專利名稱：用于光電和電子裝置的透明導(dǎo)電涂層的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體上涉及一種用于生產(chǎn)導(dǎo)電透明薄膜的方法并且涉及包括它們的光電和電子裝置。
背景技術(shù)：
透明的導(dǎo)電涂層被用于廣闊范圍的應(yīng)用中，諸如顯示器(IXD、等離子體、觸摸屏、電子紙，等等)、發(fā)光裝置(電致發(fā)光，OLED)以及太陽能電池。這些應(yīng)用的市場正在向柔性的和可印刷的產(chǎn)品(“塑料電子設(shè)備”)移動(dòng)，對于這點(diǎn)，基于透明導(dǎo)電氧化物(TCO)的現(xiàn)有技術(shù)具有眾多的、必須要處理的缺點(diǎn)，例如制造過程的復(fù)雜性、高成本、前體的豐富性、以及相對低的導(dǎo)電性。因此，投入了很多的努力來尋找用于最廣泛使用的錫摻雜的氧化銦ITO的替代物，錫摻雜的氧化銦往往提供了高的導(dǎo)電性以及還有高的透明度。
已經(jīng)披露了獲得透明導(dǎo)電涂層的替代方案。Wu等人[I]證明了應(yīng)用納米碳管作為透明電極，顯示出了在IR范圍內(nèi)優(yōu)于ITO的透光度特性。Jiang等人[2]將Al-摻雜的ZnO薄膜用于OLED裝置,而Wang等人[3]將超薄的石墨烯薄膜用于太陽能電池。另一個(gè)替代方案包括一種網(wǎng)格圖形，如銀線網(wǎng)格。然而，即使這樣一種安排也具有幾個(gè)缺陷，如印刷方法(分辨率、基底厚度)的局限性。Garbar等人披露了通過使用仿真(emulations) [4]來形成一個(gè)透明導(dǎo)電涂層。Deegan等人發(fā)現(xiàn)，一旦將含固體顆粒的毫米級液滴壓到一個(gè)基底上，在該液滴干燥時(shí)，這些固體顆粒就組成一個(gè)環(huán)[5]。Hu和Larson證明了在多種液體的混合物的情況下，這種Marangoni效應(yīng)也是非常顯著的[6]。Sommer [7]建議了一種用于對作用在這些液滴上的這些顆粒上的五個(gè)力進(jìn)行分析的模型，并且推斷這些造成了該環(huán)的形成的主要的力是在這些顆粒與該基底的相互作用以及將這些顆粒帶到周邊的流動(dòng)作用。Perelaer等人[8]和Kamyshny等人[9]展示了，多個(gè)測微的單獨(dú)的環(huán)可以通過將硅石微?；蛭⑷橐旱畏稚⒌膰娔∷慝@得。應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是，工業(yè)上的噴墨印刷通常要求一種均一的圖案，并且這種“咖啡振鈴效應(yīng)”是不希望的現(xiàn)象[11，12]。以前報(bào)道了一個(gè)環(huán)在另一個(gè)環(huán)頂上的沉積導(dǎo)致了該第一環(huán)的破壞，這是由于其再分散性[5]。Perelear等人使用了在相同的印刷參數(shù)中的這種噴墨印刷方法，并且獲得了均勻尺寸的液滴以及因此均勻的環(huán)[10]。Magdassi等人已經(jīng)披露了 [13，14]在分散銀納米顆粒的情況下，這種效應(yīng)將會導(dǎo)致毫米級圈環(huán)的導(dǎo)電層的形成而不需要在高溫下進(jìn)行燒結(jié)，這是由于在該環(huán)的邊緣處這些銀納米顆粒的自發(fā)的緊密堆積。參考文獻(xiàn)[I] Z. C. ffu, Z. Chen, X. Du, J. M. Logan, J. Sippel, M. Nikolou, K. Kamaras, J.R. Reynolds, D. B. Tanner, A. F. Hebard, and A. G. Rinzler, Science 2004, 305, 1273-1276.[2]X. Jiang, F. L. Wong, M. K. Fung, and S. T. Lee, App lied PhysicsLetters2003, 83, 1875-1877.[3]X. Wang, L. J. Zhi, and K. Mullen, Nano Letters 2008, 8, 323-327.
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Kamyshny, Digital fabrication 2009.發(fā)明概述本發(fā)明的目的在于提供一種用于生產(chǎn)導(dǎo)電透明薄膜的改進(jìn)型方法以及結(jié)合了此類薄膜的裝置，如太陽能電池?？傮w上，本發(fā)明的這些透明導(dǎo)電薄膜的特征為多個(gè)環(huán)結(jié)構(gòu)的一種陣列，在本發(fā)明的一些實(shí)施方案中，這些環(huán)結(jié)構(gòu)是在導(dǎo)電材料表面的一個(gè)連續(xù)部(continuum)中的多個(gè)間隔開的無材料的空隙(或孔)，并且在其他實(shí)施方案中，是由一種導(dǎo)電材料在一種非導(dǎo)電表面上構(gòu)成的交叉導(dǎo)電環(huán)。因此本發(fā)明的這些薄膜的特征為多種導(dǎo)電線的一種陣列，這些導(dǎo)電線由在空的二維材料空隙周圍的導(dǎo)電材料組成，如在下文中進(jìn)一步披露的。因此，在本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了在一個(gè)基底上制造一個(gè)導(dǎo)電透明薄膜的方法，該方法包括通過一種第一材料來涂覆一個(gè)基底，以在所述基底的表面的至少一個(gè)區(qū)域上形成所述第一材料的濕薄膜；用至少一種第二材料來處理該濕薄膜，這種第二材料能夠使該第一材料在接觸點(diǎn)處在該薄膜中移位；由此造成該薄膜材料從接觸點(diǎn)的移位以及該基底的暴露，從而提供所述薄膜中多個(gè)間隔開的不含材料的空隙的一個(gè)陣列；并且任選地處理該薄膜以便使該第一材料導(dǎo)電。在某些實(shí)施方案中，其中所述第一材料是一種導(dǎo)電材料，該方法包括通過一種導(dǎo)電材料來涂覆一個(gè)基底，以便在所述基底的表面的至少一個(gè)區(qū)域上形成一個(gè)導(dǎo)電薄膜；用至少一種材料(不同于該導(dǎo)電材料)來處理該導(dǎo)電薄膜，這種材料能夠使該導(dǎo)電材料在接觸點(diǎn)處在該導(dǎo)電薄膜中移位；由此造成該薄膜材料從接觸點(diǎn)的移位以及該基底的暴露，從而提供所述薄膜中多個(gè)間隔開的不含材料的空隙的一個(gè)陣列。如在此使用的，“不含材料的空隙”是該第一材料或?qū)щ姴牧媳∧ぶ械目崭?、開口，通過其暴露了該基底。這些空隙是通過形成一個(gè)連續(xù)圖案的導(dǎo)電材料分開的。該導(dǎo)電材料基本上是這些不含材料的空隙之間的薄線網(wǎng)絡(luò)。在該導(dǎo)電透明薄膜中，這些空隙基本上不含該第一或?qū)щ姴牧?。在下文來進(jìn)一步說明這些空隙的特征。該導(dǎo)電透明薄膜(本發(fā)明的以上方面中的第一材料)是在一個(gè)“基底”上生產(chǎn)的，該基底可以是一種柔性或剛性的基底，它可以是實(shí)質(zhì)上二維(一個(gè)薄的平基底)或三維的彎曲的(不平的)表面。該基底可以具有任何光滑性。最一般地說，該基底可以屬于一種固體材料，如玻璃、紙、半導(dǎo)體無機(jī)材料或有機(jī)材料、聚合物材料或陶瓷的表面。表面材料，是在其上形成該薄膜(該第一材料或?qū)щ娦圆牧系?的基底，不必是與在其表面上生產(chǎn)薄膜的物體本體相同的材料。在某些實(shí)施方案中，該基底是一種無機(jī)半導(dǎo)體材料，包括但不限于硅、錫、硼的化合物、碲、鍺、鎵、砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、碲化鎘(CdTe)、砷化鋁鎵(GaAlAs)、磷化銦(InP),磷砷化鎵(GaAsP)、硫化鎘(CdS)、聯(lián)硒化鎵銦銅(CIGS)、碲化鎘汞(HgCdTe)、以及硫化銅銦或硒化銅銦?？商娲兀摶卓梢詫儆谝环N聚合物材料，如聚酰胺、聚酯、聚丙烯酸酯、聚烯烴、聚酰亞胺、聚碳酸酯、以及聚甲基丙烯酸甲酯。根據(jù)本發(fā)明，通過一種可以是導(dǎo)電性或呈現(xiàn)導(dǎo)電性的第一材料，在該基底的表面上的至少一個(gè)區(qū)域上涂覆該基底，由此獲得在該基底表面的至少一個(gè)區(qū)域上的一個(gè)導(dǎo)電性薄膜或圖案。在本發(fā)明的背景下，該薄膜的導(dǎo)電性(或電阻)和透明度是在該基底的經(jīng)涂覆的至少一個(gè)區(qū)域的邊界內(nèi)測量的。