專利名稱：電子基板及其制造方法、電光學(xué)裝置、及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子基板及其制造方法，電光學(xué)裝置，及電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，伴隨著電子設(shè)備的小型化及高機(jī)能化，半導(dǎo)體裝置要求封裝(package) 的小型化或高密度化。作為一個(gè)例子，已知有在半導(dǎo)體元件上使用多晶硅以使電阻內(nèi)置的 技術(shù)。例如，在特開(kāi)昭58-7848號(hào)公報(bào)中，公開(kāi)有采用在多晶硅中摻雜了雜質(zhì)的多結(jié)晶粒界 以形成電阻的技術(shù)。另外，在特開(kāi)2003-46026號(hào)公報(bào)中，公開(kāi)有通過(guò)厚膜形成法，在半導(dǎo)體 元件上的再配置配線部涂布電阻糊料、使之硬化，從而形成電阻部的技術(shù)。采用設(shè)于基板上的電阻等的被動(dòng)元件進(jìn)行電阻(impedance)控制等時(shí)，需要高精 度地管理電阻值，但要確保上述的技術(shù)中所要求的精度很困難，存在無(wú)法得到可靠性高的 電阻部這樣的問(wèn)題。另外，在上述技術(shù)中，需要用于形成電阻部的獨(dú)立的工藝，產(chǎn)生生產(chǎn)性 降低這樣的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于，提供一種電子基板及其制造方法，電光學(xué)裝置，及電子設(shè)備，其 能夠容易地形成高精度的電阻部。本發(fā)明的電子基板，具有基板；配線圖案，其設(shè)于所述基板上，形成電阻元件的 一部分的配線各要素與其他的部分不同。根據(jù)該電子基板，配線圖案的一部分與其他部分比較，電阻值變高，如此使配線各 要素不同，從而能夠容易地形成電阻元件。此電阻元件，因?yàn)橛膳渚€圖案形成，所以無(wú)需用 于形成電阻元件的獨(dú)立的另一種工藝，能夠避免生產(chǎn)性的降低。通過(guò)調(diào)整配線圖案的配線 各要素，能夠高精度地形成具有希望的電阻值的電阻元件。作為此配線圖案，可以采用如下結(jié)構(gòu)與電極部連接的結(jié)構(gòu)，和至少一部分形成連 接端子的結(jié)構(gòu)。另外，作為配線圖案，也可以作為與電極部連接，至少一部分連接于外部端子的結(jié) 構(gòu)(例如，W-CSP (Wafer Level Chip Size Package)封裝體)。在此電子基板中，優(yōu)選對(duì)應(yīng)于所述配線圖案中的所述電阻元件的部分的寬度與其 他的部分不同，或者，對(duì)應(yīng)于所述配線圖案中的所述電阻元件的部分的厚度與其他的部分 不同。在此電子基板中，優(yōu)選對(duì)應(yīng)于所述配線圖案中的所述電阻元件的部分的層的數(shù)比 其他部分少。在此情況下，所述配線圖案具有第一圖案；第二圖案，其由與所述第一圖案 不同的材料被形成于所述第一圖案上，能夠形成對(duì)應(yīng)于所述電阻元件的所述第二圖案的一部分被去除的結(jié)構(gòu)。在此結(jié)構(gòu)中，例如通過(guò)蝕刻等去除第二圖案的一部分，由此能夠在配線 圖案上局部性地形成由第一圖案組成的電阻元件。通過(guò)選擇對(duì)應(yīng)第二圖案的蝕刻材料，能 夠容易地只去除第二圖案。在此情況下，所述第一圖案，優(yōu)選使用比所述第二圖案電阻值大 的材料形成。由此，可以容易地形成電阻值大的電阻元件。在此電子基板中，優(yōu)選由密封材密封所述電阻元件。由此，可以保護(hù)電阻元件，防止腐蝕和短路。在此電子基板中，優(yōu)選所述電阻元件形成于應(yīng)力緩和層上。由此，即使向基板施加 熱應(yīng)力，也能夠抑制電阻元件的可靠性和壽命的降低。在此電子基板中，優(yōu)選所述連接端子是一種凸塊(bump)電極其具有至少其頂部 由所述配線圖案覆蓋的樹(shù)脂核心。據(jù)此，因?yàn)槟軌蛟谕箟K電極的附近形成電阻元件，所以能 夠最短地形成凸塊電極和電阻元件之間的路徑，能夠極小地配線。在此電子基板中，還優(yōu)選具有半導(dǎo)體元件。據(jù)此，因?yàn)槟軌蛟诎雽?dǎo)體元件的附近形 成電阻元件，所以能夠最短地形成半導(dǎo)體元件和電阻元件之間的路徑，能夠極小地配線。在此情況下，作為半導(dǎo)體元件，可以形成如下結(jié)構(gòu)根據(jù)形成于能動(dòng)區(qū)域的配線圖 案而形成晶體管等的開(kāi)關(guān)(switching)元件的結(jié)構(gòu)；和將內(nèi)置半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體芯片安 裝于能動(dòng)區(qū)域的結(jié)構(gòu)。在此電子基板中，也可以在所述基板上半導(dǎo)體元件呈非搭載狀態(tài)。即 未設(shè)有半導(dǎo)體元件，例如也可以是硅基板狀態(tài)。本發(fā)明的電光學(xué)裝置，其特征在于，具有上述的電子基板。另外，本發(fā)明的電子設(shè) 備，其特征在于，具有上述的電子基板或電光學(xué)裝置。由此，能夠得到高精度地形成有電阻 元件的高品質(zhì)的電光學(xué)裝置及電子設(shè)備，并且能夠?qū)崿F(xiàn)不降低生產(chǎn)性的、有效的電光學(xué)裝 置制造及電子設(shè)備制造。