一種含有咔唑和亞氨基芪結(jié)構(gòu)的有機光電材料及其應用
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種含有咔唑和亞氨基芪結(jié)構(gòu)的有機光電材料及其應用，所述有機光電材料的化合物結(jié)構(gòu)式通式如下式所示：其中，Ar1選自苯基、碳原子數(shù)位7～14苯烷基、碳原子數(shù)為10～60的多環(huán)共軛芳基、以及含有N、S、O中的至少一種的芳族雜環(huán)基中的一種。本發(fā)明提供的OLED材料的熱穩(wěn)定性好，具有良好的空穴傳輸能力，用作有機電致器件的空穴傳輸層，可顯著提高器件的效率。
【專利說明】
一種含有咔唑和亞氨基芪結(jié)構(gòu)的有機光電材料及其應用
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及有機光電材料領(lǐng)域，尤其涉及一種含有咔唑和亞氨基芪結(jié)構(gòu)的有機光 電材料及其應用。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機電致發(fā)光器件（0LED發(fā)光器件）的研究始于上個世紀的三十年代，1936年 Destriau將有機熒光化合物分散在聚合物中制成薄膜，得到了最早的電致發(fā)光器件，但這 種器件由于薄膜較厚，開啟電壓很高，當時并沒有引起大家的注意；但是到了 1982年 P.S.Vincett等人采用真空沉積的方法制備了 0.6μπι厚的蒽薄膜，將器件的驅(qū)動電壓降到了 30V以下，這才開始吸引了人們的注意力；1987年，對有機電致發(fā)光器件來說是具有里程碑 意義的一年，C.W.Tang等采用超薄膜技術(shù)，以一種二胺衍生物1'1，1'1，-(1丨口1161171-1'1，1'1，-13丨8(3-11161:1171卩1161171)-1，1，131卩1161171-4,4，(11&111；[116(1?0)作為空穴傳輸層，以1：148(8-117(^ oxyquinoline)aluminum(Alq3)作為發(fā)光層，制作了雙層結(jié)構(gòu)的有機電致發(fā)光器件，該器件 在10V下亮度可達1 000cd/m2,發(fā)光效率為1.511m/W，壽命大于100小時，這一突破性進展使 得有機電致發(fā)光器件的研究在世界范圍內(nèi)迅速且深入地開展起來。
[0003] 為了獲得高亮度、高效率、長壽命及低開啟電壓的實用化有機電致發(fā)光器件，人們 不斷的開發(fā)出新材料并提出新的器件結(jié)構(gòu)等。
[0004] 1988年C.Adachi等人首次提出了將空穴傳輸層、電子傳輸層和發(fā)光層分開的三層 結(jié)構(gòu)，獲得了高亮度和長壽命的藍光器件；1994年在日本濱松召開的有機及無機電致發(fā)光 國際會議上，C.W.Tang首次報道了使用壽命達10000小時的雙層結(jié)構(gòu)有機電致發(fā)光器件； 1998年，美國普林斯頓大學的For rest小組首次提出將磷光染料應用于有機電致發(fā)光器 件，這樣就突破了器件內(nèi)量子效率低于25%的限制，理論上使內(nèi)量子效率達到了 100%，從 而開創(chuàng)了有機磷光電致發(fā)光的新領(lǐng)域。同年，T.R.Hebner等發(fā)明了制備有機電致發(fā)光器件 的噴墨打印法，這為有機電致發(fā)光器件從研究走向市場提供了更大的可能。進入新世紀，各 種新型有機發(fā)光器件更是層出不窮，比較有代表性的是:2004年，L. S. Liao等人制作的疊層 (tandem)有機電致發(fā)光器件，電流效率高達136cd/A。
[0005] 目前，傳統(tǒng)的空穴傳輸材料主要有了?0、即8、了4?(：、1'(^4等，其中即8是應用較為廣 泛的一種空穴傳輸材料。目前應用的這些空穴傳輸材料都有其使用范圍和固有缺點，因此 進一步開發(fā)穩(wěn)定的、高效的空穴傳輸材料也顯得很有必要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種熱穩(wěn)定性好、具有良好的空穴傳輸能力、 用作有機電致器件的空穴傳輸層可顯著提高器件的效率的含有咔唑和亞氨基芪結(jié)構(gòu)的有 機光電材料及其應用。
[0007] 本發(fā)明提供一種含有咔唑和亞氨基芪結(jié)構(gòu)的有機光電材料，所述有機光電材料以 咔唑和亞氨基芪為核心骨架，其化合物結(jié)構(gòu)式通式如下式所示：
[0008]
[0009] 其中，Ari為苯基、碳原子數(shù)位7~14苯烷基、碳原子數(shù)為10~60的多環(huán)共輒芳基以 及含有N、S、0中至少一種的芳族雜環(huán)基中的任意一種。
[0010] 優(yōu)選的，所述咔唑
和亞氨基芪
單元之間通過Ar2相連接，其 結(jié)構(gòu)如下式所示：
[0011]
