專利名稱：光活性乙烯基氟基硅氧化物的寡聚物及含其的抗反射涂料組合物的制作方法
光活性乙烯基氟基硅氧化物的寡聚物及含其的抗反射涂料組合物技術領域
本發(fā)明有關一種用于制造抗反射涂層的化合物，特別是一種光活性乙烯基氟基硅 氧化物的寡聚物及含有此寡聚物的涂料組合物，并用以制成抗反射薄膜。
背景技術：
抗反射薄膜(或稱為低反射薄膜(low reflection film))常被使用于光學組件 或顯示裝置的顯示器中，以降低光反射率，提升顯示效果。習知抗反射薄膜含有含氟化合 物。因為氟化物薄膜的折射率比基材低，并且所反射的光線與其下層硬鍍層(hard coat/ HC)所反射的光線的相位差可達到180°，兩界面的反射光線可因此而形成破壞性干涉，達 到降低光反射的目的。
臺灣專利第1251615號揭露具有納米結構的低反射率薄膜，其原理是利用在薄膜 表面做出雕紋等結構變化，進而使折射率產(chǎn)生變化。然而，此法在制程上較為繁瑣且成本較 高。另外，在美國專利申請案公開號US2006/0099407中揭露，將納米粒子表面上改質為具 有反應性的末端官能基之后，再藉由納米粒子相互堆棧所形成的孔隙，而制成低反射率薄 膜。但此薄膜霧度值(haze)較高，且因結構中孔隙較多而容易造成結構松散，導致耐磨耗 等物理性質不足。
在日本專利特開昭61-40845及特公平6-98703中揭露了涂布氟化烷基硅烷或具 特定結構的氟系聚合物的方法。然而添加過量的氟素化合物往往導致滋潤效果差與薄膜物 理性質的不足。在美國專利第6，472，012號中揭露另一低光反射率薄膜制造方法，制程中 需要經(jīng)過420°C的高溫處理，并不適于應用在如偏光板等不耐高溫的基板上。美國專利第 6，773，121號中則揭露以常用的硅氧烷溶膠-凝膠(sol-gel)前驅物單體與含有氟基硅氧 烷基等單體進行低溫的溶膠-凝膠反應以制成抗反射薄膜；所得的薄膜的抗反射程度并不 理想。美國專利申請案公開第2007/0172763號中揭露以單純有機分子如氟基烷基碳酸基 或是含氟基的乙烯單體來做光固化反應，得到抗反射薄膜，其物理性質如熱固性不佳。上 述此等習知抗反射或低光反射率材料，雖然含有氟化物以降低折射率，但其折射率仍有1. 4 或1. 5這樣高。
因此，仍需要一種新穎的成分供制造具有更低折射率的抗反射薄膜，但仍能具有 適當?shù)挠捕燃澳湍ズ牡任锢硇再|。發(fā)明內容
本發(fā)明之一目的是提供一種抗反射涂料組合物及其所含的光活性乙烯基氟基硅 氧化物的寡聚物，使用此種抗反射涂料組合物形成的涂層固化后所形成的抗反射薄膜具有 良好的低反射率、霧度值、硬度及與下層的附著性。
依據(jù)本發(fā)明的光活性乙烯基氟基硅氧化物的寡聚物，包括下列化學式(I)表示的 化合物、化學式(II)表示的化合物、與化學式(III)表示的化合物的反應產(chǎn)物
權利要求
1. 一種光活性乙烯基氟基硅氧化物的寡聚物，其特征在于該寡聚物包括下列化學式 (I)表示的化合物、化學式(II)表示的化合物與化學式(III)表示的化合物的反應產(chǎn)物
2.如權利要求1所述的光活性乙烯基氟基硅氧化物的寡聚物，其特征在于先使化學式 (I)表示的化合物與化學式(II)表示的化合物聚合，再與化學式(III)表示的化合物聚合， 而形成該反應產(chǎn)物。
3.一種抗反射涂料組合物，其特征在于包括如權利要求1所述的光活性乙烯基氟基硅 氧化物的寡聚物、光起始劑及稀釋溶劑。
4.如權利要求3所述的抗反射涂料組合物，其特征在于進一步包括至少一具有光活性 的氟基的反應單體。
5.如權利要求4所述的抗反射涂料組合物，其特征在于該具有光活性的氟基的反應單 體包括具有可行光固化反應的含氟基烷類的乙烯基單體或含氟基的壓克力系列單體。
全文摘要
本發(fā)明揭露一種光活性乙烯基氟基硅氧化物的寡聚物及含其的抗反射涂料組合物，抗反射涂料組合物是以具有乙烯基(vinyl group)及氟基的無機硅氧為主干的寡聚物做為光固化型抗反射涂料組合物的寡聚物，或可另添加折射率較低的含氟基的有機分子來當作反應單體。使用這樣的組合物所形成的光固化型抗反射薄膜，具有良好物理性質與低反射率。
文檔編號C09D4/00GK102040619SQ20101056756
公開日2011年5月4日 申請日期2010年11月19日 優(yōu)先權日2010年11月19日
發(fā)明者林士斌, 翁暢健, 陳慶松, 陳智仁, 陳銘慧 申請人:明基材料有限公司, 明基材料股份有限公司