本發(fā)明的電子基板的制造方法，具有在基板上形成配線圖案的工序；使所述配 線圖案的一部分的配線各要素與其他部分不同而形成電阻元件的工序。根據(jù)此制造方法，使配線各要素不同，以使得配線圖案的一部分與其他部分比較 電阻值高，如此能夠容易地形成電阻元件。此電阻元件，因?yàn)橛膳渚€圖案形成，所以無(wú)需用 于形成電阻元件的另一種獨(dú)立的工藝，能夠避免生產(chǎn)性的降低。通過(guò)調(diào)整配線圖案的配線 各要素，能夠高精度地形成具有希望的電阻值的電阻元件。作為此配線圖案，可以采用如下 結(jié)構(gòu)與電極部連接的結(jié)構(gòu)；和至少有一部分形成連接端子的結(jié)構(gòu)。另外，作為配線圖案， 也可以作為與電極部連接，至少一部分連接于外部端子的結(jié)構(gòu)(例如，W-CSP (Wafer Level Chip Size Package) ^f^f^ )。在此制造方法中，優(yōu)選形成所述電阻元件的工序，具有除去所述配線圖案的一部 分的工序。在此制造方法中，優(yōu)選所述配線圖案具有第一圖案；第二圖案，其由與所述第一 圖案不同的材料形成于所述第一圖案上，形成所述電阻元件的工序，具有除去對(duì)應(yīng)于所述 電阻元件的所述第二圖案的一部分的工序。在此制造方法中，通過(guò)例如蝕刻等除去第二圖 案的一部分，由此能夠在配線圖案上局部地形成由第一圖案構(gòu)成的電阻元件。通過(guò)選擇對(duì) 應(yīng)于第二圖案的蝕刻材料，能夠輕易地只除去第二圖案。在此情況下，所述第一圖案，優(yōu)選 由比所述第二圖案電阻值大的材料形成。據(jù)此，可以容易地形成電阻值大的電阻元件。在此制造方法中，優(yōu)選具有由密封材密封所述電阻元件的工序。由此，可以保護(hù)電阻元件，防止腐蝕和短路。 在此制造方法中，還優(yōu)先具有在所述配上形成保持膜的工序；剝離所述配 線圖案的一部分的區(qū)域中的所述保護(hù)膜，而形成開(kāi)口部的工序，形成所述電阻元件的工序， 具有通過(guò)所述開(kāi)口部，除去所述配線圖案的一部分的工序。由此，在連接端子上，例如為了 設(shè)置焊球而形成保護(hù)膜時(shí)，與連接端子用的開(kāi)口部一起形成電阻元件用的開(kāi)口部，如果通 過(guò)此電阻元件用的開(kāi)口部除去配線圖案的一部分，則不用設(shè)置形成另外的電阻元件用的開(kāi) 口部的工序，可以容易地形成電阻元件。


圖1是表示作為電光學(xué)裝置的一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的模式圖。圖2是液晶顯示裝置中的半導(dǎo)體裝置的安裝結(jié)構(gòu)的說(shuō)明圖。圖3是半導(dǎo)體裝置的立體圖。圖4A及4B是放大表示半導(dǎo)體裝置的端子部分的圖。圖5A、5B、5C、5D、5E、5F及5G，是用于說(shuō)明半導(dǎo)體裝置的制造方法的工序圖。圖6A、6B、6C、6D及6E，是用于說(shuō)明封裝體的制造方法的工序圖。圖7是表示封裝體的變形例的剖面圖。圖8是表示電子設(shè)備的一個(gè)示例的立體圖。圖9A及9B是表示電阻元件的變形例的平面圖。圖IOA及IOB是表示電阻元件的變形例的平面圖。圖11是用于說(shuō)明微調(diào)整電阻值的方法的圖。圖12是表示溫度和電阻值的關(guān)系的圖。
具體實(shí)施例方式以下，參照從圖1至圖12，說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。[電光學(xué)裝置]圖1是表示作為電光學(xué)裝置的一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的模式圖。圖示的液晶 顯示裝置100，具有液晶面板110 ；半導(dǎo)體裝置121。根據(jù)需要，可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)置未圖示的 偏光板、反射片、背景光(back light)等的附屬構(gòu)件。液晶面板110，具有由玻璃和塑料等構(gòu)成的基板111及112?；?11和基板112 被相對(duì)配置，通過(guò)未圖示的密封材等相互粘合。在基板111和基板112之間封入作為電光 學(xué)物質(zhì)的液晶(未圖示)。在基板111的內(nèi)面上，形成有由ITO(Indium Tin Oxide)等的透 明導(dǎo)電體構(gòu)件的電極111a。在基板112的內(nèi)面上，形成有與上述電極Illa相對(duì)配置的電極 112a。使電極Illa及電極112a垂直地配置。電極Illa及電極112a被引出至基板突出部 111T，在其端部，分別形成有電極端子Illbx及電極端子lllcx。另外，在基板突出部IllT 的端緣附近形成有輸入配線llld，在其內(nèi)端部還形成有端子llldx。在基板突出部IllT上，通過(guò)密封樹(shù)脂122，安裝有半導(dǎo)體裝置121。半導(dǎo)體裝置 121，是例如驅(qū)動(dòng)液晶面板110的液晶驅(qū)動(dòng)用IC芯片。在半導(dǎo)體裝置121的下面，形成有 未圖示的多個(gè)的凸塊電極，這些凸塊分別被導(dǎo)電連接于基板突出部IllT上的端子lllbx、 lllcx、llldx。
