專利名稱：包含粘結(jié)劑和非導(dǎo)電顆粒的保形涂層的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要涉及一種基材保形涂層，更具體地涉及一種改善的保形涂 層，用于充分抑制由電子裝置上的基本無(wú)鉛類導(dǎo)電涂層產(chǎn)生的金屬晶體結(jié)構(gòu) 生長(zhǎng)影響。
背景技術(shù)：
保形涂層通常是涂布到諸如電子裝置或電子電路等基材上的涂層材料， 用于提供對(duì)諸如濕氣、灰塵、化學(xué)品和極端溫度等環(huán)境污染的防護(hù)。此外， 通常理解的是適宜選擇的保形涂層能降低電子裝置上的機(jī)械應(yīng)力，從而充分 減少與電子裝置相連元件的剝離或分離。恰當(dāng)?shù)耐繉硬牧系倪x擇通常基于以
下標(biāo)準(zhǔn)基材或裝置會(huì)經(jīng)歷的暴露或污染的類型；基材或裝置的操作溫度范 圍；涂層材料的物理、電學(xué)和化學(xué)特性；以及涂層與要附在其上的基材及任 何元件的電學(xué)、化學(xué)和機(jī)械相容性(即，涂層需要與這些元件的熱膨脹系數(shù) 相配嗎？)。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員通常明白，盡管常規(guī)保形涂層對(duì)常規(guī)污染 物提供了足夠的防護(hù)，但這些涂層對(duì)與金屬晶體結(jié)構(gòu)(例如錫須)生長(zhǎng)相關(guān) 的破壞提供的防護(hù)非常少。
從20世紀(jì)50年代以來(lái)，電子工業(yè)中金屬晶體結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)的現(xiàn)象已眾所周 知。這些結(jié)構(gòu)通常從至少一個(gè)導(dǎo)體表面向另一個(gè)導(dǎo)體生長(zhǎng)并會(huì)導(dǎo)致因產(chǎn)生短 路而引起的電子系統(tǒng)損壞，這種短路使得不同電勢(shì)下工作的近距離導(dǎo)體或電 路元件橋接。這些導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通常分為枝狀或"須狀"結(jié)構(gòu)。例如，已知錫須 是從電子裝置的鍍錫涂層上生長(zhǎng)的。錫須通常被描述為結(jié)晶冶金現(xiàn)象，由此 金屬?gòu)膶?dǎo)體表面生長(zhǎng)出薄且細(xì)長(zhǎng)的金屬須。已觀察到這些"須狀"結(jié)構(gòu)從導(dǎo) 電表面向外生長(zhǎng)直至數(shù)毫米的長(zhǎng)度。據(jù)記錄該現(xiàn)象在單質(zhì)金屬和合金中都有出現(xiàn)。會(huì)生長(zhǎng)這種導(dǎo)電須的其它金屬可包括鋅、鎘、銦、金、銀和銻。但是， 通常認(rèn)為某些鉛類合金不會(huì)呈現(xiàn)這種現(xiàn)象。
目前，關(guān)于是什么具體導(dǎo)致金屬須形成還沒(méi)有權(quán)威解釋。 一些理論認(rèn)為 金屬須會(huì)因諸如電鍍等沉積方法中賦予的物理應(yīng)力和/或由操作環(huán)境中的熱 應(yīng)力而生長(zhǎng)。另外，在目前關(guān)于須的形成條件和具體特性的研究中存在不一
致。這些條件有形成必需的培養(yǎng)期；金屬須的特定生長(zhǎng)速度；金屬須的最 大長(zhǎng)度須的最大直徑；以及引發(fā)其生長(zhǎng)的環(huán)境因素，包括電場(chǎng)存在下的溫 度、壓力、濕度、熱循環(huán)。或者，金屬枝晶更好理解。
