專利名稱:具有改善的耐溶劑性的聚合物涂層的制作方法
技術領域:
本發(fā)明涉及包括導電聚合物和三聚氰胺衍生物的涂層、它們的制備和應用,以及用于制備這樣的涂層的分散體。
背景技術:
根據(jù)文獻(參見,例如,EP-A 440 957),用于制備導電或抗靜電涂層的聚(3,4-亞烷基二氧基噻吩)分散體是已知的。這樣的分散體用于制備導電或抗靜電涂層。然而,在實踐中已發(fā)現(xiàn)來自這樣的分散體的涂層對于實際應用并不總是足夠地穩(wěn)定。尤其是,所述涂層對于溶劑和/或機械應力常常不夠穩(wěn)定。
因此試圖通過添加交聯(lián)劑例如基于環(huán)氧硅烷的交聯(lián)劑來改善涂層對溶劑和/或機械應力的抗性(參見EP-A 564911)。然而,在很多情況下該措施單獨不足以充分地改善尤其是對溶劑的抗性。
因此仍舊需要與已知的涂層相比具有改善的耐溶劑性的導電或抗靜電涂層,以及適用于制備這樣的涂層的分散體。
因此本發(fā)明的目的是提供這樣的具有改善的耐溶劑性的涂層,以及適用于其制備的分散體。
發(fā)明內容
現(xiàn)在已意外地發(fā)現(xiàn),包括至少一種導電聚合物和至少一種三聚氰胺縮合物的分散體適合于制備具有這樣改善的耐溶劑性的涂層。這更為不可思議,因為公知的是向聚(3,4-亞烷基二氧基噻吩)分散體中添加多胺通常導致導電聚合物的凝膠化和沉淀。然而,在本發(fā)明的情況下沒有觀察到這樣的凝膠化。
因此本發(fā)明提供一種包括至少一種導電聚合物、至少一種抗衡離子和至少一種分散劑的分散體,特征在于它包括三聚氰胺與至少一種羰基化合物的至少一種縮合物。
三聚氰胺與至少一種羰基化合物的縮合物優(yōu)選是三聚氰胺與醛或酮的那些。適合的醛或酮是,例如,甲醛、乙醛、丁醛、丙酮或甲基乙基酮。特別優(yōu)選的醛是甲醛;三聚氰胺與至少一種羰基化合物的特別優(yōu)選的縮合物是三聚氰胺-甲醛縮合物。這樣的特別優(yōu)選的三聚氰胺-甲醛縮合物可以是,例如,通式(II)的那些, 式中R1至R6彼此獨立地表示H或CH2-OR7,基團R1至R6中的至少一個不是H,且R7表示H或直鏈或支鏈C1-C8烷基,優(yōu)選H或直鏈或支鏈C1-C4烷基。
非常特別地優(yōu)選,在通式(II)的這樣的縮合物中的基團R1至R6都表示CH2-OR7。
而且這樣特別優(yōu)選的三聚氰胺-甲醛縮合物可以是通式(II)的縮合物彼此間或與另外的三聚氰胺的縮合產(chǎn)物。
此外所述特別優(yōu)選的三聚氰胺-甲醛縮合物可以部分或全部地醚化。此外或者可選擇地,所述特別優(yōu)選的三聚氰胺-甲醛縮合物可通過與胺類、氨基羧酸類或亞硫酸鹽反應來改性以,例如,提高在水中的溶解度,或通過與其它可與醛反應的化合物例如酚類(三聚氰胺-酚-甲醛樹脂類)或脲類(三聚氰胺-脲-甲醛樹脂類)共縮合來改性。
適合的三聚氰胺與至少一種羰基化合物的縮合物,尤其是任選改性和/或任選部分或完全醚化的三聚氰胺-甲醛縮合物,可通過商購獲得。
三聚氰胺與至少一種羰基化合物的縮合物在所述分散體中的含量基于分散體的總重量為1~30重量%。優(yōu)選,三聚氰胺與至少一種羰基化合物的縮合物在所述分散體中的含量基于分散體的總重量為2~15重量%。
這里的導電聚合物的含義應被理解為尤其是在氧化或還原之后具有導電性的π-共軛聚合物類化合物。優(yōu)選,導電聚合物的含義應被理解為那些在干燥狀態(tài)、在氧化后具有至少0.01S cm-1數(shù)量級的比電導率的π-共軛聚合物。
在本發(fā)明中優(yōu)選那些其中至少一種導電聚合物為聚噻吩、聚苯胺或聚吡咯的分散體。
