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一種可重復(fù)書寫的抗劃薄膜及其制備方法與流程

文檔序號:11581246閱讀:297來源:國知局

本發(fā)明涉及薄膜領(lǐng)域,特別是涉及一種可重復(fù)書寫的抗劃薄膜及其制備方法。



背景技術(shù):

聚乙烯薄膜可分為低密度、中密度、高密度與交聯(lián)聚乙烯等不同性能的薄膜:高密度聚乙烯薄膜的耐熱性、機械強度較好,但是透明度較差。但是交聯(lián)型聚乙烯薄膜相較于其他類型的聚乙烯產(chǎn)品有更高的拉伸強度、耐熱性、阻隔性和熱收縮率。聚乙烯薄膜通常為乙烯均聚物,廣義的來講也包括乙烯和α-烯烴的共聚物或極性乙烯基樹脂的共聚物。廣義的聚乙烯分子結(jié)構(gòu)和密度都是由鏈斷決定的,根據(jù)聚合條件的不同,高分子可以以不同方式進行支化。

傳統(tǒng)的可書寫工具一般為紙張,但是紙張多由樹木制成,切書寫后難以二次利用,需要耗費大量的資源存在環(huán)保問題。研發(fā)一種可重復(fù)書寫的薄膜具有重要的實用性價值。

中國專利cn201510976149.8公開了一種可重復(fù)書寫涂層、物件及其制備方法,其包含光致變色材料和/或酸致變色材料,所述涂層在預(yù)定波長范圍內(nèi)呈現(xiàn)變色現(xiàn)象而在可見光范圍內(nèi)不呈現(xiàn)變色現(xiàn)象,和/或所述涂層在酸性ph范圍內(nèi)不呈現(xiàn)變色現(xiàn)象。該可重復(fù)數(shù)顯涂層具有制備工藝簡單、成本低、打印精度高以及字跡持續(xù)時間長的優(yōu)點。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

本發(fā)明的目的是提供一種可重復(fù)書寫的抗劃薄膜,該薄膜便于書寫,并且易于擦除,可重復(fù)使用。并且該薄膜表面耐劃擦,使用壽命較長。

本發(fā)明的另一目的是提供該可重復(fù)書寫的抗劃薄膜的制備方法。

為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:

一種可重復(fù)書寫的抗劃薄膜的制備方法,包括以下步驟:

(1)將制得的sio2-tio2納米復(fù)合材料分散于水中,并向其中滴加聚乙二醇4000,超聲波分散均勻,之后進行離心分離,抽真空烘干后制得改性sio2-tio2納米復(fù)合材料;

(2)將改性sio2-tio2納米復(fù)合材料、線性低密度聚乙烯和氧化聚乙烯混合置于高速攪拌機中,攪拌速度為600-800rpm,溫度為110℃,攪拌混合20-30min,之后通過雙螺桿擠出機擠出切粒,制得納米材料母粒;

(3)將納米材料母粒,高密度聚乙烯,醋酸乙烯-乙烯共聚物混合均勻,置于塑料吹塑成型機中,吹制成聚乙烯薄膜。

優(yōu)選的,所述sio2-tio2納米復(fù)合材料的制備方法為:將硅酸乙酯滴加到鈦酸四丁酯的乙醇溶液中,劇烈攪拌,再滴加冰醋酸和無水乙醇的混合物,形成透明溶膠靜置60-72h,之后烘干后,研磨后在630℃條件下煅燒6h,制得sio2-tio2納米復(fù)合材料。

優(yōu)選的,所述sio2-tio2納米復(fù)合材料中sio2和tio2的質(zhì)量比為3:2。

優(yōu)選的,所述步驟(2)中各原料使用量為,以重量份數(shù)計:改性

sio2-tio2納米復(fù)合材料34份、線性低密度聚乙烯33份和氧化聚乙烯33份。

優(yōu)選的,所述步驟(2)中擠出切粒過程中機筒溫度為180-200℃。

優(yōu)選的,所述步驟(3)中各原料使用量為,以重量份數(shù)計:納米材料母粒12-21份,高密度聚乙烯45-60份,醋酸乙烯-乙烯共聚物28-34份。

優(yōu)選的,所述步驟(3)中吹塑成型機的機筒溫度為170℃。

優(yōu)選的,所述步驟(3)中吹制成的聚乙烯薄膜厚度為5μm。

一種可重復(fù)書寫的抗劃薄膜,由以上方法制備而成。

本發(fā)明具有以下有益效果,

納米二氧化鈦具有較強的親水性,可以改良聚乙烯薄膜表面的親水性,從而有利于在其表面進行書寫并易與擦除。此外納米二氧化鈦還具有自清潔作用,可以保證薄膜在長時間多次重復(fù)使用后仍保持表面的清潔。

