本發(fā)明涉及用于有機(jī)膜的化學(xué)機(jī)械拋光(chemicalmechanicalpolishing)(CMP)漿料組合物(slurrycomposition)及使用其的拋光方法。
背景技術(shù)：
：：半導(dǎo)體制造方法包括在圖案化的硅晶片上形成無機(jī)膜(例如氧化硅膜或氮化硅膜)的過程以及空隙填充(gap-filling)形成在無機(jī)膜中的通孔的過程。用有機(jī)膜材料進(jìn)行空隙填充過程以填充通孔，且在空隙填充過程之后，進(jìn)行平坦化(planarization)過程以除去過多的有機(jī)膜。對(duì)于平坦化，CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)吸引了本領(lǐng)域的關(guān)注。用于有機(jī)膜的典型的CMP漿料組合物包含聚合物拋光顆粒以便允許以高拋光速率將有機(jī)膜拋光而不劣化表面情況，如刮擦。然而，由于所有的有機(jī)膜不是由相同的材料形成，在增強(qiáng)拋光表面的平坦度時(shí)，相對(duì)于一些類型的有機(jī)膜，這種典型的CMP漿料組合物不能獲得期望的拋光速率。此外，當(dāng)用于拋光金屬膜如硅等的金屬氧化物研磨劑(abrasive)用于有機(jī)膜的拋光時(shí)，相對(duì)于一些類型的有機(jī)膜，難以獲得期望的拋光量，和/或由于刮擦等可以降低拋光表面的平坦度。在韓國(guó)專利公開號(hào)2007-0057009A中公開了相關(guān)技術(shù)的一個(gè)實(shí)例。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：技術(shù)問題本發(fā)明的一個(gè)方面是提供用于有機(jī)膜的CMP漿料組合物，其在拋光具有高碳含量、高膜密度和高硬度的有機(jī)膜上具有優(yōu)異的效果。本發(fā)明的另一個(gè)方面是提供用于有機(jī)膜的CMP漿料組合物，其在拋光具有高碳含量、高膜密度和高硬度的有機(jī)膜之后提供拋光表面的良好平坦性，且通過易于從拋光停止層(polishingstoplayer)除去殘余的有機(jī)膜而允許更加均勻地拋光。技術(shù)解決方案本發(fā)明的一個(gè)方面提供了用于有機(jī)膜的CMP漿料組合物，該CMP漿料組合物包含極性溶劑和非極性溶劑中的至少一種；金屬氧化物研磨劑；氧化劑；和雜環(huán)化合物，其中該雜環(huán)化合物包含選自氧(O)、硫(S)和氮(N)中的一種或兩種雜原子，并且CMP漿料組合物能夠拋光具有50原子％至95原子％的碳含量的有機(jī)膜。有機(jī)膜可以具有0.5g/cm3至2.5g/cm3的膜密度和0.4GPa或更大的硬度。有機(jī)膜可以具有1.0g/cm3至2.0g/cm3的膜密度和1.0GPa或更大的硬度。金屬氧化物研磨劑可以包含二氧化硅、氧化鋁、二氧化鈰、二氧化鈦和氧化鋯中的至少一種。金屬氧化物研磨劑可以以0.01wt％至5wt％的量存在于組合物中。雜環(huán)化合物可以以0.001wt％至5wt％的量存在于組合物中。雜環(huán)化合物可以具有5元環(huán)結(jié)構(gòu)或6元環(huán)結(jié)構(gòu)。氧化劑和雜環(huán)化合物可以以1:0.01至1:1的重量比存在。氧化劑可以包括多價(jià)氧化態(tài)的金屬鹽和過渡金屬螯合物中的至少一種。氧化劑可以以0.001wt％至5wt％的量存在于組合物中。多價(jià)氧化態(tài)的金屬鹽可以包括鈰銨鹽、硝酸鐵和氯化鐵中的至少一種。有機(jī)膜可以具有0mgKOH/g的酸值。本發(fā)明的另一方面提供了使用用于有機(jī)膜的CMP漿料組合物拋光包括有機(jī)膜的有機(jī)膜的方法，其中該有機(jī)膜具有50原子(atm)％至95原子％的碳含量、0.5g/cm3至2.5g/cm3的膜密度以及0.4GPa或更大的硬度。有益效果根據(jù)本發(fā)明，CMP漿料組合物在拋光具有高碳含量、高膜密度和高硬度的有機(jī)膜上提供了優(yōu)異的效果，在拋光有機(jī)膜之后提供了拋光表面的良好平坦性，且通過易于從拋光停止層除去殘余的有機(jī)膜而允許更加均勻地拋光。附圖說明圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的拋光有機(jī)膜的方法的圖。具體實(shí)施方式用于有機(jī)膜的CMP漿料組合物根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，用于有機(jī)膜的CMP漿料組合物可以包含極性溶劑和非極性溶劑中的至少一種；金屬氧化物研磨劑；氧化劑；和雜環(huán)化合物。結(jié)果是，CMP漿料組合物可以用于以高拋光速率拋光有機(jī)膜而沒有刮擦，同時(shí)改善拋光表面的平坦性。當(dāng)用金屬氧化物研磨劑拋光具有高碳含量的有機(jī)膜時(shí)，極性和/或非極性溶劑減少摩擦，并且可以包括，例如，水、超純水、有機(jī)胺、有機(jī)醇、有機(jī)醇胺、有機(jī)醚、有機(jī)酮等。例如，極性和/或非極性溶劑可以是超純水。極性和/或非極性溶劑可以以余量存在于CMP漿料組合物中。提供金屬氧化物研磨劑來以高拋光速率將具有高碳含量、高膜密度和高硬度的有機(jī)膜拋光。具體地，在根據(jù)本發(fā)明拋光有機(jī)膜時(shí)，金屬氧化物研磨劑不產(chǎn)生刮擦，從而改善拋光表面的平坦性。具體地，金屬氧化物研磨劑可以包括選自二氧化硅、氧化鋁、二氧化鈰、二氧化鈦和氧化鋯中的至少一種。特別地，優(yōu)選提供更佳分散穩(wěn)定性的二氧化硅以及提供更高拋光速率的二氧化鈰。金屬氧化物研磨劑可以是球形的顆粒并且具有10nm至150nm，例如30nm至70nm的平均粒徑。在此范圍之內(nèi)，根據(jù)本發(fā)明金屬氧化物研磨劑可以提供相對(duì)于有機(jī)膜的充足拋光速率而不產(chǎn)生刮擦，同時(shí)改善拋光表面的平坦性。金屬氧化物研磨劑可以以按重量計(jì)0.01％(wt％)至5wt％，例如，0.01wt％至3wt％的量存在于CMP漿料組合物中。