專利名稱：茚衍生物以及使用該衍生物的有機(jī)發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種新結(jié)構(gòu)的茚衍生物以及使用該衍生物的有機(jī)發(fā)光 二極管。此申請(qǐng)要求獲得于2005年10月21日提出的韓國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)?10-2005-0099872的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，其全部?jī)?nèi)容在此以引用方式并入本 文。
背景技術(shù)：
通常，術(shù)語"有機(jī)發(fā)光現(xiàn)象"指用有機(jī)材料將電能轉(zhuǎn)化為光能的 現(xiàn)象。利用有機(jī)發(fā)光現(xiàn)象的有機(jī)發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)通常包括陽極、陰 極和插入其間的有機(jī)材料層。為了改進(jìn)有機(jī)發(fā)光二極管的效率和穩(wěn)定 性，在此，有機(jī)材料層可主要由包括不同材料層，例如空穴注入層、 空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層等的多層結(jié)構(gòu)形成。 在具有這樣的結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光二極管中，當(dāng)在兩個(gè)電極間施加電壓時(shí)， 來自陽極的空穴和來自陰極的電子注入有機(jī)材料層，注入的空穴和電 子結(jié)合在一起形成激子。此外，當(dāng)激子落到基態(tài)時(shí)發(fā)光。已知這樣的 有機(jī)發(fā)光二極管具有例如自發(fā)光、高亮度、高效率、低驅(qū)動(dòng)電壓、寬 視角、高對(duì)比度和高速響應(yīng)的特征。根據(jù)其功能，用于有機(jī)發(fā)光二極管的有機(jī)材料層的材料可分類為 發(fā)光材料和電荷傳輸材料，例如，空穴注入材料、空穴傳輸材料、電 子傳輸材料和電子注入材子量類和低分子量類；或根據(jù)其發(fā)光機(jī)理，可分類為由電子單重激發(fā) 態(tài)發(fā)光的熒光材料和由電子三重激發(fā)態(tài)發(fā)光的磷光材料。此外，根據(jù) 發(fā)光顏色，該發(fā)光材料可分為藍(lán)、綠或紅發(fā)光材料和發(fā)出更自然的顏 色所必須的黃或橙發(fā)光材料。另一方面，當(dāng)僅有一種材料用于發(fā)光材料時(shí)，由于分子間的作用、 色純度的損害和發(fā)光效率降低，最大發(fā)光波長(zhǎng)移向更長(zhǎng)的波長(zhǎng)，使器件的效率降低；因此，為通過能量轉(zhuǎn)移提高色純度和發(fā)光效率，主體/摻雜體體系可用作發(fā)光材料。當(dāng)能帶隙比主體小的摻雜體以少量混入 發(fā)光層時(shí)，由發(fā)光層產(chǎn)生的激子傳輸?shù)綋诫s體，而后高效發(fā)光。在這 種情況下，由于發(fā)光的波長(zhǎng)由主體的波長(zhǎng)移至摻雜體波長(zhǎng)，根據(jù)摻雜 體的類型可得到具所需波長(zhǎng)的光。為使有機(jī)發(fā)光二極管完全展現(xiàn)上述優(yōu)異特性，構(gòu)成器件中有機(jī)材 料層的材料，例如，空穴注入材料、空穴傳輸材料、發(fā)光材料、電子 傳輸材料和電子注入材料應(yīng)主要由穩(wěn)定和高效材料組成。然而，還未 完全實(shí)現(xiàn)對(duì)有機(jī)發(fā)光二極管的穩(wěn)定和高效有機(jī)材料層的材料開發(fā)。因 此，不斷需要開發(fā)新材料。