在形成于輸入配線Illd的外端部的輸入端子Illdy上，通過(guò)各向異性導(dǎo)電膜124 而安裝有軟性配線基板123。輸入端子llldy，分別導(dǎo)電連接于設(shè)于軟性配線基板123上的 未圖示的配線。通過(guò)軟性配線基板123，從外部向輸入端子Illdy供給控制信號(hào)、顯像信號(hào)、 電源電位等，在半導(dǎo)體裝置121中生成液晶驅(qū)動(dòng)用的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，供于液晶面板110。根據(jù)如上構(gòu)成的本實(shí)施方式的液晶顯示裝置100，通過(guò)半導(dǎo)體裝置121，向電極 11 Ia和電極112a之間外加適當(dāng)?shù)碾妷?，由此能夠使相?duì)配置有兩電極11 la、112a的像素部 分的液晶再取向而調(diào)制光線，據(jù)此能夠在液晶面板110內(nèi)的排列有像素的顯示區(qū)域，形成 希望的圖像。圖2是圖1的H-H線的側(cè)面剖面圖，是上述液晶顯示裝置100中的半導(dǎo)體裝置121 的安裝結(jié)構(gòu)的說(shuō)明圖。如圖2所示，在半導(dǎo)體裝置121的能動(dòng)面(圖示為下面)上，作為IC 側(cè)端子，設(shè)有多個(gè)的凸塊電極10作為連接端子，其先端直接導(dǎo)電接觸于上述基板111的端 子lllbx、llldx。在凸塊電極10和端子lllbx、llldx之間的導(dǎo)電接觸部分的周圍，填充有 由熱硬化性樹(shù)脂等 構(gòu)成的被硬化的密封樹(shù)脂122。(第1實(shí)施方式)接下來(lái)，說(shuō)明作為第1實(shí)施形成的電子基板的半導(dǎo)體裝置121的端子構(gòu)造。圖3 是表示形成有端子的半導(dǎo)體裝置121的能動(dòng)面?zhèn)鹊臉?gòu)造的部分立體圖。半導(dǎo)體裝置121，是例如驅(qū)動(dòng)液晶顯示裝置的像素的IC芯片，在其能動(dòng)面?zhèn)?，?成有薄膜晶體管等的多個(gè)的電子元件，和連接各電子元件間的配線等的電子電路(集成電 路)等的半導(dǎo)體元件(均未圖示)。在圖3所示的半導(dǎo)體裝置121中，沿著基板P的能動(dòng)面121a的長(zhǎng)邊，整列配置有多 個(gè)的電極極板(電極部)24。此電極極板24，被從上述的電子元件等引出，作為電子電路的 外部電極發(fā)揮作用。另外，在能動(dòng)面121a的電極極板列24a的內(nèi)側(cè)，沿此電極極板列24a， 形成有直線狀連接的樹(shù)脂突起12。此外，從各電極極板24的表面到樹(shù)脂突起12的表面，形 成有作為結(jié)合各電極極板24和樹(shù)脂突起12的頂部的配線圖案(金屬配線)的多個(gè)的導(dǎo)電 膜20。凸塊電極10，其構(gòu)成為包括作為核心的樹(shù)脂突起12，和配設(shè)于樹(shù)脂突起12的表面的 各導(dǎo)電膜20。還有，在圖3的示例中，在電極極板列24a的內(nèi)側(cè)配置樹(shù)脂突起12，不過(guò)也可 以在電極極板24a的外側(cè)配置樹(shù)脂突起12。圖4A及4B，是表示凸塊電極10的要部結(jié)構(gòu)的圖，圖4A是凸塊電極的周邊的平面 放大圖，圖4B4A-A線的側(cè)面剖面圖。如圖4A及4B所示，在半導(dǎo)體裝置121的能動(dòng)面121a的周圍邊緣部，排列形成有 由Al等的導(dǎo)電性材料構(gòu)成的多個(gè)電極極板24。在半導(dǎo)體裝置121的能動(dòng)面整體，形成有由 SiN等的電絕緣性材料構(gòu)成的作為保護(hù)膜的鈍化(passivati0n)膜26。在上述的各電極極 板24的表面，形成有鈍化膜26的開(kāi)口部26a。也可以在鈍化膜26上，在開(kāi)口部以外的整個(gè) 表面或一部分，再形成應(yīng)力緩和性高的、聚酰亞胺等的有機(jī)樹(shù)脂膜。在此鈍化膜26的表面，在電極極板列24a的內(nèi)側(cè)，形成有樹(shù)脂突起12。樹(shù)脂突起 12，從半導(dǎo)體裝置121的能動(dòng)面121a突出形成，以大致相同的高度直線狀地延伸，與電極極 板列24a平行配設(shè)。樹(shù)脂突起12，由具有彈性的如下樹(shù)脂材構(gòu)成聚酰亞胺樹(shù)脂和丙烯樹(shù) 脂；酚醛樹(shù)脂；環(huán)氧樹(shù)脂；硅酮樹(shù)脂；變性聚酰亞胺樹(shù)脂等，使用例如噴墨(ink jet)法形 成。樹(shù)脂突起12的剖面形狀，優(yōu)選為如圖4B所示的半圓形和梯形等易于彈性變形的形狀。如此，在與對(duì)手側(cè)基板的抵接時(shí)，可以容易地使凸塊電極10彈性變形，能夠提高與手手側(cè) 基板的導(dǎo)電連接的可靠性。 從各電極極板24的表面越過(guò)樹(shù)脂突起12的表面，形成有結(jié)合各電極極板24和樹(shù) 脂突起12的頂部的導(dǎo)電膜20。導(dǎo)電膜20，在與電極極板24相反側(cè)的端部，通過(guò)在與導(dǎo)電 膜20垂直的方向上延伸的導(dǎo)電膜(配線圖案)21，成形為與鄰接的導(dǎo)電膜20連接的大致U 字形。導(dǎo)電膜20、21，具有雙層配線結(jié)構(gòu)，該雙層配線結(jié)構(gòu)由如下構(gòu)成配置于下層的導(dǎo)電 膜(第一圖案)20a、21a;層疊于導(dǎo) 電膜20a、21a上的導(dǎo)電膜(第二圖案)20b、21b。