特別優(yōu)選,所述導電聚合物是選自含有通式(I)的重復單元的聚亞烷基二氧基噻吩類, 式中A表示任選取代的C1-C5亞烷基,R表示直鏈或支鏈的任選取代的C1-C18烷基、任選取代的C5-C12環(huán)烷基、任選取代的C6-C14芳基、任選取代的C7-C18芳烷基、任選取代的C1-C4羥基烷基或羥基,x表示0至8的整數(shù),且在當有數(shù)個基團R鍵合到A上的情況下,這些基團可以相同或不同。
通式(I)的含義應被理解為x個取代基R可以鍵合到亞烷基A上。
具有其中A表示任選取代的C2-C3亞烷基且x表示0或1的通式(I)的重復單元的聚噻吩類是特別優(yōu)選的。
非常特別優(yōu)選,至少一種導電聚合物是任選取代的聚(3,4-亞乙基二氧基噻吩)。
在本發(fā)明中,前綴“聚”的含義應被理解為在聚合物或聚噻吩中含有一個以上相同或不同的重復單元。所述聚噻吩類含有總共n個通式(I)的重復單元,其中n是2~2000、優(yōu)選2~100的整數(shù)。聚噻吩中的通式(I)的重復單元可在各種情況下相同或不同。優(yōu)選在各種情況下具有相同的通式(I)重復單元的聚噻吩類。
優(yōu)選在每種情況下所述聚噻吩類都在端基上帶有H。
在本發(fā)明的優(yōu)選實施方案中,所述分散體包括至少一種含有通式(I)的重復單元、在干燥狀態(tài)具有至少0.05 S cm-1優(yōu)選至少0.5S cm-1數(shù)量級的比電導率的聚亞烷基二氧基噻吩。
在本發(fā)明中,C1-C5亞烷基A優(yōu)選為亞甲基、亞乙基、正亞丙基、正亞丁基或正亞戊基。
C1-C4烷基優(yōu)選表示直鏈或支鏈C1-C4烷基,如甲基,乙基,正或異丙基,正、異、仲或叔丁基;C1-C8烷基除此以外還表示,例如,正戊基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、新戊基、1-乙基丙基、環(huán)己基、環(huán)戊基、正己基、1,1-二甲基丙基、1,2-二甲基丙基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基、1,1-二甲基丁基、1,2-二甲基丁基、1,3-二甲基丁基、2,2-二甲基丁基、2,3-二甲基丁基、3,3-二甲基丁基、1-乙基丁基、2-乙基丁基、1,1,2-三甲基丙基、1,2,2-三甲基丙基、1-乙基-1-甲基丙基或1-乙基-2-甲基丙基;及C1-C18烷基除此以外還表示,例如,正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十六烷基或正十八烷基。
在本發(fā)明中,C1-C4羥基烷基優(yōu)選表示被一個或多個但優(yōu)選被一個羥基取代的直鏈、環(huán)狀、支化或非支化的C1-C4烷基。
C5-C12環(huán)烷基R表示,例如,環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)辛基、環(huán)壬基或環(huán)癸基。
C5-C14芳基R表示,例如,苯基或萘基;而C7-C18芳烷基R表示,例如,芐基,鄰-、間-、對-甲苯基,2,3-、2,4-、2,5-、2,6-、3,4-或3,5-二甲苯基,或2,4,6-三甲苯基。以上所列用于舉例說明本發(fā)明,而不應看作是窮舉性的。
