本技術(shù)涉及微流控反應(yīng)領(lǐng)域,具體涉及一種量子點(diǎn)的制備方法及微流控反應(yīng)系統(tǒng)。
背景技術(shù):
1、現(xiàn)有合成量子點(diǎn)的制備工藝較為復(fù)雜,因此,本技術(shù)旨在提供一種新型的量子點(diǎn)的合成方法。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本技術(shù)提供一種新型的量子點(diǎn)的制備方法及微流控反應(yīng)系統(tǒng)。
2、本技術(shù)提供一種量子點(diǎn)發(fā)光器件的制備方法,采用微流控芯片制備所述量子點(diǎn),所述制備方法包括以下步驟:
3、提供前驅(qū)體溶液,其中,所述前驅(qū)體溶液包括前驅(qū)體和第一溶劑;以及
4、提供第二溶劑,并將所述第二溶劑和所述前驅(qū)體溶液混合,得到量子點(diǎn);其中,所述第二溶劑和所述第一溶劑互溶,且所述第二溶劑與所述前驅(qū)體不溶。
5、可選的,在本技術(shù)的一些實(shí)施例中,在將所述第二溶劑和所述前驅(qū)體溶液混合的步驟中,所述第二溶劑和所述前驅(qū)體溶液混合后得到包括所述量子點(diǎn)的量子點(diǎn)流體;
6、所述制備方法還包括:提供第三溶劑,并將第三溶劑和所述量子點(diǎn)流體混合,得到包含所述量子點(diǎn)的量子點(diǎn)微液滴;其中,所述第三溶劑與所述第二溶劑不溶。
7、可選的,在本技術(shù)的一些實(shí)施例中,在將所述第二溶劑和所述前驅(qū)體溶液混合的步驟之前,所述制備方法還包括:將所述前驅(qū)體溶液注入微流控芯片內(nèi);
8、所述將所述第二溶劑和所述前驅(qū)體溶液混合的步驟,包括:將所述第二溶劑注入所述微流控芯片內(nèi);其中,所述第一溶劑和所述第二溶劑在所述微流控芯片內(nèi)的流速比為1:10-1:50;
9、所述將第三溶劑和所述量子點(diǎn)流體混合的步驟,包括:將所述第三溶劑注入所述微流控芯片內(nèi);其中,所述第二溶劑和所述第三溶劑在所述微流控芯片內(nèi)的流速比為1:3-1:10。
10、可選的,在本技術(shù)的一些實(shí)施例中,所述第一溶劑包括二甲基甲酰胺和/或二甲基亞砜;和/或
11、所述第二溶劑包括二乙醚和/或環(huán)己烷;和/或
12、所述第三溶劑包括二甲基亞砜、乙腈以及甲醇中的至少一種。
13、可選的,在本技術(shù)的一些實(shí)施例中,所述第一溶劑、所述第二溶劑以及所述第三溶劑依次為二甲基甲酰胺、二乙醚以及二甲基亞砜;或
14、所述第一溶劑、所述第二溶劑以及所述第三溶劑依次為二甲基甲酰胺、環(huán)己烷以及乙腈;或
15、所述第一溶劑、所述第二溶劑以及所述第三溶劑依次為二甲基甲酰胺、環(huán)己烷以及甲醇;或
16、所述第一溶劑、所述第二溶劑以及所述第三溶劑依次為二甲基亞砜、環(huán)己烷以及甲醇。
17、可選的,在本技術(shù)的一些實(shí)施例中,將所述第二溶劑和所述前驅(qū)體溶液混合的步驟之前,所述制備方法還包括:對(duì)所述前驅(qū)體溶液進(jìn)行超聲處理。
18、可選的,在本技術(shù)的一些實(shí)施例中,所述前驅(qū)體包括第一前驅(qū)體和第二前驅(qū)體,所述第一溶劑包括第一子溶劑和第二子溶劑,所述第一子溶劑和所述第二子溶劑均與所述第二溶劑互溶,所述第一前驅(qū)體和所述第二前驅(qū)體不同,所述第一子溶劑和所述第二子溶劑相同或不同;所述前驅(qū)體溶液包括第一前驅(qū)體溶液和第二前驅(qū)體溶液,所述第一前驅(qū)體溶液包括所述第一前驅(qū)體和所述第一子溶劑,所述第二前驅(qū)體溶液包括所述第二前驅(qū)體和所述第二子溶劑;
19、所述將所述第二溶劑和所述前驅(qū)體溶液混合的步驟之前,所述制備方法還包括:
20、分別對(duì)所述第一前驅(qū)體溶液和所述第二前驅(qū)體溶液進(jìn)行超聲處理;
21、將所述超聲處理后的所述第一前驅(qū)體溶液和所述第二前驅(qū)體溶液混合以得到所述前驅(qū)體溶液。
22、可選的,在本技術(shù)的一些實(shí)施例中,所述將所述超聲處理后的所述第一前驅(qū)體溶液和所述第二前驅(qū)體溶液混合的步驟之后,所述制備方法還包括:對(duì)混合得到的所述前驅(qū)體溶液進(jìn)行紫外照射處理。
23、可選的,在本技術(shù)的一些實(shí)施例中,所述得到包括所述量子點(diǎn)的量子點(diǎn)流體之后,所述制備方法還包括:對(duì)所述量子點(diǎn)流體進(jìn)行抽真空處理;和/或