該表面的至少一個(gè)區(qū)域可以是該基底的完整的表面或該基底的一個(gè)或多個(gè)區(qū)域，這些區(qū)域可以連接到彼此上或者在另一個(gè)區(qū)域的附近或是間隔開的。這些區(qū)域不需要具有任何預(yù)定的尺寸或形狀。這些區(qū)域可以處于一種所希望的預(yù)定的圖案?？梢酝ㄟ^任何可用的手段將該第一材料，例如導(dǎo)電性的材料或其前體，施加到該基底上以便形成一個(gè)具有所希望厚度的薄膜。該材料可以通過由一個(gè)噴墨印刷機(jī)噴墨、通過由一個(gè)噴灑器噴涂、或任何其他方法，如噴槍，通過刷涂其表面、通過將該基底浸入一種包括例如導(dǎo)電材料的液體載體中，通過刮刀的方法、旋涂、輥對輥涂覆、或者通過本領(lǐng)域已知的任何手段進(jìn)行施加。在使用噴墨技術(shù)時(shí)，這些材料液滴可以是處于I微微升到10微微升的范圍之內(nèi)。該第一材料或該導(dǎo)電材料典型地是選自金屬、過渡金屬、半導(dǎo)體、合金、金屬間材料、導(dǎo)電聚合物、碳基材料，如碳黑、納米碳管(CNT)、石墨、石墨烯、富勒烯、以及碳的同素異形體。根據(jù)具體的應(yīng)用，該導(dǎo)電材料可以是兩種或更多種不同的材料的一種組合，這些材料作為一種混合物形成或逐步地沉積在該基底上。在某些實(shí)施方案中，將這兩種或更多種不同的導(dǎo)電材料沉積在該基底上以形成多個(gè)環(huán)結(jié)構(gòu)，每個(gè)環(huán)結(jié)構(gòu)具有如以上定義的一種不同的導(dǎo)電材料。在其他實(shí)施方案中，將這些兩種或更多種不同的導(dǎo)電材料逐步地進(jìn)行沉積以便形成一個(gè)導(dǎo)電多層物，每個(gè)層(薄膜)由多個(gè)環(huán)結(jié)構(gòu)構(gòu)成并且具有一種不同的材料或材料形式。在以一個(gè)單導(dǎo)電薄膜的形式來使用兩種或更多種材料時(shí)，或者在這些材料之一用作、另一種的摻雜劑時(shí)，它們可以是按等量值或以任何比率來存在。在某些實(shí)施方案中，該導(dǎo)電材料是或包括元素周期表d區(qū)中的IIIB、IVB、VB、VIB、VIIB、VIIIB、IB、IIB、IIIA、IVA 以及 VA 族中的元素。在其他實(shí)施方案中，該導(dǎo)電材料是或包括元素周期表d區(qū)中的IIIB、IVB、VB、VIB、VIIB、VIIIB、IB以及IIB族中的過渡金屬。在某些實(shí)施方案中，該過渡金屬是一種選自以下各項(xiàng)的金屬Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Tc、Ru、Mo、Rh、W、Au、Pt、Pd、Ag、Mn、Co、Cd、Hf、Ta、Re、Os、Ir 以及 Hg。在其他實(shí)施方案中，該導(dǎo)電材料以一種非限制性的方式選自乙酸銦(III)、氯化銦(III)、硝酸銦(III)、乙酰丙酮化銦(III)，用于產(chǎn)生CuInS2和Cu(InGa)S2 ;氯化亞鐵(II)、氯化鐵(II)、乙酸亞鐵(II)、乙酰丙酮化鐵(III)，用于形成CuFeS2;乙酰丙酮化鎵(III)、氯化亞鎵(II)、氯化鎵(III)、硝酸鎵(III)，用于形成CuGaS2和Cu (InGa) S2;氯化鋁(III)、硬脂酸鋁(III)，用于形成CuAlS2;硝酸銀、氯化銀，用于形成AgS;二甲基鋅、 二乙基鋅、氯化鋅、氯化錫(II)、氯化錫(IV)、乙酰丙酮化錫(II)、乙酸錫(II)，用于形成Cu2(ZnSn)S4 ;氯化鎘(II)、硝酸鎘(II)、乙酸鎘(II)、乙酰丙酮化鎘(II)、硬脂酸鎘(II)，用于CdS;乙酸鉛(II)、乙酰丙酮化鉛(II)、氯化鉛(II)、硝酸鉛(II)，以及PbS。在其他實(shí)施方案中，該導(dǎo)電材料是在半導(dǎo)體材料中進(jìn)行選擇。該半導(dǎo)體材料可以是選自II-VI族、III-V族、IV-VI族、III-VI族、IV族半導(dǎo)體的元素以及它們的組合。在某些實(shí)施方案中，該半導(dǎo)體材料是一種II-VI族材料，選自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe, ZnS, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdZnSe,以及它們的任何組合。在其他實(shí)施方案中，III-V族材料是選自InAs, InP、InN, GaN, InSb, InAsP、InGaAs, GaAs、GaP、GaSb、A1P、AIN、AlAs、AlSb、CdSeTe, ZnCdSe,以及它們的任何組合。在此外的實(shí)施方案中，該半導(dǎo)體材料是選自IV-VI族，該材料是選自PbSe、PbTe,PbS、PbSnTe, Tl2SnTe5,以及它們的任何組合。在另外的實(shí)施方案中，該導(dǎo)電材料是在和以上金屬和/或過渡金屬的金屬合金和金屬間化合物之中進(jìn)行選擇。此類合金的非限制性實(shí)例是WMo、MoRh, MoRh3> Rha34RuQ.66、Rh0 4Ru0.6> PdRh、PdRu、MoPd2、Pd0 3Mo0 8> MoPt、Mo2Pt、PtPd、Pt0 4Ru0.6> Pt0 2Ru0 8> PtRh、WPt、AuPd、AuPt、AuRh、AuRu、AuMo、以及 AuW。在另外的實(shí)施方案中，該導(dǎo)電材料是一種碳基材料，如碳黑、納米碳管(CNT)、石墨、石墨烯、富勒烯、或其他碳的同素異形體。該導(dǎo)電材料可替代地可以是一種導(dǎo)電聚合物，如聚(3，4-二辛基氧代噻吩)(PD0T)、聚(3，4-乙烯二氧噻吩):聚(磺酸苯乙烯酯)((PD0T:PSS)、聚苯胺、以及聚吡咯。在本發(fā)明的其他實(shí)施方案中，該導(dǎo)電薄膜是通過用一種第一材料對該基底進(jìn)行處理來獲得的，該第一材料在該沉積步驟時(shí)是不導(dǎo)電的，但是可以在進(jìn)一步的處理(例如，力口熱)之后被變成導(dǎo)電的。用于使該不導(dǎo)電的材料導(dǎo)電的后處理以一種非限制性的方式包括加熱、化學(xué)處理、等離子體、UV、激光、或者微波輻射、閃光燈(氙)化學(xué)鍍、進(jìn)一步的涂覆以及其他手段。例如，一種不導(dǎo)電的材料，如一種銀的前體，可以沉積在該基底上并且可以在孔的印刷之后通過(例如)加熱變成導(dǎo)電的。在其他實(shí)施方案中，該導(dǎo)電材料是處于顆粒的形式，例如納米顆粒。
該導(dǎo)電材料典型地在應(yīng)用之前被分散或溶解在一種液體載體中，從而易于準(zhǔn)確的遞送。該液體載體可以是選自水和有機(jī)溶劑。該液體載體可以包括至少一種另外的材料用于賦予特殊的功能或提高該薄膜的任何一種特性，這些功能性或特性可以是潤濕、流變能力、粘附、摻雜、抗刮性、接觸和薄層電阻，或向一個(gè)相鄰層中的優(yōu)先擴(kuò)散。此類材料可以包括玻璃料或無機(jī)鹽。在某些實(shí)施方案中，在應(yīng)用之前這些玻璃料可以添加到該導(dǎo)電配置品中以便幫助與硅基半導(dǎo)體層的相互擴(kuò)散以及粘附，如在硅基光伏電池中已知的?！┰谠摶咨闲纬闪艘环N導(dǎo)電材料(該第一材料)薄膜，就用至少一種第二材料對該導(dǎo)電薄膜進(jìn)行處理，這種第二材料能夠在接觸時(shí)在所謂的接觸點(diǎn)處將使導(dǎo)電材料在該薄膜中移位，從而在該導(dǎo)電層中清除出了一個(gè)空隙、孔、或空格。該至少一種第二材料不同于該導(dǎo)電薄膜的第一材料之處在于至少一個(gè)化學(xué)或物理參數(shù)，這個(gè)參數(shù)允許材料從該導(dǎo)電薄膜中的最終移位。這個(gè)參數(shù)可以是材料本身的或者是將它分散、溶解或以其他方式運(yùn)載在其中的溶液(溶劑)的；該參數(shù)是選自親水性、疏水性、潤濕行為、表面張力、以及表面能、 擴(kuò)展系數(shù)、蒸發(fā)速率、粘度、以及其他的參數(shù)。該至少一個(gè)第二材料，例如液體，可以在該濕潤薄膜的不同蒸發(fā)階段沉積在該薄膜上，只要能夠進(jìn)行這個(gè)移位過程。例如，在某些實(shí)施方案中，該第一材料是一種疏水溶劑，其中導(dǎo)電材料是處于納米顆粒的形式，并且在該導(dǎo)電材料的薄膜的頂部上作為單獨(dú)的液滴來沉積的至少一種第二材料是承載在一種水性介質(zhì)中的。由于這兩種材料的差異，該水性材料鋪展在納米顆粒的濕潤薄膜上，并且由于表面能效應(yīng)而與該基底相接觸，因此形成了環(huán)或孔形式的不含材料的空隙，而將這些納米顆粒推向這些材料液滴的邊緣。在這個(gè)實(shí)例中，這最終導(dǎo)致了由緊密堆積的納米顆粒組成的窄線以及空的二維空隙。