在本發(fā)明中,基團A和/或基團R的可能的任選的進一步的取代基是為數(shù)眾多的有機基團,例如烷基、環(huán)烷基、芳基、芳烷基、烷氧基、鹵素、醚、硫醚、二硫化物、亞砜、砜、磺酸酯、氨基、醛、酮、羧酸酯(carboxylic acid ester)、羧酸、碳酸酯、羧酯(carboxylate)、氰基、烷基硅烷和烷氧基硅烷基團以及羧酰胺(carboxamide)基團。
聚苯胺或聚吡咯的可能的取代基是,例如,以下所列出的基團A和R和/或基團A和R的進一步的取代基。優(yōu)選未取代的聚苯胺類和聚吡咯類。
本發(fā)明的范圍包括以上給出的和在下面列出的、一般性的或在彼此間優(yōu)選的范圍內也就是說也在特定范圍和優(yōu)選范圍之間的任何希望的組合中提及的所有基團定義、參數(shù)和解釋。
在所述分散體中用作導電聚合物的聚噻吩類可以是中性的或陽離子的。在優(yōu)選的實施方案中它們是陽離子的,“陽離子的”只是與位于聚噻吩主鏈上的電荷有關。取決于基團R上的取代基,聚噻吩類可以在結構單元中帶有正和負電荷,正電荷在聚噻吩主鏈上而負電荷任選在被磺酸酯或羧酸酯基團取代的基團R上。在本文中,聚噻吩主鏈的正電荷可部分或完全地被任選存在于基團R上的陰離子所抵消。總的來看,在這些情況下所述聚噻吩類可以是陽離子的、中性的或者甚至是陰離子的。盡管如此,在本發(fā)明中它們都被看作是陽離子聚噻吩類,因為在聚噻吩主鏈上的正電荷是決定性的。在式中未示出正電荷,因為不能明確地測定它們的確切數(shù)目和位置。然而,正電荷的數(shù)目至少為1且不大于n,其中n是聚噻吩內的所有重復單元(相同或不同)的總數(shù)。
為了抵消所述正電荷,如果所述正電荷并未被任選被磺酸酯或羧酸酯取代從而帶負電荷的基團R抵消,所述陽離子聚噻吩類需要陰離子作為抗衡陰離子。
抗衡離子可以是單體或聚合物陰離子,在下面也將后者稱為聚陰離子。
聚合物陰離子優(yōu)選單體陰離子,因為它們有助于膜形成并且由于它們的大小導致對熱更穩(wěn)定的導電膜。
但是,除聚合物陰離子外,所述分散體還可以包括單體陰離子。
這里的聚合物陰離子可以是,例如,聚羧酸如聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸或聚順丁烯二酸的陰離子,或者聚磺酸如聚苯乙烯磺酸和聚乙烯磺酸的陰離子。這些聚羧酸和聚磺酸也可以是乙烯基羧酸和乙烯基磺酸與其它可聚合單體如丙烯酸酯和苯乙烯的共聚物。
優(yōu)選,在本發(fā)明的分散體中含有至少一種聚羧酸或聚磺酸的陰離子作為抗衡離子。
特別優(yōu)選聚苯乙烯磺酸(PPS)的陰離子作為聚合物陰離子。
提供聚陰離子的聚酸的分子量優(yōu)選為1,000~2,000,000,特別優(yōu)選2,000~500,000。所述聚酸和它們的堿金屬鹽可商購獲得,如聚苯乙烯磺酸和聚丙烯酸,或者可以通過已知方法來制備(參見,例如,HoubenWeyl,Methoden der organischen Chemie,vol.E 20 MakromolekulareStoffe,part 2,(1987),p.1141 et seq.)。
所述分散體也可包括聚合物陰離子和導電聚合物,重量比尤其為0.5∶1~50∶1,優(yōu)選為1∶1~30∶1,特別優(yōu)選為2∶1~20∶1。導電聚合物的重量在這里相當于所用的單體的重量,即假定在聚合過程中發(fā)生完全轉化。