金屬枝晶具有蕨類形狀的不對(duì)稱分枝結(jié)構(gòu)，這些結(jié)構(gòu)通常交叉生長(zhǎng)在金 屬表面上。枝晶生長(zhǎng)主要特性是通常出現(xiàn)在潮濕條件下，這種條件使得金屬 能溶解成金屬離子溶液，這種金屬離子在電磁場(chǎng)存在下通過(guò)電遷移重新分 配。不論什么類型的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)一枝晶或須晶一這些結(jié)構(gòu)會(huì)導(dǎo)致電短路，這種 電短路在諸如傳感器、電路板等許多電子裝置中導(dǎo)致故障。已進(jìn)行許多嘗試 來(lái)減輕或基本防止這種現(xiàn)象，具體是減輕或完全防止金屬須生長(zhǎng)。避免錫須 形成的常規(guī)方法包括將錫鍍層與諸如鉛等另一種金屬形成合金或提供諸如 常規(guī)保形涂層等阻擋層。
關(guān)于第一種方法，由于將鉛類化合物從電子工業(yè)中去除的初衷，限制或 阻礙了與鉛形成合金的能力。例如歐洲聯(lián)盟(EU)已啟動(dòng)程序以減少諸如 鉛等有害材料在電子工業(yè)中的應(yīng)用。人們都知道歐盟頒布的法律，"禁止使 用某些有害物質(zhì)指令(RoHS)和報(bào)廢電子電器設(shè)備指令(WEEE)"。該指 令在2006年6月對(duì)電子設(shè)備供應(yīng)商生效并要求供應(yīng)商在他們的產(chǎn)品中減少 大部分鉛的使用。從而，普通的電鍍和錫焊組合物與鉛的合金不再是可行的 方案。
迄今為止，保形涂層法已證明不合適。Woodrow (T. Woodrow和E. Ledbury, Evaluation of Conformal coatings as a Tin Whisker Mitigation Strategy, IPC/JEDEC第8屆無(wú)鉛電子器件和設(shè)備國(guó)際研討會(huì)，，加利福尼 亞州圣何塞，2005年4月18-20日)討論了 6種不同類型的典型保形涂層以減少或完全阻止錫須生長(zhǎng)。Woodrow的觀點(diǎn)建議常規(guī)保形涂層可暫時(shí)抑制
導(dǎo)電須的形成，但隨著時(shí)間推移，這些成型繼續(xù)生長(zhǎng)并最終穿透涂層。另外，
Woodrow闡.述"表明了涂層的機(jī)械性能和它們抑制須形成的能力之間沒(méi)有 明顯關(guān)系"。Woodrow的結(jié)果清楚表明了常規(guī)保形涂層不能充分解決電子 裝置中須生長(zhǎng)的難題。
如前所述，基本無(wú)鉛型導(dǎo)電鍍層和/或基體材料對(duì)會(huì)導(dǎo)致電子系統(tǒng)故障 的導(dǎo)電枝晶和/或須狀形成的生長(zhǎng)非常敏感。例如，已報(bào)道這些類型的導(dǎo)電 形成已導(dǎo)致衛(wèi)星故障(B. Felps.'騰^A:^s' Ca"5^iS她〃"e FaZ/we: 6h^age 5/a/we(i (9w/"ter^ste〃ar/Vzewomewo". fT/re/ess ffee/t， 1999-05-17.) 、 l元 4亍器古丈卩章(Food and Drug Administration, 7T( #42: 77" ^Tz^A:ers-iVo6/eww， C薦ses iSo/i^o叫htp:〃www.fda.gov/ora/inspect— ref/itg/itg42.html， 1986 年3月16日)和可移植醫(yī)療裝置故障(B. Nordwall，爿zV Fwce丄/"^ i ^/w Pra6/e腐to GW vt^/z o/77w附&A:er'51, Aviation Week and Space Technology, 1986年6月20,第65-70頁(yè))。本保形涂層產(chǎn)生可充分減輕導(dǎo)電晶體結(jié)構(gòu) 生長(zhǎng)的復(fù)合和/或?qū)訅旱谋Ｐ瓮繉芋w系。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員通常理解的是 常規(guī)保形涂層通常為單相涂層，它們將使諸如印刷電路板及其相連元件等基 材基本不會(huì)暴露于周圍環(huán)境中。
