本公開涉及嵌段共聚物、嵌段共聚物的制造方法、絕緣材料、耐熱絕緣材料、組合物、絕緣體用組合物、耐熱絕緣體用組合物、印刷基板用組合物、聚酰亞胺、成形體、絕緣體、耐熱絕緣體、以及印刷基板。

背景技術(shù)：

1、隨著汽車安全駕駛輔助系統(tǒng)(driving?safety?support?system，dsss)的普及，車載毫米波雷達(dá)的需求不斷增加。對車載毫米波雷達(dá)用基板的絕緣材料要求傳輸信號的損失小、具有能耐受發(fā)動機附近的高溫的高耐熱性的樹脂。已知聚酰亞胺是耐熱性優(yōu)異的絕緣材料(例如專利文獻(xiàn)1)。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1：國際公開第2010/113412號

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的技術(shù)問題

2、本公開提供能夠得到為低介電常數(shù)、低介電損耗角正切以及低熱膨脹率的聚酰亞胺的嵌段共聚物及其制造方法。此外，本公開還提供表現(xiàn)出優(yōu)異的絕緣性、優(yōu)異的耐熱性、或者表現(xiàn)出這兩者的聚酰亞胺、成形體、絕緣體、耐熱絕緣體及印刷基板，以及能夠獲得這些中的任一者的絕緣材料、耐熱絕緣材料、組合物、絕緣體用組合物、耐熱絕緣體用組合物及印刷基板用組合物。

3、用于解決技術(shù)問題的手段

4、本發(fā)明包括以下實施方式。本發(fā)明不受以下實施方式的限制。

5、一個實施方式涉及一種嵌段共聚物，其含有聚酰亞胺嵌段(bi)和聚酰胺酸嵌段(ba)，且含有具有基團(tuán)(x)的結(jié)構(gòu)單元(x)，所述基團(tuán)(x)含有至少1個非芳香族烴基且該至少1個非芳香族烴基的合計碳數(shù)為9以上。

6、另一實施方式涉及一種嵌段共聚物，其含有聚酰亞胺嵌段(bi)和聚酰胺酸嵌段(ba)，且含有選自下述式(xi)所示的結(jié)構(gòu)單元以及下述式(xa)所示的結(jié)構(gòu)單元中的至少1種。

7、[化學(xué)式1]

8、

9、(式中，r1以及r2各自獨立地表示有機基團(tuán)，r1以及r2中的至少一者為含有至少1個非芳香族烴基且該至少1個非芳香族烴基的合計碳數(shù)為9以上的基團(tuán)(x)。)

10、[化學(xué)式2]

11、

12、(式中，r3以及r4各自獨立地表示有機基團(tuán)，r3以及r4中的至少一者為含有至少1個非芳香族烴基且該至少1個非芳香族烴基的合計碳數(shù)為9以上的基團(tuán)(x)。)

13、另一實施方式涉及一種嵌段共聚物，其含有聚酰亞胺嵌段(bi)和聚酰胺酸嵌段(ba)，且具有源自二胺或二異氰酸酯的結(jié)構(gòu)和源自四羧酸二酐的結(jié)構(gòu)，上述源自二胺或二異氰酸酯的結(jié)構(gòu)以及上述源自四羧酸二酐的結(jié)構(gòu)中的至少一者含有具有基團(tuán)(x)的結(jié)構(gòu)，所述基團(tuán)(x)含有至少1個非芳香族烴基且該至少1個非芳香族烴基的合計碳數(shù)為9以上。

14、另一實施方式涉及一種嵌段共聚物的制造方法，其包含下述步驟：使用二胺或二異氰酸酯、以及四羧酸二酐得到聚酰亞胺(pi)；使用二胺和四羧酸二酐得到聚酰胺酸(pa)；以及，使用上述聚酰亞胺(pi)和上述聚酰胺酸(pa)得到嵌段共聚物，其中，選自用于得到上述聚酰亞胺而使用的二胺或二異氰酸酯以及四羧酸二酐、以及用于得到上述聚酰胺酸而使用的二胺以及四羧酸二酐中的至少1種具有含有至少1個非芳香族烴基且該至少1個非芳香族烴基的合計碳數(shù)為9以上的基團(tuán)(x)。

15、另一實施方式涉及一種絕緣材料以及耐熱絕緣材料，其含有上述任一項的嵌段共聚物。

16、另一實施方式涉及一種組合物、絕緣體用組合物、耐熱絕緣體用組合物、以及印刷基板用組合物，其含有上述任一項的嵌段共聚物或上述任一項的材料。

17、另一實施方式涉及一種聚酰亞胺，其使用上述任一項的嵌段共聚物、上述任一項的材料、或上述任一項的組合物得到。

18、另一實施方式涉及一種成形體、絕緣體、以及耐熱絕緣體，其使用上述任一項的嵌段共聚物、上述任一項的材料、或上述任一項的組合物得到，或者含有上述聚酰亞胺。

19、另一實施方式涉及一種印刷基板，其使用上述任一項的嵌段共聚物、上述任一項的材料、或上述任一項的組合物得到，或者含有上述聚酰亞胺、上述成形體、上述絕緣體、或上述耐熱絕緣體。