在本實(shí)施方式中，均通過(guò)濺射，由TiW形成導(dǎo)電膜20a、21a，厚度為3000 7000 A (這里為3000 A )，導(dǎo)電膜20b、21b，由比導(dǎo)電膜20a、21a電阻值大的Au形成，厚度為 1000 5000 A (這里為1000 A)。在導(dǎo)電膜21中，設(shè)有除去導(dǎo)電膜21b的一部分使導(dǎo)電 膜21a露出而形成的電阻元件R。所使用的各個(gè)導(dǎo)電膜的材質(zhì)、膜組成和電阻部的面積，可能根據(jù)希望得到的電阻 值而適度變更。以下，在本實(shí)施方式中，說(shuō)明雙層導(dǎo)電膜的結(jié)構(gòu)，雖然詳情將后述，但也可以 根據(jù)希望得到的電阻值和溫度特性，組合三層以上的導(dǎo)電膜。另外，導(dǎo)電膜的形成，除濺射 以外，還可以采用蒸鍍、鍍敷等公知的方法。如前圖1所示，上述的凸塊電極10，通過(guò)密封樹(shù)脂122被熱壓接于基板111上的 端子lllbx。密封樹(shù)脂122是熱硬化性樹(shù)脂，在安裝前為未硬化狀態(tài)或半硬化狀態(tài)。如果 密封樹(shù)脂122呈未硬化狀態(tài)，則安裝前在半導(dǎo)體裝置121的能動(dòng)面(圖示為下面)或基板 111的表面涂布密封樹(shù)脂122即可。如果密封樹(shù)脂122呈半硬化狀態(tài)，則作為膜狀或片狀， 在半導(dǎo)體裝置121和基板111之間配置密封樹(shù)脂122即可。作為密封樹(shù)脂122，一般采用環(huán) 氧樹(shù)脂，不過(guò)，也可以是能夠達(dá)到相同的目的的其他樹(shù)脂。半導(dǎo)體裝置121的安裝，如下而進(jìn)行使用未圖示的熱壓頭，一邊加熱及加壓，一 邊將半導(dǎo)體裝置121配置于基板111上。這時(shí)，密封樹(shù)脂122在初期由于加熱而軟化，擠開(kāi) 該軟化的樹(shù)脂，使凸塊電極10的頂部與端子Illbx導(dǎo)電接觸。由于上述的加壓，作為內(nèi)部樹(shù) 脂的樹(shù)脂突起12被擠壓，在接觸方向(圖示為上下方向)上進(jìn)行彈性變形。若以此狀態(tài)再 繼續(xù)加熱，則因?yàn)槊芊鈽?shù)脂122交聯(lián)而熱硬化，所以即使解除外加壓力，由于密封樹(shù)脂122， 凸塊電極10也可以與端子Illbx導(dǎo)電接觸，并且保持為彈性變形的狀態(tài)。[半導(dǎo)體裝置的制造方法]接下來(lái)，說(shuō)明半導(dǎo)體裝置的制造方法，特別是形成上述凸塊電極10的工序。圖5A 5G，是表示半導(dǎo)體裝置121的制造方法的一個(gè)示例的工序圖。此制造工 序，具有形成鈍化膜26的工序；形成樹(shù)脂突起12的工序；形成導(dǎo)電膜20、21的工序。在 本實(shí)施方式中，采用噴墨法形成樹(shù)脂突起12。首先，如圖5A所示，在形成有未圖示的半導(dǎo)體元件的基板P的能動(dòng)面121a上，形 成鈍化膜26。即，通過(guò)成膜法在基板P上形成SiO2和SiN等的鈍化膜之后，通過(guò)使用光刻法 (photolithography)的圖案形成，形成電極極板24露出的開(kāi)口部26a。開(kāi)口部26a的形成， 是在鈍化膜26上，通過(guò)旋涂法、浸漬法、噴涂法等形成抗蝕層(resist)，再采用形成有規(guī)定 的圖案的掩膜(mask)，對(duì)抗蝕層實(shí)施曝光處理及顯影處理，形成規(guī)定形狀的抗蝕圖(resist pattern)(未圖示)。此后，將此抗蝕圖作為掩膜，進(jìn)行所述膜的蝕刻，形成使電極極板24 露出的開(kāi)口部26a，使用剝離液等除去抗蝕圖。在蝕刻中，優(yōu)選使用干蝕刻(dry etching),作為干蝕刻最好使用反應(yīng)性離子蝕刻(RIE =Reactive Ion Etching)。作為蝕刻也可以使 用濕法蝕刻法。在鈍化膜26上，也可以再采用光刻法等，在開(kāi)口部以外的整個(gè)表面或一部分，形 成應(yīng)力緩和性高的、聚酰亞胺等的有機(jī)樹(shù)脂膜。即，由以下方法形成的電阻元件R，也可以形 成于有機(jī)樹(shù)脂膜(絕緣膜)上。接著，如圖5B所示，在形成有電極極板24及鈍化膜26的基板P的能動(dòng)面121a上， 采用噴墨法(液滴吐出方式)形成樹(shù)脂突起12。此噴墨法，從設(shè)于液滴吐出頭的噴嘴，吐 出(滴下)控制在1滴的液量的液滴狀的樹(shù)脂材(液體材料)，并且使噴嘴面向基板P，再 使噴嘴和基板P相對(duì)移動(dòng)，由此在基板P上形成樹(shù)脂材的預(yù)期形狀的膜圖案。通過(guò)熱處理 此膜圖案而得到樹(shù)脂突起12。在此，通過(guò)從液滴吐出頭滴下大量的液滴而進(jìn)行樹(shù)脂材的配置，可以任意設(shè)定由 樹(shù)脂材組成的膜的形狀，并且基于樹(shù)脂材的層疊的樹(shù)脂突起12的厚膜化成為可能。例如， 通過(guò)重復(fù)在基板P上配置樹(shù)脂材的工序，和干燥樹(shù)脂材的工序，樹(shù)脂材的干燥膜被層疊，從 而能夠確實(shí)地使樹(shù)脂突起12厚膜化。另外，通過(guò)從設(shè)于液滴吐出頭的多個(gè)噴嘴滴下包含樹(shù) 脂材的液滴，可以逐個(gè)部分地控制樹(shù)脂材的配置量和配置的時(shí)刻。以光刻法等形成樹(shù)脂突 起12，通過(guò)在硬化時(shí)使突起周邊垂下，也可以得到希望的樹(shù)脂突起12的形狀。接著，如圖5C所示，從電極極板24的表面至樹(shù)脂突起12的表面，形成作為覆蓋電 極極板24和樹(shù)脂突起12的頂部的金屬配線的導(dǎo)電膜20a、21a。