用作單體陰離子的陰離子是,例如,C1-C20鏈烷磺酸如甲磺酸、乙磺酸、丙磺酸、丁磺酸或更高級磺酸如十二烷磺酸的那些陰離子,脂族全氟磺酸如三氟甲磺酸、全氟丁磺酸或全氟辛磺酸的那些陰離子,脂族C1-C20羧酸如2-乙基己基羧酸的那些陰離子,脂族全氟羧酸如三氟乙酸或全氟辛酸的那些陰離子,和任選被C1-C20烷基取代的芳族磺酸如苯磺酸、鄰甲苯磺酸、對甲苯磺酸或十二烷基苯磺酸的那些陰離子,以及環(huán)烷磺酸如樟腦磺酸的那些陰離子,或者四氟硼酸鹽、六氟磷酸鹽、高氯酸鹽、六氟銻酸鹽、六氟砷酸鹽或六氯銻酸鹽。
優(yōu)選對甲苯磺酸、甲磺酸或樟腦磺酸的陰離子作為單體陰離子。
含有陰離子作為用于電荷補償?shù)目购怆x子的陽離子聚噻吩類也常常被本領域的技術人員稱為聚噻吩/(聚)陰離子復合物(complex)。
基于分散體的總重量,導電聚合物和抗衡離子,例如以這樣的聚合物/抗衡離子復合物的形式,在發(fā)明的分散體中的總含量為,例如,0.05~10重量%,優(yōu)選為0.1~2重量%。
根據(jù)本發(fā)明的分散體可以包括一種或多種分散劑。可以例舉出下列溶劑作為分散劑脂族醇,如甲醇、乙醇、異丙醇和丁醇;脂族酮,如丙酮和甲基乙基酮;脂族羧酸酯,如乙酸乙酯和乙酸丁酯;芳族烴,如甲苯和二甲苯;脂族烴,如己烷、庚烷和環(huán)己烷;氯代烴,如二氯甲烷和二氯乙烷;脂族腈,如乙腈;脂族亞砜和砜,如二甲亞砜和環(huán)丁砜;脂族羧酸酰胺,如甲基乙酰胺、二甲基乙酰胺和二甲基甲酰胺;和脂族和芳脂族醚,如二乙醚和苯甲醚。此外,水或水與上述有機溶劑的混合物也可用作分散劑。
優(yōu)選的分散劑為水或其它質子溶劑,例如醇,如甲醇、乙醇、異丙醇和丁醇,以及水與這些醇的混合物,水為特別優(yōu)選的溶劑。
所述分散體此外還可包括另外的組分,例如,表面活性物質如離子和非離子表面活性劑,或粘合增進劑如有機功能硅烷或它們的水解產(chǎn)物,如3-環(huán)氧丙氧基丙基三烷氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-巰基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷或辛基三乙氧基硅烷。
本發(fā)明的分散體可包括提高電導率的另外的添加劑,例如,含有醚基團的化合物如四氫呋喃,含有內酯基團的化合物如γ-丁內酯和γ-戊內酯,含有酰胺或內酰胺基團的化合物如己內酰胺、N-甲基己內酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、N-甲基甲酰胺、N-甲基甲酰苯胺、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、N-辛基吡咯烷酮和吡咯烷酮,砜和亞砜如環(huán)丁砜(四亞甲基砜)和二甲亞砜(DMSO),糖或糖衍生物如蔗糖、葡萄糖、果糖和乳糖,糖醇如山梨糖醇和甘露糖醇,呋喃衍生物如2-呋喃羧酸和3-呋喃羧酸,和/或二醇或多元醇如乙二醇、甘油以及二甘醇和三甘醇。尤其優(yōu)選使用四氫呋喃、N-甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮、乙二醇、二甲亞砜或山梨糖醇作為提高電導率的添加劑。
本發(fā)明的分散劑還可以包括一種或多種可溶于有機溶劑或水溶的有機粘合劑,如聚乙酸乙烯酯,聚碳酸酯,聚乙烯醇縮丁醛,聚丙烯酸酯,聚丙烯酰胺,聚甲基丙烯酸酯、聚甲基丙烯酰胺、聚苯乙烯、聚丙烯腈、聚氯乙烯,聚乙烯吡咯烷酮,聚丁二烯,聚異戊二烯,聚醚,聚酯,聚脲,聚酰胺,聚酰亞胺,聚砜,硅氧烷,環(huán)氧樹脂,苯乙烯/丙烯酸酯、醋酸乙烯酯/丙烯酸酯和乙烯/醋酸乙烯酯共聚物,聚乙烯醇或纖維素。