20、發(fā)明效果

21、根據(jù)本公開，可以得到能夠得到為低介電常數(shù)、低介電損耗角正切以及低熱膨脹率的聚酰亞胺的嵌段共聚物及其制造方法。此外，根據(jù)本公開，可以得到顯示優(yōu)異的絕緣性、優(yōu)異的耐熱性、或者這兩者的聚酰亞胺、成形體、絕緣體、耐熱絕緣體及印刷基板、以及可以得到這些中的任一者的絕緣材料、耐熱絕緣材料、組合物、絕緣體用組合物、耐熱絕緣體用組合物及印刷基板用組合物。

技術(shù)特征：

1.一種嵌段共聚物，其含有聚酰亞胺嵌段(bi)和聚酰胺酸嵌段(ba)，且含有具有基團(tuán)(x)的結(jié)構(gòu)單元(x)，所述基團(tuán)(x)含有至少1個非芳香族烴基且該至少1個非芳香族烴基的合計碳數(shù)為9以上。

2.一種嵌段共聚物，其含有聚酰亞胺嵌段(bi)和聚酰胺酸嵌段(ba)，且含有選自下述式(xi)所示的結(jié)構(gòu)單元以及下述式(xa)所示的結(jié)構(gòu)單元中的至少1種，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的嵌段共聚物，其進(jìn)一步含有選自下述式(yi)所示的結(jié)構(gòu)單元以及下述式(ya)所示的結(jié)構(gòu)單元中的至少1種，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的嵌段共聚物，其中，以r1～r8的合計質(zhì)量為基準(zhǔn)，所述基團(tuán)(x)的含有率為5～70質(zhì)量％。

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的嵌段共聚物，其中，所述式(yi)以及所述式(ya)中，所述有機基團(tuán)(y)含有芳香族烴基。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的嵌段共聚物，其中，所述聚酰胺酸嵌段(ba)含有所述式(ya)所示的結(jié)構(gòu)單元。

7.一種嵌段共聚物，其含有聚酰亞胺嵌段(bi)和聚酰胺酸嵌段(ba)，且具有源自二胺或二異氰酸酯的結(jié)構(gòu)和源自四羧酸二酐的結(jié)構(gòu)，

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的嵌段共聚物，其中，以所述源自二胺或二異氰酸酯的結(jié)構(gòu)和所述源自四羧酸二酐的結(jié)構(gòu)的合計質(zhì)量為基準(zhǔn)，所述具有基團(tuán)(x)的結(jié)構(gòu)的含有率為3～60質(zhì)量％。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的嵌段共聚物，其中，所述源自二胺或二異氰酸酯的結(jié)構(gòu)含有源自具有所述基團(tuán)(x)的二胺或二異氰酸酯的結(jié)構(gòu)、以及源自具有芳香族烴基的二胺或二異氰酸酯的結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的嵌段共聚物，其中，所述聚酰胺酸嵌段(ba)中所含的所述源自二胺或二異氰酸酯的結(jié)構(gòu)含有源自所述具有芳香族烴基的二胺或二異氰酸酯的結(jié)構(gòu)。

11.根據(jù)權(quán)利要求1～10中任一項所述的嵌段共聚物，其中，所述至少1個非芳香族烴基為飽和脂肪族烴基、不飽和脂肪族烴基、飽和脂環(huán)式烴基、不飽和脂環(huán)式烴基、或者由選自這些基團(tuán)中的2種以上形成的基團(tuán)。

12.根據(jù)權(quán)利要求1～11中任一項所述的嵌段共聚物，其中，所述基團(tuán)(x)是碳數(shù)為9以上的飽和脂肪族烴基、碳數(shù)為9以上的不飽和脂肪族烴基、碳數(shù)為9以上的飽和脂環(huán)式烴基、碳數(shù)為9以上的不飽和脂環(huán)式烴基、或者由選自飽和脂肪族烴基、不飽和脂肪族烴基、飽和脂環(huán)式烴基、以及不飽和脂環(huán)式烴基中的2種以上形成的碳數(shù)為9以上的基團(tuán)。

