專利名稱：一種電子基板用納米薄層保護(hù)劑的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種納米薄層保護(hù)劑，尤其涉及一種電子基板用納米薄層保護(hù)劑。
背景技術(shù)：
隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，各種電子產(chǎn)品不斷涌現(xiàn)，從而電子141(PCB)
的需求量也越來(lái)越大。然而，水、油及其它液態(tài)物質(zhì)的沾染極易導(dǎo)致電子M
短路而失靈；灰塵的堆積也會(huì)造成散熱不良，使PCB故障；各類酸械性物質(zhì)及 氣體極易發(fā)生焊接點(diǎn)、零件的腐蝕使PCB損壞；在惡劣的環(huán)境(高溫、低溫) 下運(yùn)作常使焊接點(diǎn)及零件氧化使PCB功能衰減；以及由于靜電感應(yīng)容易造成 PCB上的電子零件失效。
由上所述，現(xiàn)有電子基板不具備良好的防水、抗污、耐蝕、適應(yīng)惡劣環(huán)境、 高密封及抗靜電性能，因而極易被破壞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷提供一種電子基板用納米 薄層保護(hù)劑，在電子基板用納米薄層保護(hù)劑在電子基板上加工成膜后，使電子 基板具有防水疏水疏油性、抗污、高密性、防蝕性、適應(yīng)惡劣環(huán)境及抗靜電性。
為實(shí)現(xiàn)上述目，本發(fā)明提供一種電子基板用納米薄層保護(hù)劑，其組分包括: 疏水納米二氧化硅溶膠、偶聯(lián)劑、有;^樹(shù)脂和稀釋劑。
所述各組分的重量百分含量為疏水納米二氧化硅溶膠20%~50%,偶聯(lián)劑 1% ~ 5%,有;^樹(shù)脂20% ~ 59%,稀釋劑20% ~ 59%。
所述疏水納米二氧化硅溶膠中納米二氣化硅的重量百分含量為30%。 所述偶聯(lián)劑為硅烷偶聯(lián)劑。 所述稀釋劑選自乙醇和異丙醇。
由上所述，由于納米二氧化硅性能穩(wěn)定、微細(xì)且具高度的流動(dòng)性、流平性 及滲透性，所以本發(fā)明電子基板用納米薄層保護(hù)劑在電子基板上加工成膜后， 納米的表面效應(yīng)及其界面特性使被加工物表面具備納米蓮葉效應(yīng)，使水、油及 其它液體產(chǎn)生高張力懸浮在表面納米凸點(diǎn)上并迅速排離表面，降低液態(tài)物質(zhì)駐 留在表面的機(jī)會(huì)及時(shí)間，達(dá)到極佳的防水疏水疏油性能。同時(shí)可將表面存留的 灰塵帶離，展現(xiàn)抗污自潔性。由于納米二氧化硅是一種高介電、硬度高、耐磨 性好、耐候性佳的材料，所以使電子基板具有良好的抗靜電性能、耐磨性和惡 劣環(huán)境適應(yīng)能力。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明電子基板用納米薄層保護(hù)劑的主要組分為疏水納米二氧化硅溶 膠、偶聯(lián)劑、有機(jī)硅樹(shù)脂和稀釋劑。其中，偶聯(lián)劑為硅烷偶聯(lián)劑(KH560);稀 釋劑為乙醇或異丙醇(IPA)。本發(fā)明電子基板用納米薄層保護(hù)劑是將疏水納米 二氧化硅溶膠、偶聯(lián)劑、有M樹(shù)脂和稀釋劑混合攪拌均勻后得到。其中，偶 聯(lián)劑使疏水納米二氧化硅溶膠的納米二氧化硅分子和有機(jī)硅樹(shù)脂之間產(chǎn)生一 定的結(jié)合力。
在使用本發(fā)明電子基板用納米薄層保護(hù)劑時(shí)，將該納米薄層保護(hù)劑涂在電 子基板上并形成厚度為40 ~ 60 m m的濕膜，然后將電子基板在60- 180°溫度 條件下烘烤10-15分鐘使?jié)衲こ蔀楹穸葹? ~ 10 pi m的千膜。