基于分散體的總重量,本發(fā)明的分散體中的聚合物粘合劑的含量為0.1~90重量%,優(yōu)選0.5~30重量%,并且非常特別優(yōu)選0.5~10重量%。
在分散體中任選含有的這樣的有機粘合劑也可任選作為分散劑,如果在規(guī)定的溫度下該有機粘合劑是液體的話。
本發(fā)明的分散體可以具有1~14的pH,并優(yōu)選1~8的pH。
例如,可將堿或酸添加到分散體中以調節(jié)pH。優(yōu)選那些不損害分散體的膜形成且在較高的溫度如焊接溫度不揮發(fā)的添加劑,例如堿2-(二甲基氨基)-乙醇、2,2’-亞氨基二乙醇或2,2’,2”-次氮基三乙醇以及酸聚苯乙烯磺酸。
取決于施加方法,本發(fā)明的分散體的粘度可以為0.1~100,000mPa·s(在20℃和100s-1的剪切速率下測定)。優(yōu)選,粘度為1~10,000mPa·s,特別優(yōu)選為10~1,000mPa·s。
本發(fā)明的分散體的制備是通過在抗衡離子的存在下從用于制備導電聚合物的相應前體在例如類似于EP-A 440 957中所述的條件下首先制備導電聚合物的分散體進行的。用于制備所述分散體的改進方案是使用用于去除無機鹽或一部分無機鹽的離子交換劑。例如在DE-A 19627 071中描述了這樣的方案。例如可將離子交換劑與產(chǎn)物一起攪拌,或者將產(chǎn)物輸送經(jīng)過用離子交換劑裝填的柱。通過使用離子交換劑,例如,可獲得低的金屬含量。
在脫鹽之后可通過例如高壓均質器來降低分散體中的顆粒的粒度。也可以重復該操作以改善效果。在本文中,已證實100~2,000bar的特別高的壓力對大大降低粒度有利。
也可制備聚苯胺/聚陰離子、聚吡咯/聚陰離子或聚噻吩/聚陰離子復合物并隨后分散或再分散在一種或多種分散劑中。
基于分散體的總重量,導電聚合物/抗衡離子復合物的顆粒在這些分散體中的固體含量是,例如,0.1~90重量%,優(yōu)選為0.5~30重量%,并非常特別優(yōu)選為0.5~10重量%。
為制備本發(fā)明的分散體,然后將另外的組分例如三聚氰胺與至少一種羰基化合物的縮合物、任選另外的分散劑及任選另外的添加劑、有機粘合劑等添加到這些分散體中,并例如通過攪拌混合。
對應的單體例如被理解為用于制備導電聚合物的前體,以下也稱為前體。也可以使用各種前體的混合物。適合的單體前體是,例如,任選取代的噻吩類、吡咯類或苯胺類,優(yōu)選任選取代的噻吩類,特別優(yōu)選任選取代的3,4-亞烷基二氧基噻吩類。
可以列舉出來作為取代的3,4-亞烷基二氧基噻吩類的例子是通式(III)的化合物,
其中,A表示任選取代的C1-C5亞烷基,優(yōu)選任選取代的C2-C3亞烷基,R表示直鏈或支鏈的任選取代的C1-C18烷基、任選取代的C5-C12環(huán)烷基、任選取代的C6-C14芳基、任選取代的C7-C18芳烷基、任選取代的C1-C4羥基烷基或羥基,x表示0至8的整數(shù),優(yōu)選表示0或1,且在數(shù)個基團R鍵合到A上的情況下,這些R基團可以相同或不同。
非常特別優(yōu)選的單體前體為任選取代的3,4-亞乙基二氧基噻吩類,并且在優(yōu)選實施方案中為3,4-亞乙基二氧基噻吩。
上述前體、特別是噻吩類、優(yōu)選3,4-亞乙基二氧基噻吩類的可能的取代基是所述的用于通式(III)的R的基團。
吡咯類和苯胺類的可能的取代基是,例如,上述的基團A和R和/或基團A和R的進一步的取代基。
基團A和/或基團R的可能的任選的進一步的取代基是為通式(I)所述的有機基團。