這種常規(guī)保形涂層的選擇通?；谕繉佑捕燃捌鋵?duì)諸如鹽水、體液和工 業(yè)化學(xué)品等某些化合物相關(guān)的耐受性之間的協(xié)調(diào)。本領(lǐng)域技術(shù)人員進(jìn)一步理 解選擇涂層硬度使得涂層提供對(duì)暴露在周圍環(huán)境中的保護(hù)，從而該涂層必須 保持足夠的柔量以避免給任何相連元件施加機(jī)械應(yīng)力，熱循環(huán)中這些相連元 件會(huì)因?yàn)闊崤蛎洸町惗赡芊蛛x。也就是說(shuō)，在涂層剛度方面，考慮到常規(guī) 保形涂層的阻擋性能，必須出現(xiàn)妥協(xié)。
更具體地，保形涂層通常與基材形成粘合聯(lián)結(jié)。例如，在電子裝置中， 保形涂層基本覆蓋各元件和印刷電路板。由于保形涂層的剛性，各元件和印 刷電路板的熱膨脹差異轉(zhuǎn)變?yōu)楦髟陀∷⒕€路板間界面上的機(jī)械應(yīng)力。這 些應(yīng)力足以使各元件與板分離或從板上去除。如上所述，即使常規(guī)保形涂層可能相對(duì)具有剛性，研究表明它們的剛性不足以減少導(dǎo)電晶體結(jié)構(gòu)或須生長(zhǎng)。
因此，人們期望提供改善的保形涂層體系和/或方法，這種保形涂層體 系和/或方法可以減少諸如電子裝置、工業(yè)元件、醫(yī)療裝置和其它基材和/或 裝置等基材上的導(dǎo)電晶體生長(zhǎng)的影響。

發(fā)明內(nèi)容
在第一實(shí)施方式中，提供一種保形涂層，包括粘結(jié)層和/或基質(zhì)以及顆 粒，使得該顆粒包括抑制導(dǎo)電晶體結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)的非導(dǎo)電材料。
在另一個(gè)實(shí)施方式中，提供用導(dǎo)電晶體結(jié)構(gòu)防護(hù)物涂布基材的方法，包 括提供多相涂層中的粘結(jié)層和顆粒，并將該涂層涂布到基材上。以某種方法 分散顆粒使得非導(dǎo)電材料抑制基材內(nèi)導(dǎo)電晶體結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)。


本發(fā)明被認(rèn)為具有新穎性的特征在所附權(quán)利要求書(shū)中具體說(shuō)明。參照以 下結(jié)合附圖的說(shuō)明能最好地理解本發(fā)明，其中在多個(gè)圖中，相同的附圖標(biāo)記
表示相同的元件，其中
圖1是表示電導(dǎo)體上錫須生長(zhǎng)的顯微鏡照片；
圖2A是表示包含包埋在粘結(jié)層內(nèi)的玻璃微珠的示例性保形涂層的顯微 鏡照片；
圖2 B是包含包埋在粘結(jié)層內(nèi)的顆粒的示例性保形涂層的示意性圖示說(shuō)
明；
圖3是表示涂有示例性保形涂層的電子裝置的顯微鏡照片。
具體實(shí)施例方式
盡管結(jié)合某些實(shí)施方式說(shuō)明和公開(kāi)了本發(fā)明，但本說(shuō)明書(shū)不會(huì)將本發(fā)明 限制為此處示出并說(shuō)明的具體實(shí)施方式
，而是本發(fā)明旨在覆蓋本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的所有可選擇的是實(shí)施方式和修改，本發(fā)明的精神和范圍由此處包 括的權(quán)利要求書(shū)以及公開(kāi)和說(shuō)明的本發(fā)明等價(jià)物限定。根據(jù)本發(fā)明公開(kāi)的實(shí) 施例的保形涂層可保護(hù)裝置元件不受例如濕氣、真菌、塵埃、侵蝕、磨損和 其它環(huán)境應(yīng)力等的影響。本保形涂層適于許多形狀，例如裂縫、孔洞、點(diǎn)、 尖緣以及點(diǎn)或平面。通常，已發(fā)現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)制造的保形涂層對(duì)基材 和/或任何連接元件賦予屏蔽以不受金屬和/或?qū)щ娋w結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)的影響。根 據(jù)本發(fā)明的方案，公開(kāi)的保形涂層包括含有非導(dǎo)電顆粒的粘結(jié)劑層，其中非 導(dǎo)電顆粒具有足以形成抑制晶體結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)或者可以阻擋或偏轉(zhuǎn)晶體結(jié)構(gòu)生 長(zhǎng)的曲折路徑的硬度和/或密度。也就是說(shuō)，基質(zhì)中包含的硬顆粒提供對(duì)金 屬晶體結(jié)構(gòu)的鋸齒狀阻力，從而因曲折路徑提供的側(cè)負(fù)荷而使它們鈍化和/
