一種基于納米二氧化硫的電路板用蝕刻液的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種基于納米二氧化硫的電路板用蝕刻液。
【背景技術(shù)】
[0002]目前在制作電路板的過程中，電路板品質(zhì)的好壞，品質(zhì)問題的發(fā)現(xiàn)及解決，制程改進(jìn)的評(píng)估都需要通過金相切片來對(duì)其客觀檢查和判斷。金相切片制作的好壞直接影響到電路板的質(zhì)量評(píng)估。傳統(tǒng)的金相切片過程包括，用銑的方式進(jìn)行取樣；采用樹脂鑲嵌法對(duì)樣品進(jìn)行封膠；對(duì)樣品進(jìn)行研磨；對(duì)樣品進(jìn)行拋光；對(duì)樣品進(jìn)行微蝕刻。其中，微蝕刻液的配方為質(zhì)量百分比為50%的雙氧水2?3滴、25%?28%的氨水8ml，去離子水(De1nizedwater，簡稱DI水)8ml。具缺點(diǎn)在于，該微蝕刻液中的氨水易揮發(fā)且有刺激性氣味，因此不利于操作，配置后使用的時(shí)間短，只能維持0.5小時(shí)左右，從而給金相切片的工藝帶來了不便。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷提供一種基于納米二氧化硫的電路板用蝕刻液。
[0004]本發(fā)明為實(shí)現(xiàn)上述目的，采用如下技術(shù)方案:一種基于納米二氧化硫的電路板用蝕刻液，包括以下重量百分比的組合物:
[0005]納米二氧化硫3.5%?6.5%;
[0006]三乙醇胺 1.2%?1.6%;
[0007]碘酸0.5%?1.6%;
[0008]有機(jī)鹽酸2.5%?3.3%;
[0009]非離子表面活性劑1.5%?2.3%;
[0010]穩(wěn)定劑0.5%?1.5%;
[0011]消泡劑3.5 % ?5.6 % ;
[0012]其余為蒸餾水。
[0013]進(jìn)一步的，包括以下重量百分比的組合物:
[0014]納米二氧化硫3.5%;
[0015]三乙醇胺1.2%;
[0016]碘酸0.5%;
[0017]有機(jī)鹽酸2.5%;
[0018]非離子表面活性劑1.5%;
[0019]穩(wěn)定劑0.5%;
[0020]消泡劑3.5%;
[0021]其余為蒸餾水。
[0022]進(jìn)一步的，包括以下重量百分比的組合物:
[0023]納米二氧化硫5% ；
[0024]三乙醇胺1.4%;
[0025]碘酸1.1%;
[0026]有機(jī)鹽酸2.8%;
[0027]非離子表面活性劑1.9%;
[0028]穩(wěn)定劑0.9%;
[0029]消泡劑4.6%;
[0030]其余為蒸餾水。
[0031]進(jìn)一步的，包括以下重量百分比的組合物:
[0032]納米二氧化硫6.5%;
[0033]三乙醇胺1.6%;
[0034]碘酸1.6%;
[0035]有機(jī)鹽酸3.3%;
[0036]非離子表面活性劑2.3%;
[0037]穩(wěn)定劑1.5%;
[0038]消泡劑5.6%;
[0039]其余為蒸餾水。
[0040]進(jìn)一步的，所述碘酸的濃度大于97.5% (重量百分比)，所述有機(jī)鹽酸的濃度大于89% (重量百分比)。
[0041]進(jìn)一步的，所述非離子表面活性劑為司盤類非離子表面活性劑。
[0042]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明通過在原有工藝的基礎(chǔ)上新加入了納米二氧化硫，不僅能夠在不發(fā)生抗蝕涂層滲透的情況下進(jìn)行蝕刻，顯著提高鉻金屬膜的蝕刻速度，具有蝕刻速度可控性，有效抑制抗蝕保護(hù)層的劣化，得到表面平坦光滑的鉻金屬膜配線，具有重要的應(yīng)用價(jià)值；而且能有效降低蝕刻液的表面張力，不僅能夠產(chǎn)生滲透，浸潤的作用，而且能夠蝕刻銦錫氧化物半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜速率適中，反應(yīng)穩(wěn)定，使其在不影響產(chǎn)品質(zhì)量的前提下提高產(chǎn)品的蝕刻效果，并使產(chǎn)品能在較低的環(huán)境溫度下保存，避免了原有技術(shù)造成的蝕刻不干凈，不能在低溫下儲(chǔ)存的缺點(diǎn)，本方法能適用于大規(guī)模生產(chǎn)。
【具體實(shí)施方式】
[0043]本發(fā)明涉及一種基于納米二氧化硫的電路板用蝕刻液，包括以下重量百分比的組合物:納米二氧化硫3.5%?6.5%;三乙醇胺 1.2%?1.6%;碘酸0.5%?1.6%;有機(jī)鹽酸2.5%?3.3% ;非離子表面活性劑1.5%?2.3% ;穩(wěn)定劑0.5%?1.5% ;消泡劑3.5%?5.6% ;其余為蒸餾水。
[0044]實(shí)施例1
[0045]上述電路板用蝕刻液的制備方法，包括如下步驟:
[0046]第一步:將弱酸性陽離子交換樹脂加入到重量百分比為2.5%有機(jī)鹽酸中，攪拌混合，攪拌的速度為50轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌時(shí)間為5分鐘，攪拌溫度為10°C，然后濾出弱酸性陽離子交換樹脂，控制或去除有機(jī)鹽酸中的雜質(zhì)離子；
