一種基于納米二氧化硅的電路板用蝕刻液的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及一種基于納米二氧化娃的電路板用蝕刻液。
【背景技術(shù)】
[0002] 目前在制作電路板的過(guò)程中，電路板品質(zhì)的好壞，品質(zhì)問(wèn)題的發(fā)現(xiàn)及解決，制程改 進(jìn)的評(píng)估都需要通過(guò)金相切片來(lái)對(duì)其客觀檢查和判斷。金相切片制作的好壞直接影響到電 路板的質(zhì)量評(píng)估。傳統(tǒng)的金相切片過(guò)程包括，用銳的方式進(jìn)行取樣；采用樹(shù)脂鑲嵌法對(duì)樣 品進(jìn)行封膠；對(duì)樣品進(jìn)行研磨；對(duì)樣品進(jìn)行拋光；對(duì)樣品進(jìn)行微蝕刻。其中，微蝕刻液的配 方為質(zhì)量百分比為50%的雙氧水2~3滴、25%~28%的氨水8ml，去離子水值eionized water,簡(jiǎn)稱DI水）8ml。其缺點(diǎn)在于，該微蝕刻液中的氨水易揮發(fā)且有刺激性氣味，因此不 利于操作，配置后使用的時(shí)間短，只能維持0. 5小時(shí)左右，從而給金相切片的工藝帶來(lái)了不 便。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷提供一種基于納米二氧化娃的電路板用 蝕刻液。
[0004] 本發(fā)明為實(shí)現(xiàn)上述目的，采用如下技術(shù)方案：一種基于納米二氧化娃的電路板用 蝕刻液，包括W下重量百分比的組合物：
[0005] 納米二氧化括 1.5%~2.5% ; 憐酸錢(qián)1.2%~1.6%; 草酸 0. 5%~ 有機(jī)鹽酸 0.5%~1.2%; 非離子表面活性劑0.3%~1.5%; 穩(wěn)定劑 0.5%~1.2%; 消泡劑 0.5%~1.6%; 其余為蒸飽水。
[0006] 進(jìn)一步的，包括W下重量百分比的組合物：
[0007] 納米二氧化桂1.5%; 磯酸鎊1.2%; 草酸 0.5%; 有機(jī)鹽酸 0.5%;
[0008] 非離子表面活性劑0.3%; 穩(wěn)定劑 0.5%; 消泡劑 〇.5〇^; 其余為蒸饋水。
[0009] 進(jìn)一步的，包括W下重量百分比的組合物：
[0010] 納米二氧化珪1.8% ; 憐酸錢(qián)1.4%; 草酸1.0%; 有機(jī)鹽酸 0.9%; 非離子表面活性劑0.7%; 穩(wěn)定劑0.8%; 消泡劑1.0%; 其余為蒸饋水。
[0011] 進(jìn)一步的，包括W下重量百分比的組合物：
[0012] 納米二氧化趕2.5% ; 憐酸錢(qián)1.6%; 草酸1.6%; 有機(jī)鹽酸1.2%; 非離子表面活性劑1.5%; 穩(wěn)定劑L2%; 消泡劑1.6%; 其余為蒸饋水。
[0013] 進(jìn)一步的，所述草酸的濃度大于97. 5% (重量百分比），所述有機(jī)鹽酸的濃度大于 89% (重量百分比）。
[0014] 進(jìn)一步的，所述非離子表面活性劑為司盤(pán)類非離子表面活性劑。
[0015] 本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明通過(guò)在原有工藝的基礎(chǔ)上新加入了納米二氧化娃，不 僅能夠在不發(fā)生抗蝕涂層滲透的情況下進(jìn)行蝕刻，顯著提高銘金屬膜的蝕刻速度，具有蝕 刻速度可控性，有效抑制抗蝕保護(hù)層的劣化，得到表面平坦光滑的銘金屬膜配線，具有重要 的應(yīng)用價(jià)值；而且能有效降低蝕刻液的表面張力，不僅能夠產(chǎn)生滲透，浸潤(rùn)的作用，而且能 夠蝕刻銅錫氧化物半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜速率適中，反應(yīng)穩(wěn)定，使其在不影響產(chǎn)品質(zhì)量的前提 下提高產(chǎn)品的蝕刻效果，并使產(chǎn)品能在較低的環(huán)境溫度下保存，避免了原有技術(shù)造成的蝕 刻不干凈，不能在低溫下儲(chǔ)存的缺點(diǎn)，本方法能適用于大規(guī)模生產(chǎn)。