發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)了 一種新結(jié)構(gòu)的茚衍生物，并發(fā)現(xiàn)當(dāng)有機(jī)發(fā)光二極 管的有機(jī)材料層由該茚衍生物形成時(shí)，該有機(jī)發(fā)光二極管表現(xiàn)出包括 提高的效率、降低的驅(qū)動(dòng)電壓和提高的穩(wěn)定性的效果。因此，本發(fā)明的目的在于提供一種茚衍生物以及使用該衍生物的 有機(jī)發(fā)光二極管。技術(shù)方案本發(fā)明提供了一種化合物，由下列化學(xué)式(l)表示: 化學(xué)式1R' Q1 R其中Q'到(^中的至少一個(gè)為由下述化學(xué)式(2)表示的基團(tuán)，Q'到 Q"中的其余不由下述化學(xué)式(2)表示，以及W到W分別或同時(shí)選自由 氫、取代或未取代的直鏈或支鏈烷基、取代或未取代的直鏈或支鏈烷 氧基、取代或未取代的直鏈或支鏈鏈烯基、取代或未取代的環(huán)烷基、 取代或未取代的環(huán)烯基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳基 胺基、取代或未取代的雜環(huán)基、取代或未取代的硅烷基、取代或未取 代的硼基團(tuán)、取代或未取代的氨基、腈基、硝基、卣素基團(tuán)、取代或 未取代的酰胺基和取代或未取代的酯基組成的組，且它們可與相鄰的 基團(tuán)連接形成脂肪、芳香或雜稠環(huán)，化學(xué)式2其中x1、 x2、 y'和yz分別或同時(shí)選自由氬、取代或未取代的直鏈或支鏈烷基、取代或未取代的直鏈或支鏈烷氧基、取代或未取代的 直鏈或支鏈鏈烯基、取代或未取代的雜環(huán)基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的芳基胺基組成的組，且y1和 y2可彼此連接形成環(huán)烷基或芳基。此外，本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管，其包括第一電極，第 二電極和i殳置在第一電極和第二電極之間的有機(jī)材料層，其中該有機(jī) 材料層包含由上述化學(xué)式(1 )表示的化合物。有益效果根據(jù)本發(fā)明的化合物為具有新結(jié)構(gòu)的茚衍生物。由于其結(jié)構(gòu)特性， 該化合物可用作有機(jī)發(fā)光二極管的有機(jī)層的材料。
具體實(shí)施方式
在下文中，將詳細(xì)描述本發(fā)明的化合物。上述化學(xué)式(1)和(2)中取代的烷基、烷氧基和鏈烯基優(yōu)選具有1到 30個(gè)碳原子。上述化學(xué)式(1)和(2)中取代的芳基的例子包括、但不限于苯基、萘 基、蒽基(anthracenyl group)、聯(lián)苯基、芘基、菲基(perylenyl group)等。上述化學(xué)式(1 )和(2)中取代的芳基胺基的例子包括、但不限于二苯 胺基、苯基萘胺基、聯(lián)曱苯基胺基、苯基曱苯胺基、?？ㄟ蚧腿堪?基。上述化學(xué)式(1)和(2)中取代的雜環(huán)基的例子包括、但不限于吡啶基、 吖啶基、噻吩基、咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉基等。上述化學(xué)式(l)中取代的卣素基團(tuán)的例子包括氟、氯、溴和碘。可與上述化學(xué)式(1 )和(2)中的取代基連接的取代基的例子包括卣素 基團(tuán)、羥基、取代或未取代的直鏈或支鏈烷基、取代或未取代的芳基、 取代或未耳又代的雜芳基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的環(huán)烷 基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的直鏈或支鏈鏈蹄基、 硝基、腈基、取代或未取代的硅烷基等?；瘜W(xué)式1表示的化合物的例子包括由化學(xué)式1-1表示的下列化合物?