[0012] 其中Ar2為碳原子數(shù)為6~24的多環(huán)共輒芳基、以及含有N、0中的至少一種的芳族 雜環(huán)基中的任意一種。
[0013] 優(yōu)選的，所述An為含有取代基或不含取代基的苯環(huán)、萘環(huán)、蒽環(huán)、菲環(huán)、芘環(huán)、聯(lián) 苯、三亞苯、9，9_二甲基芴、二苯并呋喃和二苯并噻吩中的任意一種。
[0014] 優(yōu)選的，所述Ar2為含有取代基或不含取代基的苯環(huán)、萘環(huán)、聯(lián)苯和二苯并呋喃中 的任意一種。
[0015] 本發(fā)明合成的含有咔唑和亞氨基芪結(jié)構(gòu)的有機光電材料的部分結(jié)構(gòu)如下式所示， 其中C01~C56對應化合物01~化合物56:
[0016]
[0019]
[0020] 本發(fā)明還提供了一種含有咔唑和亞氨基芪結(jié)構(gòu)的有機光電材料在有機電致發(fā)光 器件的應用。
[0021] -種有機電致發(fā)光器件，包括至少一個功能層，其中，所述功能層含有上述的有機 光電材料。
[0022] 優(yōu)選的，所述功能層為有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層。
[0023]如圖1所不，一種含有味唑和亞氨基苗結(jié)構(gòu)的有機光電材料的有機電致發(fā)光器件， 含有至少一個發(fā)光層5,根據(jù)任選的原則在該層中設(shè)置空穴注入層3、空穴傳輸層4、電子傳 輸層6和/或電子注入層7。所述有機電致發(fā)光器件包括如下所述的層結(jié)構(gòu)：
[0024]陽極/有機發(fā)光層5/陰極；
[0025]陽極/空穴注入層3/有機發(fā)光層5/陰極；
[0026] 陽極/有機發(fā)光層5/電子注入層7/陰極；
[0027] 陽極/空穴注入層3/有機發(fā)光層5/電子注入層7/陰極；
[0028] 陽極/空穴傳輸層4/有機發(fā)光層5/電子注入層7/陰極；
[0029] 陽極/空穴注入層3/空穴傳輸層4/有機發(fā)光層5/電子注入層7/陰極；
[0030] 陽極/空穴注入層3/空穴傳輸層4/有機發(fā)光層5/電子傳輸層6/陰極。
[0031] 制作0LED發(fā)光器件時，各層可通過蒸鍍法、旋涂法或澆鑄法等方法將材料制成薄 膜來形成。以所述方式形成的各層的膜厚并無特別限定，可對應材料的性質(zhì)而適宜設(shè)定，通 常為2nm~5000nm的范圍。再者，將發(fā)光材料薄膜化的方法容易獲得均勻的膜層、且不易生 成針孔的經(jīng)驗而言，優(yōu)選蒸鍍法。蒸鍍條件一般優(yōu)選在舟皿，加熱溫度50°C~400°C、真空度 10_6Pa~10_3Pa、蒸鏈速度0 · 01nm/s~50nm/s，基板溫度_150°C~300°C、膜厚5nm~5um的 范圍內(nèi)適宜設(shè)定。
[0032] 陽極具有將空穴注入到空穴傳輸層4的功能，陽極通常由以后物質(zhì)構(gòu)成:如鋁、金、 銀、鎳、鈀或鉑等金屬;如氧化銦、氧化錫、氧化鋅、銦錫復合氧化物、銦鋅復合氧化物等金屬 氧化物;如碘化銅等金屬鹵化物;炭黑;或部分導電高分子等。
[0033] 空穴傳輸層是從陽極注入空穴的高效率并且能夠有效地傳輸注入的空穴的材料。 因此，需要該材料的電離勢低、對可見光的透過性高、空穴迀移率高、性質(zhì)穩(wěn)定，還需要在制 備或者使用時不易產(chǎn)生的光成為阱（trap)的雜質(zhì)。另外由于與發(fā)光層5相接觸，需要空穴傳 輸層4不使來自發(fā)光層5的光消光，且不與發(fā)光層5之間形成激基復合物而降低效率。常見的 空穴傳輸材料可以舉出以N4，N4 ' -二（萘-1 -基)-N4，N4 ' -二苯基-[1，Γ -聯(lián)苯]-4，4 ' -二胺 (NP B)為代表的含有兩個以上的叔胺的芳香族二胺、三苯胺類具有星形放射結(jié)構(gòu)的芳香胺 類化合物、咔唑類衍生物等。這些化合物即可以單獨使用，也可以混合使用兩種以上。
[0034]作為在空穴注入材料功能材料，可以從0LED發(fā)光器件的空穴傳輸層4所知材料中 選擇任意的材料進行使用。
[0035] 發(fā)光層5由發(fā)光物質(zhì)形成，其中，在施加了電場的電極之間，這種發(fā)光物質(zhì)因空穴 和電子的再結(jié)合而激發(fā)，從而表現(xiàn)出強發(fā)光。通常發(fā)光層5含有作為發(fā)光物質(zhì)的摻雜型材料 和基質(zhì)材料。為了得到高效率0LED發(fā)光器件，其發(fā)光層5可采用的一種摻雜材料，或采用多 種摻雜材料。摻雜材料可為單純的熒光或磷光材料，或由不同的熒光和磷光搭配組合而成， 發(fā)光層可為單一的發(fā)光層材料，也可以為疊加在一起的復合發(fā)光層材料。