【具體實(shí)施方式】
[0016] 本發(fā)明設(shè)及一種基于納米二氧化娃的電路板用蝕刻液，包括W下重量百分比的組 合物：納米二氧化娃1.5%~2. 5%;憐酸錠1.2%~1.6%;草酸0.5%~1.6%;有機(jī)鹽酸 0.5%~1.2%;非離子表面活性劑0.3%~1.5%;穩(wěn)定劑0.5%~1.2%;消泡劑0.5%~ 1.6%;其余為蒸饋水。
[0017] 實(shí)施例1
[0018] 上述電路板用蝕刻液的制備方法，包括如下步驟：
[0019] 第一步：將弱酸性陽(yáng)離子交換樹(shù)脂加入到重量百分比為0.5%有機(jī)鹽酸中，攬拌 混合，攬拌的速度為50轉(zhuǎn)/分鐘，攬拌時(shí)間為5分鐘，攬拌溫度為1(TC，然后濾出弱酸性陽(yáng) 離子交換樹(shù)脂，控制或去除有機(jī)鹽酸中的雜質(zhì)離子；
[0020] 第二步：將重量百分比為1. 5%的納米二氧化娃和Ξ分之一的蒸饋水到入反應(yīng)蓋 中，在常溫、常壓下充分?jǐn)埌瑁瑪埌钑r(shí)間為10分鐘，攬拌速度為60轉(zhuǎn)/分鐘，攬拌溫度為 12°C；
[0021] 第Ξ步：然后加入重量百分比為1. 2%的憐酸錠，充分?jǐn)埌?分鐘；加入重量百分 比為0.5%的草酸，充分?jǐn)埌?分鐘；加入Ξ分之一的蒸饋水，充分?jǐn)埌?分鐘；加入重量百 分比為0. 5%的有機(jī)鹽酸，充分?jǐn)埌?分鐘；加入重量百分比為0. 3%的非離子表面活性劑， 充分?jǐn)埌?分鐘；加入重量百分比為0. 5%的穩(wěn)定劑；加入重量百分比為0. 5%的消泡劑， 充分?jǐn)埌?分鐘；最后再加剩余蒸饋水，再攬拌8分鐘，攬拌速度為45轉(zhuǎn)/分鐘，攬拌溫度 均為14°C:
[002引第五步：最后將制得的混合物經(jīng)0. 15μπι的過(guò)濾器過(guò)濾，W去除混合物中粒徑大 于0. 12μm的有害粒子，制得所需蝕刻液，其表面張力低為40X10 3N/m。
[0023] 其中，所述草酸的濃度大于97. 5 % (重量百分比），所述有機(jī)鹽酸的濃度大于89 % (重量百分比）。
[0024] 其中，所述非離子表面活性劑為司盤(pán)類非離子表面活性劑。
[0025] 其中，所述弱酸性陽(yáng)離子交換樹(shù)脂為弱酸性苯乙締系陽(yáng)離子交換樹(shù)脂。
[0026] 其中，所述弱酸性陽(yáng)離子交換樹(shù)脂與有機(jī)鹽酸的質(zhì)量比為0.3~0.5。
[0027] 實(shí)施例2
[0028] 上述電路板用蝕刻液的制備方法，包括如下步驟：
[0029] 第一步：將弱酸性陽(yáng)離子交換樹(shù)脂加入到重量百分比為0. 9%有機(jī)鹽酸中，攬拌 混合，攬拌的速度為55轉(zhuǎn)/分鐘，攬拌時(shí)間為6分鐘，攬拌溫度為12Γ，然后濾出弱酸性陽(yáng) 離子交換樹(shù)脂，控制或去除有機(jī)鹽酸中的雜質(zhì)離子；
[0030] 第二步：將重量百分比為1.8%的納米二氧化娃和Ξ分之一的蒸饋水到入反應(yīng)蓋 中，在常溫、常壓下充分?jǐn)埌?，攬拌時(shí)間為11分鐘，攬拌速度為65轉(zhuǎn)/分鐘，攬拌溫度為 13°C；