在此范圍之內(nèi)，金屬氧化物研磨劑可以提供相對(duì)于有機(jī)膜的充足拋光速率而不產(chǎn)生刮擦，并且可以表現(xiàn)出良好的分散穩(wěn)定性。優(yōu)選地，通過增加金屬氧化物研磨劑的平均粒徑同時(shí)降低金屬氧化物研磨劑在漿料組合物中的量，用于有機(jī)膜的CMP漿料組合物具有相對(duì)于有機(jī)膜的改善拋光速率且具有相對(duì)于無機(jī)膜的低拋光速率。氧化劑通過氧化有機(jī)膜的表層來促進(jìn)具有高碳含量、高膜密度和高硬度的有機(jī)膜的拋光，并且允許有機(jī)膜具有均勻表面以便在通過拋光將無機(jī)膜暴露時(shí)實(shí)現(xiàn)拋光表面的良好的表面粗糙度。此外，氧化劑促進(jìn)在無機(jī)膜上的殘余有機(jī)膜的去除，從而允許將有機(jī)膜均勻地拋光。具體地，氧化劑可以包括多價(jià)氧化態(tài)的金屬鹽和過渡金屬螯合物中的至少一種。本文中，術(shù)語“多價(jià)的”指的是二價(jià)或更高的，例如，三價(jià)或更高的，例如，四價(jià)或更高的。多價(jià)氧化態(tài)的金屬鹽增加相對(duì)于有機(jī)膜的拋光速率，同時(shí)降低相對(duì)于無機(jī)膜的拋光速率。金屬鹽可以包括金屬，如過渡金屬、鑭系元素等，并且可以另外地包括鹵素、銨、硝酸鹽等。例如，金屬鹽可以包括鈰銨鹽、鹵化鐵鹽、硝酸鐵等，更具體地硝酸鈰銨、硝酸鐵、氯化鐵等。過渡金屬螯合物增加相對(duì)于有機(jī)膜的拋光速率，同時(shí)降低相對(duì)于無機(jī)膜的拋光速率。在過渡金屬螯合物中，過渡金屬可以包括通常已知的第III族至第XII族的過渡金屬，例如，鐵、銅、錳和鉻。螯合物可以包括草酸、氨基取代的羧酸(例如，氨基聚羧酸，如亞氨基二乙酸、乙二胺二琥珀酸、亞氨基二琥珀酸、乙二胺四乙酸和氮川三乙酸(nitrilotriaceticacid)，α-氨基酸如甘氨酸和β-氨基酸)、羥基取代的羧酸(例如，乙醇酸，乳酸和含羥基的多元羧酸，如蘋果酸、檸檬酸和酒石酸)、膦?；人?、氨基膦酸及它們的組合。例如，過渡金屬螯合物可以包含包括丙二胺四乙酸-Fe的含F(xiàn)e化合物和包括丙二胺四乙酸-Mn的含Mn化合物中的至少一種，但不限于此。氧化劑可以以約0.001wt％至約5wt％，例如約0.01wt％至約3wt％或約0.05至約3wt％的量存在于CMP漿料組合物中。在此范圍內(nèi)，CMP漿料組合物可以保持相對(duì)于有機(jī)膜的合適的蝕刻特性。當(dāng)CMP漿料組合物是酸性的時(shí)，氧化劑表現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性，借此CMP漿料組合物可以增加相對(duì)于有機(jī)膜的拋光速率，改善拋光表面的平坦度，以及增加對(duì)無機(jī)膜的拋光選擇性。雜環(huán)化合物是具有環(huán)狀化學(xué)結(jié)構(gòu)的有機(jī)化合物，其不僅包含碳原子而且包含選自氧(O)、硫(S)和氮(N)中的雜原子。雜環(huán)化合物可以包含一種或兩種雜原子，且可以具有5元或6元環(huán)結(jié)構(gòu)。利用具有這種環(huán)結(jié)構(gòu)的雜環(huán)化合物，漿料組合物可以抑制有機(jī)膜缺陷的發(fā)生，同時(shí)增加相對(duì)于有機(jī)膜的拋光速率。具有包含一個(gè)雜原子的5元環(huán)結(jié)構(gòu)的雜環(huán)化合物的實(shí)例可以包括：含作為雜原子的氮(N)的吡咯烷或吡咯；含作為雜原子的氧(O)的四氫呋喃或呋喃；含作為雜原子的硫(S)的四氫噻吩(thiolane)或噻吩；以及它們的衍生物。具有包含一個(gè)雜原子的6元環(huán)結(jié)構(gòu)的雜環(huán)化合物的實(shí)例可以包括含作為雜原子的氮(N)的哌啶或吡啶；含作為雜原子的氧(O)的噁烷(oxane)或吡喃；含作為雜原子的硫(S)的噻烷(thiane)或噻喃；以及它們的衍生物。具有包含兩個(gè)雜原子的5元環(huán)結(jié)構(gòu)的雜環(huán)化合物的實(shí)例可以包括咪唑烷、吡唑烷、咪唑、吡唑、噁唑烷、噁唑、異噻唑烷、噻唑、二氧戊環(huán)、二硫戊環(huán)、組氨酸及它們的衍生物。具有包含兩個(gè)雜原子的6元環(huán)結(jié)構(gòu)的雜環(huán)化合物的實(shí)例可以包括哌嗪、嘧啶、二嗪、嗎啉、噁嗪、硫代嗎啉、噻嗪、二噁烷、二噁英、二噻烷、二噻烯(dithiine)及它們的衍生物。雜環(huán)化合物可以以0.001wt％至5wt％，例如0.005wt％至2wt％或0.005wt％至1wt％的量存在于CMP漿料組合物中。在此范圍內(nèi)，CMP漿料組合物可以表現(xiàn)出相對(duì)于有機(jī)膜的高拋光速率，并且可以確保拋光表面的良好平坦性。在一個(gè)實(shí)施方式中，氧化劑和雜環(huán)化合物可以以1:0.01至1:1，具體地1:0.05至1:0.5的重量比存在于CMP漿料組合物中。在此范圍內(nèi)，雜環(huán)化合物輔助氧化劑的氧化，從而改善相對(duì)于有機(jī)膜的蝕刻性能，同時(shí)最大化拋光效果。在一些實(shí)施方式中，CMP漿料組合物可以是酸性的。在這些實(shí)施方式中，CMP漿料組合物可以增加對(duì)有機(jī)膜的拋光選擇性，并且可以改善相對(duì)于有機(jī)膜的拋光速率以及拋光表面的平坦性。具體地，CMP漿料組合物可以具有5或更小、具體地4或更小、更具體地1至3.5的pH。例如，使用pH調(diào)節(jié)劑，可以將CMP漿料組合物調(diào)節(jié)為具有在此范圍內(nèi)的pH。pH調(diào)節(jié)劑可以包括：無機(jī)酸，例如，硝酸、磷酸、鹽酸和硫酸中的至少一種；以及有機(jī)酸，例如，具有5或更小的pKa的有機(jī)酸，例如，乙酸和檸檬酸中的至少一種，但不限于此。CMP漿料組合物可以進(jìn)一步地包含添加劑。