；瘜W(xué)式1-1<formula>formula see original document page 11</formula>其中Q2、 Q4、 X1、 X2、 Y'和y2如化學(xué)式(i)中所定義，x3、 x4、 ￥3和Y"分別或同時(shí)選自由氫、取代或未取代的直鏈或支 鏈烷基、耳又代或未取代的直鏈或支鏈烷氧基、取代或未取代的直鏈或支鏈鏈烯基、取代或未取代的雜環(huán)基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代 或未取代的芳基和取代或未取代的芳基胺基組成的組，且丫3和y"可 彼此連接形成環(huán)烷基或芳基?；瘜W(xué)式1表示的化合物的例子包括由化學(xué)式1-2表示的下列化合物<化學(xué)式1-2其中(^到q4、 x1、 x2、 y4口 y^口化學(xué)式(i)中所定義?；瘜W(xué)式1表示的化合物的例子包括由化學(xué)式1-3表示的下列化合物。化學(xué)式1-3其中q2、 x1、 x2、 y4口 y^口化學(xué)式(i)中所定義，乂3到乂6和Yh'j ys分別或同時(shí)選自由氫、取代或未取代的直鏈或 支鏈烷基、取代或未取代的直鏈或支鏈烷氧基、取代或未取代的直鏈 或支鏈鏈烯基、取代或未取代的雜環(huán)基、取代或未取代的環(huán)烷基、取 代或未取代的芳基和取代或未取代的芳基胺基組成的組，且丫3和y4 或y5和y6可彼此連接形成環(huán)烷基或芳基?；瘜W(xué)式1表示的化合物的例子包括由化學(xué)式1-4表示的下列化合物。化學(xué)式1-4其中x1、 x2、 y'和丫2如化學(xué)式(1)中所定義，乂3到xs和ys到y(tǒng)s分別或同時(shí)選自由氫、取代或未取代的直鏈或 支鏈烷基、取代或未取代的直鏈或支鏈烷氧基、取代或未取代的直鏈 或支鏈鏈烯基、取代或未取代的雜環(huán)基、取代或未取代的環(huán)烷基、取 代或未取代的芳基和取代或未取代的芳基胺基組成的組，且y3和y4 、y5和y6或y7和y8可彼此連接形成環(huán)烷基或芳基?；瘜W(xué)式1表示的化合物的例子包括由化學(xué)式1-5表示的下列化合物?；瘜W(xué)式1-5其中q'到q3、 x1、 x2、 y'和yz如化學(xué)式(1)中所定義。下列圖示為化學(xué)式(1 )表示的化合物的具體例子，但本發(fā)明的范圍 不^又限于it匕。<formula>formula see original document page 16</formula><formula>formula see original document page 17</formula>可通過將茚基引入蒽制備化學(xué)式1表示的化合物。更具體地，化 學(xué)式1表示的化合物可通過茚基-2-硼酸和卣化蒽化合物反應(yīng)制備，應(yīng)用鈴木-成鍵反應(yīng)(Susuki-bonding reaction)以將茚基引入蒽。除了茚基，化學(xué)式1表示的化合物中的取代基可用例如鈴木-成鍵反應(yīng)、其它縮合 反應(yīng)或脫水反應(yīng)的已知方法取代。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，化學(xué)式1表示化合物可由包括以下步驟的方法制備a)用N-溴丁二酰亞胺 向取代或未取代的茚中引入羥基和溴基；b)用金屬，例如鎂，向由步 驟a)得到的化合物中引入硼化合物；c)用過渡金屬，例如鈀，向取代 或未取代的蒽中引入由步驟b)得到的化合物。根據(jù)本發(fā)明的化合物可以有機(jī)發(fā)光二極管的常規(guī)制備方法用于有 機(jī)發(fā)光二極管。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，該有機(jī)發(fā)光二極管的結(jié) 構(gòu)包括第一電極，第二電極和設(shè)置在第一電極和第二電極之間的有機(jī) 材料層；除了在有機(jī)發(fā)光二極管的有機(jī)材料層中使用根據(jù)本發(fā)明的化 合物外，可用有機(jī)電子二極管的常規(guī)制備方法和材料制備。