導(dǎo)電膜20a、21a，在此不進(jìn) 行圖案形成，而是全面地制膜。接著，如圖5D所示，通過(guò)濺射在導(dǎo)電膜20a、21a上形成導(dǎo)電膜20b、21b。導(dǎo)電膜 20b,21b也不進(jìn)行圖案形成，而是全面地制膜。此后，與鈍化膜26同樣，通過(guò)使用光刻法的 圖案形成，形成圖3、4A、及4B所示的形狀的導(dǎo)電膜20b、21b。具體來(lái)說(shuō)，是在導(dǎo)電膜20b、21b上，通過(guò)旋涂法、浸漬法、噴涂法等形成抗蝕層，再 采用形成有規(guī)定的圖案的掩膜，對(duì)抗蝕層實(shí)施曝光處理及顯影處理，形成規(guī)定形狀的抗蝕 圖(規(guī)定的配線圖案以外的區(qū)域開(kāi)口的圖案)。此后，將此抗蝕圖作為掩膜，進(jìn)行所述膜的 蝕刻，通過(guò)使用剝離液等除去抗蝕圖，得到規(guī)定形狀的導(dǎo)電膜20b、21b。接著，通過(guò)將圖案形成的導(dǎo)電膜20b、21b作為掩膜，進(jìn)行蝕刻處理，如圖5E所示， 導(dǎo)電膜20a、21a被圖案形成為與導(dǎo)電膜20b、21b相同的形狀。其結(jié)果，形成有層疊為雙層 的導(dǎo)電膜20、21。接著，為了形成電阻元件R，如圖5F所示，在導(dǎo)電膜20、21(在未形成導(dǎo)電膜20、21 的區(qū)域?yàn)殁g化膜26)上，通過(guò)與上述相同的方法，形成抗蝕層(樹(shù)脂材)22。接下來(lái)，使用掩膜，其具有對(duì)應(yīng)于電阻元件R的形狀、位置的開(kāi)口，對(duì)抗蝕層實(shí)施曝光處理及顯影處理，如圖5G所示，在抗蝕層22形成開(kāi)口部22a。將抗蝕層22作為掩膜， 選擇性地進(jìn)行蝕刻僅除去導(dǎo)電膜21b，使導(dǎo)電膜21a露出。作為這時(shí)的蝕刻液，可使用例如 氯化鐵和過(guò)硫酸銨等。通過(guò)使用剝離液等除去抗蝕層22，如圖4A及4B所示，導(dǎo)電膜21之 中，形成有電阻值高的電阻元件R。這里，電阻元件R的材質(zhì)和膜厚、面積，根據(jù)所要求的電阻值而設(shè)定。構(gòu)成導(dǎo)電膜 的20a、21a的TiW厚1000 A的情況下，為7 X 10_2 Ω / μ m2左右，構(gòu)成導(dǎo)電膜的20b、21b的 Au厚3000 A的情況下，為2Χ1(Γ4Ω/μπι2左右。當(dāng)電阻元件R被要求70 Ω的電阻值時(shí)，以例如幅10 μ m，長(zhǎng)100 μ m的大小除去導(dǎo)電膜20b、21b而形成電阻元件R即可。這時(shí)，與位于上層的導(dǎo)電膜20b、21b相比，位于下層的導(dǎo)電膜20a、21a的電阻值大的結(jié)構(gòu)，有利于得到更 大的電阻值。通過(guò)變更上述的導(dǎo)電膜的厚度，或者電阻元件R的面積，能夠容易地形成例如作 為終端電阻值一般被采用的50 Ω的電阻元件R。此后，如圖4Β雙點(diǎn)劃線所示，通過(guò)由阻焊膜(solder resist)等的樹(shù)脂材料(密 封材)覆蓋電阻元件R而形成密封膜23。由此，電阻元件R的耐濕性等提高。保護(hù)模23， 優(yōu)選其形成至少要覆蓋電阻元件R，例如能夠通過(guò)采用光刻法和液滴吐出方式、印刷法、分 配法(dispense)等形成。如以上說(shuō)明，在本實(shí)施方式中，是在導(dǎo)電膜21的配線各要素(線寬、厚度)之中， 使一部分的厚度與其他的部分不同，具體來(lái)說(shuō)，因?yàn)橹焕脤?dǎo)電膜21a，很薄地形成導(dǎo)電膜 21的一部分來(lái)形成電阻元件，所以無(wú)需重新安裝電阻構(gòu)件等，就能夠容易地形成電阻部。另外，在本實(shí)施方式中，因?yàn)橥ㄟ^(guò)電極極板24，在半導(dǎo)體元件的附近形成電阻元件 R，所以能夠使從半導(dǎo)體元件向電阻元件R的電路徑最短地形成，可以讓多余的配線最小。 為此，能夠最小地抑制配線產(chǎn)生的寄生電容、短截線(stub)等，特別是能夠使高頻區(qū)域的 電特性(損耗、噪音輻射)提高。另外，在本實(shí)施方式中，因?yàn)槟軌蚋鶕?jù)形成電阻元件R的材料、及電阻元件R的 面積來(lái)設(shè)定電阻值，所以可以高精度確保希望的電阻值，能夠使作為半導(dǎo)體裝置(電子基 板)121的可靠性提高。特別是在本實(shí)施方式中，因?yàn)樾纬蓪?dǎo)電膜20、21，是通過(guò)濺射、鍍敷、光刻法等，膜 組成及厚度精度、尺寸精度優(yōu)異的方法，所以可以更高精度地控制、管理電阻元件R的電阻值。另外，在本實(shí)施方式中，因?yàn)槭峭ㄟ^(guò)除去雙層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電膜21之中的導(dǎo)電膜21b， 而形成電阻元件R，所以要根據(jù)位于上層的導(dǎo)電膜21b的材料適當(dāng)?shù)剡x擇蝕刻液，由此能夠 容易地形成電阻元件R。特別是在本實(shí)施方式中，因?yàn)槲挥谙聦拥膶?dǎo)電膜21a具有比上層的導(dǎo)電膜21b大 的電阻，所以可能容易地得到更大的電阻值?？傊?，在本實(shí)施方式中，根據(jù)作為電阻的必要值，在膜的種類和層疊結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電膜 中，無(wú)論選擇使用哪層的導(dǎo)電膜，都能夠使電阻的范圍、耐容許電流值的設(shè)計(jì)選擇度提高。 