這些材料空隙的尺寸可以通過這些水性液滴的尺寸、這些液滴的競爭性濕潤、以及該濕潤分散的導(dǎo)電薄膜、擴(kuò)展動(dòng)力學(xué)、蒸發(fā)、以及顆粒-顆粒相互作用進(jìn)行控制。因此，在某些實(shí)施方案中，該導(dǎo)電薄膜是一種基于溶劑(非水性的)的材料，該材料包含金屬納米顆粒。為了保持高導(dǎo)電性并且實(shí)現(xiàn)該薄膜的透明度，該導(dǎo)電層中這些空隙(孔、空格)的密度應(yīng)該是使得該剩余導(dǎo)電材料的這些空隙之間的寬度是小于50微米(在I與50微米之間)并且在一些情況下最多20微米(在I與20微米之間)。盡管如此，應(yīng)該注意的是，該透明薄膜的最終導(dǎo)電性還可以取決于其他幾個(gè)參數(shù)以及因此在某些實(shí)施方案中，該最終的涂層可能要求另外的實(shí)現(xiàn)高導(dǎo)電性/透明度的處理。此類處理可以是加熱、等離子體、UV、激光、微波輻射、閃光燈(氙)化學(xué)鍍、進(jìn)一步的涂覆以及其他的處理。典型地，這些空隙邊緣的高度是小于10微米并且平均空隙直徑是小于500微米。在某些實(shí)施方案中，該空隙的直徑是在10與300微米之間，例如約200微米，這取決于用于沉積這些液滴的設(shè)備。小的網(wǎng)絡(luò)空格尺寸優(yōu)選用于使用了高電阻材料(例如，非晶態(tài)硅或有機(jī)電池)的光伏裝置，以獲得低電阻損耗。在此類裝置中，與來自空隙中間的電荷載流子的側(cè)向移動(dòng)相關(guān)聯(lián)的電阻，總體上不大于與該半導(dǎo)體層內(nèi)載流子的垂直運(yùn)動(dòng)相關(guān)聯(lián)的電阻，即，小網(wǎng)絡(luò)空格的移動(dòng)載流子的路徑長度在水平方向上不長于在豎直方向上。更大的網(wǎng)絡(luò)空隙直徑可能產(chǎn)生實(shí)質(zhì)上更大的歐姆損耗并且因此總體上不是優(yōu)選的。
該具有不含材料的空隙圖案的薄膜具有的薄層電阻(若由納米顆粒組成，如在燒結(jié)之后測量的)為0. 004歐姆/平方到5千歐姆/平方，在一些情況下為小于50歐姆/平方，小于20歐姆/平方，小于或等于7歐姆/平方。所展示的薄層電阻可以歸因于形成該導(dǎo)電圖案的導(dǎo)電材料的緊密堆積，但是還可以歸因于一個(gè)噴射后的燒結(jié)過程，如在下文進(jìn)一步披露的。薄層電阻可以進(jìn)一步通過對該沉積的圖案隨后進(jìn)行的電鍍來降低。本發(fā)明的導(dǎo)電透明薄膜在以下裝置中是特別有用的，這些裝置要求電磁光譜的可見、NIR、IR、和/或UV區(qū)域的透射。這些層的光透明度是至少30%，在某些情況下是至少50%，在其他實(shí)施方案中是至少70%并且在另外的實(shí)施方案中是約95%以及更大的光透明度。對于要求可見光透射的應(yīng)用，在400nm到700nm的波長范圍內(nèi)測量了透射率。
在某些實(shí)施方案中，根據(jù)本發(fā)明制造的這些薄膜的特征為95%的透明度以及在約0. 004歐姆/平方到5歐姆/平方之間的薄層電阻。在某些實(shí)施方案中，該薄膜的電阻率在0. 5cm2上是4±0. 5歐姆/平方。因此，本發(fā)明進(jìn)一步提供了一個(gè)基底，如在此限定的，它涂覆有一個(gè)材料的導(dǎo)電透明薄膜，該薄膜具有多個(gè)間隔開的環(huán)-空隙，所述多個(gè)間隔開的空隙的每個(gè)的邊緣是小于10微米并且該平均空隙直徑是小于500微米。在某些實(shí)施方案中，該平均空隙直徑是處于10微米與300微米之間。在其他實(shí)施方案中，該平均空隙直徑是處于約200微米與300微米之間。在這些空隙之間導(dǎo)電材料的寬度是小于60微米。該導(dǎo)電透明薄膜的特征還在于具有至少一個(gè)選自以下各項(xiàng)的屬性I.小于50微米的空隙間隔；在某些實(shí)施方案中，至多20微米。2.在0. 004歐姆/平方與5千歐姆/平方之間的薄層電阻；在某些實(shí)施方案中，是小于50歐姆/平方；在另外的實(shí)施方案中，小于20歐姆/平方；在再其他實(shí)施方案中，小于或等于7歐姆/平方，以及3.至少30%的光透明度；在某些實(shí)施方案中，至少50%;在其他實(shí)施方案中，至少70%并且在另外的實(shí)施方案中是至少95%的透明度。在某些實(shí)施方案中，該導(dǎo)電透明薄膜的特征為95%的光透明度以及0. 004歐姆/平方到5千歐姆/平方之間的薄層電阻。在其他實(shí)施方案中，該導(dǎo)電透明薄膜的電阻率在0. 5cm2上是4 ±0. 5歐姆/平方。本發(fā)明還提供了一個(gè)基底，如在此限定的，它涂覆有一種材料的導(dǎo)電透明薄膜，該薄膜具有多個(gè)間隔開的空隙，所述多個(gè)間隔開的空隙各自的邊緣是小于10微米并且平均孔直徑是小于500微米，其中該薄膜具有的總透明度是95%并且薄層電阻是0. 004歐姆/平方到5千歐姆/平方之間。本發(fā)明還提供了一種材料的導(dǎo)電透明薄膜，所述薄膜具有多個(gè)間隔開的空隙，所述多個(gè)間隔開的空隙中的每個(gè)的邊緣是小于10微米并且平均孔直徑是小于500微米，其中該薄膜具有的總透明度是95%并且薄層電阻是0. 004歐姆/平方到5千歐姆/平方之間。圖I中顯示了根據(jù)本發(fā)明的以上方面的一個(gè)導(dǎo)電透明薄膜。通過在基于溶劑的銀分散體的潤濕薄膜(該第一材料)上噴墨印刷一個(gè)單一的水溶液(第二材料)滴來制備該薄膜。將水滴施用到該銀薄膜上引起了該水溶液/基底界面對該銀溶劑分散體/基底界面的替代，導(dǎo)致了空格、不含材料的空隙。這些銀顆粒被移位到所形成的液滴的邊緣形成一個(gè)更暗的區(qū)域，典型地是由于這些顆粒的更緊密的堆積。類似地，向基于溶劑的銀顆粒分散體的一個(gè)濕潤薄膜上噴灑一種含濕潤劑的水性溶液，展示了類似的結(jié)果。在這個(gè)實(shí)例中，這些材料空隙的平均直徑，在該具體的實(shí)例中，測得為約238微米。在本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種在一個(gè)基底上制造導(dǎo)電透明圖案的方法，該方法包括用多個(gè)導(dǎo)電材料液滴處理一個(gè)基底，從而允許所述液滴在該基底上形成多個(gè)交叉環(huán)結(jié)構(gòu)的一個(gè)陣列，其中該導(dǎo)電材料是選自(I)兩種或更多種金屬或其前體的一個(gè)組合，
(2)—種半導(dǎo)體材料，⑶一種碳基材料，如碳黑，碳納米管(CNT)，以及其他碳的同素異形體，⑷量子點(diǎn)，以及(5)在以上提及的這些的任何一種混合物，由此在該基底上獲得一種導(dǎo)電透明圖案。根據(jù)本發(fā)明的這個(gè)方面，該導(dǎo)電透明涂層是通過一種導(dǎo)電材料的自組裝而獲得 的。該自組裝允許形成多個(gè)互連的測微環(huán)的陣列。每個(gè)環(huán)的邊緣具有的寬度是在1-10微米之間(在某些實(shí)施方案中，1-5微米，在其他實(shí)施方案中，2-9微米，在另外的實(shí)施方案中，3-9微米，或2-6微米)并且由緊密堆積的顆粒組成。這樣一種安排導(dǎo)致了高的導(dǎo)電性。每個(gè)環(huán)的中心實(shí)質(zhì)上是一個(gè)孔，具有的直徑是在約100微米與200微米之間。由于這些小的尺寸，這些互連的環(huán)的整個(gè)陣列在光學(xué)上是透明并且保持了它的高導(dǎo)電性。如以上定義的，這些導(dǎo)電陣列可以通過將至少一種如上文中定義的導(dǎo)電材料(例如，銀)的分散體的微微升液滴噴墨印刷在一個(gè)基底上來獲得。在印刷之后，每個(gè)印刷的點(diǎn)通過眾所周知的“咖啡環(huán)效應(yīng)”自組裝成一個(gè)環(huán)。根據(jù)本發(fā)明，可以使用這種效應(yīng)從而獲得一種功能特性，即，透明度和導(dǎo)電性，這是通過形成互連的導(dǎo)電環(huán)的二維陣列。這些陣列的制造是自發(fā)的、使用低成本的噴墨印刷方法。產(chǎn)生的導(dǎo)電性和透明度是與ITO的可比較的。如以上參照導(dǎo)電材料說明的，可以使用兩種或更多種這樣的材料來改進(jìn)該陣列的一種或多種特性。通過利用包含兩種或更多種導(dǎo)電材料的一種混合物的分散體，可以獲得離析(圖2)。這兩種納米顆粒-種群的不同之處可以為尺寸、保護(hù)性分子、分散劑、或涂層。