例如，CMP漿料組合物可以進(jìn)一步地包含作為添加劑的拋光促進(jìn)劑(polishingaccelerator)。拋光促進(jìn)劑通過抑制相對(duì)于無機(jī)膜的拋光速率，可以增加對(duì)無機(jī)膜的拋光選擇性。拋光促進(jìn)劑可以包括有機(jī)酸，例如，蘋果酸、檸檬酸、甲酸、戊二酸、草酸、苯二甲酸、琥珀酸、酒石酸、馬來酸和丙二酸中的至少一種。拋光促進(jìn)劑可以以0.02wt％至0.5wt％的量存在于CMP漿料組合物中。在該范圍內(nèi)，拋光促進(jìn)劑對(duì)拋光速率、漿料的分散穩(wěn)定性和有機(jī)碳膜的表面特性沒有不利影響。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，CMP漿料組合物可以具有相對(duì)于有機(jī)膜的至特別地約至約的拋光速率。CMP漿料組合物的拋光目標(biāo)在下文中，將詳細(xì)地描述作為根據(jù)本發(fā)明的CMP漿料組合物的拋光目標(biāo)的有機(jī)膜。如在本文中使用的，在“取代的或未取代的”中的術(shù)語“取代的”是指相應(yīng)官能團(tuán)的至少一個(gè)氫原子被以下各項(xiàng)取代：羥基基團(tuán)、鹵素原子、亞硫?；?、硫醇基、氰基基團(tuán)、氨基基團(tuán)、C1至C30烷基基團(tuán)、C2至C30烯基基團(tuán)、C2至C30炔基基團(tuán)、C3至C30環(huán)烷基基團(tuán)、C3至C30環(huán)烯基基團(tuán)、C6至C30芳基基團(tuán)、C7至C30芳基烷基基團(tuán)、C1至C20雜烷基基團(tuán)、C2至C30雜環(huán)烷基基團(tuán)、C2至C30雜環(huán)烯基基團(tuán)、C2至C30雜芳基基團(tuán)、C2至C30雜芳基烷基基團(tuán)、C1至C20烷基胺基、C1至C30烷氧基基團(tuán)、C6至C30芳氧基基團(tuán)、C1至C20醛基、C1至C40烷基醚基團(tuán)、C7至C20芳基亞烷基醚基團(tuán)、C1至C30鹵代烷基基團(tuán)、含P的官能團(tuán)、含B的官能團(tuán)或它們的組合。在本文中，“含P的官能團(tuán)”可以由式A表示，并且“含B的官能團(tuán)”可以由式B表示：<式A>*-(O)n-(CH2)m-P(＝O)(Ra)(Rb)<式B>*-B(Rc)(Rd)，(其中，n是0或1；m是0至10的整數(shù)；并且Ra、Rb、Rc和Rd各自獨(dú)立地是氫、羥基、取代或未取代的C1至C20烷基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C20烯基基團(tuán)、取代或未取代的C3至C20環(huán)烷基基團(tuán)、取代或未取代的C1至C20鹵代烷基基團(tuán)、取代或未取代的C1至C20烷基磺酸酯基、取代或未取代的C1至C20烷基磺?；?、取代或未取代的C2至C20烷基酰胺基、取代或未取代的C3至C20烷基酯基、取代或未取代的C2至C20氰基烷基基團(tuán)、取代或未取代的C1至C20烷氧基基團(tuán)、取代或未取代的C6至C30芳基基團(tuán)、取代或未取代的C6至C30芳基烷基基團(tuán)或取代或未取代的C6至C30芳氧基基團(tuán)，或者將Ra和Rb或者Rc和Rd彼此連接以形成取代或未取代的C3至C20環(huán)烷基基團(tuán)或取代或未取代的C3至C20雜環(huán)烷基基團(tuán))。優(yōu)選地，含P的官能團(tuán)是含P和O的官能團(tuán)，例如，-P(＝O)(OH)2、-O-P(＝O)(OH)2、-P(＝O)(OCH2CH3)2和-P(＝O)(C2H4C6H5)(OCH2CH3)，以及含B的官能團(tuán)是含B和O的官能團(tuán)，例如，-B(OH)2、-B(H)(CH3)和-B(CH2CH3)2。當(dāng)將無機(jī)膜沉積于圖案化的晶片，例如，圖案化的硅晶片上時(shí)，有機(jī)膜填充形成于其中的通孔(via-hole)。CMP漿料組合物需要以足夠的拋光速率將有機(jī)膜拋光用于沉積膜的平坦化，需要改善拋光表面的平坦度以及需要允許在拋光后易于去除無機(jī)膜上的殘余物。無機(jī)膜可以由氧化硅和氮化硅中的至少一種形成，但不限于此。根據(jù)有機(jī)膜的材料，有機(jī)膜在拋光后可以具有顯著不同的拋光速率和平坦性。根據(jù)本發(fā)明的CMP漿料組合物是用于將具有高碳含量的有機(jī)膜拋光的組合物。當(dāng)使用CMP漿料組合物將有機(jī)膜拋光時(shí)，CMP漿料組合物可以改善有機(jī)膜的拋光速率和平坦性，并且可以促進(jìn)在拋光后從無機(jī)膜去除殘余物。作為拋光目標(biāo)，由于與常規(guī)的有機(jī)膜相比，根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)膜具有更高的碳含量、更高的膜密度和更高的硬度，因此不能用常規(guī)的含聚合物顆粒的CMP漿料組合物將有機(jī)膜拋光。在另一方面，根據(jù)本發(fā)明的CMP漿料組合物能夠以高拋光速率將有機(jī)膜拋光，而不因刮擦劣化表面條件。具體地，相對(duì)于有機(jī)膜，根據(jù)本發(fā)明的CMP漿料組合物具有或更大，例如或更大的拋光速率，并且拋光速率可以在例如約至約的范圍。在該范圍內(nèi)，CMP漿料組合物可以確保相對(duì)于有機(jī)膜的足夠的拋光速率。在一些實(shí)施方式中，有機(jī)膜可以具有約50原子％至約95原子％、具體地約65原子％至約95原子％或約70原子％至約92原子％，例如約65原子％、66原子％、67原子％、68原子％、69原子％、70原子％、71原子％、72原子％、73原子％、74原子％、75原子％、76原子％、77原子％、78原子％、79原子％、80原子％、81原子％、82原子％、83原子％、84原子％、85原子％、86原子％、87原子％、88原子％、89原子％、90原子％、91原子％、92原子％、93原子％、94原子％、或95原子％的碳含量。