座303以一合適方式裝在安裝盤314上，這種方式應(yīng)使其能夠被自由更換，因此從安裝盤314上拆下切割裝置基座303后，就可用一普通切割裝置來代替該超聲波切割裝置。
如圖4A所示，盤318通過一滑架319固定在一移動(dòng)盤317上，盤318上又固定有一盤320，傾斜盤315通過螺栓321、323以兩點(diǎn)緊固在盤320上，其中通過改變螺栓323緊固位置即可調(diào)節(jié)傾斜盤315的傾斜角度。盤318被一彈簧325拉向晶片W中央(朝圖4A的左邊方向)并被一定位螺釘326限位。通過調(diào)節(jié)定位螺釘326就可將切割刀片301a推向晶片W側(cè)面以切割保護(hù)膜。再有，當(dāng)一異常負(fù)載加在此切割裝置上時(shí)，盤318就會(huì)被拖著朝晶片W外周方向(在圖4A中為朝右)移動(dòng)。這樣，就可防止晶片W或切割裝置承受過度載荷。
如圖1所示，一用于支撐壓輪327的支架329固定在移動(dòng)盤317上，該支架329由氣缸331帶動(dòng)上下運(yùn)動(dòng)。移動(dòng)盤317通過盤330、332固定在一導(dǎo)向座333上以使其可由一電動(dòng)機(jī)335驅(qū)動(dòng)沿Y方向運(yùn)動(dòng)。換言之，切割裝置301和壓輪327都固定在移動(dòng)盤317上并由電動(dòng)機(jī)315驅(qū)動(dòng)沿Y方向運(yùn)動(dòng)。
圖5示出了上述裝置之控制系統(tǒng)的方框圖。對于此圖，用作一程序裝置和其類似物的控制裝置400由諸如CPU和內(nèi)存等元件構(gòu)成。數(shù)據(jù)如晶片尺寸及各電動(dòng)機(jī)的轉(zhuǎn)動(dòng)角度預(yù)就先通過一數(shù)據(jù)輸入裝置401輸入到該控制裝置400內(nèi)。同時(shí)，還提供了一個(gè)用于實(shí)施一晶片吸附的真空開關(guān)403和一個(gè)輸出一信號(hào)指示該裝置開始工作的啟動(dòng)開關(guān)405。而且，還提供了氣缸開關(guān)407、409、411和413以輸出各氣缸的一上止點(diǎn)和一下止點(diǎn)。扭矩電動(dòng)機(jī)125的扭矩由一背部張力調(diào)節(jié)裝置415設(shè)定，原始位置傳感器417、419探測平臺(tái)201和切割裝置301的原始位置，轉(zhuǎn)動(dòng)平臺(tái)201由一電動(dòng)機(jī)421轉(zhuǎn)動(dòng)。如圖5所進(jìn)一步示出，與前述部件相同的部件示以相同的圖標(biāo)。
接下來，將描述上述裝置的工作過程。
首先，在該裝置工作以前，先通過數(shù)據(jù)輸入部分401輸入一些必要的數(shù)據(jù)(晶片尺寸、各電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)角度等)，并通過背部張力調(diào)節(jié)裝置415輸入背部張力值。
而后，將準(zhǔn)備好的晶片W放置在平臺(tái)201上。此步驟可手工進(jìn)行也可以由一機(jī)械手和自動(dòng)供給裝置完成。應(yīng)注意，晶片W要放入一其尺寸與該晶片W尺寸相對應(yīng)的槽201a內(nèi)。之后，打開真空開關(guān)403以在晶片W上施加吸附力，然后打開啟動(dòng)開關(guān)405使平臺(tái)201只移動(dòng)等于預(yù)先輸入值的距離，之后保持該平臺(tái)201不動(dòng)，如圖6A、6B所示。此時(shí)，夾盤135和壓輪107處于一抬起位置，同時(shí)該夾盤135夾持著保護(hù)膜109的兩側(cè)面。