根據(jù)本發(fā) 明的化合物用作空穴注入、空穴傳輸、發(fā)光或電子傳輸材料，更優(yōu)選 作為有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光材料。例如，根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管可通過以下步驟制備在基 板上沉積金屬、或具導(dǎo)電性的金屬氧化物、或金屬合金以形成陽極； 在其上形成包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層的有 機(jī)材料層；然后用例如濺射和電子束蒸發(fā)的PVD (物理蒸汽沉積法)技 術(shù)在有機(jī)材料層沉積能用作陰極的材料。這個(gè)方法之外，該有機(jī)發(fā)光二極管還可通過在基板上依次沉積陰 極材料、有機(jī)材料層和陽極材料制備(見國(guó)際7>布號(hào)WO 03/012890)。 有機(jī)材料層可為多層結(jié)構(gòu)，其包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、 電子傳輸層等，但不限于此，且可為單層結(jié)構(gòu)。此外，不用真空沉積 方法，而是用溶劑法，例如旋涂、浸涂、刮涂、絲網(wǎng)印刷、噴墨印刷、 傳熱方法等，可在多種聚合物材料的少數(shù)層中制備有機(jī)材料層。陽極材料優(yōu)選對(duì)于通常促進(jìn)空穴注入進(jìn)有機(jī)材料層、具有大功函 數(shù)的材料?？捎糜诒景l(fā)明的陽極材料的具體例子包括金屬，例如釩、^^、銅、鋅和金，或其合金；金屬氧化物，例如鋅氧化物、銦氧化物、 銦錫氧化物(ITO)和銦鋅氧化物(IZO);金屬/氧化物復(fù)合物，例如ZnO: Al或SnO: Sb;導(dǎo)電聚合物，例如聚(3-曱基噻吩)、聚[3，4-(乙烯基-1,2-二氧)噻吩](PEDT)、聚吡咯和聚苯胺，但不限于此。陰極材料優(yōu)選對(duì)于通常促進(jìn)電子注入進(jìn)有機(jī)材料層、具有小功函 數(shù)的材料。陰極材料的具體例子包括金屬，例如鎂、鈣、鈉、鉀、鈦、 銦、釔、鋰、禮、鋁、銀、錫和鉛或其合金；及多層材料，例如LiF/Al 或Lip/Al，但不限于此?？昭ㄗ⑷氩牧蠟榇龠M(jìn)在低電壓從陽極空穴注入的材料?？昭ㄗ⑷?材料的HOMO(最高分子占有軌道)能級(jí)優(yōu)選處于陽極材料功函數(shù)和與 其相鄰的有機(jī)材料層HOMO能級(jí)之間。空穴注入材料的具體例子包括 金屬卟啉、寡噻吩、基于芳香胺的有機(jī)材料、六腈六氮雜苯并菲、基 于p奎吖咬酮的有機(jī)材料、基于茈的有機(jī)材料、蒽醌和基于聚苯胺和基于 聚p塞吩的導(dǎo)電聚合物，但不限于此?？昭▊鬏敳牧线m合空穴遷移率高的材料，其可向發(fā)光層轉(zhuǎn)移來自 陽極的空穴或空穴注入層。其具體例子包括基于芳香胺的有機(jī)材料， 導(dǎo)電聚合物和同時(shí)具有共軛部分和非共軛部分的嵌段共聚物，但不限 于此。發(fā)光材料為能通過接收和復(fù)合來自空穴傳輸層的空穴和來自電子 傳輸層的電子發(fā)射可見光的材料，優(yōu)選為對(duì)于熒光和磚光量子效率高 的材料。其具體例子包括8-羥基喹啉鋁絡(luò)合物(Alq3);基于咔唑的化合物；苯乙烯基二聚化合物；BAlq; lO-羥基苯并喹啉-金屬化合物；基于 苯并噁唑、基于苯并噻唑和基于苯并咪唑的化合物；基于聚(對(duì)苯乙 炔)(PPV)的聚合物；螺環(huán)化合物；及聚芴和紅熒烯，但不限于此。電子傳輸材料適合電子遷移率高的材料，可由陰極向發(fā)光層轉(zhuǎn)移 電子。其具體例子包括8-羥基喹啉鋁絡(luò)合物(Alq3);包括Alq3的絡(luò)合物； 有機(jī)自由基化合物；及羥基黃S同-金屬絡(luò)合物，但不限于此。根據(jù)使用的材料，根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管可為頂部發(fā)光結(jié) 構(gòu)、底部發(fā)光結(jié)構(gòu)或頂部和底部發(fā)光結(jié)構(gòu)。