[0036] 發(fā)光層的主體材料不但需要具備雙極性的電荷傳輸性質(zhì)，同時需要恰當?shù)哪茈A， 將激發(fā)能量有效地傳遞到客體發(fā)光材料，這一類的材料可以舉出二苯乙烯基芳基衍生物、 均二苯乙烯衍生物、咔唑衍生物、三芳基胺衍生物、蒽衍生物、芘衍生物、六苯并苯衍生物 等。
[0037] 相對于主體材料，客體材料的摻入量優(yōu)選為0.01重量％以上，20重量％以下。這一 類的材料可以舉出銥、釘、鉑、錸、鈀等的金屬配合物。
[0038]組成上述0LED發(fā)光器件的電子傳輸層6的材料，可由具備電子傳輸性質(zhì)0LELD材料 中選擇任意進行使用，這樣的材料可以舉出如1，3,5_三（1-萘基-1H-苯并咪唑-2-基）苯 (TPBI)等苯并咪唑類衍生物，三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)等金屬配合物，2-(4，_叔丁苯基)_ 5-(4，-聯(lián)苯基)-1，3，4_噁二唑(PBD)等噁二唑衍生物，4,7-二苯基-1，10-菲啰啉(BPhen)等 二氮雜菲衍生物，三唑衍生物，喹啉衍生物，喹喔啉衍生物等。
[0039]上述0LED發(fā)光器件可使用的陰極材料可選用功函數(shù)小于4eV的金屬、合金、導電性 化合物以及它們的混合物。其具體例為鋁、鈣、鎂、鋰、鎂合金、鋁合金等。為了高效地獲取 0LED的發(fā)光，較理想的是將電極的至少一者的透過率設(shè)為10%以上。陰極可通過干法如真 空蒸鍍、氣相沉積或濺射形成。
[0040]本發(fā)明的有益效果是：
[0041 ]本發(fā)明合成的含有味唑和亞氨基苗結(jié)構(gòu)的有機光電材料應用于有機電致發(fā)光器 件中獲得了高效的電致發(fā)光性能，其主要優(yōu)點如下：
[0042] 1、該類材料分子空間結(jié)構(gòu)為扭曲非平面結(jié)構(gòu)，有效避免了分子緊密積聚，具有較 高的熒光量子效率。
[0043] 2、具有很好的熱穩(wěn)定性，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和分解溫度都很高，容易形成良好的無 定形薄膜，應用在電致發(fā)光器件中，可以獲得更加穩(wěn)定的效果和更長的使用壽命。
[0044] 3、用該類材料作為空穴傳輸層制備的標準器件，與NPB作為空穴傳輸層制備的器 件相比，器件的啟亮電壓降低了0.4~0.8V，器件的最大亮度增加了15%~30%。
【附圖說明】
[0045]圖1為本發(fā)明一種含有咔唑和亞氨基芪結(jié)構(gòu)的有機光電材料0LED器件結(jié)構(gòu)示意 圖。
[0046] 附圖標記說明：
[0047] 1、透明基板層，2、透明電極層，3、空穴注入層，4、空穴傳輸層，5、發(fā)光層，6、電子傳 輸層，7、電子注入層，8、陰極。
【具體實施方式】
[0048]以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本發(fā)明，并 非用于限定本發(fā)明的范圍。
[0049] 在下述實施例、對比例中，所使用到的試劑、材料以及儀器如沒有特殊的說明，均 為常規(guī)試劑、常規(guī)材料以及常規(guī)儀器，均可商購獲得，其中所涉及的試劑也可通過常規(guī)合成 方法合成獲得。
[0050] 實施例1、制備有機光電材料
[0051] 實施例1-1中間體A-1的制備
[0052] 在氮氣保護下，于1L三口瓶中將N-苯基咔唑（48.68,〇.2!11〇1)溶解在5〇〇111〇)1^0， N-二甲基甲酰胺）中，控溫20~25°C向反應體系緩慢加入NBS(N-溴代丁二酰亞胺，78.3g， 0.44mol)固體，0.5h加畢。反應體系于20~25°C保溫攪拌24小時。反應完畢后向反應體系中 加入亞硫酸鈉的水溶液(500mL，0.05mol/L)，淬滅反應，抽濾得到濾餅，經(jīng)去離子水洗滌后， 用甲苯或無水乙醇進行結(jié)晶，得到白色固體，即為中間體C01-a，收率為90.3%。
[0053] 實施例1-2~實施例1-14中間體A-2~A-14的制備
[0054] 按照實施例1-1所述的方法制備中間體，與實施例1-1不同的是，采用表1中的反應 物質(zhì)替換實施例1-1中的N-苯基咔唑。
[0055] 表1本發(fā)明實施例1-1~實施例1-14制備中間體的反應原料以及中間體的結(jié)構(gòu)式 和產(chǎn)率
[0058]
[0059] 實施例1-15化合物C01的制備
[0060] 在氮氣保護下，將中間體A-1 (40 · lg，0 · lmol)和亞氨基芪(48 · 3g，0 · 25mol)溶解到 5 0 0mL匪P (N-甲基吡咯烷酮）中，然后投入催化劑銅粉（19.1 g，0.3mo 1)和縛酸劑碳酸鉀 (55.3g，0.4mol)。體系升溫回至流攪拌48小時，自然降溫至20~25°C后加入1000mL水淬滅 反應，產(chǎn)品經(jīng)過濾后得到粗品。硅膠柱層析，洗脫機為二氯甲烷:正己烷=1:7(V/V)，得到類 白色粉末。進一步粗品在化學氣相沉積系統(tǒng)中320°C升華提純，得到45.9g類白色固體粉末， 產(chǎn)率為73.3%。