接下來，開始降低壓輪107和夾盤135(見圖6B)，在降低夾盤135時(shí)還沿圖7中箭頭所示方向移動(dòng)此夾盤135以在橫向展開保護(hù)膜109。此時(shí)，背部張力被設(shè)置在一足以將保護(hù)膜109撐直的程度(見圖6B)。之同時(shí)，夾盤136公開，扭矩電動(dòng)機(jī)125的扭矩減小，保護(hù)膜109上的背部張力被設(shè)定在盡可能低的水平，但是不能低到保護(hù)膜109還未被貼敷的部分109a與晶片W表面發(fā)生接觸的水平(見圖6C)。此背部張力值預(yù)先就由背部張力調(diào)節(jié)裝置415在考慮了諸如從張緊輪105延伸到壓輪107的保護(hù)膜的重量及平臺(tái)201的移動(dòng)速度等因素的情況下設(shè)定。當(dāng)然，該設(shè)定值可由背部張力調(diào)節(jié)裝置415改變。在上述狀態(tài)下，當(dāng)壓輪107將保護(hù)膜109壓向晶片W時(shí)，平臺(tái)201僅沿保護(hù)膜的進(jìn)給方向(在圖6中為向左)移動(dòng)一規(guī)定量的距離。
按照上面所述，由于在將保護(hù)膜109貼敷在晶片W上時(shí)該保護(hù)膜109不受任何張力作用，因此保護(hù)膜109上不存在收縮力，這就避免了與此收縮力相對應(yīng)的翹曲或損壞晶片W。
再有，由于夾盤135將保護(hù)膜109的邊緣部分被沿其橫向拉伸，從而在保護(hù)膜109的橫向上施加了張緊力，這樣就可以避免與壓輪107接觸時(shí)產(chǎn)生皺褶。之后，在貼敷保護(hù)膜109時(shí)通過釋放長度方向及寬度方向的張緊力就可防止產(chǎn)生收縮力。
而后，夾盤135閉合，保護(hù)膜109的邊緣部分即被夾住(見圖6E)，切割裝置301沿Y軸(在圖2中為由上至下的方向)移動(dòng)，切割保護(hù)膜109。與此同時(shí)，氣缸331被驅(qū)動(dòng)以沿Y方向放下側(cè)壓輪327以使其隨切割裝置310一起移動(dòng)，從而由側(cè)壓輪327將保護(hù)膜109壓在晶片W上。也即，保護(hù)膜109要承受來自壓輪107、327的兩次擠壓以便牢固地貼敷在晶片W上。在切割操作完成后，壓輪107和夾盤135被再次抬起并保持在此抬起位置待到下一晶片到來。此外，側(cè)壓輪327也一同被升起。
接下來，將參照圖8描述晶片外周邊部分的切割操作。在上述步驟中切割完保護(hù)膜109時(shí)，切割刀片301a處于圖8A中的位置C0，之后切割裝置301抬起并移動(dòng)(沿Y方向)至其原始位置，與此同時(shí)平臺(tái)201沿X方向移動(dòng)，從而將切割刀片301a置于圖8B中所示的定位平面部分一側(cè)的尖角部分C1處。在該尖角部分C1處降低切割刀片301a以使其切入保護(hù)膜109，而后切割刀片301a隨晶片W的定位平面部分移動(dòng)至定位平面部分另一側(cè)的尖角部分C2處，以此來切割該定位平面部分(見圖8B)。此時(shí)，不會(huì)任何損壞，因?yàn)榍懈畹镀?01a的尖端處于槽201a的內(nèi)側(cè)。
而后，當(dāng)切割刀片301a處于放下位置后，如圖8B所示，平臺(tái)201沿X方向移動(dòng)(在圖8B中為從右至左)很小一段距離dX，與此同時(shí)切割刀片301a沿Y方向移動(dòng)(在圖9B中為從下到上)很小一段距離dY。再有，與上述移動(dòng)同步，如圖8B所示，平臺(tái)201繞一轉(zhuǎn)動(dòng)中心0逆時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)很小一角度θ?，F(xiàn)在，如果從平臺(tái)201的中心0做一垂直定位平面部分的直線，該直線將與晶片W之周邊部分的延伸曲線交于C3，在X方向上C3與C2之間的距離為dX，在Y方向上C3與C2之間的距離為dY。