本發(fā)明因此提供了一個(gè)如以上定義的基底，它涂覆有一個(gè)導(dǎo)電透明薄膜，該薄膜具有一種導(dǎo)電材料的多個(gè)交叉環(huán)結(jié)構(gòu)的圖案，該導(dǎo)電材料選自(I)兩種或更多種金屬或其前體的一種組合，(2) —種半導(dǎo)體材料，(3)碳基材料如碳黑、碳納米管(CNT)、以及其他碳的同素異構(gòu)體，(4)量子點(diǎn)，以及(5)上述的任何一種混合物，每個(gè)環(huán)結(jié)構(gòu)的邊緣具有的寬度是在約1-5微米之間，每個(gè)環(huán)結(jié)構(gòu)的直徑是處于約100與200微米之間。該薄膜的特征還在于至少一個(gè)選自以下各項(xiàng)的參數(shù)I.在0.004歐姆/平方與5千歐姆/平方之間的薄層電阻；以及2.至少30%的光透明度；在某些實(shí)施方案中，至少50%;在其他實(shí)施方案中，至少70%并且在另外的實(shí)施方案中是至少95%的透明度。本發(fā)明在其多個(gè)方面的另外一個(gè)方面中提供了一個(gè)裝置，該裝置實(shí)現(xiàn)了根據(jù)本發(fā)明的至少一個(gè)導(dǎo)電透明薄膜。在某些實(shí)施方案中，該導(dǎo)電透明薄膜具有多個(gè)間隔開的環(huán)空隙，所述多個(gè)間隔開的空隙各自的邊緣是小于10微米并且平均空隙直徑是小于500微米。在某些實(shí)施方案中，該薄膜的平均空隙直徑是處于10微米與300微米之間。在其他實(shí)施方案中，該薄膜的平均空隙直徑是處于約200微米與300微米之間。在這些空隙之間導(dǎo)電材料的寬度是小于60微米。 在另外的實(shí)施方案中，在本發(fā)明的裝置中實(shí)現(xiàn)的薄膜的特征還在于具有至少一個(gè)選自以下各項(xiàng)的屬性I.小于50微米的空隙間隔；在某些實(shí)施方案中，至多20微米。2.在0. 004歐姆/平方與5千歐姆/平方之間的薄層電阻；在某些實(shí)施方案中，是小于50歐姆/平方，在另外的實(shí)施方案中，小于20歐姆/平方；在再其他實(shí)施方案中，小于或等于7歐姆/平方，并且3.至少30%的光透明度；在某些實(shí)施方案中，至少50%;在其他實(shí)施方案中，至少70%并且在另外的實(shí)施方案中是至少95%的透明度。
在某些實(shí)施方案中，在該裝置中實(shí)現(xiàn)的導(dǎo)電透明薄膜的特征為95%的光透明度以及0. 004歐姆/平方到5千歐姆/平方之間的薄層電阻。在其他實(shí)施方案中，該導(dǎo)電透明薄膜的電阻率在0. 5cm2上是4 ±0. 5歐姆/平方。本發(fā)明還提供了一種裝置，該裝置實(shí)現(xiàn)了一種具有多個(gè)間隔開的空隙的導(dǎo)電透明薄膜，所述多個(gè)間隔開的空隙各自的邊緣是小于10微米并且平均孔直徑是小于500微米，其中該薄膜具有的總透明度是95%并且薄層電阻是0. 004歐姆/平方到5千歐姆/平方之間。本發(fā)明還提供了一種裝置，該裝置實(shí)現(xiàn)了一種導(dǎo)電透明薄膜，該薄膜具有至少一種導(dǎo)電材料的多個(gè)交叉環(huán)結(jié)構(gòu)的一個(gè)圖案。在某些實(shí)施方案中，該導(dǎo)電材料是如以上所定義的。在其他實(shí)施方案中，該導(dǎo)電材料是非金屬的。在其他實(shí)施方案中，該導(dǎo)電材料是選自(1)兩種或更多種金屬或其前體的一種組合，(2) 一種半導(dǎo)體材料，(3)碳基材料，如碳黑、碳納米管(CNT)、以及其他碳的同素異構(gòu)體，(4)量子點(diǎn)，以及(5)上述這些的任何一種混合物。在另外的實(shí)施方案中，該導(dǎo)電透明薄膜實(shí)現(xiàn)在該裝置中，所述環(huán)結(jié)構(gòu)各自的邊緣具有的寬度是在約1-5微米之間，每個(gè)環(huán)結(jié)構(gòu)的直徑是在約100與200微米之間。該導(dǎo)電透明薄膜的特征還在于至少一個(gè)選自以下各項(xiàng)的參數(shù)I.在0.004歐姆/平方與5千歐姆/平方之間的薄層電阻；以及2.至少30%的光透明度；在某些實(shí)施方案中，至少50%;在其他實(shí)施方案中，至少70%并且在另外的實(shí)施方案中是至少95%的透明度。在某些實(shí)施方案中，該導(dǎo)電透明薄膜由至少兩個(gè)交叉的環(huán)結(jié)構(gòu)、或具有交叉環(huán)結(jié)構(gòu)的至少兩個(gè)分層的薄膜構(gòu)成，其中這些環(huán)結(jié)構(gòu)由如以上文中定義的不同的導(dǎo)電材料組成。在某些實(shí)施方案中，該至少兩個(gè)交叉環(huán)狀結(jié)構(gòu)是由兩種或更多種不同的導(dǎo)電材料組成。在另外的實(shí)施方案中，多個(gè)交叉環(huán)狀結(jié)構(gòu)的該至少兩個(gè)層是由多個(gè)具有環(huán)結(jié)構(gòu)的分層的薄膜構(gòu)成的，每個(gè)薄膜具有一種不同的導(dǎo)電材料或者由不同導(dǎo)電材料的環(huán)結(jié)構(gòu)組成。在某些實(shí)施方案中，實(shí)現(xiàn)在本發(fā)明的裝置中的層是根據(jù)包括以下各項(xiàng)的方法制造的通過一種第一材料來涂覆一個(gè)基底，以在所述基底的表面的至少一個(gè)區(qū)域上形成所述第一材料的一個(gè)濕薄膜；用至少一種第二材料來處理該薄膜，該材料能夠使該第一材料在接觸點(diǎn)處在該薄膜中移位；并且任選地將該薄膜進(jìn)行處理以便使該第一材料導(dǎo)電。在某些實(shí)施方案中，其中所述第一材料是一種導(dǎo)電材料，在該裝置中的層是根據(jù)包括以下各項(xiàng)的方法制成的通過一種導(dǎo)電材料來涂覆一個(gè)基底，以便在所述基底的表面的至少一個(gè)區(qū)域上形成一個(gè)導(dǎo)電薄膜；用至少一種材料(不同于該導(dǎo)電材料)來處理該導(dǎo)電薄膜，該至少一種材料能夠在接觸點(diǎn)處使該導(dǎo)電材料在該導(dǎo)電薄膜中移位。在某些其他實(shí)施方案中，在本發(fā)明的裝置中實(shí)現(xiàn)的層是根據(jù)以下方法制造的，該方法包括用一種導(dǎo)電材料的多個(gè)液滴來處理一個(gè)基底，從而允許所述液滴在該基底上形成多個(gè)材料環(huán)結(jié)構(gòu)的一個(gè)陣列，其中該導(dǎo)電材料是選自(1)兩種或更多種金屬或其前體的一個(gè)組合，(2) —種半導(dǎo)體材料，(3)碳基材料，如碳 黑、碳納米管(CNT)、以及其他碳的同素異構(gòu)體，⑷量子點(diǎn)，以及(5)上述這些的任何一種混合物。本發(fā)明還提供了一種實(shí)現(xiàn)了一個(gè)導(dǎo)電透明多層物的裝置，所述多層物是由多個(gè)薄膜構(gòu)成的，所述多層物的每個(gè)薄膜是由多個(gè)環(huán)結(jié)構(gòu)構(gòu)成的。在此類裝置中，每個(gè)層可以是一種不同的材料或材料形式，或由不同材料或材料形式的多個(gè)環(huán)結(jié)構(gòu)來構(gòu)成。在以上這些實(shí)施方案中，在其上配備該薄膜的基底可以是該裝置的一個(gè)整體部分或可以是一個(gè)基底，該基底在其如以上引述的處理之后而實(shí)現(xiàn)在該裝置中。該裝置可以是一種電子裝置或一種光電裝置。在不同的設(shè)計(jì)中，包括染料敏化太陽能電池(DSSC)，在該導(dǎo)電透明薄膜上的可以通過電鍍形成一個(gè)另外的層。對于某些應(yīng)用(例如，DSSC)，在金屬(例如，銀)上使用此種保護(hù)性層可能是有用的。如已知的，光電學(xué)是研究和應(yīng)用發(fā)光、檢測光、以及控制光的電子裝置，這類裝置可以是電到光和/或光到電的換能器。根據(jù)本發(fā)明生產(chǎn)的導(dǎo)電透明薄膜可以被用作導(dǎo)電透明電極，取代ITO作為選擇的材料。根據(jù)本發(fā)明制造的這些薄膜展現(xiàn)出了更高的透明度，并且因此導(dǎo)致了該光電裝置的更高的效率。本發(fā)明的這些導(dǎo)電透明薄膜可以被整合在以下裝置中，這些裝置要求電磁光譜的可見、UV、IR、和/或NIR區(qū)域的透光度，包括例如光電導(dǎo)體、光電二極管；太陽能電池；發(fā)光二極管(LED)，包括有機(jī)發(fā)光二極管和激光器；光傳感器，以及專門化的晶體管，包括有機(jī)晶體管、無機(jī)晶體管、或者混合的晶體管。利用此類涂層的其他應(yīng)用是與以下類別相關(guān)聯(lián)的印刷的電子裝置、觸摸屏、顯示底板、以及大或小區(qū)域的柔性應(yīng)用。柔性應(yīng)用進(jìn)一步包括大區(qū)域的陣列，柔性顯示器，以及電子紙(電子書、雜志、報(bào)紙)。另外，這些導(dǎo)電透明薄膜可以進(jìn)一步在用于醫(yī)療、安全、或與安全相關(guān)用途的監(jiān)控 或檢測裝置中得到應(yīng)用，包括低成本或一次性傳感器或光學(xué)裝置以及在智能包裝(如用于將標(biāo)簽或RFID元件結(jié)合到該包裝中)中的應(yīng)用。另外，該技術(shù)可以用于建筑應(yīng)用中，如智能窗口，或者用于特殊涂層或涂料中，這些涂層或涂料用作一個(gè)半導(dǎo)體裝置的一部分。 在某些實(shí)施方案中，該光電裝置是光伏太陽能電池。根據(jù)本發(fā)明的方法生產(chǎn)的導(dǎo)電透明薄膜可以按如下進(jìn)行結(jié)合