或?qū)е滤鼈冏儚潯Ｈ绻饘倬w結(jié)構(gòu)形成并最初穿透本保形涂涂層，它必須 繼續(xù)以細(xì)長(zhǎng)結(jié)構(gòu)形式生長(zhǎng)以到達(dá)另一個(gè)導(dǎo)體而導(dǎo)致電短路。使用本保形涂 層，由于生長(zhǎng)或成型因其太細(xì)而不會(huì)穿透硬顆粒，從而保護(hù)了相鄰導(dǎo)體不受 柱形成型的影響，根據(jù)歐拉定律柱形形狀易于彎曲。
根據(jù)公開(kāi)的實(shí)施例，保形涂層可使阻擋層硬度問(wèn)題最小化或減少，并可 通過(guò)提供包括粘結(jié)劑和顆粒的多相保形涂層來(lái)解決導(dǎo)電晶體結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)的問(wèn) 題。如上所述，來(lái)自常規(guī)保形涂層的粘結(jié)劑的選擇提供不受環(huán)境污染物影響 的完美保護(hù)而不會(huì)損壞基材和/或基材元件之間的內(nèi)連接。此外，顆粒提供 足以中斷、偏轉(zhuǎn)和/或阻止諸如須或枝晶等導(dǎo)電結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)的硬度和/或密度。
如圖1所示，金屬須100直接從電導(dǎo)體110表面上生長(zhǎng)。在圖1的實(shí)例 中，電導(dǎo)體是螺旋形導(dǎo)體并經(jīng)放大示出。由金屬須IOO例證的該類型的導(dǎo)體 生長(zhǎng)會(huì)繼續(xù)由電導(dǎo)體向外延伸直至須100與另一個(gè)導(dǎo)電表面形成電接觸。金 屬須100僅是導(dǎo)電晶體結(jié)構(gòu)101的舉例。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解導(dǎo)電晶體結(jié) 構(gòu)101還可以采用枝晶的形式。
示例性保形涂層140在圖2A、圖2B和圖3中示出，包括包埋在粘結(jié)層 130中的顆粒120。以下將更詳細(xì)的解釋，粘結(jié)層130保形涂層中的顆粒120 阻擋、抑制或者阻斷導(dǎo)電晶體結(jié)構(gòu)101的生長(zhǎng)。這種阻擋、抑制或阻斷會(huì)以至少一個(gè)或兩個(gè)示例性方式出現(xiàn)。
在公開(kāi)的實(shí)施例中，參照?qǐng)D2B，顆粒120分散在粘結(jié)層130中，從而 迫使導(dǎo)電晶體結(jié)構(gòu)101遵循曲折路徑。圖2B中示意性說(shuō)明了 6個(gè)示例性曲 折路徑并表示為路徑P!、 P2、 P3、 P4、 Ps和Pe。這些路徑的位置和方向都只 是示例性的。在各個(gè)情況下，導(dǎo)電晶體結(jié)構(gòu)101可從基材102向保形涂層 140涂布的地方延伸。導(dǎo)電晶體結(jié)構(gòu)101將趨向遵循路徑Pi-6中的一個(gè)路徑， 碰到顆粒120,并為了繼續(xù)生長(zhǎng)不得不轉(zhuǎn)向?；蛘?，遵循這些路徑中的一個(gè) 路徑的導(dǎo)電晶體結(jié)構(gòu)101將遇到顆粒并筒單地被顆粒120阻止了進(jìn)一步生 長(zhǎng)，因?yàn)轭w粒120具有足以阻斷導(dǎo)電晶體結(jié)構(gòu)101 (它也可以是圖1中所示 的金屬須IOO或諸如枝晶等任何其它導(dǎo)電晶體結(jié)構(gòu))進(jìn)一步生長(zhǎng)的硬度。