在此范圍內(nèi)，當(dāng)用金屬氧化物研磨劑拋光時(shí)，可以以高拋光速率將有機(jī)膜拋光，有機(jī)膜不遭受刮擦，并且可以表現(xiàn)出拋光表面的高平坦度。此外，有機(jī)膜可以具有約0.5g/cm3至約2.5g/cm3、具體地約1.0g/cm3至約2.0g/cm3或約1.2g/cm3至約1.6g/cm3，例如，約0.5g/cm3、0.6g/cm3、0.7g/cm3、0.8g/cm3、0.9g/cm3、1.0g/cm3、1.1g/cm3、1.2g/cm3、1.3g/cm3、1.4g/cm3、1.5g/cm3、1.6g/cm3、1.7g/cm3、1.8g/cm3、1.9g/cm3、2.0g/cm3、2.1g/cm3、2.2g/cm3、2.3g/cm3、2.4g/cm3、或2.5g/cm3的膜密度。在此范圍內(nèi)，當(dāng)用金屬氧化物研磨劑拋光時(shí)，可以以高拋光速率將有機(jī)膜拋光，有機(jī)膜不遭受刮擦，并且可以表現(xiàn)出拋光表面的高平坦度。進(jìn)一步地，有機(jī)膜可以具有0.4GPa或更大、具體地1.0GPa或更大、或1.3GPa或更大，例如，1.0GPa至1.5GPa，例如，0.4GPa、0.5GPa、0.6GPa、0.7GPa、0.8GPa、0.9GPa、1.0GPa、1.1GPa、1.2GPa、1.3GPa、1.4GPa或1.5GPa的硬度。在此范圍內(nèi)，當(dāng)用金屬氧化物研磨劑拋光時(shí)，可以以高拋光速率將有機(jī)膜拋光，有機(jī)膜不遭受刮擦，并且可以表現(xiàn)出拋光表面的高平坦度。進(jìn)一步地，根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)膜可以具有基本上0mgKOH/g的酸值。在使用包含聚合物研磨劑的常規(guī)CMP漿料組合物拋光有機(jī)膜的情形下，存在拋光速率降低的問題。相反地，根據(jù)本發(fā)明的CMP漿料組合物對(duì)于應(yīng)用于CMP加工可以確保充足的有機(jī)膜拋光速率。術(shù)語“基本上地”是指酸值不僅是0mgKOH/g，而且是具有可接受的誤差范圍的0mgKOH/g。具體地，可以通過將包括包含取代或未取代的芳香族基團(tuán)的化合物的有機(jī)膜組合物涂覆至無機(jī)膜上，隨后通過在例如200℃至400℃的高溫下烘烤來生產(chǎn)根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)膜。如在本文中所使用的，術(shù)語“包含取代或未取代的芳香族基團(tuán)的化合物”是指在烘烤后不分解且使由包含該化合物的組合物所形成的有機(jī)膜具有高碳含量的化合物。未取代的芳香族基團(tuán)可以是具有單環(huán)結(jié)構(gòu)或其中稠合2個(gè)或更多個(gè)環(huán)的多環(huán)結(jié)構(gòu)的C6至C100，例如C6至C50未取代的芳香族基團(tuán)。例如，未取代的芳香族基團(tuán)可以包括由式1-1至1-26表示的化合物。<式1-1><式1-2><式1-3><式1-4><式1-5><式1-6><式1-7><式1-8><式1-9><式1-10><式1-11><式1-12><式1-13><式1-14><式1-15><式1-16><式1-17><式1-18><式1-19><式1-20><式1-21><式1-22><式1-23><式1-24><式1-25><式1-26>(其中，Z1至Z18各自獨(dú)立地是單鍵、取代或未取代的C1至C20亞烷基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C20亞烯基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C20亞炔基基團(tuán)、取代或未取代的C3至C20亞環(huán)烷基基團(tuán)、取代或未取代的C3至C20亞環(huán)烯基基團(tuán)、取代或未取代的C6至C20亞芳基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C20雜亞芳基基團(tuán)、-(C＝O)-、-NRe-、-CRfRg-、氧(O)、硫(S)或它們的組合，Re、Rf和Rg各自獨(dú)立地是氫、取代或未取代的C1至C10烷基基團(tuán)、鹵素原子、取代或未取代的C6至C20亞芳基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C20雜亞芳基基團(tuán)或它們的組合)。在下文中，將更詳細(xì)地描述包括包含取代或未取代的芳香族基團(tuán)的化合物的有機(jī)膜組合物。在第一實(shí)施方式中，有機(jī)膜組合物可以包含作為包含取代或未取代的芳香族基團(tuán)化合物的包括由式2表示的單元的化合物：<式2>(其中a滿足1≤n<190；R1是氫、羥基、鹵素原子、烯丙基、亞硫酰基、巰基、氰基、取代或未取代的氨基基團(tuán)、取代或未取代的C1至C30烷基基團(tuán)、取代或未取代的C1至C30雜烷基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C30烯基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C30炔基基團(tuán)、取代或未取代的C3至C30環(huán)烷基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C30雜環(huán)烷基基團(tuán)、取代或未取代的C3至C30環(huán)烯基基團(tuán)、取代或未取代的C6至C30芳基基團(tuán)、取代或未取代的C7至C30芳基烷基基團(tuán)、取代或未取代的C1至C20雜烷基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C30雜環(huán)烷基