實(shí)施方式在下文中，本發(fā)明將通過合成實(shí)施例和實(shí)驗(yàn)實(shí)施例更詳細(xì)地說明 本發(fā)明，但本發(fā)明的范圍不限于此。合成實(shí)施例1NBS. H;;ODMSO甲苯，回流 迪安-斯達(dá)克合成化合物A在二曱亞砜(DMSO, 90ml)中加入茚(258 mmol, 30 g)和蒸餾水(9 ml),冷卻至0。C。向其中緩慢加入N-溴丁二酰亞胺(NBS, 263 mmol, 46.9 g)。加熱得到的混合物至常溫，攪拌12小時(shí)。混合物冷卻至0。C 后，用蒸餾水結(jié)束反應(yīng)。用二乙醚萃取有機(jī)層，經(jīng)無水石克酸鎂干燥。 減壓過濾，減壓干燥濾過的溶液，用己烷重結(jié)晶得到化合物A(38.9 g, 72 %)。&薩R (300 MHz, CDC13):5 2.80 (s, 1H)， 3.20 (dd， 1H)， 4.20 (m, 1H), 7.19-7.37(m， 4H)合成化合物B將化合物A (67 mmol， 14.3 g)和對(duì)曱苯磺酸(p-TsOH， 2.6 mmol, 0.5 g)溶于曱苯(60 ml)。加熱溶液，攪拌24小時(shí)，攪拌同時(shí)用迪安-斯 達(dá)克方法除去水。冷卻混合物至常溫，減壓干燥，經(jīng)分餾得到化合物 B(7.8g， 60%)。&畫R (300 MHz, CDC13):5 3.72 (m， 2H)， 7.00 (m， 1H), 7.25-7.52 (m, 4H)合成化合物C在純化四氫吹喃(THF, 200 ml)中加入鎂(51.3 mmol)和1,2-二溴 乙烷(催化量)，冷卻至0。C。向其中緩慢加入2-溴茚。加熱反應(yīng)溶液至 常溫，攪拌2小時(shí)。冷卻反應(yīng)溶液至-78。C，向其中緩慢加入硼酸三曱 酯(51.3 mmol， 5.72 ml)。然后，緩慢加熱溶液至常溫，攪拌8小時(shí)。 然后，加入1 N鹽酸溶液。攪拌溶液l小時(shí)，用二乙醚萃取。用鹽水 洗滌得到的有機(jī)層。得到的材料經(jīng)無水硫酸鎂(Na2S04)干燥，減壓過濾。減壓干燥濾過的溶液，用二乙醚/正己烷重結(jié)晶，得到化合物C(2.9g，58 %)。'H NMR (300 MHz, CDC13):5 2.30 (s, 2H), 3.84 (m, 2H), 7.20 (m, 1H)， 7.20-7.39(m， 4H)合成化學(xué)式1-1-1表示的化合物(化合物D)向純化四氫呋喃(THF，25ml)中加入9，10-二溴蒽(2.53 mmo1，0.85 g) 和化合物C(5.05 mmol， 658 mg)，通過加熱和攪拌完全溶解。然后， 向其中加入四雙三苯基膦基鈀(Pd(PPh3)4, 0.05 mmol， 58mg)和2M碳 酸鉀(2MK2(X)3， 25ml)，加熱攪拌12小時(shí)。反應(yīng)溶液冷卻至常溫后， 減壓過濾產(chǎn)生的沉淀，得到化合物D[化學(xué)式1-1-1(600 mg， 60%)]。 MS: [M+H]+= 407合成實(shí)施例2<formula>formula see original document page 23</formula>合成化合物E將2-溴萘(34.8 g， 168 mmol)溶于THF (170 ml)。冷卻溶液至-78。C ， 向其中緩慢加入2.5M n-BuLi (67.3 mL， 168 mmol),攪拌1小時(shí)。然 后，加入2-溴蒽醌(21g， 73.1mmo1),攪拌反應(yīng)〗容液2小時(shí)，攪拌同 時(shí)緩慢加熱至常溫。加入氯化銨水溶液。分離有機(jī)層，經(jīng)硫酸鎂干燥， 并過濾。減壓干燥濾過的溶液除去溶劑，用二乙醚重結(jié)晶得到化合物 E(32.3g， 82%)。MS: [M+H]+= 465合成化合物F向醋酸(150 mL)中加入化合物E(32.3g， 59.5 mmol)、碘化鉀(29.6 g， 178.4 mmol)和次磷酸鈉(38.0 g， 356.8 mmol)，加熱攪拌6小時(shí)。