制備用于制備導電聚合物的單體前體的方法對于本領域的技術人員而言是已知的并且描述在例如L.Groenendaal,F(xiàn).Jonas,D.Freitag,H.Pielartzik & J.R.Reynolds,Adv.Mater.12(2000)481-494和其中所引用的文獻中。
本發(fā)明的分散體是非常適合于制備導電或抗靜電涂層。
本發(fā)明因此也提供可從本發(fā)明的分散體獲得的導電或抗靜電涂層。
為制備本發(fā)明的涂層,例如,通過已知的方法例如通過旋涂、浸漬、澆注、滴涂、噴涂、霧涂(misting on)、刀涂、刷涂或印刷如噴墨印刷、絲網(wǎng)印刷、凹版印刷、膠印或壓印等將本發(fā)明的分散體以0.5μm~250μm的濕膜厚度、優(yōu)選以2μm~50μm的濕膜厚度施加到合適的基體上,然后至少在20℃~200℃的溫度下干燥。
與現(xiàn)有技術已知的涂層相比,本發(fā)明的涂層令人驚奇地更耐尤其是有機溶劑。
具體實施例方式
下列實施例用以舉例說明本發(fā)明而不應理解為是對本發(fā)明的限制。
實施例1)本發(fā)明分散體的制備實施例1將52.6g BaytronP(H.C.Starck GmbH,Leverkusen)0.3g 2-(二甲基氨基)-乙醇31.4g NeoRez R 9603(聚氨酯分散體;DSM Neo Resins,Waalwijk,Netherlands)10.5g AcrafixML(部分醚化的、改性的三聚氰胺-甲醛縮合物,Lanxess Deutschland GmbH)2.0g異丙醇3.1g N-甲基吡咯烷酮0.1g DynolTM604(潤濕劑,Air Products)通過按規(guī)定的順序攪拌混合來制備分散體。
實施例2將52.6g BaytronP(H.C.Starck GmbH,Leverkusen)0.3g 2-(二甲基氨基)-乙醇31.4g NeoRez R 9603(聚氨酯分散體;DSM Neo Resins,Waalwijk,Netherlands)6.2g MaprenalMF 921 W(部分醚化的、改性的三聚氰胺-甲醛縮合物,Solutia)2.0g異丙醇3.1g N-甲基吡咯烷酮
0.1g DynolTM604(潤濕劑,Air Products)通過按規(guī)定的順序攪拌混合來制備分散體。
實施例3將52.6g BaytronP(H.C.Starck GmbH,Leverkusen)0.3g 2-(二甲基氨基)-乙醇31.4g NeoRez R 9603(聚氨酯分散體;DSM Neo Resins,Waalwijk,Netherlands)7.5g SetamineMS-152(改性的三聚氰胺-甲醛縮合物,NuplexResins)2.0g異丙醇3.1g N-甲基吡咯烷酮0.1g DynolTM604(潤濕劑,Air Products)通過按規(guī)定的順序攪拌混合來制備分散體。
對比例1(根據(jù)EP-A 564 914)將42.9g BaytronP(H.C.Starck GmbH,Leverkusen)4.0g二甲基亞砜0.9g SilquestA 187=環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷52.2g異丙醇通過按規(guī)定的順序攪拌混合來制備分散體。
對比例2從52.6g BaytronP(H.C.Starck GmbH,Leverkusen)0.3g 2-(二甲基氨基)-乙醇31.4g Ne0Rez R 9603(聚氨酯分散體;DSM Neo Resins,Waalwijk,Netherlands)5.25g三聚氰胺2.0g異丙醇3.1g N-甲基吡咯烷酮0.1g Dynol604(潤濕劑,Air Products)通過按規(guī)定的順序攪拌混合來制備分散體。