[0061 ] 實施例1-16~實施例1-28化合物C02~C14的制備
[0062] 按照實施例1-15所述的方法制備中間體，與實施例1-15不同的是，采用表2中的反 應物質(zhì)替換實施例1 -15中的中間體A-1。
[0063] 表2本發(fā)明實施例1-15~實施例1-28制備化合物的反應原料以及化合物的結(jié)構(gòu)式 和產(chǎn)率
[0067]
[0068] 實施例1-29中間體B-1的制備
[0069] 在氮氣保護下，將得到的中間體A-1 (20 · lg，0 · 05mol)和對溴苯硼酸（20 · lg， 0· lmol)投入到200g甲苯和50gTHF的溶液中，然后投入碳酸鉀的水溶液(300mL，lmol/L)，最 后投入催化劑Pd(PPh3)4(0.58g，0.5mmol)。反應體系升溫至60~65°C攪拌24小時。反應完 畢后向反應體系中加入lOOmL水，淬滅反應，濾掉不容無，得到的濾液經(jīng)去離子水洗滌后，減 壓濃縮，粗品用乙酸乙酯或石油醚進行結(jié)晶，得到白色固體，即為中間體B-1，收率為 78.1%〇
[0070] 實施例1-30~實施例1-42中間體B2~B14的制備
[0071]按照實施例1-29所述的方法制備中間體，與實施例1-29不同的是，采用表3中的反 應物質(zhì)替換實施例1 -29中的中間體A-1。
[0072]表3本發(fā)明實施例1-29~實施例1-42制備中間體的反應原料以及中間體的結(jié)構(gòu)式 和產(chǎn)率
[0076]
[0077] 實施例1-43化合物C15的制備
[0078] 在氮氣保護下，將中間體8_1(8.(^，0.02111〇1)和亞氨基芪（9.78,0.05111〇1)溶解到 150mL匪P(N-甲基吡咯烷酮）中，然后投入催化劑銅粉（3.8g，0.06mol)和縛酸劑碳酸鉀 (11.4,0.08111 〇1)。體系升溫回至流攪拌48小時，自然降溫至20~25°(：后加入3001^水淬滅 反應，產(chǎn)品經(jīng)過濾后得到粗品。硅膠柱層析，洗脫機為二氯甲烷:正己烷=1:7(V/V)，得到類 白色粉末。進一步粗品在化學氣相沉積系統(tǒng)中320°C升華提純，得到10.7g類白色固體粉末， 產(chǎn)率為68.9%。
[0079] 實施例1-44~實施例1-56化合物C16~C28的制備
[0080]按照實施例1-43所述的方法制備中間體，與實施例1-43不同的是，采用表4中的反 應物質(zhì)替換實施例1 -43中的中間體B-1。
[0081 ]表4本發(fā)明實施例1 -43~實施例1-56制備化合物的反應原料以及化合物的結(jié)構(gòu)式 和產(chǎn)率
[0082]
[0087]
[0088] 實施例1-57中間體B-15的制備
[0089] 在氮氣保護下，將得到的中間體六-1(20.18,0.05111〇1)和4-溴-1-萘硼酸（25.1 8， 0· lmol)投入到200g甲苯和50gTHF的溶液中，然后投入碳酸鉀的水溶液(300mL，lmol/L)，最 后投入催化劑Pd(PPh3)4(0.58g，0.5mmol)。反應體系升溫至60~65°C攪拌24小時。反應完 畢后向反應體系中加入lOOmL水，淬滅反應，濾掉不容無，得到的濾液經(jīng)去離子水洗滌后，減 壓濃縮，粗品用乙酸乙酯或石油醚進行結(jié)晶，得到白色固體，即為中間體B-15,收率為 74.9%〇
[0090] 實施例1-58~實施例1-70中間體B16~B28的制備
[0091] 按照實施例1-57所述的方法制備中間體，與實施例1-57不同的是，采用表5中的反 應物質(zhì)替換實施例1 -57中的中間體A-1。
[0092]表5本發(fā)明實施例1-57~實施例1-70制備中間體的反應原料以及中間體的結(jié)構(gòu)式 和產(chǎn)率
[0096]
[0097] 實施例1-71化合物C29的制備
[0098] 在氮氣保護下，將中間體8-15(12.18,0.02111〇1)和亞氨基芪(9.78,0.05111〇1)溶解 到150mL NMP(N-甲基吡咯烷酮）中，然后投入催化劑銅粉(3.8g，0.06mol)和縛酸劑碳酸鉀 (11.4,0.08111 〇1)。體系升溫回至流攪拌48小時，自然降溫至20~25°(：后加入3001^水淬滅 反應，產(chǎn)品經(jīng)過濾后得到粗品。硅膠柱層析，洗脫機為二氯甲烷:正己烷=1:7(V/V)，得到類 白色粉末。進一步粗品在化學氣相沉積系統(tǒng)中320°C升華提純，得到10.7g類白色固體粉末， 產(chǎn)率為67.1%。
[0099] 實施例1-72~實施例1-84化合物C30~C42的制備
[0100] 按照實施例1 - 71所述的方法制備中間體，與實施例1 - 71不同的是，采用表6中的反 應物質(zhì)替換實施例1 -71中的中間體B-15。