還有，三層以上的結(jié)構(gòu)也同樣。(第2實(shí)施方式)繼續(xù)，說(shuō)明第2實(shí)施方式的電子基板。在第2實(shí)施方式中，參照?qǐng)D6A 6E，說(shuō)明將 本發(fā)明應(yīng)用于作為電子基板的W-CSP (Wafer Level Chip SizePackage)封裝體的情況。在 這些圖中，對(duì)于與圖1 5G所示的第1實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)要素相同的要素，附加同一符號(hào)，省 略其說(shuō)明。在本實(shí)施方式中，對(duì)于圖6A所示的封裝體(電子基板)CSP，采用形成焊球的工序， 形成電阻元件。在此封裝體CSP中，具有導(dǎo)電膜20a、20b的雙層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電膜20，在連接于電極極 板24的一端側(cè)，在鈍膜26上配線，在另一端側(cè)，在形成于鈍膜26上的應(yīng)力緩和層33上配線。應(yīng)力緩和層33，由樹(shù)脂(合成樹(shù)脂)形成。作為用于形成該應(yīng)力緩和層33的形成 材料，可以是聚酰亞胺樹(shù)脂、硅酮變性聚酰亞胺樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、硅酮變性環(huán)氧樹(shù)脂、丙烯樹(shù) 月旨、酚醛樹(shù)脂、BCB(benzocyclobutene)及 PBO (polybenzoxazole)等絕緣性的材料。接下來(lái)，說(shuō)明對(duì)封裝體CSP，形成焊球及電阻元件的步驟。首先，如圖6A所示，在包含導(dǎo)電膜20上(沒(méi)有形成導(dǎo)電膜20的區(qū)域中鈍化膜 26或應(yīng)力緩和層33上)的基板P上的整個(gè)面，通過(guò)旋涂法、浸漬法、噴涂法等涂布阻焊劑 (solder resist) 42 (形成阻焊層 42)。接著，采用具有對(duì)應(yīng)焊球部及電阻元件的形狀、位置的開(kāi)口的掩膜，對(duì)抗蝕層實(shí)施 曝光處理及蝕刻處理，如圖6B所示，在阻焊層42上，形成導(dǎo)電膜20 (導(dǎo)電膜20b)露出的焊 球用的開(kāi)口部42a及電阻元件用的開(kāi)口部42b。此后，如圖6C所示，在開(kāi)口部42a內(nèi)的導(dǎo)電 膜20上作為凸塊，搭載由例如無(wú)鉛焊錫構(gòu)成的焊球43。然后，如圖6D所示，將阻焊層42作為掩膜，選擇性地蝕刻只除去導(dǎo)電膜20b，使導(dǎo) 電膜20a露出。作為這時(shí)的蝕刻液，使用例如氯化鐵和過(guò)硫酸銨等。由此，在導(dǎo)電膜20的一部分中，形成由導(dǎo)電膜20a構(gòu)成的電阻元件R。此后，如圖 6E所示，通過(guò)由樹(shù)脂等的密封材44密封開(kāi)口部42b，使電阻元件R的耐濕性等提高。如此， 內(nèi)置電阻元件R的封裝體CSP完成。在本實(shí)施方式中，與上述第1實(shí)施方式同樣，對(duì)于W-CSP等的封裝體，也能夠容易 地內(nèi)置高精度地設(shè)定了電阻值的電阻元件R。還有，在上述第2實(shí)施方式中，是作為挾隔焊球43，在電極極板24的相反側(cè)設(shè)置電 阻元件R的結(jié)構(gòu)，但并不限定于此，例如圖7所示，也可是在從電極極板24到朝向焊球43 的導(dǎo)電膜20 (所謂再配置配線)的途中，設(shè)置電阻元件R的結(jié)構(gòu)。[電子設(shè)備]接下來(lái)，說(shuō)明具有上述的電光學(xué)裝置或半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備。圖8是表示本發(fā)明的電子設(shè)備的一個(gè)示例的立體圖。該圖所示的移動(dòng)電話1300， 具有上述的電光學(xué)裝置作為小尺寸的顯示部1301，多個(gè)的操作按鈕1302，接耳端1303，及 話筒1304。上述的電光學(xué)裝置，不限于上述移動(dòng)電話，還能夠適用作為如下的圖像顯示機(jī)構(gòu) 電子書；個(gè)人電腦；數(shù)字靜物攝影機(jī)；液晶電視；取景器型或監(jiān)視器直視型的錄像機(jī)；汽車 導(dǎo)航裝置；尋呼機(jī)；電子筆記本；電子計(jì)算器；文字處理機(jī)；工作站；電視電話；POS終端；具 有觸摸屏的設(shè)備等等，無(wú)論在任何情況下，都能夠提供高精度地確保電阻值，品質(zhì)優(yōu)異的電 子設(shè)備。以上，參照附圖，說(shuō)明本發(fā)明的最佳的實(shí)施方式，不過(guò)，本發(fā)明當(dāng)然不被限定于涉 及到的示例。在上述的示例中所示的各結(jié)構(gòu)構(gòu)件的各個(gè)形狀和組合等是一個(gè)例子，在沒(méi)有 超出本發(fā)明的主旨的范圍中，可以基于設(shè)計(jì)要求等進(jìn)行各種變更。例如，在上述實(shí)施方式中，是在導(dǎo)電膜21上形成電阻元件R的結(jié)構(gòu)，但并不限定于 此，也可以是在導(dǎo)電膜20形成電阻元件的結(jié)構(gòu)。另外，在上述實(shí)施例中，是鄰接的導(dǎo)電膜20 由導(dǎo)電膜21連接的結(jié)構(gòu)，但并不限于此，也可以作為在成為外部連接端子的再配置配線的 一部分，設(shè)置電阻元件的結(jié)構(gòu)。
