法流程圖。作為本領(lǐng)域技術(shù)人員，容易理解地，當(dāng)對所述待研磨之晶圓14進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨時，所述化學(xué)機(jī)械研磨方法，包括:
[0030]執(zhí)行步驟S1:將待研磨之晶圓14固定設(shè)置在所述研磨頭13之面向所述拋光墊12的一側(cè)；
[0031 ]執(zhí)行步驟S2:施力在所述研磨頭13上，并將所述待研磨之晶圓14壓緊在所述拋光墊12上；
[0032]執(zhí)行步驟S3:當(dāng)具有拋光墊12的所述轉(zhuǎn)盤11在電機(jī)(未圖示)的帶動下旋轉(zhuǎn)時，所述研磨頭13亦在卡盤(未圖示)的帶動下旋轉(zhuǎn)；
[0033]執(zhí)行步驟S4:研磨液通過所述研磨液供應(yīng)管輸送到所述拋光墊12上，并在所述研磨頭13、所述拋光墊12和所述轉(zhuǎn)盤11的共同作用下，僅對待研磨之晶圓14的外邊緣進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨。
[0034]更具體地，所述研磨液因離心力而均勻地分布在所述拋光墊12上，并在所述拋光墊12和所述待研磨之晶圓14的外邊緣處之間形成一層液體薄膜，所述液體薄膜與待研磨之晶圓14的外邊緣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，將不溶物質(zhì)轉(zhuǎn)化為易溶物質(zhì)，然后通過機(jī)械摩擦將所述易溶物質(zhì)從被拋光之晶圓14表面去除，被流動的液體帶走，即結(jié)合了機(jī)械作用和化學(xué)反應(yīng)將所述晶圓14的外邊緣處拋光。
[0035]為了更直觀的揭露本發(fā)明之技術(shù)方案，凸顯本發(fā)明之有益效果，現(xiàn)結(jié)合【具體實施方式】，對本發(fā)明化學(xué)機(jī)械研磨裝置的具體結(jié)構(gòu)和化學(xué)機(jī)械研磨方法進(jìn)行闡述。在【具體實施方式】中，所述拋光墊、研磨頭等的具體結(jié)構(gòu)、形狀、尺寸均為列舉，不應(yīng)視為對本發(fā)明技術(shù)方案的限制。
[0036]請繼續(xù)參閱圖1，所述化學(xué)機(jī)械研磨裝置I，包括:轉(zhuǎn)盤11，所述轉(zhuǎn)盤11上設(shè)置拋光墊12，且僅在所述拋光墊12之外邊緣處設(shè)置研磨溝槽121;研磨頭13，所述研磨頭13與所述拋光墊12呈面向設(shè)置，并用于固定待研磨之晶圓14;研磨液供應(yīng)管(未圖示)，所述研磨液供應(yīng)管用于輸送研磨液。
[0037]作為具體的實施方式，所述化學(xué)機(jī)械研磨裝置I之拋光墊12的外邊緣處設(shè)置的研磨溝槽121的數(shù)量為4?10圈。所述化學(xué)機(jī)械研磨裝置I之異于所述拋光墊12外邊緣處設(shè)置的研磨溝槽121區(qū)域均無研磨溝槽。明顯地，即在通過使用本發(fā)明化學(xué)機(jī)械研磨裝置I對所述待研磨之晶圓14進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨時，所述待研磨晶圓14之外邊緣處具有研磨速率，所述待研磨晶圓14之異于所述外邊緣處均無研磨速率。
[0038]非限制性地，所述研磨液供應(yīng)管輸送的研磨液為堿性研磨液，用于對介質(zhì)層進(jìn)行研磨?；蛘?，所述研磨液供應(yīng)管輸送的研磨液為酸性研磨液，用于對金屬層進(jìn)行研磨。更具體地，所述金屬層為鋁金屬層或鎢金屬層。
[0039]明顯地，本發(fā)明化學(xué)機(jī)械研磨裝置I通過僅在所述拋光墊12之外邊緣處設(shè)置研磨溝槽121，不僅可單獨(dú)對待研磨之晶圓14的外邊緣進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨，提高產(chǎn)品良率，而且結(jié)構(gòu)簡單、使用方便，未增加任何生產(chǎn)成本，值得推廣應(yīng)用。
[0040]綜上所述，本發(fā)明化學(xué)機(jī)械研磨裝置通過僅在所述拋光墊之外邊緣處設(shè)置研磨溝槽，不僅可單獨(dú)對待研磨之晶圓的外邊緣進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨，提高產(chǎn)品良率，而且結(jié)構(gòu)簡單、使用方便，未增加任何生產(chǎn)成本，值得推廣應(yīng)用。