[0101 ]表6本發(fā)明實施例1-71~實施例1-84制備化合物的反應原料以及化合物的結(jié)構(gòu)式 和產(chǎn)率
[0106]
[0107] 實施例1-85中間體B-29的制備
[0108] 在氮氣保護下，將得到的中間體A-1 (20. lg，0.05mol)和8-溴-2-二苯并呋喃硼酸 (29.1g，0.1mol)投入到200g甲苯和50gTHF的溶液中，然后投入碳酸鉀的水溶液（300mL， lmol/L)，最后投入催化劑Pd(PPh3)4(0.58g，0.5mmol)。反應體系升溫至60~65°C攪拌24小 時。反應完畢后向反應體系中加入100mL水，淬滅反應，濾掉不容無，得到的濾液經(jīng)去離子水 洗滌后，減壓濃縮，粗品用乙酸乙酯或石油醚進行結(jié)晶，得到白色固體，即為中間體C43-a， 收率為71.2%。
[0109] 實施例1-86~實施例1-98中間體B30~M2的制備
[0110]按照實施例1-85所述的方法制備中間體，與實施例1-85不同的是，采用表7中的反 應物質(zhì)替換實施例1 -85中的中間體A-1。
[0111]表7本發(fā)明實施例1-85~實施例1-98制備中間體的反應原料以及中間體的結(jié)構(gòu)式 和產(chǎn)率
[0115]
[0116] 實施例1-99化合物C43的制備
[0117] 在氮氣保護下，將中間體8-29(14.78,0.02111〇1)和亞氨基芪(9.78,0.05111〇1)溶解 到150mL NMP(N-甲基吡咯烷酮）中，然后投入催化劑銅粉(3.8g，0.06mol)和縛酸劑碳酸鉀 (11.4,0.08111 〇1)。體系升溫回至流攪拌48小時，自然降溫至20~25°(：后加入3001^水淬滅 反應，產(chǎn)品經(jīng)過濾后得到粗品。硅膠柱層析，洗脫機為二氯甲烷:正己烷=1:7(V/V)，得到類 白色粉末。進一步粗品在化學氣相沉積系統(tǒng)中320°C升華提純，得到10.7g類白色固體粉末， 產(chǎn)率為63.9%。
[0118] 實施例1-100~實施例1-112化合物C44~C56的制備
[0119] 按照實施例1-99所述的方法制備中間體，與實施例1-99不同的是，采用表8中的反 應物質(zhì)替換實施例1 -99中的中間體B-29。
[0120] 表8本發(fā)明實施例1-99~實施例1-112制備化合物的反應原料以及化合物的結(jié)構(gòu) 式和產(chǎn)率
[0125]
[0126] 化合物C01-C56對應的名稱及MS數(shù)據(jù)如表9所述。
[0127] 表9:化合物C01-C56的MS數(shù)據(jù)
[0128]
[0134]
[0135] 實施例2制備有機電致發(fā)光器件（以下簡稱器件）
[0136] 為了方便比較本發(fā)明所提供化合物作為空穴注入和空穴傳輸材料的性能，本發(fā)明 設(shè)計了一個簡單的0LED器件，空穴注入層材料和空穴傳輸層材料分別可選擇Hat-CN和NPB。 發(fā)光層由發(fā)光主體和摻雜材料組成，發(fā)光主體材料選擇EM1，摻雜材料選擇EM2，電子傳輸層 選擇Alq3。其中他卜^即8』]?^]\12和六193的結(jié)構(gòu)分別為 ： 「01371
[0138] 圖1是本發(fā)明0LED材料應用的器件結(jié)構(gòu)，其中1為透明基板層，2為透明電極層，3為 空穴注入層，4為空穴傳輸層，5為發(fā)光層，6為電子傳輸層，7為電子注入層，8為陰極。
[0139] 在實施例2中，通過PR655光譜掃描輻射度計和美國Keithley Soure Meter 2400 組成的測試系統(tǒng)對所得的器件進行同步測量檢測得到所有器件的驅(qū)動電壓、量子效率、電 流效率、功率效率和亮度，其中上述所有測量均是在室溫大氣中進行。
[0140] 實施例2-1器件1的制備
[0141] a)清洗透明基板層上的陽極:分別用去離子水、丙酮、乙醇各超聲清洗15分鐘，然 后在等離子體清洗器中處理2分鐘；
[0142] b)在陽極上真空蒸鍍化合物Hat-CN獲得空穴注入層，空穴注入層的厚度為50nm;
[0143] c)在空穴注入層上，通過真空蒸鍍方式蒸鍍本發(fā)明所提供化合物C01獲得空穴傳 輸層，空穴傳輸層的厚度為l〇nm;
[0144] d)在空穴傳輸層上蒸鍍主體材料BH1和摻雜材料BD1質(zhì)量比BH1:BD1 = 40:2同時獲 得發(fā)光層，發(fā)光層的厚度為40nm;
[0145] e)在發(fā)光層上，真空蒸鍍BPhen獲得電子傳輸層，電子傳輸層的厚度為30nm;
[0146] f)在電子傳輸層上，真空蒸鍍LiF獲得電子注入層，電子注入層的厚度為0.5nm;
[0147] g)在電子注入層上，真空蒸鍍陰極A1，陰極的厚度為lOOnm，獲得器件1。
[0148] 實施例2-2器件2的制備
[0149] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C02為材料。