冷卻 溶液至常溫，然后過濾產(chǎn)生的沉淀，用水洗滌，千燥得到化合物F(25.5 g, 84%)。MS: [M+H]+=510合成化合物G將化合物F(2.0g， 3.9mmol)和茚基硼酸(520mg， 4.0mmol)完全溶 于四氫p夫喃(50 mL)。然后加入2M石友酸鉀水:容液(50 mL)，加入4巴催 化劑(23mg， 1.9xl(T2mmol)。加熱反應(yīng)溶液，攪拌得到化合物G(化學(xué) 式1-5-1, 1.2 g， 57%)。 MS: [M+H]+=545實(shí)—瞼實(shí)施例1將其上涂布了厚度isooA的ITO (銦錫氧化物)薄膜的玻璃基板浸 入含有洗滌劑的蒸餾水，用超聲波洗滌基板30分鐘(此處，洗滌劑為 Fisher公司市售可得的產(chǎn)品，蒸餾水用Millipore公司市售可得的過濾 器過濾兩次)。接著，用蒸餾水用IO分鐘重復(fù)兩次超聲波洗滌。蒸餾水 洗滌過后，用例如異丙醇，丙酮和甲醇的溶劑進(jìn)行超聲波洗滌。干燥 得到的產(chǎn)物，轉(zhuǎn)移到等離子清潔器(plasmacleaner)。然后，用等離子氧 (oxygen plasma)清潔基板5分鐘，轉(zhuǎn)移到真空沉積設(shè)備。在這樣制備的ITO透明電極上，通過熱真空沉積涂布厚度為500 A的、由下列化學(xué)式表示的六腈六氮雜苯并菲(HAT)，由此形成空穴注 入層。在空穴注入層上，通過真空沉積涂布厚度400 A的、由下列化學(xué) 式表示、作為空穴傳輸材料的NPB，由此形成空穴傳輸層。[HAT][NPB]然后，在空穴傳輸層上，通過真空沉積涂布厚度300 A、作為發(fā) 光主體的、合成實(shí)施例1中合成的化學(xué)式1-1-1的化合物，以形成發(fā)光層。在發(fā)光層上，通過真空沉積涂布厚度200 A的、由下列化學(xué)式表 示的Alq3 (三(8-羥基喹啉)鋁)，以形成電子注入/傳輸層。[Alq3]然后，在電子注入/傳輸層上，依次真空沉積厚度分別為12 A和 2000 A的氟化鋰(LiF)和鋁，以形成陰才及。上述過程中，各有機(jī)材料的沉積速率保持在0.4到0.7埃/秒，氟 化鋰和鋁的沉積速率分別保持在0.3埃/秒和2埃/秒。沉積中的真空度 保持在2xl0々到5xl0"托。向上述制備的有才幾發(fā)光二極管施加5.8V的正向電場(chǎng)時(shí)，基于1931 CIE色坐標(biāo)，在50mA/口的電流密度下，觀察到x二0.16和y:0.18的 藍(lán)色發(fā)光。施加6.7 V的正向電場(chǎng)時(shí)，在100 mA/口的電流密度下，觀 察到2.1 cd/A的藍(lán)色發(fā)光。實(shí)一驗(yàn)實(shí)施例2將其上涂布了厚度1000A的ITO(銦錫氧化物)薄膜的玻璃基板 (康寧7059玻璃)浸入含有洗滌劑的蒸餾水，用超聲波洗滌基板30分鐘(此處，洗滌劑為Fisher公司市售可得的產(chǎn)物，蒸餾水經(jīng)Millipore公 司市售可得的過濾器過濾)。接著，用蒸餾水用IO分鐘重復(fù)兩次超聲波 洗滌。蒸餾水洗滌完成后，用例如異丙醇、丙酮和曱醇的溶劑進(jìn)行超 聲波洗滌。干燥得到的產(chǎn)物。在這樣制備的ITO上，通過熱真空沉積，依次涂布厚度為500 A、 400 A、 300 A和200 A的六腈六氮雜苯并菲、4,4'-二[N-(l-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(NPB)、化學(xué)式1-1-1的化合物和Alq3，以此順序形成空 穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層。在電子傳輸層上，依次真空沉積厚度分別為12 A和2000 A的氟 化鋰(LiF)和鋁，以形成陰極。由此得到有機(jī)發(fā)光器件。在上述過程中，各有機(jī)材料的沉積速率保持在0.4到0.7埃/秒， 陰極的氟化鋰和鋁的沉積速率分別保持在0.3埃/秒和2埃/秒。沉積 中的真空度保持在2xl0^到5x1(TS托。