由于納米二氧化硅性能穩(wěn)定、微細(xì)且具高度的流動(dòng)性、流平性及滲透性， 所以本發(fā)明電子a用納米薄層保護(hù)劑在電子基板上加工成膜后，納米的表面 效應(yīng)及其界面特性使被加工物表面具備納米蓮葉效應(yīng)，使水、油及其它液體產(chǎn) 生高張力懸浮在表面納米凸點(diǎn)上并迅速排離表面，降低液態(tài)物質(zhì)駐留在表面的 機(jī)會(huì)及時(shí)間，達(dá)到極佳的防水疏水疏油性能。同時(shí)可將表面存留的灰塵帶離， 展現(xiàn)抗污自潔性。由于納米二氧化硅是一種高介電材料，所以使電子基板具有 良好的抗靜電性能。由于納米二氧化硅硬度高，所以成膜后，因納米二氧化硅 的高密著特性使電子141耐磨性好。由于納米二氧化硅耐候性佳，所以電子基 板能在惡劣環(huán)境下工作。
下面將說(shuō)明本發(fā)明電子基板用納米薄層保護(hù)劑的具體實(shí)施例。 實(shí)施例一
本實(shí)施例電子M用納米薄層保護(hù)劑是將含顆粒度為100納米二氧化硅 為30%的疏水二氧化硅溶膠20千克、硅烷偶聯(lián)劑1千克、有M樹(shù)脂20千克 和乙醇59千克在常溫下放入容器中混合攪拌均勻后得到。 實(shí)施例二
本實(shí)施例電子基feL用納米薄層保護(hù)劑是將含顆粒度為50納米二氧化硅為
30%的疏水二氧化硅溶膠50千克、硅烷偶聯(lián)劑5千克、有枳在樹(shù)脂20千克和
異丙醇59千克在常溫下放入容器中混合攪拌均勻后得到。
實(shí)施例三
本實(shí)施例電子基板用納米薄層保護(hù)劑是將含顆粒度為10納米二氧化硅為 30%的疏水二氧化硅溶膠20千克、硅烷偶聯(lián)劑1克、有機(jī)硅樹(shù)脂59千克和乙 醇20千克在常溫下放入容器中混合攪拌均勻后得到。
當(dāng)然，以上所述實(shí)施例僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不因此而限制本發(fā)明 的保護(hù)范圍，故凡依本發(fā)明之原理所作的等效變化，均應(yīng)涵蓋于本發(fā)明的保護(hù) 范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種電子基板用納米薄層保護(hù)劑，其組分包括疏水納米二氧化硅溶膠、偶聯(lián)劑、有機(jī)硅樹(shù)脂和稀釋劑。
2. 如權(quán)利要求1所述的電子基板用納米薄層保護(hù)劑，其特征在于各組分 的重量百分含量為疏水納米二氧化硅溶膠20%~50%，偶聯(lián)劑1%~5%，有機(jī) 硅樹(shù)脂20% ~ 59%,稀釋劑20% ~ 59%。
3. 如權(quán)利要求2所述的電子基板用納米薄層保護(hù)劑，其特征在于疏水納 米二氧化硅溶膠中納米二氧化硅的重量百分含量為30%。
4. 如權(quán)利要求2所述的電子基板用納米薄層保護(hù)劑，其特征在于偶聯(lián)劑 為硅烷偶聯(lián)劑。
5. 如權(quán)利要求2所迷的電子基板用納米薄層保護(hù)劑，其特征在于稀釋劑 選自乙醇和異丙醇。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種電子基板用納米薄層保護(hù)劑，其組分包括疏水納米二氧化硅溶膠、偶聯(lián)劑、有機(jī)硅樹(shù)脂和稀釋劑。在本發(fā)明電子基板用納米薄層保護(hù)劑在電子基板上加工成膜后，由于納米二氧化硅性能穩(wěn)定、微細(xì)且具高度的流動(dòng)性、流平性及滲透性，使水、油及其它液體產(chǎn)生高張力懸浮在表面納米凸點(diǎn)上并迅速排離表面，降低液態(tài)物質(zhì)駐留在表面的機(jī)會(huì)及時(shí)間，同時(shí)可將表面存留的灰塵帶離，從而使電子基板達(dá)到極佳的防水疏水疏油性能及抗污自潔性。由于納米二氧化硅是一種高介電、硬度高、耐磨性好、耐候性佳的材料，所以使電子基板具有良好的抗靜電性能、耐磨性和惡劣環(huán)境適應(yīng)能力。
文檔編號(hào)C08L83/00GK101205364SQ20061012424
公開(kāi)日2008年6月25日 申請(qǐng)日期2006年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月18日
發(fā)明者嚴(yán)俊翰, 秦如新 申請(qǐng)人:嚴(yán)俊翰;秦如新