2)本發(fā)明的涂層的制備實施例4使用手持涂覆器(handcoater)將對比例1和2以及本發(fā)明的實施例1~3的分散體以18μm的濕膜厚度刀涂在175μm厚的聚酯膜上,然后在130℃干燥5分鐘。
然后按照ASTM測量涂層的表面電阻,并通過用含溶劑的布摩擦來測定涂層對溶劑的耐性。
結果匯總于下面的表中+=耐溶劑,涂層未被破壞-=不耐溶劑,涂層己被破壞表1實施例1~3以及對比例1和2的涂層的表面電阻
表2實施例1~3以及對比例1和2的涂層的對溶劑的耐性
結果清楚地表明,與用對比例的分散體制備的涂層相比,用本發(fā)明的分散體制備的本發(fā)明的涂層對溶劑的耐性較高。
權利要求
1.一種分散體,其包括至少一種導電聚合物、至少一種抗衡離子和至少一種分散劑,特征在于它包括三聚氰胺與至少一種羰基化合物的至少一種縮合物。
2.根據(jù)權利要求1的分散體,特征在于至少一種導電聚合物選自聚噻吩類、聚苯胺類或聚吡咯類。
3.根據(jù)權利要求l的分散體,特征在于所述導電聚合物選自含有通式(I)的重復單元的聚亞烷基二氧基噻吩類, 式中A表示任選取代的C1-C5亞烷基,R表示直鏈或支鏈的任選取代的C1-C18烷基、任選取代的C5-C12環(huán)烷基、任選取代的C6-C14芳基、任選取代的C7-C18芳烷基、任選取代的C1-C4羥基烷基或羥基,x表示0至8的整數(shù),且在數(shù)個基團R鍵合到A上的情況下,這些R基團可以相同或不同。
4.根據(jù)權利要求1的分散體,特征在于至少一種導電聚合物是聚(3,4-亞乙基二氧基噻吩)。
5.根據(jù)權利要求1的分散體,特征在于所述抗衡離子是選自聚合羧酸或磺酸或者單體C1-C20鏈烷磺酸、脂族C1-C20全氟磺酸、脂族C1-C20羧酸、脂族C1-C20全氟羧酸、任選被C1-C20烷基取代的芳族C1-C20磺酸、任選取代的C1-C20環(huán)烷磺酸或者四氟硼酸鹽、六氟磷酸鹽、高氯酸鹽、六氟銻酸鹽、六氟砷酸鹽或六氯銻酸鹽的陰離子。
6.根據(jù)權利要求1的分散體,特征在于至少一種抗衡離子是聚苯乙烯磺酸的陰離子。
7.根據(jù)權利要求1的分散體,特征在于三聚氰胺與至少一種羰基化合物的縮合物是選自任選改性和/或任選部分或完全醚化的三聚氰胺-甲醛縮合物。
8.根據(jù)權利要求1的分散體,特征在于它包括基于所述分散體的總重量為1~30重量%的三聚氰胺衍生物。
9.根據(jù)權利要求1的分散體,特征在于所述分散體包括至少一種聚合物有機粘合劑。
10.根據(jù)權利要求1的分散體,特征在于它包括水、脂族醇、脂族酮、脂族羧酸酯、芳族烴、脂族烴、氯代烴、脂族腈、脂族亞砜和砜、脂族羧酸酰胺、脂族和芳脂族醚或至少兩種前述物質的混合物作為分散劑。
11.一種用于制備導電或抗靜電涂層的方法,其包括使用權利要求1~10中的至少一項所述的分散體。
12.一種導電或抗靜電涂層,其可從權利要求1~10中的至少一項所述的分散體獲得。
全文摘要
本發(fā)明涉及包括導電聚合物和三聚氰胺衍生物的涂層、它們的制備和應用,以及用于制備這樣的涂層的分散體。
文檔編號B05D5/12GK1962780SQ20061014631
公開日2007年5月16日 申請日期2006年11月10日 優(yōu)先權日2005年11月10日
發(fā)明者F·約納斯, U·古恩特曼 申請人:H.C.施塔克公司