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C30雜環(huán)烯基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C30雜芳基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C30雜芳基烷基基團(tuán)、取代或未取代的C1至C20烷基胺基、取代或未取代的C1至C30烷氧基基團(tuán)、取代或未取代的C1至C30雜烷氧基基團(tuán)、取代或未取代的C6至C30芳氧基基團(tuán)、取代或未取代的C1至C20醛基、取代或未取代的C1至C40烷基醚基、取代或未取代的C7至C20芳基亞烷基醚基、取代或未取代的C1至C30鹵代烷基基團(tuán)、含P官能團(tuán)、含B官能團(tuán)或它們的組合；R2是氫、取代或未取代的氨基基團(tuán)、取代或未取代的C1至C20烷氧基基團(tuán)、取代或未取代的C6至C20芳氧基基團(tuán)、-NRhRi(Rh和Ri各自獨(dú)立地是取代或未取代的C1至C10烷基基團(tuán)或取代或未取代的C6至C10芳基基團(tuán))、羥基基團(tuán)、鹵素原子、烯丙基、亞硫?；?、巰基、氰基、取代或未取代的C1至C30烷基團(tuán)、取代或未取代的C1至C30雜烷基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C30烯基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C30炔基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C30環(huán)烷基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C30雜環(huán)烷基基團(tuán)、取代或未取代的C3至C30環(huán)烯基基團(tuán)、取代或未取代的C6至C30芳基基團(tuán)、取代或未取代的C7至C30芳基烷基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C30雜環(huán)烷基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C30雜環(huán)烯基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C30雜芳基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C30雜芳基烷基基團(tuán)、取代或未取代的C1至C20烷基胺基、取代或未取代的C1至C30雜烷氧基基團(tuán)、取代或未取代的C1至C20醛基、取代或未取代的C1至C40烷基醚基團(tuán)、取代或未取代的C7至C20芳基亞烷基醚基、取代或未取代的C1至C30鹵代烷基基團(tuán)、含P官能團(tuán)、含B官能團(tuán)或它們的組合；以及R3是取代或未取代的例如，R2可以是取代或未取代的C1至C10烷氧基基團(tuán)。包含由式2表示的單元的化合物可以在烘烤有機(jī)膜組合物之后增加有機(jī)膜的碳含量、膜密度和硬度。在韓國(guó)專利號(hào)10-0866015中公開了制備材料的更詳細(xì)的方法。除了包含由式2表示的單元的化合物之外，根據(jù)第一實(shí)施方式的有機(jī)膜組合物可以進(jìn)一步地包含交聯(lián)組分、酸催化劑和有機(jī)溶劑中的至少一種。具體地，根據(jù)第一實(shí)施方式的組合物可以包含1wt％至20wt％的包含由式2表示的單元的化合物、0.1wt％至5wt％的交聯(lián)組分、0.001wt％至0.05wt％的酸催化劑和75wt％至98.8wt％的有機(jī)溶劑。交聯(lián)組分可以包括三聚氰胺樹脂(例如，N-甲氧基甲基-三聚氰胺樹脂或N-丁氧基甲基-三聚氰胺樹脂)、甲基化或丁基化的脲樹脂、氨基樹脂、由式3表示的甘脲(glycoluril)衍生物、由式4表示的雙環(huán)氧化合物和由式5表示的三聚氰胺衍生物中的至少一種：<式3><式4><式5>酸催化劑可以包括對(duì)甲苯磺酸一水合物、對(duì)甲苯磺酸吡啶鎓、2,4,4,6-四溴環(huán)己二烯酮、苯偶姻甲苯磺酸酯、2-硝基芐基甲苯磺酸酯和有機(jī)磺酸的烷基酯中的至少一種。有機(jī)溶劑可以是能夠充分溶解包含取代或未取代的芳香族基團(tuán)的化合物的任何有機(jī)溶劑，但沒有限制。例如，有機(jī)溶劑可以包括丙二醇單甲醚乙酸酯、環(huán)己酮、乳酸乙酯等?？梢酝ㄟ^將根據(jù)第一實(shí)施方式的有機(jī)膜組合物涂覆至至的厚度，隨后在200℃至400℃下烘烤10秒至10分鐘而制備有機(jī)膜，而不限于此。在第二實(shí)施方式中，有機(jī)膜組合物可以包括作為包含取代或未取代的芳香族基團(tuán)的化合物的由式6表示的化合物：<式6>(在<式6>中，其中R4至R9以及X1至X6各自獨(dú)立地是氫、羥基、鹵素原子、烯丙基、亞硫?；€基、氰基、取代或未取代的氨基基團(tuán)、取代或未取代的C1至C30烷基基團(tuán)、取代或未取代的C1至C30雜烷基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C30烯基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C30炔基基團(tuán)、取代或未取代的C3至C30環(huán)烷基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C30雜環(huán)烷基基團(tuán)、取代或未取代的C3至C30環(huán)烯基基團(tuán)、取代或未取代的C6至C30芳基基團(tuán)、取代或未取代的C7至C30芳基烷基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C30雜環(huán)烯基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C30雜芳基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C30雜芳基烷基基團(tuán)、取代或未取代的C1至C20烷基胺基、取代或未取代的C1至C30烷氧基基團(tuán)、取代或未取代的C1至C30雜烷氧基基團(tuán)、取代或未取代的C6至C30芳氧基基團(tuán)、取代或未取代的C1至C20醛基、取代或未取代的C1至C40烷基醚基、取代或未取代的C7至C20芳基亞烷基醚基、取代或未取代的C1至C30鹵代烷基基團(tuán)、含P官能團(tuán)、含B官能團(tuán)或它們的組合；以及n1至n6各自獨(dú)立地是在0至2的范圍，并且滿足2≤n1+n2+n3+n4+n5+n6≤6)。