圖2A是表示本保形涂層140在50pm級(jí)的顯微鏡照片。在圖2A的實(shí) 例中，顆粒120是以陶瓷微珠121的形式分布于粘結(jié)層130中(應(yīng)理解的是 粘結(jié)層130在顯微鏡照片中通常不明顯，因此粘結(jié)層130在圖2A中示意性 示出)。
圖2B是也說(shuō)明與粘結(jié)層130關(guān)系的顆粒120的示意性圖示說(shuō)明。表明 了顆粒120嵌入并保留在粘結(jié)層130中。與常規(guī)的單相保形涂層不同，粘結(jié) 層130中的顆粒120可呈現(xiàn)足以防止金屬須生長(zhǎng)以及基本防止或減少與其相 關(guān)的任何故障的阻力。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解的是粘結(jié)層130可通過(guò)機(jī) 械保持力或粘結(jié)聯(lián)結(jié)保留顆粒120。此外，可預(yù)期顆粒120可用諸如酸蝕刻 等方法處理以改善顆粒在粘結(jié)層130中的保留。圖2A的基材102也可通過(guò) 例如酸蝕刻處理來(lái)增強(qiáng)附著性。其它處理方法也證明是適用的。
粘結(jié)層130可以是包括選自例如聚氨酯、對(duì)苯二曱基類聚合物 (paralene)、丙烯酸樹(shù)脂、硅樹(shù)脂和環(huán)氧樹(shù)脂的常規(guī)保形涂層的層。本領(lǐng) 域普通技術(shù)人員還用理解的是粘結(jié)層130易于形成并作為顆粒本身的分散 液或顆粒與諸如丙酮、水、醚、醇、芳族化合物及其組合等溶劑組合的分散 液涂布。將保形涂層涂布到基材上有數(shù)種方法。這些方法中某些通常人工進(jìn) 行，而另一些是自動(dòng)化的。參照?qǐng)D3，將本保形涂層140沉積和/或涂布到基材102上的一個(gè)示例性 方法是噴涂。例如，本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的手持式噴槍以及類似于噴涂的用 具可用于將保形涂層140涂布到電子組件板150上。如圖所示，電子器件 160和印刷線路板170可被保形涂層140完全覆蓋。使用前將新涂布的電子 組件板150固化。示例性涂層可包括粘結(jié)層，可購(gòu)自威斯康星州Germantown 的Resinlab ,以及來(lái)自明尼蘇達(dá)州圣保羅的3M公司的陶資微珠⑧G-200 、 G-400或G-600。在示例性配方中，雙組分粘結(jié)層與94mL諸如二曱苯等稀 釋劑組合，其中雙組分粘結(jié)層由按體積使用的25mL的A組分化合物、 12.5mL的B組分化合物以及25mL的陶資顆粒的Resinlab Wl 112800環(huán)氧 樹(shù)脂構(gòu)成。當(dāng)然，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能理解可使用與粘結(jié)層相容的任何可 商購(gòu)的稀釋劑。將稀釋劑加入到混合物中以便于噴霧沉積。例如，在該示例 配方中，額外的稀釋劑提供具有4號(hào)福特杯中為26秒或約92厘泊(cps) 粘度的最終混合物。用于沉積涂層的噴槍是來(lái)自依利諾斯州富蘭克林Badger Air-Brush公司的裝有50-0163號(hào)噴嘴梢的200NH型。
在示例保形涂層140中，稀釋劑將在涂布后蒸發(fā)導(dǎo)致約40vol。/。顆粒的 最終涂層化合物。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能理解其它可選的配方，這些配方可 包括可選擇的顆粒密度和/或具有結(jié)構(gòu)和/或大小不同的材料的顆粒，只要固 化后的保形涂層呈現(xiàn)基本曲折的路徑和/或硬度以阻斷金屬晶體結(jié)構(gòu)的生 長(zhǎng)。此外，普通技術(shù)人員應(yīng)理解可選擇的粘結(jié)層可包括本領(lǐng)域公知的各種其 它涂層。通常認(rèn)為保形涂層材料可通過(guò)其它多種方法涂布，諸如刷涂、浸涂 或通過(guò)針涂布(needle application)。涂布方法的選擇取決于將要保形涂布 的基材復(fù)雜性；所需涂層性能；以及涂層工藝產(chǎn)量要求。在不出現(xiàn)濕氣直接 冷凝的情況下，固化后涂層材料干燥時(shí)應(yīng)優(yōu)選具有50~ 100微米的厚度，盡 管可選擇的其他厚度也可預(yù)期而不背離本發(fā)明的精神和范圍。