[0150] 實施例2-3器件3的制備
[0151] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C03為材料。
[0152] 實施例2-4器件4的制備
[0153] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C04為材料。
[0154] 實施例2-5器件5的制備
[0155] 本實施例與器件4的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層以本發(fā) 明所提供的化合物C05為材料。
[0156] 實施例2-6器件6的制備
[0157] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C06為材料。
[0158] 實施例2-7器件7的制備
[0159] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C07為材料。
[0160] 實施例2-8器件8的制備
[0161] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C08為材料。
[0162] 實施例2-9器件9的制備
[0163] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C09為材料。
[0164] 實施例2-10器件10的制備
[0165] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物Cl 0為材料。
[0166] 實施例2-11器件11的制備
[0167] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C11為材料。
[0168] 實施例2-12器件12的制備
[0169] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C12為材料。
[0170] 實施例2-13器件13的制備
[0171] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C13為材料。
[0172] 實施例2-14器件14的制備
[0173] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C14為材料。
[0174] 實施例2-15器件15的制備
[0175] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C15為材料。
[0176] 實施例2-16器件16的制備
[0177] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C16為材料。
[0178] 實施例2-17器件17的制備
[0179] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C17為材料。
[0180] 實施例2-18器件18的制備
[0181] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C18為材料。
[0182] 實施例2-19器件19的制備
[0183] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C19為材料。
[0184] 實施例2-20器件20的制備
[0185] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C20為材料。
[0186] 實施例2-21器件21的制備
[0187] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C21為材料。
[0188] 實施例2-22器件22的制備
[0189] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C22為材料。
[0190] 實施例2-23器件23的制備
[0191] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C23為材料。
[0192] 實施例2-24器件24的制備
[0193] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C24為材料。
[0194] 實施例2-25器件25的制備
[0195] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C25為材料。
[0196] 實施例2-26器件26的制備
[0197] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C26為材料。
[0198] 實施例2-27器件27的制備