例如，R4至R9各自獨(dú)立地是取代或未取代的C1至C10烷基基團(tuán)、取代或未取代的C6至C20芳基基團(tuán)、取代或未取代的C3至C20環(huán)烷基基團(tuán)、取代或未取代的C3至C20環(huán)烯基基團(tuán)、含P官能團(tuán)或含B官能團(tuán)。例如，X1至X6各自獨(dú)立地是氫、羥基、取代或未取代的C1至C20烷基胺基、氨基基團(tuán)、含P官能團(tuán)或含B官能團(tuán)。除了根據(jù)第二實(shí)施方式的有機(jī)膜組合物包括包含作為取代或未取代的芳香族基團(tuán)的化合物的由式6表示的化合物(代替含包含由2表示的單元的化合物)之外，根據(jù)第二實(shí)施方式的有機(jī)膜組合物基本上與根據(jù)第一實(shí)施方式的有機(jī)膜組合物相同。因此，下面將僅詳細(xì)地描述由式6表示的化合物。由式6表示的芳香族化合物可以具有500g/mol至4,000g/mol的平均分子量。在該范圍內(nèi)，有機(jī)膜組合物可以形成具有合適厚度或良好性能的有機(jī)膜?？梢酝ㄟ^典型的方法制備由式6表示的化合物，例如通過使乙酰氯、苯甲酰氯、萘甲酰氯或環(huán)己烷碳酰氯與暈苯反應(yīng)，隨后還原所得的材料，但不限于此。在韓國(guó)專利號(hào)10-1311942中公開了制備由式7表示的化合物的更詳細(xì)的方法。由式6表示的化合物可以在烘烤有機(jī)膜組合物之后增加有機(jī)膜的碳含量、膜密度和硬度。此外，包含由<式6>表示的化合物的有機(jī)膜組合物包括在短波長(zhǎng)(例如，193nm或248nm)處表現(xiàn)出強(qiáng)吸收的芳族環(huán)，因此甚至在沒有特定催化劑下也可在高溫下交聯(lián)，包含由式6表示的化合物的有機(jī)膜組合物可以防止由于催化劑，特別是由酸引起的污染。根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)膜組合物可以是由式6表示的且包含在不同位置處的取代基的兩種或更多種化合物的混合物。在第三實(shí)施方式中，有機(jī)膜組合物可以包含作為包含取代或未取代的芳香族基團(tuán)的化合物的選自以下化合物(i)、(ii)和(iii)中的含芳香族基團(tuán)的聚合物：(i)包含由式7表示的單元的化合物；(ii)包含由式7表示的單元的化合物和包含由式8表示的單元的化合物的混合物；以及(iii)包含由式9表示的單元的化合物。<式7><式8><式9>(其中b、c、d和e各自獨(dú)立地是1至750；2≤≤c+d<1500；R10是選自由以下式表示的取代或未取代的化合物中的任何一種：R11是氫、羥基、鹵素原子、亞硫酰基、巰基、氰基、取代或未取代的氨基基團(tuán)、取代或未取代的C1至C30烷基基團(tuán)、取代或未取代的C1至C30雜烷基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C30烯基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C30炔基基團(tuán)、取代或未取代的C3至C30環(huán)烷基基團(tuán)、取代或未取代的C1至C30雜環(huán)烷基基團(tuán)、取代或未取代的C3至C30環(huán)烯基基團(tuán)、取代或未取代的C6至C30芳基基團(tuán)、取代或未取代的C7至C30芳基烷基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C30雜環(huán)烯基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C30雜芳基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C30雜芳基烷基基團(tuán)、取代或未取代的C1至C20烷基胺基、取代或未取代的C1至C30烷氧基基團(tuán)、取代或未取代的C6至C30芳氧基基團(tuán)、取代或未取代的C1至C20醛基、取代或未取代的C1至C40烷基醚基、取代或未取代的C7至C20芳基亞烷基醚基、取代或未取代的C1至C30鹵代烷基基團(tuán)、含P官能團(tuán)、含B官能團(tuán)或它們的組合；R12和R14各自獨(dú)立地是選自由以下式表示的取代或未取代的化合物中的一種：R13是選自由以下式表示的取代或未取代的化合物中的任何一種：R15是選自由以下式表示的取代或未取代的化合物中的任何一種：以及在R10、R13和R15中的R各自獨(dú)立地是氫、羥基、鹵素原子、亞硫?；?