I.結(jié)合在基于硅(單晶或多晶)的太陽能電池中，作為前電極。在這種情況下，在存在或不存在一種適合的滲透增強(qiáng)劑(如，并且不限于，玻璃料)時(shí)，可能要求一個(gè)加熱步驟。2.作為其他薄膜下方的透明電極。這些薄膜可以由多種手段沉積在此處提出的多個(gè)環(huán)的陣列的頂部上的半導(dǎo)體材料組成，這些手段如CVD (化學(xué)氣相沉積)、PVD (壓力氣相沉積)、電鍍以及超聲噴嘴。通過這樣一種方法沉積的最常見的材料是CdTe、CIGS (硒化鎵銦銅)、非晶娃以及微觀形態(tài)(micromorphus)娃。3.結(jié)合在有機(jī)太陽能電池中，作為透明電極。在這些裝置中，這些有機(jī)半導(dǎo)體(如，酞菁銅、碳富勒烯、以及其他的)被夾在例如根據(jù)本發(fā)明獲得的透明導(dǎo)電薄膜與底部電極(例如，Mg、Ca、以及Al)之間。4.結(jié)合在染料敏化太陽能電池(DSSC)中作為電極，該電極允許光子穿過該染料并且產(chǎn)生一種離開的狀態(tài)。在這種類型的電池中，這些前面和后面部分然后被連接并且密封在一起以便防止電解質(zhì)泄露，并且這個(gè)互連的環(huán)可以從兩側(cè)用作透明的電極。由連接這些孔的多個(gè)導(dǎo)電環(huán)或多個(gè)導(dǎo)電圖案構(gòu)成的、并且由本發(fā)明生產(chǎn)的透明電 極還可以具有比ITO低的電阻率而保持光的透光度。更低的電阻率可以導(dǎo)致更低的功率損失，例如在太陽能電池中光功率到電功率的轉(zhuǎn)化中。此外，由于更高的透明度，透明電極的環(huán)圖案的幾何形狀比一種常規(guī)的銀格柵的幾何形狀更有利。與形成本發(fā)明的透明電極陣列的這些環(huán)的線寬(約10微米)相比，絲網(wǎng)印刷的網(wǎng)格的線寬(100微米)典型地是非常大的。減少的線寬度允許更大的透明度。此外，常規(guī)的絲網(wǎng)印刷的銀電極趨向于出于電導(dǎo)的目的而具有較差的幾何形狀，這是由于歸因于分辨極限的緣故該網(wǎng)格圖案的這些線不能靠近彼此來進(jìn)行印刷。例如，在太陽能電池的情況下，由于更遠(yuǎn)離地間隔開的網(wǎng)格線，光產(chǎn)生的電荷載流子應(yīng)該移動(dòng)更長的距離而穿過更高電阻率的區(qū)域(并且具有更大的載流子復(fù)合的機(jī)會)，導(dǎo)致了更大的功率損耗。在薄的太陽能電池中，通過如在本發(fā)明的一些實(shí)施方案中說明的一種非接觸的方法形成這些導(dǎo)電圖案是有更大優(yōu)勢的。在本發(fā)明中使用的透明電極的制造方法還可以用于形成電磁防護(hù)層(EMS)。附圖
簡要說明為了理解本發(fā)明并觀看它實(shí)際可以怎樣進(jìn)行，現(xiàn)在將只通過非限制性實(shí)例的方式，參考附圖來說明各實(shí)施方案，其中圖I呈現(xiàn)了在導(dǎo)電金屬納米顆粒的薄膜中一種不含材料的空隙(孔)的陣列，這些空隙由金屬納米顆粒的薄膜來分開。這些空隙通過將一種水溶液印刷在一個(gè)先前形成的基于溶劑的金屬墨的薄膜上來獲得。圖2呈現(xiàn)了由在一個(gè)Si基底上的Ag和Cu納米顆粒構(gòu)成的環(huán)圓周的SEM圖像。圖3A至圖3D是根據(jù)本發(fā)明的環(huán)結(jié)構(gòu)的SEM圖像。圖3A是一個(gè)單環(huán)的SEM圖像；圖3B和3C是該環(huán)的邊緣的放大圖像；并且圖3D是該環(huán)的高度輪廓的測量。圖4呈現(xiàn)了多個(gè)非交叉的環(huán)結(jié)構(gòu)的一個(gè)陣列的SEM圖像。圖5A至圖5C呈現(xiàn)了一個(gè)單Ag環(huán)的邊緣的導(dǎo)電AFM測量圖5A是該邊緣的一個(gè)形貌圖像。圖5B中呈現(xiàn)了在0.5V的尖端偏壓下獲得的相應(yīng)的電流圖像。在銀線的截面中電流范圍(圖5C)是0-40nA (該測量中的飽和電流是40nA)。圖6A至圖6C是多個(gè)環(huán)的一個(gè)鏈的光顯微圖像(圖6A);圖6B和圖6C是顯示了更近地觀看兩個(gè)環(huán)之間接點(diǎn)的SEM圖像?？梢郧宄乜吹竭@些顆粒的緊密堆積并沒有被新的接點(diǎn)所損壞。圖7呈現(xiàn)了 40x 40 U m2的形貌圖像(圖7A)以及通過IV的尖端偏壓測量的相應(yīng)的電流圖像(圖7B)。其電流圖像范圍是0-40nA (該測量中飽和電流是40nA)。圖8A至圖SB呈現(xiàn)了在兩個(gè)不同的放大倍率下互連的環(huán)的一個(gè)陣列(圖8A和圖8B)。圖9A至圖9B呈現(xiàn)了來自一個(gè)2mm X Icm裝置中的環(huán)在不同的放大倍率下的電致發(fā)光的輝光。實(shí)施方案的詳細(xì)說明 根據(jù)本發(fā)明的方法提供的這些透明導(dǎo)電薄膜是廣泛使用的透明導(dǎo)電氧化物(如IT0)的更好的替代物，并且可以用于光電裝置如太陽能電池中。這些新的透明導(dǎo)電涂層是通過形成多個(gè)互連的環(huán)的一個(gè)2-D陣列或多個(gè)孔的一個(gè)陣列來實(shí)現(xiàn)的，而該環(huán)的邊緣以及這些孔之間的空間是由一種導(dǎo)電材料(如金屬納米顆粒)構(gòu)成的。這些單獨(dú)的環(huán)的邊緣具有的寬度是在50微米之下并且高度是在300nm之下，該邊緣圍繞了一個(gè)具有可控直徑的“孔”，例如直徑是約150微米，并且因此這些互連的環(huán)的整個(gè)陣列對于裸眼是不可見的。在金屬材料的情況下，這些環(huán)的邊緣是由自組裝的、緊密堆積的納米顆粒組成，這些納米顆粒制成了這些單獨(dú)的環(huán)并且使得所產(chǎn)生的陣列是導(dǎo)電的。多個(gè)孔的陣列的形成是基于受控的潤濕，在金屬納米顆粒的情況下該潤濕誘導(dǎo)它們自組裝成在二維空格周圍的、預(yù)定的、窄的圖案。在溶解的導(dǎo)電聚合物的情況下，該導(dǎo)電材料集中在這些邊緣(在環(huán)形成的情況下)或在空的空間之間(在孔形成的情況下)。將通過印刷金屬(或半導(dǎo)體)顆粒而獲得的這些新的透明導(dǎo)電涂層的性能進(jìn)行測定，同時(shí)將它用作一個(gè)塑料電致發(fā)光裝置上的透明電極，從而展示了這種觀念在塑料電子裝置中的可應(yīng)用性。這種透明導(dǎo)電涂層可以被用于廣闊范圍應(yīng)用中，諸如顯示器(如IXD、等離子體、觸摸屏、電子紙)、發(fā)光裝置(電致發(fā)光，0LED)和太陽能電池。實(shí)例I :印刷孔一個(gè)載玻片由一種基于溶劑的銀墨(具有分散的銀納米顆粒的溶劑)通過向下拉拔而進(jìn)行涂覆。在該溶劑全部蒸發(fā)之前，通過噴墨印刷(MicroFab,60um寬的噴嘴)在該涂層的頂上印刷一種水溶液。該溶液包含0.05%的一種濕潤劑(BYK 348)。這些印刷的液滴導(dǎo)致了銀墨在印刷區(qū)域中的脫濕，即，導(dǎo)致孔(不含有該導(dǎo)電材料的區(qū)域)的形成。如果要求獲得導(dǎo)電性的話，可以對具有孔的區(qū)域進(jìn)一步進(jìn)行處理。例如，如果該導(dǎo)電材料是銀顆粒的話，該基底可以是在升高的溫度下或通過其他化學(xué)手段進(jìn)行燒結(jié)。實(shí)例2 :多個(gè)獨(dú)立的環(huán)使用單噴嘴印刷頭在聚對苯二甲酸乙二酯(PET)基片上通過將一種銀墨(如在其他地方[14]說明地進(jìn)行制備)進(jìn)行噴墨而獲得了具有的直徑為約150微米的多個(gè)獨(dú)立的環(huán)。銀墨該水性墨包含0. 5wt%的、通過聚丙烯酸穩(wěn)定的、分散的銀納米顆粒，其中直徑為5到20nm。通過使用Byk 348 (BykCheime)將該墨的表面張力調(diào)整為30mN/m。使用氨基甲基丙醇將其PH設(shè)定為10。印刷通過Microfab JetDrive III印刷機(jī)使用60微米寬的單一噴嘴來進(jìn)行分散體的印刷。