[0031] 第Ξ步：然后加入重量百分比為1. 4%的憐酸錠，充分?jǐn)埌?分鐘；加入重量百分 比為1.0%的草酸，充分?jǐn)埌?分鐘；加入Ξ分之一的蒸饋水，充分?jǐn)埌?分鐘；加入重量百 分比為0. 9%的有機(jī)鹽酸，充分?jǐn)埌?分鐘；加入重量百分比為0. 7%的非離子表面活性劑， 充分?jǐn)埌?分鐘；加入重量百分比為0. 8%的穩(wěn)定劑；加入重量百分比為1. 0%的消泡劑， 充分?jǐn)埌?分鐘；最后再加剩余蒸饋水，再攬拌9分鐘，攬拌速度為45轉(zhuǎn)/分鐘，攬拌溫度 均為15°C;
[003引第五步：最后將制得的混合物經(jīng)0. 15μπι的過(guò)濾器過(guò)濾，W去除混合物中粒徑大 于0. 12μm的有害粒子，制得所需蝕刻液，其表面張力低為30X10 3N/m。
[0033] 其中，所述草酸的濃度大于97. 5 % (重量百分比），所述有機(jī)鹽酸的濃度大于89 % (重量百分比）。
[0034] 其中，所述非離子表面活性劑為司盤(pán)類非離子表面活性劑。
[0035] 其中，所述弱酸性陽(yáng)離子交換樹(shù)脂為弱酸性苯乙締系陽(yáng)離子交換樹(shù)脂。
[0036] 其中，所述弱酸性陽(yáng)離子交換樹(shù)脂與有機(jī)鹽酸的質(zhì)量比為0.3~0.5。
[0037] 實(shí)施例3
[0038] 上述電路板用蝕刻液的制備方法，包括如下步驟：
[0039] 第一步：將弱酸性陽(yáng)離子交換樹(shù)脂加入到重量百分比為1. 2%有機(jī)鹽酸中，攬拌 混合，攬拌的速度為60轉(zhuǎn)/分鐘，攬拌時(shí)間為5分鐘，攬拌溫度為13Γ，然后濾出弱酸性陽(yáng) 離子交換樹(shù)脂，控制或去除有機(jī)鹽酸中的雜質(zhì)離子；
[0040] 第二步：將重量百分比為2. 5%的納米二氧化娃和Ξ分之一的蒸饋水到入反應(yīng)蓋 中，在常溫、常壓下充分?jǐn)埌?，攬拌時(shí)間為12分鐘，攬拌速度為70轉(zhuǎn)/分鐘，攬拌溫度為 14°C；
[0041] 第Ξ步：然后加入重量百分比為1. 6%的憐酸錠，充分?jǐn)埌?分鐘；加入重量百分 比為1.6%的草酸，充分?jǐn)埌?分鐘；加入Ξ分之一的蒸饋水，充分?jǐn)埌?分鐘；加入重量百 分比為1. 2%的有機(jī)鹽酸，充分?jǐn)埌?分鐘；加入重量百分比為1. 5%的非離子表面活性劑， 充分?jǐn)埌?分鐘；加入重量百分比為1. 2%的穩(wěn)定劑；加入重量百分比為1. 6%的消泡劑， 充分?jǐn)埌?分鐘；最后再加剩余蒸饋水，再攬拌10分鐘，攬拌速度為55轉(zhuǎn)/分鐘，攬拌溫度 均為18°C:
[0042] 第五步：最后將制得的混合物經(jīng)0. 15μπι的過(guò)濾器過(guò)濾，W去除混合物中粒徑大 于0. 12μm的有害粒子，制得所需蝕刻液，其表面張力低為20X10 "N/m。
[0043] 其中，所述草酸的濃度大于97. 5 % (重量百分比），所述有機(jī)鹽酸的濃度大于89 % (重量百分比）。
[0044] 其中，所述非離子表面活性劑為司盤(pán)類非離子表面活性劑。
[0045] 其中，所述弱酸性陽(yáng)離子交換樹(shù)脂為弱酸性苯乙締系陽(yáng)離子交換樹(shù)脂。
[0046] 其中，所述弱酸性陽(yáng)離子交換樹(shù)脂與有機(jī)鹽酸的質(zhì)量比為0.3~0.5。
[0047] 綜上所述，本發(fā)明液晶顯示器用蝕刻液及其制備方法具有的如下優(yōu)點(diǎn)：1)改變表 面張力，使其表面張力從傳統(tǒng)的60mN/m降低到20~4〇3N/m左右，增強(qiáng)其表面浸潤(rùn)性，使在 使用過(guò)程中達(dá)到均勻一致的目的，蝕刻效果佳，無(wú)微晶體殘留。