24、所述得到包含所述量子點(diǎn)的量子點(diǎn)微液滴之后,所述制備方法還包括:對(duì)所述量子點(diǎn)微液滴進(jìn)行冷卻處理。
25、可選的,在本技術(shù)的一些實(shí)施例中,所述將所述第二溶劑和所述前驅(qū)體溶液混合的步驟之前,所述制備方法還包括:對(duì)所述前驅(qū)體溶液進(jìn)行活化處理。
26、本技術(shù)還提供一種微流控反應(yīng)系統(tǒng),其包括微流控芯片,所述微流控芯片包括;
27、第一注入通道,用于注入前驅(qū)體溶液,其中,所述前驅(qū)體溶液包括前驅(qū)體和第一溶劑;
28、第二注入通道,用于注入第二溶劑,所述第二注入通道的出料端與所述第一注入通道的出料端連通;其中,所述第二溶劑和所述第一溶劑互溶,且與所述前驅(qū)體不溶;以及
29、反應(yīng)通道,所述反應(yīng)通道的第一端分別與所述第一注入通道的出料端、所述第二注入通道的出料端連通,以用于使所述第二溶劑和所述前驅(qū)體溶液混合得到量子點(diǎn)。
30、可選的,在本技術(shù)的一些實(shí)施例中,所述微流控芯片還包括:
31、第三注入通道,用于注入第三溶劑,所述第三溶劑與所述第二溶劑不溶;其中,所述第三注入通道的出料端連通于所述反應(yīng)通道的第二端;以及
32、流出通道,用于混合所述第三溶劑和從所述反應(yīng)通道的第二端流出的包括所述量子點(diǎn)的量子點(diǎn)流體,以得到量子點(diǎn)微液滴;其中,所述流出通道的進(jìn)料端連通于所述第三注入通道的出料端和所述反應(yīng)通道的第二端。
33、可選的,在本技術(shù)的一些實(shí)施例中,所述微流控芯片還包括混合通道,所述混合通道的第一端與所述第一注入通道的出料端連通,所述混合通道的第二端與所述第二注入通道的出料端、所述反應(yīng)通道的第一端連通;
34、所述第一注入通道包括并聯(lián)設(shè)置的第一子注入通道和第二子注入通道,所述第一子注入通道的出料端和所述第二子注入通道的出料端連通并形成一匯合口,所述混合通道的第一端連通于所述匯合口。
35、可選的,在本技術(shù)的一些實(shí)施例中,在所述微流控芯片的長(zhǎng)度方向上,所述混合通道的長(zhǎng)度和所述微流控芯片的長(zhǎng)度的比值范圍為1:3-1:5;和/或
36、在所述微流控芯片的長(zhǎng)度方向上,所述反應(yīng)通道的長(zhǎng)度和所述微流控芯片的長(zhǎng)度的比值范圍為1:10-1:16;和/或
37、在所述微流控芯片的長(zhǎng)度方向上,所述流出通道的長(zhǎng)度和所述微流控芯片的長(zhǎng)度的比值范圍為1:2-1:3。
38、可選的,在本技術(shù)的一些實(shí)施例中,所述混合通道的長(zhǎng)度為10cm-15cm;和/或,所述反應(yīng)通道的長(zhǎng)度為3cm-5cm;和/或,所述流出通道的長(zhǎng)度為15cm-20cm。
39、可選的,在本技術(shù)的一些實(shí)施例中,所述混合通道的內(nèi)徑為100μm-130μm;和/或,所述反應(yīng)通道的內(nèi)徑為170μm-220μm;和/或,所述流出通道的內(nèi)徑為260μm-300μm。
40、可選的,在本技術(shù)的一些實(shí)施例中,所述微流控芯片還包括超聲裝置,所述超聲裝置與所述第一注入通道對(duì)應(yīng)設(shè)置;和/或
41、所述微流控反應(yīng)系統(tǒng)還包括紫外照射裝置,所述紫外照射裝置與所述混合通道對(duì)應(yīng)設(shè)置;和/或
42、所述微流控反應(yīng)系統(tǒng)還包括負(fù)壓裝置,所述負(fù)壓裝置與所述反應(yīng)通道對(duì)應(yīng)設(shè)置;和/或
43、所述微流控反應(yīng)系統(tǒng)還包括冷卻裝置,所述冷卻裝置與所述流出通道對(duì)應(yīng)設(shè)置。
44、本技術(shù)提供了一種量子點(diǎn)的制備方法及微流控反應(yīng)系統(tǒng),在本技術(shù)提供的采用微流控法合成量子點(diǎn)的制備方法中,通過在前驅(qū)體溶液中加入第二溶劑,利用第二溶劑對(duì)前驅(qū)體溶液中的前驅(qū)體和第一溶劑的溶解度差異來合成量子點(diǎn),從而提供了一種新型的合成量子點(diǎn)的方法。