對于所有的印刷試驗(yàn)所施加的波形是電壓110V，上升時(shí)間3微秒，回聲時(shí)間15微秒，停留時(shí)間30微秒，下降時(shí)間5微秒。如預(yù)期的，電壓增加了(從20V的最小電壓)，液滴尺寸也增加，因此，擴(kuò)大了該環(huán)的直徑。由于裝置的限制，并沒有測試在IlOV以上的進(jìn)一步增加。停留時(shí)間還以5微秒的步幅增加到40微秒的值(在每次變化下，回聲時(shí)間是停留時(shí)間值的兩倍)，這也引起了液滴和環(huán)的直徑的增力口。改變停留時(shí)間和電壓并沒有影響其邊緣輪廓，因?yàn)樗３衷趻佄锞€的形狀。通過一個(gè)DMC-21x3XY工作臺(加利爾移動(dòng)控制公司(Galil Motion Control, Inc.))來進(jìn)行該基底的移動(dòng)。通過一臺Peltier加熱器/冷卻器將該基底的溫度設(shè)置為30° C，并且該印刷腔室內(nèi)的濕度是30-40%RH。通過改變其波形、表面張力進(jìn)行初步的印刷測試，并且該分散體的金屬負(fù)載表明在多個(gè)單獨(dú)液滴的蒸發(fā)過程中形成了多個(gè)圓環(huán)。如圖3A中呈現(xiàn)的，該環(huán)的直徑是約150微米，而這些金屬顆粒中的大多數(shù)集中在該環(huán)的邊緣上。SEM評估(圖3B和3C)顯示該邊緣是由緊密堆積的銀納米顆粒構(gòu)成的。輪廓儀測量(圖3D)顯示這個(gè)納米顆粒層的高度是約 250nm。如圖4中所顯示的，該環(huán)形成過程可以針對大量的液滴進(jìn)行重復(fù)，同時(shí)這些形成的環(huán)是在尺寸和形狀上是非常類似的。為了獲得一種由多個(gè)環(huán)組成的導(dǎo)電陣列，每個(gè)環(huán)應(yīng)該是導(dǎo)電的。因此，在該第一階段，多個(gè)獨(dú)立的環(huán)的電阻率測量是通過將該環(huán)連接到微電極上來進(jìn)行的，這些微電極是通過一個(gè)適當(dāng)?shù)难谀Ｍㄟ^Au/Cr雙層的蒸發(fā)沉積來獲得的。為了在不加熱該塑料基底的情況下實(shí)現(xiàn)較低的電阻率，使用了一種方法，該方法引起了這些顆粒的緊密堆積，這是由于這些納米顆粒在暴露于HCl蒸氣中時(shí)的表面電荷的中和[15]。此類獨(dú)立的環(huán)的電阻率(從測量的電阻以及環(huán)截面積和長度來計(jì)算)是4.3(±0.7) 10_7歐姆*米，這僅比銀本體的大7倍。這個(gè)值保持至少三個(gè)月不變。通過圖5A至圖5C中呈現(xiàn)的C-AFM數(shù)據(jù)提供了對該銀環(huán)的結(jié)構(gòu)電導(dǎo)特性的進(jìn)一步洞察。形貌3-D (圖5A)顯示了具有的最大高度為400nm并且寬度為約7iim的一條連續(xù)的線。相應(yīng)的2-D電流圖(圖5C)和圖像(圖5B)顯示了這條線實(shí)際上是導(dǎo)電的。應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是，即使只掃描了該環(huán)的一個(gè)小的區(qū)域，但是這個(gè)區(qū)域的環(huán)是導(dǎo)電的，這一事實(shí)還是證明了在大得多的范圍上的電的連續(xù)性，至少遠(yuǎn)到該Au/Cr對電極的距離。實(shí)例3 :由兩種不同的金屬組成的環(huán)將兩種不同的銀和銅NP群體進(jìn)行混合，Ag (約IOnm)和Cu (約IOOnm)被分散在水中。將一個(gè)I U L的這種均勻的分散體的液滴分散在一個(gè)Si基底上。在水蒸發(fā)之后，形成了直徑為約2_的一個(gè)單獨(dú)的環(huán)。該環(huán)圓周的HR-SEM表征顯示，該邊緣是兩個(gè)分離的邊緣構(gòu)成的(圖2)，每個(gè)邊緣主要是由一種類型的金屬NP組成；更大的顆粒(Cu)位于外邊緣，而內(nèi)邊緣則主要由更小的顆粒(Ag)組成。因此，這種途徑能夠形成在不同的材料上組成的多個(gè)環(huán)。實(shí)例4 :連接的環(huán)的鏈由如在實(shí)例2中說明地進(jìn)行印刷的重疊的印刷環(huán)構(gòu)成的多個(gè)鏈，是通過以下方式獲得的印刷多個(gè)環(huán)(在這些環(huán)之間具有預(yù)定的空間)的一條向前的第一線，接著通過印刷多個(gè)環(huán)的一個(gè)向后的第二線，其中在這兩條線之間進(jìn)行了適當(dāng)?shù)木嚯x調(diào)整。鏈形成過程的優(yōu)化是通過將噴射頻率(35Hz)和基底移動(dòng)(10000微米/s)進(jìn)行調(diào)整而實(shí)現(xiàn)的。這樣一個(gè)鏈的一部分在圖6A-C中進(jìn)行了顯示。應(yīng)該指出的是，以前報(bào)道了一個(gè)環(huán)在另一個(gè)環(huán)頂上的沉積導(dǎo)致了該第一環(huán)的破壞，這是由于其再分散性[5]。然而，通過調(diào)整不同的墨和印刷參數(shù)，如銀納米顆粒在該墨中的濃度、在線印刷中的延遲、以及基底的溫度，實(shí)現(xiàn)了這些銀顆粒的緊密堆積，使其在干燥時(shí)能夠克服這些預(yù)沉積的環(huán)的可能的再分散。通過控制這些環(huán)的定位，形成了這些環(huán)之間具有精細(xì)接觸部的多個(gè)連續(xù)的鏈(圖6B和圖6C)。的確，通過同一區(qū)域(通過C-AFM)的形貌AFM圖像(圖7A)與電流映射圖像(圖7B)的比較顯示出，在這些環(huán)之間的接點(diǎn)不僅是幾何形狀上連續(xù)的而且還具有高的電連接性。針對由4到20個(gè)連接的環(huán)構(gòu)成的不同鏈來進(jìn)行的電阻測量顯示，(平均)電阻率是5. 1(±0. 5)10-70hm*m，這接近一個(gè)單獨(dú)的環(huán)的電阻率(實(shí)例2中所說明的)，進(jìn)一步證實(shí)了 在這些環(huán)的接點(diǎn)之間的高質(zhì)量。這個(gè)電阻率在室溫下持續(xù)了至少三個(gè)月不變。應(yīng)該指出的是，這個(gè)電阻率與通過ITO獲得的(典型地是在10_60hm*m的范圍內(nèi))相比是低得多的。實(shí)例5 2-D陣列此類環(huán)的二維(2-D)陣列是通過對于大量的線重復(fù)鏈形成工序而形成的，同時(shí)保持這些線之間的距離不變。如圖8A和SB中所示，可以獲得由連接的鏈構(gòu)成的2-D陣列。這個(gè)陣列實(shí)際上主要由多個(gè)直徑為約150微米的孔(每個(gè)環(huán)的內(nèi)部部分)構(gòu)成，這些孔是通過多條窄線連接的，這些線的寬度是約5微米、位于每個(gè)孔的周圍。這樣一個(gè)2-D陣列的薄層電阻(O. 5cm2的樣品區(qū)域)是非常低的，4±0. 5歐姆/平方。應(yīng)該指出的是，定性的彎曲試驗(yàn)顯示這些值保持不變，即使是在將該基底以約20°以下的角度進(jìn)行彎曲之后，從而顯示這些陣列可能是適合于其中要求柔性的應(yīng)用。為了對比，ITO薄膜(具有大于80%的透明度)的典型薄層電阻是更大的，是處于20-100歐姆/平方的范圍內(nèi)。如可以實(shí)現(xiàn)的，這些5微米的線對于裸眼幾乎是不可見的，因此該2-D圖案幾乎是透明的。定量地，通過分光光度計(jì)在400-800nm下測量的透光度是高達(dá)95(±3)%T。實(shí)例6 電致發(fā)光裝置為了進(jìn)一步測試這些環(huán)圖案(作為透明導(dǎo)電氧化物的取代物)，將這些導(dǎo)電陣列作為一個(gè)電致發(fā)光裝置中的透明電極進(jìn)行評估。該裝置是在該透明環(huán)陣列的頂上通過常規(guī)絲網(wǎng)印刷來沉積的ZnS和BaTiO3層、隨后通過沉積一個(gè)第二銀電極來制造的。如圖9Α中所展示的，對于一個(gè)2mm xlcm的裝置，該印刷的環(huán)陣列的確是導(dǎo)電和透明的。如圖9B中所示，在其中這些環(huán)被連接的區(qū)域中，通過該裝置有一種均勻的光發(fā)射(用于發(fā)射的衰退長度估算為約20 μ m)。
權(quán)利要求