[0048]W上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用W限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和 原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種基于納米二氧化硅的電路板用蝕刻液，其特征在于，包括以下重量百分比的組 合物： 納米二氧化硅 1. 5%~2. 5% ; 磷酸銨 1.2%~1.6%; 草酸 0· 5%~1. 6% ; 有機(jī)鹽酸 0.5%~1.2%; 非離子表面活性劑0. 3%~1. 5% ; 穩(wěn)定劑 0.5%~1.2%; 消泡劑 0.5%~1.6%; 其余為蒸餾水。2. 如權(quán)利要求1所述的基于納米二氧化硅的電路板用蝕刻液，其特征在于，包括以下 重量百分比的組合物： 納米二氧化硅 1.5%; 磷酸銨 1. 2% ; 草酸 0.5%; 有機(jī)鹽酸 0.5%; 非離子表面活性劑0.3%; 穩(wěn)定劑 0.5%; 消泡劑 0.5%; 其余為蒸餾水。3. 如權(quán)利要求1所述的基于納米二氧化硅的電路板用蝕刻液，其特征在于，包括以下 重量百分比的組合物： 納米二氧化娃 1.8%; 磷酸銨 1.4%; 草酸 1.0%; 有機(jī)鹽酸 0.9%; 非離子表面活性劑0.7%; 穩(wěn)定劑 0.8%; 消泡劑 1.0%; 其余為蒸餾水。4. 如權(quán)利要求1所述的基于納米二氧化硅的電路板用蝕刻液，其特征在于，包括以下 重量百分比的組合物： 納米二氧化硅 2.5%; 磷酸銨 1. 6% ; 草酸 1.6%; 有機(jī)鹽酸 1.2%; 非離子表面活性劑1.5%; 穩(wěn)定劑 1.2%; 消泡劑 1.6%; 其余為蒸餾水。5. 如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的基于納米二氧化硅的電路板用蝕刻液，其特征在 于，所述草酸的濃度大于97. 5% (重量百分比），所述有機(jī)鹽酸的濃度大于89% (重量百分 比）。6. 如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的基于納米二氧化硅的電路板用蝕刻液，其特征在于， 所述非離子表面活性劑為司盤(pán)類非離子表面活性劑。
【專利摘要】本發(fā)明公布了一種基于納米二氧化硅的電路板用蝕刻液，包括以下重量百分比的組合物：納米二氧化硅1.5％～2.5％；磷酸銨1.2％～1.6％；草酸0.5％～1.6％；有機(jī)鹽酸0.5％～1.2％；非離子表面活性劑0.3％～1.5％；穩(wěn)定劑0.5％～1.2％；消泡劑0.5％～1.6％；其余為蒸餾水。本發(fā)明通過(guò)在原有工藝的基礎(chǔ)上新加入了納米二氧化硅，不僅能夠在不發(fā)生抗蝕涂層滲透的情況下進(jìn)行蝕刻，顯著提高鉻金屬膜的蝕刻速度，具有蝕刻速度可控性，有效抑制抗蝕保護(hù)層的劣化，得到表面平坦光滑的鉻金屬膜配線，具有重要的應(yīng)用價(jià)值。
【IPC分類】C23F1/26
【公開(kāi)號(hào)】CN105369250
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510952041
【發(fā)明人】劉進(jìn)軍
【申請(qǐng)人】無(wú)錫吉進(jìn)環(huán)?？萍加邢薰?br>【公開(kāi)日】2016年3月2日
【申請(qǐng)日】2015年12月16日