如圖8C所示，通過執(zhí)行上述操作，在尖角部分C2切割刀片301a與晶片W間的位置關(guān)系使切割刀片301a的切割方向(刀片方向)與晶片W之周邊部分的切線方向一致，如果平臺(tái)201繞中心0轉(zhuǎn)動(dòng)，保護(hù)膜109即被沿晶片W的外周邊切割，如圖8D所示。這種切割工作完成后，切割裝置301和平臺(tái)201朝各自原始位置移動(dòng)，一旦原始位置傳感器417和419探測到切割裝置301和平臺(tái)201已分別處于其各自原始位置時(shí)，切割裝置301和平臺(tái)201的運(yùn)動(dòng)立即停止。
注意，盡管上述圖8所示實(shí)施例描述了切割刀片301a的切割方向(刀片方向)與晶片W的切線方向一致，但是也可以如圖9所示，將切割刀片301a的切割方向布置成不與周邊部分之切線一致，例如具有兩個(gè)方向，該兩個(gè)方向偏離一規(guī)定角度(如α＝0-15度)或偏離小于一規(guī)定角度(如α＝0-15度)。如圖9所進(jìn)一步示出，通過將切割刀片301a的切割方向布置在晶片W之周邊部分的切線方向內(nèi)側(cè)，即使晶片W輕微偏心的情況下仍可沿晶片W的外周邊切割保護(hù)膜109。如今即便切割刀片301a向內(nèi)移動(dòng)得太深，該切割刀片301a仍就可以克服彈簧325的偏壓力向外移動(dòng)。
在執(zhí)行上述操作時(shí)，由于切割保護(hù)膜時(shí)切割方向與晶片周邊部分之切線方向一致要不就是該切割方向相對晶片周邊部分的切線方向成一規(guī)定角度或成一小于該規(guī)定角度的角度，因此可以依照晶片的尺寸來切割保護(hù)膜，即使在定位平面部分的尖角部分也如此，這樣就可防止產(chǎn)生切割余料(毛邊)。
再有，在上述實(shí)施例中，切割保護(hù)膜時(shí)切割裝置的切割方向是固定的。也就是說，切割刀片的方向是不變的(例如，在圖8所示實(shí)施例中切割刀片301a通常被以一固定的朝下方向夾持著)。因此，本發(fā)明可發(fā)實(shí)施準(zhǔn)確的切割操作。與此相對應(yīng)，現(xiàn)有技術(shù)給出了一種方法，在這種方法中切割刀片的方向是變化反便沿晶片周邊部分的切線方向移動(dòng)切割刀片，但這樣做很容易使切割刀片尖端的切割部分滑脫，從而產(chǎn)生切割余料(毛邊)。與此相對照，在上述本發(fā)明實(shí)施例中切割裝置的切割方向被固定，鑒于這樣做以后切割刀片的尖端很難再從切割部分上滑脫，因此切割刀片的進(jìn)給方向可以準(zhǔn)確地與晶片的周邊部分相吻合。再者，這種控制很容易進(jìn)行。
此外，就在執(zhí)行上述切割操作時(shí)，擠壓操作也同時(shí)由位于切割刀片301a前后的導(dǎo)向輪305執(zhí)行著。結(jié)果，在保護(hù)膜109與平臺(tái)201之間未留下任何間隙，因此可以實(shí)施穩(wěn)定的切割操作。而且，由于可以牢固地將保護(hù)膜109粘貼在晶片W上，所以不易產(chǎn)生余料(毛邊)，因此在磨削過程中就不會(huì)有切割余料卷入，這同時(shí)還防止了水的滲入。至于導(dǎo)向輪305，不必總是將其置于切割裝置前方和后方，相反還可以將僅此一只導(dǎo)向輪置于切割裝置前方或后方。