、巰基、氰基、取代或未取代的氨基基團(tuán)、取代或未取代的C1至C30烷基基團(tuán)、取代或未取代的C1至C30雜烷基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C30烯基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C30炔基基團(tuán)、取代或未取代的C3至C30環(huán)烷基基團(tuán)、取代或未取代的C3至C30環(huán)烯基基團(tuán)、取代或未取代的C6至C30芳基基團(tuán)、取代或未取代的C7至C30芳基烷基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C30雜環(huán)烷基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C30雜環(huán)烯基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C30雜芳基基團(tuán)、取代或未取代的C2至C30雜芳基烷基基團(tuán)、取代或未取代的C1至C20烷基胺基、取代或未取代的C1至C30烷氧基基團(tuán)、取代或未取代的C6至C30芳氧基基團(tuán)、取代或未取代的C1至C20醛基、取代或未取代的C1至C40烷基醚基、取代或未取代的C7至C20芳基亞烷基醚基、取代或未取代的C1至C30鹵代烷基基團(tuán)、含P官能團(tuán)、含B官能團(tuán)或它們的組合)。除了根據(jù)第三實(shí)施方式的有機(jī)膜組合物包含作為包含取代或未取代的芳香族基團(tuán)的化合物的含芳香族基團(tuán)的聚合物(代替含式2表示的單元的化合物)之外，根據(jù)第三實(shí)施方式的有機(jī)膜組合物基本上與根據(jù)第一實(shí)施方式的有機(jī)膜組合物相同。因此，下面將僅詳細(xì)地描述含芳香族基團(tuán)聚合物。含芳香族基團(tuán)的聚合物可以在烘烤有機(jī)膜組合物后增加有機(jī)膜的碳含量、膜密度和硬度，并且可以通過典型的方法進(jìn)行制備。在韓國(guó)專利號(hào)10-0908601中公開了更多細(xì)節(jié)。在第四實(shí)施方式中，有機(jī)膜組合物可以包含作為包含取代或未取代的芳香族基團(tuán)的化合物的選自含式2表示的單元的化合物；由式6表示的化合物；和選自化合物(i)、(ii)和(iii)中的含芳香族基團(tuán)的聚合物中的至少兩種。除了根據(jù)第四實(shí)施方式的有機(jī)膜組合物包含以上闡述的材料中的至少兩種之外，根據(jù)第四實(shí)施方式的有機(jī)膜組合物基本上與根據(jù)第一實(shí)施方式的有機(jī)膜組合物相同。拋光有機(jī)膜的方法接下來，將描述根據(jù)本發(fā)明的拋光有機(jī)膜的方法。拋光根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)膜的方法可以包括，使用用于有機(jī)膜的CMP漿料組合物將具有高碳含量、高膜密度和高硬度的有機(jī)膜拋光，其中，用于有機(jī)膜的CMP漿料組合物可以包括根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于有機(jī)膜的CMP漿料組合物。圖1(a)是具有硅晶片、無機(jī)層和有機(jī)碳層的堆疊結(jié)構(gòu)的有機(jī)膜的截面圖，其中使硅晶片100經(jīng)受圖案化以具有雕刻部分(engravedportion)。通過將無機(jī)膜110沉積于硅晶片100上，將有機(jī)碳膜120形成于無機(jī)膜上，隨后在200℃至400℃下烘烤來制造有機(jī)膜。在圖1(a)中的虛線T表示假想的拋光停止線(polishingstopline)。利用涂覆在圖1(a)中示出的有機(jī)膜上的用于有機(jī)膜的CMP漿料組合物，將拋光墊置于CMP漿料組合物上，隨后通過旋轉(zhuǎn)硅晶片100，將有機(jī)膜拋光直至拋光停止線T，從而獲得如在圖1(b)中示出的其中將有機(jī)膜拋光的硅晶片。實(shí)施例接下來，將參照一些實(shí)施例更詳細(xì)地描述本發(fā)明。應(yīng)當(dāng)理解的是，提供這些實(shí)施例僅僅用于示意說明，并不被解釋為以任何方式限制本發(fā)明。制備實(shí)施例1將包括溫度計(jì)、冷凝器、機(jī)械攪拌器和滴液漏斗的2,000ml的三頸燒瓶浸入140℃的油浴中。在熱板上進(jìn)行加熱和磁體攪拌，并且將冷凝器內(nèi)的冷卻水的溫度設(shè)定為40℃。將220g的1.0mol1-甲氧基芘和138g的1.0mol1,4-二甲氧基甲基苯添加至反應(yīng)器中，然后溶解于656g的丙二醇單甲醚乙酸酯中。此后，向反應(yīng)器中添加4.6g的0.03mol硫酸二乙酯。將反應(yīng)器的溫度保持在130℃。通過在聚合期間以規(guī)則的時(shí)間間隔測(cè)量反應(yīng)產(chǎn)物的分子量來確定反應(yīng)完成點(diǎn)。再此，通過將1g的反應(yīng)產(chǎn)物淬火至室溫，隨后用作為溶劑的四氫呋喃稀釋0.02g的反應(yīng)產(chǎn)物，使得溶液具有4wt％的固體含量，來制備用于測(cè)量分子量的樣品。為了在反應(yīng)完成點(diǎn)完成反應(yīng)，將4.48g的0.03mol的三乙醇胺作為中和劑添加至反應(yīng)器中，隨后攪拌組分。接下來，將反應(yīng)產(chǎn)物緩慢地冷卻至室溫。用500g的丙二醇單甲醚乙酸酯稀釋反應(yīng)產(chǎn)物。接下來，將溶劑添加至2000ml的分液漏斗中。制備4kg的90:10g/g比率的甲醇和乙二醇的混合物。在劇烈攪拌下，將合成的聚合物溶液逐滴地添加至醇混合物中。從燒瓶的底部表面收獲所得的聚合物，并單獨(dú)地儲(chǔ)存上清液。除去上清液后，通過在降低壓力下在60℃下旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)10分鐘，從最終反應(yīng)產(chǎn)物中除去甲醇。使用四氫呋喃通過GPC測(cè)量所獲得的共聚物的分子量和分散度。結(jié)果，獲得了具有4000的重均分子量和2.3的分散度的包含由式11表示的單元的聚合物。<式11>(其中，a平均地是11且Me是甲基基團(tuán))。將0.8g的所制備的聚合物、0.2g的由式4表示的交聯(lián)劑(Powderlink1174，CytecIndustriesInc.)