另一個(gè)示例涂布方法可包括將涂層刷涂在基材上。這可以是人工的方
法，其中操作員將刷子浸入涂層材料的容器中并將該材料刷到基材上。該人
工方法的優(yōu)點(diǎn)包括不需要設(shè)備投資、不需要工具安裝或掩模，且工藝較簡(jiǎn)單?；蛘?，可以預(yù)期常規(guī)的掩膜技術(shù)可將粘結(jié)層涂布到基材上。
另一種示例涂布方法是浸涂方法。浸涂方法可人工進(jìn)行或自動(dòng)化進(jìn)行。 在人工模式下，操作員將諸如電子組件等基材浸入涂層材料的罐中。當(dāng)然， 該方法還可以是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員公知的自動(dòng)化方法。該系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)是低 資金投入、簡(jiǎn)單性和高產(chǎn)量。
或者，可將針滴法(needle dispensing)用于沉積示例〗呆形涂層并可佳: 用人工操作或通過(guò)自動(dòng)化方法進(jìn)行。在人工操作中，材料通過(guò)針擠出并以珠 狀分配。將這些珠子按照設(shè)計(jì)的位置放在板上，使得材料流動(dòng)并涂布適宜的 面積。另外，可使用常規(guī)的自動(dòng)化工藝，使用能在電路板上移動(dòng)并分配涂層 材料的針?lè)罅掀?。流?dòng)速度和材料粘度可編程在控制敷料器的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中 使得保持所需涂層厚度。
稱作對(duì)苯二甲基類聚合物的又一種類型的粘結(jié)層可與顆粒一起涂敷以
形成示例保形涂層。對(duì)苯二曱基類聚合物通常以本領(lǐng)域公知的真空沉積方法 涂布。在單步操作中可輕易涂布0.1-76.0微米的膜涂層。對(duì)苯二曱基類聚 合物涂層的優(yōu)點(diǎn)是它們能覆蓋噴涂和針涂布不能覆蓋的隱蔽表面和其它區(qū) 域。即使在不規(guī)則的表面上，涂層厚度也非常均勻。
因此，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解的是包括適宜比例的粘結(jié)層和顆粒的 本發(fā)明的保形涂層易于合成。至多，需要一些常規(guī)參數(shù)變量測(cè)試以使用于所 需目的的量最優(yōu)化。顆?？赏ㄟ^(guò)聚合物材料基本均勻地分散，或者還可梯度 形式存在，從外部表面向材料中心或從一個(gè)表面向另一個(gè)等方向在量上(例 如濃度)逐漸增大或減少?；蛘?，顆?？勺鳛橥馄せ騼?nèi)層分散，從而形成間 層敷放結(jié)構(gòu)。在這種實(shí)施方式中，本發(fā)明的顆?？捎谜辰Y(jié)層再涂布。在這種 方式中，本發(fā)明設(shè)想包括用另一個(gè)涂層或粘結(jié)層再涂布的顆粒的膜的新疊層 或多層結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員進(jìn)一步理解該顆粒可放置在其上具有粘結(jié) 層的基材的單個(gè)點(diǎn)或部分。當(dāng)然，基于前述程序，這些疊層都易于形成。
作為非限制性實(shí)施例，本保形涂層在涂布到 一種或多種以下基材上時(shí)可 證明是有利的4建盤(pán)、集成電路、印刷線路板、印刷電路板、混合電路(hybrids)、轉(zhuǎn)換器、傳感器、加速計(jì)、鍍錫巻板、光纖元件、熱交換器、 醫(yī)療植入物、流量計(jì)、磁體、光電池、電外科器械和封裝的微電路。