[0041]本領(lǐng)域技術(shù)人員均應(yīng)了解，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以對本發(fā)明進(jìn)行各種修改和變型。因而，如果任何修改或變型落入所附權(quán)利要求書及等同物的保護(hù)范圍內(nèi)時，認(rèn)為本發(fā)明涵蓋這些修改和變型。
【主權(quán)項】
1.一種化學(xué)機(jī)械研磨裝置，其特征在于，所述化學(xué)機(jī)械研磨裝置，包括: 轉(zhuǎn)盤，所述轉(zhuǎn)盤上設(shè)置拋光墊，且僅在所述拋光墊之外邊緣處設(shè)置研磨溝槽； 研磨頭，與所述拋光墊呈面向設(shè)置，并用于固定待研磨之晶圓； 研磨液供應(yīng)管，用于輸送研磨液。2.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨裝置，其特征在于，所述化學(xué)機(jī)械研磨裝置之拋光墊的外邊緣處設(shè)置的研磨溝槽的數(shù)量為4?10圈。3.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨裝置，其特征在于，所述化學(xué)機(jī)械研磨裝置之異于所述拋光墊外邊緣處設(shè)置的研磨溝槽區(qū)域均無研磨溝槽。4.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨裝置，其特征在于，所述研磨液供應(yīng)管輸送的研磨液為堿性研磨液，用于對介質(zhì)層進(jìn)行研磨。5.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨裝置，其特征在于，所述研磨液供應(yīng)管輸送的研磨液為酸性研磨液，用于對金屬層進(jìn)行研磨。6.如權(quán)利要求5所述的化學(xué)機(jī)械研磨裝置，其特征在于，所述金屬層為鋁金屬層或鎢金屬層。7.—種如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨裝置之化學(xué)機(jī)械研磨方法，其特征在于，所述化學(xué)機(jī)械研磨裝置之化學(xué)機(jī)械研磨方法，包括: 執(zhí)行步驟S1:將待研磨之晶圓固定設(shè)置在所述研磨頭之面向所述拋光墊的一側(cè)； 執(zhí)行步驟S2:施力在所述研磨頭上，并將所述待研磨之晶圓壓緊在所述拋光墊上； 執(zhí)行步驟S3:當(dāng)具有拋光墊的所述轉(zhuǎn)盤在電機(jī)的帶動下旋轉(zhuǎn)時，所述研磨頭亦在卡盤的帶動下旋轉(zhuǎn)； 執(zhí)行步驟S4:研磨液通過所述研磨液供應(yīng)管輸送到所述拋光墊上，并在所述研磨頭、所述拋光墊和所述轉(zhuǎn)盤的共同作用下，僅對待研磨之晶圓的外邊緣進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨。8.如權(quán)利要求7所述的化學(xué)機(jī)械研磨裝置之化學(xué)機(jī)械研磨方法，其特征在于，在通過使用本發(fā)明化學(xué)機(jī)械研磨裝置對所述待研磨之晶圓進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨時，所述待研磨晶圓之外邊緣處具有研磨速率，所述待研磨晶圓之異于所述外邊緣處均無研磨速率。
【專利摘要】一種化學(xué)機(jī)械研磨裝置，包括：轉(zhuǎn)盤，所述轉(zhuǎn)盤上設(shè)置拋光墊，且僅在所述拋光墊之外邊緣處設(shè)置研磨溝槽；研磨頭，與所述拋光墊呈面向設(shè)置，并用于固定待研磨之晶圓；研磨液供應(yīng)管，用于輸送研磨液。本發(fā)明化學(xué)機(jī)械研磨裝置通過僅在所述拋光墊之外邊緣處設(shè)置研磨溝槽，不僅可單獨(dú)對待研磨之晶圓的外邊緣進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨，提高產(chǎn)品良率，而且結(jié)構(gòu)簡單、使用方便，未增加任何生產(chǎn)成本，值得推廣應(yīng)用。
【IPC分類】B24B9/06, B24B57/02
【公開號】CN105619202
【申請?zhí)枴緾N201610107813
【發(fā)明人】嚴(yán)鈞華, 朱也方, 丁弋
【申請人】上海華力微電子有限公司
【公開日】2016年6月1日
【申請日】2016年2月26日