和2mg的對(duì)甲苯磺酸吡啶鎓溶解于9g的丙二醇單甲醚乙酸酯中，隨后過濾該溶液，從而制備有機(jī)膜組合物。制備實(shí)施例2通過將20.6g的對(duì)苯二甲酰氯、47.0g的4-甲氧基芘和221g的1,2-二氯乙烷添加至燒瓶中來制備溶液。然后，在室溫下向該溶液中緩慢地添加27g的氯化鋁，隨后在60℃下攪拌8小時(shí)。在反應(yīng)完成后，通過過濾由于向溶液中添加甲醇而獲得的沉淀物獲得雙(甲氧基芘基羰基)苯。向燒瓶中添加53.5g的所獲得的雙(甲氧基芘基羰基)苯、91.1g的1-十二烷硫醇、30.3g的氫氧化鉀和262g的N,N-二甲基甲酰胺，隨后在120℃下攪拌8小時(shí)。此后，將混合物冷卻且使用5％的氯化氫溶液中和至約pH7，隨后過濾沉淀，從而制備雙(羥基芘基羰基)苯。通過添加24.0g的所制備的雙(羥基芘基羰基)苯和160g的四氫呋喃制備溶液。將16.0g的硼氫化鈉溶液緩慢地添加至混合物且在室溫下攪拌24小時(shí)。在反應(yīng)完成后，使用5％的氯化氫溶液將所得產(chǎn)物中和至約pH7，隨后使用乙酸乙酯萃取，從而制備式12表示的化合物。[式12]然后，將1g的所制備的化合物溶解于9g的丙二醇單甲醚乙酸酯和環(huán)己酮(cyclohexanon)(7:3(v/v))的混合溶液中，隨后過濾，由此制備有機(jī)膜組合物。實(shí)施例1將厚的二氧化硅層作為拋光停止層沉積于在其表面上具有雕刻圖案的圖案化晶片上，隨后形成厚的有機(jī)膜以填充二氧化硅層的表面上的雕刻圖案。通過將制備實(shí)施例1的有機(jī)膜組合物涂覆至二氧化硅層上，隨后在400℃下烘烤而制備有機(jī)膜。施加在制備實(shí)施例1中制備的有機(jī)膜組合物，且在400℃下烘烤120秒，獲得具有至厚度的試樣。使用納米壓痕儀(HysitronTI750Ubi)測(cè)量試樣的硬度。具體地，通過將納米壓痕儀的尖端加載于試樣上5秒，保持尖端2秒且卸載尖端5秒來測(cè)量硬度。試樣具有0.9GPa的硬度。使用元素分析儀(EA1112，ThermoCo.，Ltd.)在相同的試樣上測(cè)量碳含量。具體地，通過在O2的存在下燃燒精確量的試樣來測(cè)量碳含量。試樣具有72原子％的碳含量。使用X射線反射率(XRR)測(cè)試儀(X'PertPRO，PANalyticalCo.，Ltd.)在相同的試樣上測(cè)量膜密度。具體地，通過將由試樣的X射線照射所獲得的衍射圖案與已知的衍射圖案進(jìn)行比較來測(cè)量膜密度。試樣具有1.4g/cm3的膜密度。對(duì)相同的試樣測(cè)量酸值。試樣具有0mgKOH/g的酸值。制備包含超純水和表1中列出的組分的CMP漿料組合物，并且在以下條件下用于拋光。實(shí)施例2至6制備包含表1中列出的組分的CMP漿料組合物，并且以與實(shí)施例1中的相同方式用于拋光。實(shí)施例7使用制備實(shí)施例2的有機(jī)膜組合物制備有機(jī)膜，并且使用包含表1中列出的組分的CMP漿料組合物以與實(shí)施例1中的相同方式進(jìn)行拋光。比較實(shí)施例1除了不像表1中的使用雜環(huán)化合物之外，以與實(shí)施例1中的相同方式將有機(jī)膜拋光。比較實(shí)施例2使用制備實(shí)施例2的有機(jī)膜組合物制備有機(jī)膜，并且以與實(shí)施例1中的相同方式進(jìn)行拋光。(1)CMP漿料組合物的組分的詳情(A)金屬氧化物研磨劑：使用具有60nm平均粒徑的二氧化鈰(SOLVAYCo.,Ltd.)。(B)氧化劑(b1)使用硝酸鐵((JunseiCo.,Ltd.)。(b2)使用過氧化氫(Dong-wooFineChem.Co.,Ltd.)。(C)雜環(huán)化合物(c1)使用咪唑(AldrichCo.,Ltd.)。(c2)使用1-甲基咪唑(AldrichCo.,Ltd.)。(c3)使用組氨酸(AldrichCo.,Ltd.)。(c4)使用嘧啶(AldrichCo.,Ltd.)。(2)拋光條件，以及拋光速率和抗刮擦性的測(cè)量使用H0800CMP墊片(FUJIBOCo.，Ltd.)作為拋光墊。使用200mmMIRRA拋光機(jī)(AppliedMaterials(AMAT)Co.，Ltd.)，在1.0psi的壓縮壓力、200mL/min的漿料流速、90rpm的臺(tái)速(tablespeed)和90rpm的主軸速度(spindlespeed)下進(jìn)行拋光1分鐘，隨后測(cè)量拋光速率。結(jié)果示于表1中。如通過檢測(cè)器傳感器測(cè)量的，通過使用拋光裝置LS6800(HitachiCo.，Ltd.)在750V或更低的條件下對(duì)拋光后殘留于拋光表面上且具有40nm直徑的缺陷數(shù)目進(jìn)行計(jì)數(shù)來進(jìn)行缺陷評(píng)估。通過與無機(jī)膜相比，評(píng)價(jià)CMP漿料組合物是否進(jìn)行有機(jī)膜的均勻拋光來確定拋光表面的平坦度。使用薄膜厚度測(cè)量?jī)x器(ST4000，K-MACCo.,Ltd.)在拋光膜的拋光表面上測(cè)量在以上闡述的條件下進(jìn)行拋光的拋光膜的厚度隨后計(jì)算拋光速率與測(cè)量厚度的標(biāo)準(zhǔn)偏差。拋光表面的較低平坦度表示其較好的平坦性。表1(單位：wt％)如在表1中示出的，可以看出的是，根據(jù)本發(fā)明的CPM漿料組合物相對(duì)于具有高碳含量、高膜密度和高硬度的有機(jī)膜表現(xiàn)出更高的拋光速率，并且與比較實(shí)施例的CPM漿料組合物相比，提供了對(duì)拋光表面的更佳平坦度。相反地，包含金屬氧化物研磨劑且不包含雜環(huán)化合物的比較實(shí)施例1和2的CPM漿料組合物，相對(duì)于具有高碳含量、高膜密度和高硬度的有機(jī)膜，在拋光速率上表現(xiàn)出顯著的劣化。應(yīng)當(dāng)理解的是，在不違背本發(fā)明的精神和范圍的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以做出各種修改、變化、變更和等效的實(shí)施方式。當(dāng)前第1頁1 2 3 當(dāng)前第1頁1 2 3