[0199] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C27為材料。
[0200] 實施例2-28器件28的制備
[0201] 本實施例與器件4的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層以本發(fā) 明所提供的化合物C28為材料。
[0202] 實施例2-29器件29的制備
[0203] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C29為材料。
[0204] 實施例2-30器件30的制備
[0205] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C30為材料。
[0206] 實施例2-31器件31的制備
[0207] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C31為材料。
[0208] 實施例2-32器件32的制備
[0209] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C32為材料。
[0210] 實施例2-33器件33的制備
[0211] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C33為材料。
[0212] 實施例2-34器件34的制備
[0213] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C34為材料。
[0214] 實施例2-35器件35的制備
[0215] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C35為材料。
[0216] 實施例2-36器件36的制備
[0217] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C36為材料。
[0218] 實施例2-37器件37的制備
[0219] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C37為材料。
[0220] 實施例2-38器件38的制備
[0221] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C38為材料。
[0222] 實施例2-39器件39的制備
[0223] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C39為材料。
[0224] 實施例2-40器件40的制備
[0225] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C40為材料。
[0226] 實施例2-41器件41的制備
[0227] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C41為材料。
[0228] 實施例2-42器件42的制備
[0229] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C42為材料。
[0230] 實施例2-43器件43的制備
[0231] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C43為材料。
[0232] 實施例2-44器件44的制備
[0233] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C44為材料。
[0234] 實施例2-45器件45的制備
[0235] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C45為材料。
[0236] 實施例2-46器件46的制備
[0237] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C46為材料。
[0238] 實施例2-47器件47的制備
[0239] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C47為材料。
[0240] 實施例2-48器件48的制備
[0241] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C48為材料。
[0242] 實施例2-49器件49的制備
[0243] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C49為材料。
[0244] 實施例2-50器件50的制備
[0245] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C50為材料。
[0246] 實施例2-51器件51的制備
