本發(fā)明屬于制備折射率可控的SiO₂增透膜技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種用丙基三乙氧基硅烷制備折射率可控的SiO₂增透膜的方法。

背景技術(shù)：

單層的SiO₂增透膜只能在某一特定波長實(shí)現(xiàn)較高的透過率，然而在實(shí)際應(yīng)用中，如在太陽能光伏電池或高能激光系統(tǒng)等，往往需要較大范圍的高透過。多層SiO₂增透膜可以實(shí)現(xiàn)光的大范圍透過，當(dāng)中是由不同折射率SiO₂增透膜組合而成的。所以，制備出不同折射率的SiO₂增透膜是設(shè)計寬頻SiO₂增透膜的關(guān)鍵。一般通過引入模板劑來調(diào)節(jié)SiO₂增透膜的孔隙率，最終制備出不同折射率的SiO₂增透膜，但是該法較復(fù)雜，還要通過煅燒等方法除去模板劑。用丙基三乙氧基硅烷和正硅酸乙酯來制備折射率可控的SiO₂增透膜，該法無需引入模板劑，方法簡便，效果顯著。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的旨在提供一種用丙基三乙氧基硅烷制備折射率可控的SiO₂增透膜的方法，為設(shè)計寬頻增透膜提供基礎(chǔ)，該法無需引入模板劑，方法簡便，效果顯著。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是：

一種折射率可控的SiO₂增透膜的制備方法的具體步驟如下：

（1）SiO₂溶膠的制備：將正硅酸乙酯、丙基三乙氧基硅烷、無水乙醇和氨水按質(zhì)量比11.0-15.6：1-8：130-200：3.6-6.6加入到密閉的玻璃容器中，在25-50℃磁力攪拌0.5-12 h，然后在20-40℃恒溫陳化3-30天。

（2）采用浸漬-提拉法以一定的提拉速度在基片上鍍膜，所得的膜層即為一定折射率的SiO₂增透膜。

一種如所述的方法制得的折射率可控的SiO₂增透膜，浸漬-提拉的速度為50-200 mm/min。

本發(fā)明的顯著優(yōu)點(diǎn)：現(xiàn)有技術(shù)一般是通過引入模板劑來調(diào)節(jié)SiO₂增透膜的孔隙率，最終制備出不同折射率的SiO₂增透膜，但是該法較復(fù)雜，還要通過煅燒等方法除去模板劑。本發(fā)明用丙基三乙氧基硅烷和正硅酸乙酯來制備折射率可控的SiO₂增透膜，該法無需引入模板劑，方法簡便，效果顯著。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明用下列實(shí)驗例來進(jìn)一步本發(fā)明，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不限于下列實(shí)驗例。

實(shí)施例1

（1）將正硅酸乙酯、丙基三乙氧基硅烷、無水乙醇、氨水按質(zhì)量比為14.2：1.88：130：3.6加入到密閉的玻璃容器中，在25℃磁力攪拌2 h，20℃恒溫陳化5天。

（2）采用浸漬-提拉法以50 mm/min提拉速度在基片上鍍膜。

實(shí)施例2

（1）將正硅酸乙酯、丙基三乙氧基硅烷、無水乙醇、氨水按質(zhì)量比為13：3.45：130：3.6加入到密閉的玻璃容器中，在35℃磁力攪拌12 h，30℃恒溫陳化30天。

（2）采用浸漬-提拉法以100 mm/min提拉速度在基片上鍍膜。

實(shí)施例3

（1）將正硅酸乙酯、丙基三乙氧基硅烷、無水乙醇、氨水按質(zhì)量比為11.12：5.92：130：3.6加入到密閉的玻璃容器中，在50℃磁力攪拌0.5 h，40℃恒溫陳化3天。

（2）采用浸漬-提拉法以200 mm/min提拉速度在基片上鍍膜。

表1 不同質(zhì)量比的原料下SiO₂增透膜的中心波長、最大透過率和折射率

本發(fā)明制得的SiO₂增透膜折射率的調(diào)控范圍為1.10-1.23。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明申請專利范圍所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。