此外，在上述實(shí)施方式中，是在導(dǎo)電膜20與電極極板24相反側(cè)的端部，由導(dǎo)電膜 21連接的結(jié)構(gòu)，但除此之外，也可以例如像圖9A所示，是在凸塊電極10和電極極板24之 間，通過(guò)導(dǎo)電膜21連接導(dǎo)電膜20的結(jié)構(gòu)，和如圖9B所示，是在電極極板24側(cè)的端部，通過(guò) 導(dǎo)電膜21連接導(dǎo)電膜20的結(jié)構(gòu)。另外，在上述實(shí)施方式中，是通過(guò)除去雙層結(jié)構(gòu)的電極膜21之中的一層，而形成 電阻元件R的結(jié)構(gòu)，但并不限定于此，即使是一層構(gòu)造的電極膜和三層以上的電極膜也可 以適用。例如，如果是一層構(gòu)造的電極膜，則可以通過(guò)調(diào)整例如蝕刻時(shí)間，使電阻部的厚度 比其他位置的厚度薄，如此調(diào)整而成為預(yù)期的電阻值。另外，作為三層構(gòu)造的電極膜，通過(guò) 例如濺射形成Tiw-Cu后，通過(guò)鍍敷能夠成為層疊Cu的結(jié)構(gòu)。除去鍍Cu產(chǎn)生的電極膜，利 用濺射由Tiw-Cu形成電阻元件，除去Cu(濺射)-Cu(鍍敷)的電極膜，僅以Tiw的電極膜 也可以形成電阻元件。此外，即使是雙層構(gòu)造的電極膜，在厚度方向也會(huì)有一部分上層的導(dǎo)電膜21b殘留，也可以由殘留的導(dǎo)電膜21b及下層的導(dǎo)電膜21a形成電阻元件。此外也可以構(gòu)成為在 除去導(dǎo)電膜21b之后，對(duì)于導(dǎo)電膜21a也實(shí)施蝕刻處理，通過(guò)更薄的導(dǎo)電膜21a，形成具有更 高的電阻值的電阻元件。在任何情況下，通過(guò)根據(jù)希望的電阻值部分地除去導(dǎo)電膜，都可以 容易地形成具有該電阻值的電阻元件。此外，作為形成電阻元件的方法，不限定于除去厚度方向的情況。通過(guò)使導(dǎo)電膜 (配線圖案)的一部分的幅度與其他的部分相比小也能夠?qū)崿F(xiàn)。也可以形成如下的電阻元 件例如，如圖IOA所示，由與其他的部分相比要細(xì)的線寬、具有彎曲的形狀的蛇行型的電 極膜所形成的電阻值大的電阻元件，和如圖IOB所示，具有電阻大的頸縮部(收縮形狀)的 電阻元件。另外，在上述實(shí)施方式中，對(duì)通過(guò)導(dǎo)電膜的厚度和幅度調(diào)整電阻元件的電阻值加 以說(shuō)明，但如圖11所示，對(duì)于在導(dǎo)電膜21的一部分使導(dǎo)電膜21a露出而形成的電阻元件R， 也可以構(gòu)成為采用激光等切邊(trimming)，而設(shè)置切割下導(dǎo)電膜21a的一部分(除去)的 切口部Ra。這時(shí)，通過(guò)調(diào)整切口部Ra的大小(即關(guān)于導(dǎo)電膜21a的大小)，也能夠微調(diào)整電阻 值，可以更容易地形成高精度的電阻元件。特別是，在上述實(shí)施方式中，因?yàn)樵诎雽?dǎo)體裝置 121的表面附近配置有電阻元件R，所以可以容易地進(jìn)行電阻值的微調(diào)整。另外，上述實(shí)施方式所示的導(dǎo)電膜(電阻元件)的材料是一個(gè)示例，其他的例如也 可以使用Ag、Ni、Pd、Al、Cr、Ti、W、NiV等，或無(wú)鉛焊錫等的導(dǎo)電性材料等。在此情況下，采 用多種的材料形成層疊結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電膜時(shí)，優(yōu)選使位于下層的導(dǎo)電膜比位于上層的導(dǎo)電膜電 阻值大，如此而選擇材料。通過(guò)材料的選擇和組合，得到的不僅是想要的電阻值，例如，著眼于各材料所持有 的電阻_溫度特性，通過(guò)適當(dāng)?shù)貙?duì)它們進(jìn)行組合，也能夠得到想要的電阻_溫度特性。另外，上述的導(dǎo)電膜20、21，在本實(shí)施方式中，使用濺射和鍍敷法而形成，不過(guò)也可 以采用噴墨法。另外，在上述實(shí)施方式中，使用了電子基板具有半導(dǎo)體元件而成的半導(dǎo)體裝置的 例子，作為本發(fā)明的電子基板，不一定要設(shè)置半導(dǎo)體元件，也包括在例如半導(dǎo)體芯片等的 外部設(shè)備的搭載區(qū)域(能動(dòng)區(qū)域)，未搭載外部設(shè)備的非搭載狀態(tài)的硅基板；和玻璃基板；陶瓷基板；有機(jī)基板；薄膜基板。在此情況下，本發(fā)明的電子基板，也可以構(gòu)成為其通過(guò)凸 塊電極10，而連接于例如具有半導(dǎo)體元件的電路基板等，也可以在這些基板上嵌入其他的 電子電路。它們也可以是液晶面板、等離子顯示器、晶體振蕩器等的電子設(shè)備。另外，在這些實(shí)施方式中，所形成的電阻元件，因?yàn)榭梢圆捎门渚€的一部分形成， 所以可以不必一定連接于電子基板的電極上，只要有助于電極之間的連接，也可以不與外部電極和外部端子連接。另外，在電子設(shè)備中，上實(shí)施方式中，還例示了具有電光學(xué)裝置的移動(dòng)電話，但是， 不一定需要具有電光學(xué)裝置，不具有電光學(xué)裝置，具有上述的電子基板的電子設(shè)備也包含于本發(fā)明。此外，本發(fā)明可以全面適用于采用了多層膜配線的電子設(shè)備。例如，也可以適用于 將對(duì)于溫度變動(dòng)的電阻值的變動(dòng)特性為反比關(guān)系的導(dǎo)電膜層疊的配線圖案。例如，如圖12 所示，通過(guò)將由具有隨溫度上升電阻值增加的特性的材料(例如RuO2)形成的導(dǎo)電膜，和由 具有隨溫度上升電阻值下降的特性的材料(例如Ta2N)層疊，對(duì)于能夠解除溫度漂移的配線圖案也可以適用。