當(dāng)向上述制備的的有機(jī)發(fā)光器件施加6.4 V的正向電場(chǎng)時(shí)，基于 1931 C正色坐標(biāo)，在50mA/口的電流密度下，觀察到x二0.16和y-0.21 的藍(lán)色發(fā)光。當(dāng)施加7.2V的正向電場(chǎng)時(shí)，在100mA/口的電流密度下， 觀察到1.8 cd/A的藍(lán)色發(fā)光。實(shí)馬全實(shí)施例3將涂布了厚度1000 A的ITO (銦錫氧化物)薄膜的玻璃基板(康寧 7059玻璃)浸入含有洗滌劑的蒸餾水，用超聲波洗滌基板30分鐘(此 處，洗滌劑為Fisher公司市售可得的產(chǎn)品，蒸餾水經(jīng)Millipore Co.市售 可得的過濾器過濾)。然后，用蒸餾水用IO分鐘重復(fù)兩次超聲波洗滌。蒸餾水洗滌完成后，用例如異丙醇、丙酮和曱醇的溶劑進(jìn)行超聲波洗 滌。干燥得到的產(chǎn)物。在這才豐制備的ITO電極上，通過熱真空沉積依次涂布厚度為500 A、 400 A、 300 A和200 A的六腈六氮雜苯并菲、4，4'-二[N-(1-萘 基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(NPB)、化學(xué)式1-5-1的化合物和Alq3，以此順序 形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層。在電子傳輸層上，依次真空沉積厚度分別為12 A和2000 A的氟 化鋰(LiF)和鋁，以形成陰極。由此得到有機(jī)發(fā)光器件。在上述過程中，各有機(jī)材料的沉積速率保持在0.4到0. 7埃/秒， 陰極的氟化鋰和鋁的沉積速率分別保持在0. 3埃/秒和2埃/秒。沉積 中的真空度保持在2xl0々到5xlO—s托。向上述制備的有才幾發(fā)光器件施加6.4 V的正向電場(chǎng)時(shí)，基于1931 C正色坐標(biāo)，在50mA/口的電流密度下，觀察到x = 0.21和y = 0.24的 藍(lán)色發(fā)光。施加7.3 V的正向電場(chǎng)時(shí)，在100 mA/口的電流密度下，觀 察到3.0 cd/A的藍(lán)色發(fā)光。
權(quán)利要求
1、一種茚衍生物，其由以下化學(xué)式(1)表示其中Q1到Q4中的至少一個(gè)為由下述化學(xué)式(2)表示的基團(tuán)，Q1到Q4中的其余不由下述化學(xué)式(2)表示，以及R1到R6分別或同時(shí)選自由氫、取代或未取代的直鏈或支鏈烷基、取代或未取代的直鏈或支鏈烷氧基、取代或未取代的直鏈或支鏈鏈烯基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的環(huán)烯基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的雜環(huán)基、取代或未取代的硅烷基、取代或未取代的硼基團(tuán)、取代或未取代的氨基、腈基、硝基、鹵素基團(tuán)、取代或未取代的酰胺基和取代或未取代的酯基組成的組，且它們可與相鄰的基團(tuán)連接形成脂肪、芳香或雜稠環(huán)，其中X1、X2、Y1和Y2分別或同時(shí)選自由氫、取代或未取代的直鏈或支鏈烷基、取代或未取代的直鏈或支鏈烷氧基、取代或未取代的直鏈或支鏈鏈烯基、取代或未取代的雜環(huán)基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的芳基胺基組成的組，且Y1和Y2可彼此連接形成環(huán)烷基或芳基。