盡管已結(jié)合具體示例性實(shí)施方式說(shuō)明了本發(fā)明，這些示例性實(shí)施方式僅 用于說(shuō)明的目的而不會(huì)限制本發(fā)明，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言是顯而易見(jiàn) 的是可對(duì)已公開(kāi)的實(shí)施方式進(jìn)行變更、增加和/或刪除，而不背離本發(fā)明的 精神和范圍。因此，提供前述說(shuō)明僅用于清楚理解，并從中不應(yīng)理解為任何 不必要的限制，同時(shí)本發(fā)明范圍內(nèi)的修改對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員是顯而易見(jiàn) 的。例如，在晶體形成存在下呈現(xiàn)出足以產(chǎn)生曲折路徑的硬度的任何顆?？?阻止生長(zhǎng)或移動(dòng)。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解優(yōu)選5莫氏或更硬的公知無(wú)機(jī) 化合物或優(yōu)選具有大于400攝氏度的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的任何公知材料可提 供足夠的硬度。盡管此處已說(shuō)明了某些生產(chǎn)裝置、方法和物品，本申請(qǐng)的覆 蓋范圍不限于此。相反，本發(fā)明覆蓋真正在所附權(quán)利要求所述的范圍內(nèi)或其 等價(jià)物的原則下的所有生產(chǎn)裝置、方法和物品。
權(quán)利要求
1、一種保形涂層，包括粘結(jié)層；和顆粒，其中所述顆粒包括抑制所述保形涂層內(nèi)導(dǎo)電晶體結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)的非導(dǎo)電材料。
2、 如權(quán)利要求1所述的保形涂層，其中所述顆粒提供曲折路徑，所述曲折 路徑抑制所述導(dǎo)電晶體結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)。
3、 如權(quán)利要求1所述的保形涂層，其中所述顆粒分散在所述粘結(jié)層中。
4、 如權(quán)利要求1所述的保形涂層，其中所述粘結(jié)層和顆粒形成疊層。
5、 如權(quán)利要求1所述的保形涂層，其中所迷顆粒包括具有至少5莫氏硬度 級(jí)別的材料。
6、 如權(quán)利要求1所述的保形涂層，其中所述顆粒包括從由二氧化硅和陶瓷 構(gòu)成的組中選擇的材料。
7、 如權(quán)利要求1所述的保形涂層，其中所述非導(dǎo)電顆粒包括優(yōu)選具有至少 400攝氏度的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的材料。
8、 如權(quán)利要求1所述的保形涂層，其中所述粘結(jié)層包括從由環(huán)氧樹(shù)脂、聚 氨酯、對(duì)苯二曱基類聚合物、丙烯S吏樹(shù)脂及其混合物構(gòu)成的組中選擇的材料。
9、 如權(quán)利要求8所述的保形涂層，其中所述粘結(jié)層進(jìn)一步包括聚合物材料， 其中所述聚合物材料包括從由聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、苯乙烯系樹(shù)脂、聚 氨酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚對(duì)苯二曱酸乙二醇酯、硅樹(shù)脂及其混合物構(gòu)成 的組中選擇的材料。
10、 如權(quán)利要求1所述的保形涂層，其中所述顆粒至少具有以下形狀球 形、圓錐形、圓柱形、部分球形、部分圓錐形、部分圓柱形和/或它們的組合。
11、 如權(quán)利要求2所述的保形涂層，其中所述顆粒基本均勻地分散在整個(gè) 粘結(jié)層中。