1.一種用于在基底上制造導(dǎo)電透明薄膜的方法，該方法包括 通過一種第一材料來涂覆一個(gè)基底以在所述基底的表面的至少一個(gè)區(qū)域上形成所述第一材料的一個(gè)濕薄膜； 用至少一種第二材料來處理該薄膜，這種第二材料能夠使該第一材料在接觸點(diǎn)處在該薄膜中移位；由此導(dǎo)致該薄膜材料從接觸點(diǎn)上的移位以及該基底的暴露，從而提供所述薄膜中多個(gè)間隔開的環(huán)空隙的一個(gè)陣列；并且 任選地將該薄膜進(jìn)行處理以便使該第一材料導(dǎo)電。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所述第一材料是一種導(dǎo)電材料，該方法包括 通過一種導(dǎo)電材料來涂覆一個(gè)基底以便在所述基底的表面的至少一個(gè)區(qū)域上形成一個(gè)導(dǎo)電薄膜； 用至少一種材料來處理該導(dǎo)電薄膜，這種材料能夠使該導(dǎo)電材料在接觸點(diǎn)處在該導(dǎo)電薄膜中移位；由此導(dǎo)致該薄膜材料從接觸點(diǎn)上的移位以及該基底的暴露，從而提供所述薄膜中多個(gè)間隔開的材料環(huán)空隙的一個(gè)陣列。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的方法，其中該基底是個(gè)二維或一個(gè)三維的表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中該基底是一種選自以下各項(xiàng)的材料玻璃、紙、半導(dǎo)體無機(jī)或有機(jī)材料、聚合物材料、以及陶瓷材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中該基底是一種選自以下各項(xiàng)的無機(jī)半導(dǎo)體材料娃、錫、硼的化合物、碲、鍺、鎵、砷化鎵(GaAs )、磷化鎵(GaP )、碲化鎘(CdTe )、砷化鋁鎵(GaAlAs)、磷化銦(InP)、磷砷化鎵(GaAsP)、硫化鎘(CdS)、聯(lián)硒化鎵銦銅(CIGS)、碲化鎘汞(HgCdTe),以及硫化銅銦或硒化銅銦。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中該基底是一種選自以下各項(xiàng)的聚合物材料聚酰胺、聚酯、聚丙烯酸酯、聚烯烴、聚酰亞胺、聚碳酸酯、以及聚甲基丙烯酸甲酯。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中該第一材料是選自金屬、過渡金屬、半導(dǎo)體、合金、金屬間材料、導(dǎo)電聚合物、以及碳基材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中該導(dǎo)電材料是選自金屬、過渡金屬、半導(dǎo)體、合金、金屬間材料、導(dǎo)電聚合物、以及碳基材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，該導(dǎo)電材料是或包括元素周期表中的d區(qū)的IIIB、IVB、VB、VIB、VIIB、VIIIB、IB、IIB、IIIA、IVA 以及 VA 族中的元素。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，該導(dǎo)電材料是或包括元素周期表d區(qū)中的IIIB、IVB、VB、VIB、VIIB、VIIIB、IB 以及 IIB 族中的過渡金屬。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，該過渡金屬是一種選自以下各項(xiàng)的金屬Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Tc、Ru、Mo、Rh、W、Au、Pt、Pd、Ag、Mn、Co、Cd、Hf、Ta、Re、Os、Ir 以及 Hg。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，該導(dǎo)電材料是在半導(dǎo)體材料中進(jìn)行選擇的。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，該半導(dǎo)體材料可以是選自II-VI族、III-V族、IV-VI族、III-VI族、IV族半導(dǎo)體的元素以及它們的組合。
14.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中該導(dǎo)體材料是選自以下各項(xiàng)的碳基材料碳黑、納米碳管(CNT)、石墨、石墨烯、富勒烯、或碳的同素異形體。
15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，該導(dǎo)電材料是一種導(dǎo)電聚合物。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中該導(dǎo)電聚合物是選自 聚(3，4-二辛基氧代噻吩)(TOOT)、聚(3，4-乙烯二氧噻吩)聚(磺酸苯乙烯酯)((rooT:pss)、聚苯胺、以及聚吡咯。
17.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中該導(dǎo)電材料是兩種或更多種不同導(dǎo)電材料的一種組合。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，這兩種或更多種不同的導(dǎo)電材料被沉積在該基底上以形成多個(gè)環(huán)結(jié)構(gòu)，每種材料是如在權(quán)利要求8-16中任何一項(xiàng)所定義的不同的導(dǎo)電材料；或者這些導(dǎo)電材料被逐步沉積以形成一個(gè)導(dǎo)電多層物，每個(gè)層是由多個(gè)環(huán)結(jié)構(gòu)構(gòu)成的并且具有一種不同的材料或材料形式。
19.根據(jù)以上權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的方法，其中，該第一材料或?qū)щ姴牧贤ㄟ^一種選自以下各項(xiàng)的方法施加在該基底上噴墨印刷、噴涂、刷涂、浸潰、刮刀方法、旋涂、以及輥對輥涂覆。
20.根據(jù)以上權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的方法，其中，該第一材料或該導(dǎo)電材料是處于顆粒的形式。
21.根據(jù)以上權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的方法，其中該第一材料或?qū)щ姴牧显谑┘又氨环稚⒒蛉芙庠谝环N液體載體中，該液體載體是選自水和一種有機(jī)溶劑。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，該液體載體進(jìn)一步包括至少一種另外的材料用于賦予或提高該薄膜的至少一種功能或特性，該功能或特性可以是選自以下各項(xiàng)潤濕、流變能力、粘附、摻雜、抗刮性、接觸和薄層電阻，以及向一個(gè)相鄰層中的優(yōu)先擴(kuò)散。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，該另外的材料在玻璃料與無機(jī)鹽之中進(jìn)行選擇。
24.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的方法，其中，將該薄膜用至少一種第二材料進(jìn)行處理，該至少一種第二材料能夠使該第一材料在接觸時(shí)在該薄膜中移位，該至少一種第二材料具有至少一種化學(xué)和物理特性以允許在接觸時(shí)材料從該薄膜上移位。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中，該化學(xué)或物理特性是選自親水性、疏水性、潤濕行為、表面張力、表面能、擴(kuò)展系數(shù)、蒸發(fā)速率、以及粘度。
26.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，在該導(dǎo)電薄膜中的這些空隙之間的寬度是小于50微米。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中，該寬度最多是20微米。
28.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中這些空隙邊緣的高度是小于10微米。
29.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，平均空隙直徑是小于500微米。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中，空隙直徑是在10與300微米之間。