13.根據(jù)權(quán)利要求1～12中任一項所述的嵌段共聚物，其中，所述基團(tuán)(x)含有飽和脂環(huán)式烴基。

14.根據(jù)權(quán)利要求1～13中任一項所述的嵌段共聚物，其中，所述基團(tuán)(x)含有碳數(shù)為6以上的直鏈狀的飽和脂肪族烴基。

15.根據(jù)權(quán)利要求1～14中任一項所述的嵌段共聚物，其中，所述碳數(shù)為12以上。

16.根據(jù)權(quán)利要求1～15中任一項所述的嵌段共聚物，其中，所述碳數(shù)為28以上。

17.根據(jù)權(quán)利要求1～16中任一項所述的嵌段共聚物，其中，所述聚酰亞胺嵌段(bi)以及所述聚酰胺酸嵌段(ba)中的僅一者含有所述基團(tuán)(x)。

18.根據(jù)權(quán)利要求1～16中任一項所述的嵌段共聚物，其中，所述聚酰亞胺嵌段(bi)以及所述聚酰胺酸嵌段(ba)兩者都含有所述基團(tuán)(x)。

19.根據(jù)權(quán)利要求1～18中任一項所述的嵌段共聚物，其中，所述聚酰亞胺嵌段(bi)的數(shù)均分子量為500～10000。

20.根據(jù)權(quán)利要求1～19中任一項所述的嵌段共聚物，其中，所述聚酰胺酸嵌段(ba)的數(shù)均分子量為500～30000。

21.一種嵌段共聚物的制造方法，其包含下述步驟：

22.一種絕緣材料，其含有權(quán)利要求1～20中任一項所述的嵌段共聚物。

23.一種耐熱絕緣材料，其含有權(quán)利要求1～20中任一項所述的嵌段共聚物。

24.一種組合物，其含有權(quán)利要求1～20中任一項所述的嵌段共聚物以及溶劑。

25.一種絕緣體用組合物，其含有權(quán)利要求1～20中任一項所述的嵌段共聚物或者權(quán)利要求22所述的絕緣材料、以及溶劑。

26.一種耐熱絕緣體用組合物，其含有權(quán)利要求1～20中任一項所述的嵌段共聚物或者權(quán)利要求23所述的耐熱絕緣材料、以及溶劑。

27.一種印刷基板用組合物，其含有權(quán)利要求1～20中任一項所述的嵌段共聚物、權(quán)利要求22所述的絕緣材料、或者權(quán)利要求23所述的耐熱絕緣材料、以及溶劑。

28.一種聚酰亞胺，其使用權(quán)利要求1～20中任一項所述的嵌段共聚物或者權(quán)利要求24所述的組合物得到。

29.一種成形體，其使用權(quán)利要求1～20中任一項所述的嵌段共聚物、權(quán)利要求22所述的絕緣材料、權(quán)利要求23所述的耐熱絕緣材料、或者權(quán)利要求24～27的任一項所述的組合物得到，或者含有權(quán)利要求28所述的聚酰亞胺。

30.一種絕緣體，其使用權(quán)利要求1～20中任一項所述的嵌段共聚物、權(quán)利要求22所述的絕緣材料、權(quán)利要求23所述的耐熱絕緣材料、或者權(quán)利要求24～27中任一項所述的組合物得到，或者含有權(quán)利要求28所述的聚酰亞胺。

31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的絕緣體，其相對介電常數(shù)為3.5以下，介電損耗角正切為0.0100以下。

32.一種耐熱絕緣體，其使用權(quán)利要求1～20中任一項所述的嵌段共聚物、權(quán)利要求22所述的絕緣材料、權(quán)利要求23所述的耐熱絕緣材料、或者權(quán)利要求24～27中任一項所述的組合物得到，或者含有權(quán)利要求28所述的聚酰亞胺。

33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的耐熱絕緣體，其相對介電常數(shù)為3.5以下，介電損耗角正切為0.0100以下，熱膨脹率為80ppm/k以下。

34.一種印刷基板，其使用權(quán)利要求1～20中任一項所述的嵌段共聚物、權(quán)利要求22所述的絕緣材料、權(quán)利要求23所述的耐熱絕緣材料、或者權(quán)利要求24～27中任一項所述的組合物得到，或者含有權(quán)利要求28所述的聚酰亞胺、權(quán)利要求29所述的成形體、權(quán)利要求30或31所述的絕緣體、或者權(quán)利要求32或33所述的耐熱絕緣體。

技術(shù)總結(jié)
本公開涉及一種嵌段共聚物，其含有聚酰亞胺嵌段(BI)和聚酰胺酸嵌段(BA)，且含有具有基團(tuán)(X)的結(jié)構(gòu)單元(X)，所述基團(tuán)(X)含有至少1個非芳香族烴基且該至少1個非芳香族烴基的合計碳數(shù)為9以上。

技術(shù)研發(fā)人員：前野智亮,川端泰典,畠山有紗
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會社力森諾科
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6