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的茚衍生物，其中，化學(xué)式(l)表示的化合物選自由下列化學(xué)式(l-l)到(l-5)表示的化合物組成的組<formula>formula see original document page 3</formula>其中Q2、 Q4、 x1、 x2、 y'和丫2如化學(xué)式(1)中所定義，x3、 x4、 y4口 y"分別或同時(shí)選自由氫、取代或未取代的直鏈或支 鏈烷基、取代或未取代的直鏈或支鏈烷氧基、取代或未取代的直鏈或 支鏈鏈烯基、取代或未取代的雜環(huán)基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的芳基胺基組成的組，且y"和丫4可彼此連接形成環(huán)烷基或芳基，其中(^到Q4、 X1、 X2、 Y'和丫2如化學(xué)式(1)中所定義，<formula>formula see original document page 4</formula>其中q2、 x1、 x2、 y4口yz如化學(xué)式(i)中所定義，X3到X6和Y3到Y(jié)6分別或同時(shí)選自由氫、取代或未取代的直鏈或支鏈烷基、取代或未取代的直鏈或支鏈烷氧基、取代或未取代的直鏈 或支鏈鏈烯基、取代或未取代的雜環(huán)基、取代或未取代的環(huán)烷基、取 代或未取代的芳基和取代或未取代的芳基胺基組成的組，且f和y4 或ys和yG可彼此連接形成環(huán)烷基或芳基，<formula>formula see original document page 4</formula>其中X1、 X2、 Y'和Y"如化學(xué)式(l)中所定義，《到乂8和ys到y(tǒng)s分別或同時(shí)選自由氫、取代或未取代的直鏈或 支鏈烷基、取代或未取代的直鏈或支鏈烷氧基、取代或未取代的直鏈 或支鏈鏈烯基、取代或未取代的雜環(huán)基、取代或未取代的環(huán)烷基、取 代或未取代的芳基和取代或未取代的芳基胺基組成的組，且y3和y4、y5和y6或y7和y8可彼此連接形成環(huán)烷基或芳基，其中q!到q3、 x1、 x2、 y'和y2如化學(xué)式(i)中所定義。
3、 一種制備根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)式(l)表示的化合物的方 法，其包括以下步驟a)用N-溴丁二酰亞胺向取代或未取代的茚中引 入羥基和溴基；b)用金屬向由步驟a)得到的化合物中引入硼化合物； 以及c)用過渡金屬向取代或未取代的蒽中引入由步驟b)得到的化合 物。
4、 一種有機(jī)發(fā)光二極管，其包括第一電極，第二電極和設(shè)置在第 一電極和第二電極之間的有機(jī)材料層，其中，該有機(jī)材料層包含根據(jù) 權(quán)利要求1所述的化學(xué)式(l)表示的化合物。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中，所述有機(jī)材料 層包括發(fā)光層，且該發(fā)光層包含根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)式(l)表示 的化合物。(1匿5)
6、根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中，所述有機(jī)材料層還包括選自由空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層和電子傳輸層 組成的組中的至少一層。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種具有新結(jié)構(gòu)的茚衍生物以及使用該衍生物的有機(jī)發(fā)光二極管。根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管在效率、驅(qū)動(dòng)電壓和穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出改進(jìn)的效果。
文檔編號(hào)C09K11/06GK101238194SQ200680028523
公開日2008年8月6日 申請(qǐng)日期2006年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月21日
發(fā)明者李東勛, 李大雄, 裴在順, 金公謙 申請(qǐng)人:Lg化學(xué)株式會(huì)社