31.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，具有多個(gè)間隔開的不含材料的空隙的一個(gè)陣列的該導(dǎo)電薄膜具有在O. 004歐姆/平方與5千歐姆/平方之間的薄層電阻。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中，該電阻是小于50歐姆/平方。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中，該電阻是小于20歐姆/平方。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的方法，其中，該電阻是小于或等于7歐姆/平方。
35.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中具有多個(gè)間隔開的不含材料的空隙的一個(gè)陣列的該導(dǎo)電薄膜具有至少30%的光透明度。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的方法，其中，該導(dǎo)電薄膜具有至少50%的光透明度。
37.根據(jù)權(quán)利要求35所述的方法，其中，該導(dǎo)電薄膜具有至少70%的光透明度。
38.根據(jù)權(quán)利要求35所述的方法，其中，該導(dǎo)電薄膜具有至少95%的光透明度。
39.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，具有多個(gè)間隔開的不含材料的空隙的一個(gè)陣列的該導(dǎo)電薄膜具有95%的透明度以及在O. 004歐姆/平方與5千歐姆/平方之間的薄層電阻。
40.一種涂覆有導(dǎo)電透明薄膜的基底，該薄膜的材料具有多個(gè)間隔開的不含材料的空隙，所述多個(gè)間隔開的空隙各自的邊緣是小于10微米并且平均空隙直徑是小于500微米。
41.根據(jù)權(quán)利要求40所述的基底，其中，該平均空隙直徑是在10與300微米之間。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的基底，其中，該平均空隙直徑是約200微米。
43.根據(jù)權(quán)利要求40所述的基底，其特征為具有以下各項(xiàng)中的至少一個(gè) a.小于50微米的空隙間距； b.在O.004歐姆/平方與5千歐姆/平方之間的薄層電阻；以及 c.至少30%的光透明度。
44.一種涂覆有導(dǎo)電透明薄膜的基底，該薄膜的材料具有多個(gè)間隔開的不含材料的空隙，所述多個(gè)間隔開的空隙各自之間的空間是小于10微米并且該平均空隙直徑是小于500微米，其中該薄膜具有的總透明度是95%并且薄層電阻是O. 004歐姆/平方到5千歐姆/平方之間。
45.根據(jù)權(quán)利要求40-44中任何一項(xiàng)所述的基底，是根據(jù)權(quán)利要求1-39中任何一項(xiàng)所述的方法進(jìn)行制造的。
46.一種用于在基底上制造導(dǎo)電透明圖案的方法，該方法包括用多個(gè)導(dǎo)電材料液滴處理一個(gè)基底，允許所述液滴在該基底上形成多個(gè)交叉環(huán)結(jié)構(gòu)的一個(gè)陣列，其中該導(dǎo)電材料是選自(I) 一種或多種金屬或其前體的一個(gè)組合，(2) —種半導(dǎo)體材料，(3) —種碳基材料，⑷量子點(diǎn)，以及(5)以上提及的這些的任何一種混合物，由此在該基底上獲得一種導(dǎo)電透明圖案。
47.根據(jù)權(quán)利要求46所述的方法，其中該導(dǎo)電透明圖案是通過將該導(dǎo)電材料進(jìn)行自組裝來獲得的。
48.根據(jù)權(quán)利要求47所述的方法，其中每個(gè)環(huán)的邊緣具有的寬度是在I與10微米之間。
49.根據(jù)權(quán)利要求47所述的方法，其中所述環(huán)結(jié)構(gòu)各自的直徑是在約100與200微米之間。
50.根據(jù)權(quán)利要求46所述的方法，其中，該導(dǎo)電材料的這些液滴是通過噴墨來遞送的。
51.根據(jù)權(quán)利要求46所述的方法，其中這些交叉環(huán)結(jié)構(gòu)的陣列具有兩種或更多種不同導(dǎo)電材料。
52.一種涂覆有導(dǎo)電透明薄膜的基底，該薄膜具有一種導(dǎo)電材料的多個(gè)交叉環(huán)結(jié)構(gòu)的一個(gè)圖案，該導(dǎo)電材料選自(1)兩種或更多種金屬或其前體的一種組合，(2) —種半導(dǎo)體材料，(3) 一種碳基材料，(4)量子點(diǎn)，以及(5)上述這些的任何一種混合物，每個(gè)環(huán)結(jié)構(gòu)的邊緣具有在I與5微米之間的寬度，每個(gè)環(huán)結(jié)構(gòu)的直徑是處于約100與200微米之間。
53.根據(jù)權(quán)利要求52所述的基底，其中所述薄膜的特征是以下各項(xiàng)中的至少一個(gè)a.在0.004歐姆/平方與5千歐姆/平方之間的薄層電阻；以及b.至少30%的光透明度。
54.根據(jù)權(quán)利要求52或53所述的基底，是根據(jù)權(quán)利要求46到51中任何一項(xiàng)所述的方法制造的。
55.一種裝置，實(shí)現(xiàn)了根據(jù)權(quán)利要求40-44以及52-53中任何一項(xiàng)所述的至少一個(gè)基底或者根據(jù)權(quán)利要求1-39和45-51中任何一項(xiàng)所述的方法制造的至少一個(gè)基底。
56.一種實(shí)現(xiàn)了導(dǎo)電透明薄膜的裝置，所述薄膜具有至少一種導(dǎo)電材料的多個(gè)交叉環(huán)結(jié)構(gòu)的一個(gè)圖案。
57.根據(jù)權(quán)利要求56所述的裝置，其中所述導(dǎo)電材料是選自金屬、過渡金屬、半導(dǎo)體、 合金、金屬間材料、導(dǎo)電聚合物、以及碳基材料。
58.根據(jù)權(quán)利要求56所述的裝置，其中，該導(dǎo)電材料是或包括一種過渡金屬。
59.根據(jù)權(quán)利要求56所述的裝置，其中，該導(dǎo)電材料是在半導(dǎo)體材料中進(jìn)行選擇的。
60.根據(jù)權(quán)利要求56所述的裝置，其中該導(dǎo)體材料是一種選自以下各項(xiàng)的碳基材料碳黑、納米碳管(CNT)、石墨、石墨烯、富勒烯、或碳的同素異形體。
61.根據(jù)權(quán)利要求56所述的裝置，其中，該導(dǎo)電材料是一種導(dǎo)電聚合物。
62.根據(jù)權(quán)利要求56所述的裝置，其中該導(dǎo)電材料是如權(quán)利要求57所定義的兩種或更多種的不同導(dǎo)電材料的一種組合。
63.根據(jù)權(quán)利要求62所述的裝置，其中，該兩種或更多種導(dǎo)電材料是沉積在該基底上的，以形成多個(gè)環(huán)結(jié)構(gòu)，每個(gè)環(huán)結(jié)構(gòu)是不同的導(dǎo)電材料。
64.根據(jù)權(quán)利要求62所述的裝置，其中，將該兩種或更多種導(dǎo)電材料沉積在該基底上以便形成一個(gè)導(dǎo)電多層物，每個(gè)層由多個(gè)環(huán)結(jié)構(gòu)構(gòu)成并且具有一種不同的材料或材料形式。
65.一種實(shí)現(xiàn)了導(dǎo)電透明多層物的裝置，所述多層物是由多個(gè)薄膜構(gòu)成的，所述多層物的每個(gè)薄膜是由多個(gè)環(huán)結(jié)構(gòu)構(gòu)成的并且具有不同的材料或材料形式。
66.根據(jù)權(quán)利要求55所述的裝置，其中該基底是所述裝置的至少一個(gè)基底。
67.根據(jù)權(quán)利要求55到65中任何一項(xiàng)所述的裝置，其中該裝置是一種電子裝置或一種光電裝置。
68.根據(jù)權(quán)利要求67所述的裝置，是選自光電導(dǎo)體、光電二極管、太陽能電池、發(fā)光二極管(LED)、有機(jī)發(fā)光二極管、激光器、光傳感器、晶體管、有機(jī)晶體管、無機(jī)晶體管、混合晶體管、觸摸屏、顯示背板、大面積的顯示器陣列、柔性顯示器、以及電磁干擾(EMI)屏蔽層、以及電子紙。
69.根據(jù)權(quán)利要求68所述的裝置，其中該光電裝置是一種光伏太陽能電池。
全文摘要
本發(fā)明提供了用于制造導(dǎo)電透明薄膜的方法以及包括其的電子或光電裝置。
文檔編號H05B33/28GK102714903SQ201080060244
公開日2012年10月3日 申請日期2010年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月2日
發(fā)明者沙洛莫·馬格達(dá)希, 邁克爾·拉亞尼, 邁克爾格勞喬克 申請人:耶路撒冷希伯來大學(xué)伊森姆研究發(fā)展有限公司