納米二氧化硅具有提高薄膜耐磨性的功能,利用其改性聚乙烯薄膜使其具有較強的耐磨特性。將納米二氧化鈦和二氧化硅制備成復(fù)合材料使用更有利于兩者在薄膜中的分布均勻,提高薄膜的均一性,使薄膜具備可重復(fù)書寫的同時具有良好的抗劃性能。使用高密度聚乙烯和醋酸乙烯-乙烯共聚物混合吹制成膜,使薄膜具有較強的機械強度,柔韌性和抗沖擊性,具有較長的使用壽命。

具體實施方式

為了更好的理解本發(fā)明,下面通過實施例對本發(fā)明進一步說明,實施例只用于解釋本發(fā)明,不會對本發(fā)明構(gòu)成任何的限定。

實施例1

一種可重復(fù)書寫的抗劃薄膜的制備方法,包括以下步驟:

(1)將硅酸乙酯滴加到鈦酸四丁酯的乙醇溶液中,劇烈攪拌,再滴加冰醋酸和無水乙醇的混合物,形成透明溶膠靜置60h,之后烘干后,研磨后在630℃條件下煅燒6h,制得sio2-tio2納米復(fù)合材料,sio2-tio2納米復(fù)合材料中sio2和tio2的質(zhì)量比為3:2;

(2)將制得的sio2-tio2納米復(fù)合材料分散于水中,并向其中滴加聚乙二醇4000,超聲波分散均勻,之后進行離心分離,抽真空烘干后制得改性sio2-tio2納米復(fù)合材料;

(3)將改性sio2-tio2納米復(fù)合材料34份、線性低密度聚乙烯33份和氧化聚乙烯33份混合置于高速攪拌機中,攪拌速度為600rpm,溫度為110℃,攪拌混合20min,之后通過雙螺桿擠出機擠出切粒,擠出切粒過程中機筒溫度為180℃,制得納米材料母粒;

(4)將納米材料母粒12份,高密度聚乙烯60份,醋酸乙烯-乙烯共聚物28份混合均勻,置于塑料吹塑成型機中,吹塑成型機的機筒溫度為170℃,吹制成聚乙烯薄膜,吹制成的聚乙烯薄膜厚度為5μm。

使用水性筆和油性筆在制得的聚乙烯薄膜均書寫順暢,易于擦除,且不易出現(xiàn)劃痕。

實施例2

一種可重復(fù)書寫的抗劃薄膜的制備方法,包括以下步驟:

(1)將硅酸乙酯滴加到鈦酸四丁酯的乙醇溶液中,劇烈攪拌,再滴加冰醋酸和無水乙醇的混合物,形成透明溶膠靜置72h,之后烘干后,研磨后在630℃條件下煅燒6h,制得sio2-tio2納米復(fù)合材料,sio2-tio2納米復(fù)合材料中sio2和tio2的質(zhì)量比為3:2;

(2)將制得的sio2-tio2納米復(fù)合材料分散于水中,并向其中滴加聚乙二醇4000,超聲波分散均勻,之后進行離心分離,抽真空烘干后制得改性sio2-tio2納米復(fù)合材料;

(3)將改性sio2-tio2納米復(fù)合材料34份、線性低密度聚乙烯33份和氧化聚乙烯33份混合置于高速攪拌機中,攪拌速度為800rpm,溫度為110℃,攪拌混合30min,之后通過雙螺桿擠出機擠出切粒,擠出切粒過程中機筒溫度為200℃,制得納米材料母粒;

(4)將納米材料母粒21份,高密度聚乙烯45份,醋酸乙烯-乙烯共聚物34份混合均勻,置于塑料吹塑成型機中,吹塑成型機的機筒溫度為170℃,吹制成聚乙烯薄膜,吹制成的聚乙烯薄膜厚度為5μm。

使用水性筆和油性筆在制得的聚乙烯薄膜均書寫順暢,易于擦除,且不易出現(xiàn)劃痕。

實施例3

一種可重復(fù)書寫的抗劃薄膜的制備方法,包括以下步驟:

(1)將硅酸乙酯滴加到鈦酸四丁酯的乙醇溶液中,劇烈攪拌,再滴加冰醋酸和無水乙醇的混合物,形成透明溶膠靜置60h,之后烘干后,研磨后在630℃條件下煅燒6h,制得sio2-tio2納米復(fù)合材料,sio2-tio2納米復(fù)合材料中sio2和tio2的質(zhì)量比為3:2;

(2)將制得的sio2-tio2納米復(fù)合材料分散于水中,并向其中滴加聚乙二醇4000,超聲波分散均勻,之后進行離心分離,抽真空烘干后制得改性sio2-tio2納米復(fù)合材料;

(3)將改性sio2-tio2納米復(fù)合材料34份、線性低密度聚乙烯33份和氧化聚乙烯33份混合置于高速攪拌機中,攪拌速度為800rpm,溫度為110℃,攪拌混合20min,之后通過雙螺桿擠出機擠出切粒,擠出切粒過程中機筒溫度為200℃,制得納米材料母粒;

(4)將納米材料母粒15份,高密度聚乙烯55份,醋酸乙烯-乙烯共聚物30份混合均勻,置于塑料吹塑成型機中,吹塑成型機的機筒溫度為170℃,吹制成聚乙烯薄膜,吹制成的聚乙烯薄膜厚度為5μm。

使用水性筆和油性筆在制得的聚乙烯薄膜均書寫順暢,易于擦除,且不易出現(xiàn)劃痕。

實施例4

一種可重復(fù)書寫的抗劃薄膜的制備方法,包括以下步驟:

(1)將硅酸乙酯滴加到鈦酸四丁酯的乙醇溶液中,劇烈攪拌,再滴加冰醋酸和無水乙醇的混合物,形成透明溶膠靜置72h,之后烘干后,研磨后在630℃條件下煅燒6h,制得sio2-tio2納米復(fù)合材料,sio2-tio2納米復(fù)合材料中sio2和tio2的質(zhì)量比為3:2;

(2)將制得的sio2-tio2納米復(fù)合材料分散于水中,并向其中滴加聚乙二醇4000,超聲波分散均勻,之后進行離心分離,抽真空烘干后制得改性sio2-tio2納米復(fù)合材料;

(3)將改性sio2-tio2納米復(fù)合材料34份、線性低密度聚乙烯33份和氧化聚乙烯33份混合置于高速攪拌機中,攪拌速度為600rpm,溫度為110℃,攪拌混合30min,之后通過雙螺桿擠出機擠出切粒,擠出切粒過程中機筒溫度為180℃,制得納米材料母粒;

(4)將納米材料母粒18份,高密度聚乙烯52份,醋酸乙烯-乙烯共聚物30份混合均勻,置于塑料吹塑成型機中,吹塑成型機的機筒溫度為170℃,吹制成聚乙烯薄膜,吹制成的聚乙烯薄膜厚度為5μm。

使用水性筆和油性筆在制得的聚乙烯薄膜均書寫順暢,易于擦除,且不易出現(xiàn)劃痕。

實施例5

一種可重復(fù)書寫的抗劃薄膜的制備方法,包括以下步驟:

(1)將硅酸乙酯滴加到鈦酸四丁酯的乙醇溶液中,劇烈攪拌,再滴加冰醋酸和無水乙醇的混合物,形成透明溶膠靜置60-72h,之后烘干后,研磨后在630℃條件下煅燒6h,制得sio2-tio2納米復(fù)合材料,sio2-tio2納米復(fù)合材料中sio2和tio2的質(zhì)量比為3:2;

(2)將制得的sio2-tio2納米復(fù)合材料分散于水中,并向其中滴加聚乙二醇4000,超聲波分散均勻,之后進行離心分離,抽真空烘干后制得改性sio2-tio2納米復(fù)合材料;

(3)將改性sio2-tio2納米復(fù)合材料34份、線性低密度聚乙烯33份和氧化聚乙烯33份混合置于高速攪拌機中,攪拌速度為600-800rpm,溫度為110℃,攪拌混合20-30min,之后通過雙螺桿擠出機擠出切粒,擠出切粒過程中機筒溫度為180-200℃,制得納米材料母粒;

(4)將納米材料母粒20份,高密度聚乙烯51份,醋酸乙烯-乙烯共聚物29份混合均勻,置于塑料吹塑成型機中,吹塑成型機的機筒溫度為170℃,吹制成聚乙烯薄膜,吹制成的聚乙烯薄膜厚度為5μm。

使用水性筆和油性筆在制得的聚乙烯薄膜均書寫順暢,易于擦除,且不易出現(xiàn)劃痕。

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