12、 如權(quán)利要求8所述的保形涂層，其中所述粘結(jié)層進(jìn)一步包括從由分散劑、粘結(jié)劑、交聯(lián)劑、穩(wěn)定劑、著色劑、UV吸收劑及其組合構(gòu)成的組中選擇 的添力0劑。
13、 一種避免鄰近基材的導(dǎo)電晶體結(jié)構(gòu)形成的方法，所述方法包括以下步驟提供一種至少含有粘結(jié)層和顆粒的保形涂層，其中所述顆粒包括抑制導(dǎo)電 晶體結(jié)構(gòu)在所述涂層內(nèi)生長(zhǎng)的非導(dǎo)電材料；以及 將所述保形涂層涂布到基材上。
14、 如權(quán)利要求13所述的方法，其中將所述保形涂層涂布到所述基材上的 步驟選自由浸涂、噴涂、刷涂、針滴、真空沉積和/或它們的組合構(gòu)成的姐中。
15、 如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述基材選自由鍵盤(pán)、集成電路、印 刷線路板、印刷電路板、混合電路、轉(zhuǎn)換器、傳感器、加速計(jì)、鍍錫巻板、光 纖元件、熱交換器、醫(yī)療植入物、流量計(jì)、磁體、光電池、電外科器械和封裝 的微電路構(gòu)成的組中。
16、 如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述保形涂層提供充分抑制所述導(dǎo)電 晶體結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)的曲折路徑。
17、 如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述粘結(jié)層包括從由環(huán)氧樹(shù)脂、聚氨 酯、對(duì)苯二曱基類聚合物、丙烯酸樹(shù)脂及其混合物構(gòu)成的組中選擇的材料。
18、 如權(quán)利要求13所述的方法，其中非導(dǎo)電顆粒包括優(yōu)選具有莫氏硬度級(jí) 別至少為5莫氏的材料。
19、 如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述非導(dǎo)電顆粒包括從由二氧化硅和 陶瓷構(gòu)成的組中選擇的材料。
20、 如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述非導(dǎo)電顆粒包括優(yōu)選具有玻璃化 轉(zhuǎn)變溫度至少為400攝氏度的材料。
21、 如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述顆?；揪鶆虻胤稚⒃谡麄€(gè)粘結(jié) 層中。
22、 如權(quán)利要求17所述的方法，其中所述粘結(jié)層進(jìn)一步包括從由分散劑、 粘結(jié)劑、交聯(lián)劑、穩(wěn)定劑、著色劑、UV吸收劑及其組合構(gòu)成的組中選擇的添
23、 一種保形涂層組件，包括基材，所述基材用保形涂層至少部分覆蓋；所述保形涂層，其包括分散在粘結(jié)層中的顆粒，所述顆粒包括非導(dǎo)電材料, 顆粒和所述粘結(jié)劑布置為限制導(dǎo)電晶體結(jié)構(gòu)從所述基材上生長(zhǎng)。
全文摘要
一種保形涂層，包括粘結(jié)層和提供對(duì)導(dǎo)電晶體結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)的屏蔽的顆粒。所述顆粒包括提供曲折路徑以充分抑制導(dǎo)電表面上的導(dǎo)電晶體結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)的材料。
文檔編號(hào)C09D201/00GK101652443SQ200880005667
公開(kāi)日2010年2月17日 申請(qǐng)日期2008年2月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月9日
發(fā)明者克萊德·托馬斯·艾森拜斯, 埃里克·W·斯特朗 申請(qǐng)人:費(fèi)希爾控制產(chǎn)品國(guó)際有限公司