[0247] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C51為材料。
[0248] 實施例2-52器件52的制備
[0249] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C52為材料。
[0250] 實施例2-53器件53的制備
[0251] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C53為材料。
[0252] 實施例2-54器件54的制備
[0253] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C54為材料。
[0254] 實施例2-55器件55的制備
[0255] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C55為材料。
[0256] 實施例2-56器件56的制備
[0257] 本實施例與器件1的不同之處在于：制備有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時以本 發(fā)明所提供的化合物C56為材料。
[0258] 實施例2-57對比件1的制備
[0259] 對比件1和器件1不同的是:有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層以NPB作為空穴傳輸 材料。
[0260] 通過PR655光譜掃描輻射度計和美國Keithley Soure Meter 2400組成的測試系 統(tǒng)對所得的器件進行同步測量檢測得到所有器件的驅(qū)動電壓、量子效率、電流效率、功率效 率和亮度，其中上述所有測量均是在室溫大氣中進行，器件1~56以及對比件1檢測得到相 關(guān)結(jié)果如下表10中所示：
[0261] 表10:器件1~56以及對比件1的檢測結(jié)果
[0262]
[0264]
[0265] 由上述表10可以得知，本發(fā)明所提供的光電材料可應用于有機電致發(fā)光器件中， 并且可以獲得良好的表現(xiàn)。本發(fā)明所提供的作為有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層材料使 用，無論是效率、亮度和驅(qū)動電壓比已知電致發(fā)光材料獲得明顯改善，此外，器件的驅(qū)動電 壓大幅降低。
[0266] 綜上，以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精 神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1. 一種含有巧挫和亞氨基巧結(jié)構(gòu)的有機光電材料，其特征在于，所述有機光電材料W 巧挫和亞氨基巧為核屯、骨架，其化合物結(jié)構(gòu)式通式如下式所示：其中，Ari為苯基、碳原子數(shù)位7~14苯烷基、碳原子數(shù)為10~60的多環(huán)共輛芳基W及含 有N、S、0中至少一種的芳族雜環(huán)基中的任意一種。2. 根據(jù)權(quán)未Ii巧求1目析術(shù)的含有P種化a W氨甚巧結(jié)抬!的有扣井:由材料，其特征在于， 所述巧挫 -2相連接，其結(jié)構(gòu)如下式 所示： 其中An為碳原于數(shù)為6~24的多許巧輛芳基、必曾有N、0中的至少一種的芳族雜環(huán)基 中的任意一種。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的含有巧挫和亞氨基巧結(jié)構(gòu)的有機光電材料，其特征在于， 所述Ari為含有取代基或不含取代基的苯環(huán)、糞環(huán)、蔥環(huán)、菲環(huán)、巧環(huán)、聯(lián)苯、S亞苯、9,9-二 甲基巧、二苯并巧喃和二苯并嚷吩中的任意一種。4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的含有巧挫和亞氨基巧結(jié)構(gòu)的有機光電材料，其特征在于，所述 Ak為含有取代基或不含取代基的苯環(huán)、糞環(huán)、聯(lián)苯和二苯并巧喃中的任意一種。5. -種有機電致發(fā)光器件，其特征在于，包括至少一個功能層，其中，所述功能層含有 權(quán)利要求1~4中任一項所述的有機光電材料。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述功能層為有機電致發(fā)光 器件的空穴傳輸層。
【文檔編號】H01L51/50GK105906612SQ201610272740
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年4月28日
【發(fā)明人】慈振華, 付文崗, 林存生, 張善國, 胡葆華, 孟凡民
【申請人】中節(jié)能萬潤股份有限公司