權(quán)利要求
一種電子基板，其中，具有基板；形成在所述基板上的第一電極部和第二電極部；形成在所述基板上的樹(shù)脂突起；和配線圖案，其連接所述第一電極部及所述第二電極部與所述樹(shù)脂突起，在所述基板上具有電阻部；所述樹(shù)脂突起形成在所述第一電極部及所述第二電極部與所述電阻部之間，所述配線圖案的所述電阻部的寬度、厚度和層數(shù)中的至少一個(gè)與所述配線圖案的所述電阻部以外的部分不同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子基板，其中，所述配線圖案具有相鄰地延伸的第一導(dǎo)電膜及第二導(dǎo)電膜、在與所述第一導(dǎo)電膜及 所述第二導(dǎo)電膜垂直的方向上延伸的第三導(dǎo)電膜，所述第一導(dǎo)電膜與所述第一電極部及所述第三導(dǎo)電膜連接， 所述第二導(dǎo)電膜與所述第二電極部及所述第三導(dǎo)電膜連接， 所述第三導(dǎo)電膜形成所述電阻部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子基板，其中，所述第一導(dǎo)電膜、所述第二導(dǎo)電膜及所述第三導(dǎo)電膜形成為U字形。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子基板，其中， 所述樹(shù)脂突起以直線狀延伸。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子基板，其中，所述第三導(dǎo)電膜形成在所述基板上形成的應(yīng)力緩和層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子基板，其中， 所述第三導(dǎo)電膜形成為蛇行型。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子基板，其中， 所述電阻部由密封材密封。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子基板，其中，所述配線圖案的所述電阻部的寬度與所述配線圖案的所述電阻部以外的部分的寬度 不同。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子基板，其中，所述配線圖案的所述電阻部的厚度與所述配線圖案的所述電阻部以外的部分的厚度 不同。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子基板，其中， 所述配線圖案至少由兩層形成，所述配線圖案的所述電阻部的層數(shù)比所述配線圖案的所述電阻部以外的部分的層數(shù)少。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子基板，其中，所述配線圖案具有第一配線圖案和層疊在所述第一配線圖案上的第二配線圖案， 所述第一配線圖案由電阻值比所述第二配線圖案大的材料形成， 所述電阻部由所述第一配線圖案構(gòu)成。
12. 一種電光學(xué)裝置，其中，具備權(quán)利要求1至11中的任一項(xiàng)所述的電子基板。
13.一種電子設(shè)備，其中，具備權(quán)利要求1至11中的任一項(xiàng)所述的電子基板。
14.一種電子基板的制造方法，所述電子基板在具有樹(shù)脂突起、第一電極部及第二電極 部的基板上設(shè)置有配線圖案，其中，所述配線圖案在所述基板上具有電阻部，該制造方法包括在所述電阻部除去所述配線圖案的一部分的工序。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子基板的制造方法，其中，所述配線圖案具有第一配線圖案、由與所述第一配線圖案不同的材料形成且層疊在 所述第一配線圖案上的第二配線圖案，除去所述第二配線圖案的一部分來(lái)形成所述電阻部。
16.根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的電子基板的制造方法，其中， 該制造方法還包括在所述配線圖案上形成保護(hù)膜的工序；剝離所述配線圖案的形成所述電阻部的區(qū)域上的所述保護(hù)膜而形成開(kāi)口部的工序；和 通過(guò)所述開(kāi)口部除去所述配線圖案的一部分的工序。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電子基板的制造方法，其中， 還包括由密封材密封所述電阻部的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電子基板及其制造方法、電光學(xué)裝置、及電子設(shè)備。所述電子基板具有基板；和配線圖案，其設(shè)于所述基板上，形成電阻元件的一部分的配線各要素與其他部分不同。
文檔編號(hào)H05K1/16GK101807554SQ20101012649
公開(kāi)日2010年8月18日 申請(qǐng)日期2006年7月10日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月14日
發(fā)明者橋元伸晃 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社