在將保護(hù)膜109從晶片W之周邊部分切除后，將未粘貼于晶片W上的保護(hù)膜109的剩余部分剝?nèi)?，而后取下晶片W，換上一新的晶片。這些操作可手工完成也可以由機(jī)械手及自動(dòng)供給裝置等裝置完全自動(dòng)化地進(jìn)行。當(dāng)換上一新的晶片后，重復(fù)上述同樣操作。
在上述描述中，移動(dòng)平臺(tái)201以貼敷保護(hù)膜109時(shí)壓輪107保持不動(dòng)。但是，本發(fā)明并不限于此種布置，也可以使平臺(tái)201保持不動(dòng)而移動(dòng)壓輪107。
在上述裝置中，切割刀片由圖8B到8C的移動(dòng)過程中切割裝置與保護(hù)膜之間位置關(guān)系保持不變，也即，使切割裝置緊隨定位平面部分的尖角部分。如此這般，就可保持保護(hù)膜切割點(diǎn)的連續(xù)性，并且能夠可靠地防止晶片尖角部分產(chǎn)生切割余料或毛邊。在實(shí)施此切割操作的方法的一個(gè)實(shí)施例中，在恰當(dāng)設(shè)定平臺(tái)沿X方向運(yùn)動(dòng)的速度及平臺(tái)的轉(zhuǎn)速，并設(shè)定切割裝置301的移動(dòng)速度以便與尖角部分C2沿Y方向運(yùn)動(dòng)的速度相匹配以后，可沿圖8B所示定位平面部分的直線Z的軌跡畫出晶片的尖角部分C2。
再有，盡管在上述實(shí)施例中切割刀片從圖8B到8C的移動(dòng)是隨著切割裝置與平臺(tái)二者的運(yùn)動(dòng)進(jìn)行的，但是也可以僅移動(dòng)切割裝置或僅移動(dòng)平臺(tái)。在對圖8B的描述中，當(dāng)定位平面部分被切去后，切割裝置從圖8B中的C2位置移動(dòng)到C3位置，該運(yùn)動(dòng)可通過沿XY方向只移動(dòng)切割裝置或者沿XY方向僅移動(dòng)平臺(tái)來完成。
如上所述，由于本發(fā)明可以在貼敷保護(hù)膜時(shí)調(diào)節(jié)背部張力，因此本發(fā)明可以將保護(hù)膜貼敷在半導(dǎo)體晶片上而不會(huì)產(chǎn)生翹曲或損壞半導(dǎo)體晶片。
此外，本發(fā)明可以按照晶片的形狀，甚至在定位平面部分的尖角部分，切割保護(hù)膜，因此本發(fā)明可以避免產(chǎn)生切割余料。而且，通過由設(shè)置在切割刀片前方和/或后方的導(dǎo)向輪實(shí)施擠壓操作，可以將保護(hù)膜牢固地粘到晶片上，這也避免了切割余料或類似物的產(chǎn)生。
權(quán)利要求
1.一種用于將一保護(hù)膜貼敷在一半導(dǎo)體晶片上的裝置，包括一個(gè)切割裝置，該切割裝置用于在將所述保護(hù)膜貼敷在所述半導(dǎo)體晶片上后切割所述保護(hù)膜以使其與半導(dǎo)體晶片的形狀相吻合；及至少一個(gè)設(shè)置于所述切割裝置之進(jìn)給方向的前方和/或后方的導(dǎo)向輪以將所述保護(hù)膜壓在所述半導(dǎo)體晶片上。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于將一保護(hù)膜貼敷在一半導(dǎo)體晶片上的裝置，包括一個(gè)切割裝置，該切割裝置用于在將所述保護(hù)膜貼敷在所述半導(dǎo)體晶片上后切割所述保護(hù)膜以使其與半導(dǎo)體晶片的形狀相吻合；以及至少一個(gè)設(shè)置于所述切割裝置之進(jìn)給方向的前方和/或后方的導(dǎo)向輪以將所述保護(hù)膜壓在所述半導(dǎo)體晶片上。
文檔編號(hào)B65H37/04GK1734709SQ20051008446
公開日2006年2月15日 申請日期1998年5月29日 優(yōu)先權(quán)日1997年5月30日
發(fā)明者齋藤博, 栗田剛, 岡本光司 申請人:琳得科株式會(huì)社