[0047]第二步:將重量百分比為3.5%的納米二氧化硫和三分之一的蒸餾水到入反應(yīng)釜中，在常溫、常壓下充分?jǐn)嚢?，攪拌時(shí)間為10分鐘，攪拌速度為60轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌溫度為14。。；
[0048]第三步:然后加入重量百分比為1.2%的三乙醇胺，充分?jǐn)嚢?分鐘；加入重量百分比為0.5%的碘酸，充分?jǐn)嚢?分鐘；加入三分之一的蒸餾水，充分?jǐn)嚢?分鐘；加入重量百分比為2.5%的有機(jī)鹽酸，充分?jǐn)嚢?分鐘；加入重量百分比為1.5%的非離子表面活性劑，充分?jǐn)嚢?分鐘；加入重量百分比為0.5%的穩(wěn)定劑；加入重量百分比為3.5%的消泡劑，充分?jǐn)嚢?分鐘；最后再加剩余蒸餾水，再攪拌8分鐘，攪拌速度為45轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌溫度均為14°C ；
[0049]第四步:最后將制得的混合物經(jīng)0.12 μπι的過濾器過濾，以去除混合物中粒徑大于0.12 μ m的有害粒子，制得所需蝕刻液，其表面張力低為40 X 10 3N/m。
[0050]其中，所述碘酸的濃度大于97.5% (重量百分比)，所述有機(jī)鹽酸的濃度大于89%(重量百分比)。
[0051]其中，所述非離子表面活性劑為司盤類非離子表面活性劑。
[0052]其中，所述弱酸性陽離子交換樹脂為弱酸性苯乙烯系陽離子交換樹脂。
[0053]其中，所述弱酸性陽咼子交換樹脂與有機(jī)鹽酸的質(zhì)量比為0.3?0.5。
[0054]實(shí)施例2
[0055]上述電路板用蝕刻液的制備方法，包括如下步驟:
[0056]第一步:將弱酸性陽離子交換樹脂加入到重量百分比為2.8%有機(jī)鹽酸中，攪拌混合，攪拌的速度為55轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌時(shí)間為6分鐘，攪拌溫度為12°C，然后濾出弱酸性陽離子交換樹脂，控制或去除有機(jī)鹽酸中的雜質(zhì)離子；
[0057]第二步:將重量百分比為5%的納米二氧化硫和三分之一的蒸餾水到入反應(yīng)釜中，在常溫、常壓下充分?jǐn)嚢?，攪拌時(shí)間為11分鐘，攪拌速度為65轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌溫度為16。。；
[0058]第三步:然后加入重量百分比為1.4%的三乙醇胺，充分?jǐn)嚢?分鐘；加入重量百分比為1.1 %的碘酸，充分?jǐn)嚢?分鐘；加入三分之一的蒸餾水，充分?jǐn)嚢?分鐘；加入重量百分比為2.8%的有機(jī)鹽酸，充分?jǐn)嚢?分鐘；加入重量百分比為1.9%的非咼子表面活性劑，充分?jǐn)嚢?分鐘；加入重量百分比為0.9%的穩(wěn)定劑；加入重量百分比為4.6%的消泡劑，充分?jǐn)嚢?分鐘；最后再加剩余蒸餾水，再攪拌9分鐘，攪拌速度為49轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌溫度均為15°C ;
[0059]第四步:最后將制得的混合物經(jīng)0.12 μπι的過濾器過濾，以去除混合物中粒徑大于0.12 μ m的有害粒子，制得所需蝕刻液，其表面張力低為30 X 10 3N/m。
[0060]其中，所述碘酸的濃度大于97.5% (重量百分比)，所述有機(jī)鹽酸的濃度大于89%(重量百分比)。
[0061]其中，所述非離子表面活性劑為司盤類非離子表面活性劑。
[0062]其中，所述弱酸性陽離子交換樹脂為弱酸性苯乙烯系陽離子交換樹脂。
[0063]其中，所述弱酸性陽咼子交換樹脂與有機(jī)鹽酸的質(zhì)量比為0.3?0.5。
[0064]實(shí)施例3
[0065]上述電路板用蝕刻液的制備方法，包括如下步驟:
[0066]第一步:將弱酸性陽離子交換樹脂加入到重量百分比為2.8%有機(jī)鹽酸中，攪拌混合，攪拌的速度為60轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌時(shí)間為7分鐘，攪拌溫度為13°C，然后濾出弱酸性陽離子交換樹脂，控制或去除有機(jī)鹽酸中的雜質(zhì)離子；
[0067]第二步:將重量百分比為6.5%的納米二氧化硫和三分之一的蒸餾水到入反應(yīng)釜中，在常溫、常壓下充分?jǐn)嚢?，攪拌時(shí)間為12分鐘，攪拌速度為70轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌溫度為18。。；
[0068]第三步:然后加入重量百分比為1.6%的三乙醇胺，充分?jǐn)嚢?分鐘；加入重量百分比為1.6%的碘酸，充分?jǐn)嚢?分鐘；加入三分之一的蒸餾水，充分?jǐn)嚢?分鐘；加入重量百分比為3.3%的有機(jī)鹽酸，充分?jǐn)嚢?分鐘；加入重量百分比為2.3%的非咼子表面活性劑，充分?jǐn)嚢?分鐘；加入重量百分比為1.5%的穩(wěn)定劑；加入重量百分比為5.6%的消泡劑，充分?jǐn)嚢?分鐘；最后再加剩余蒸餾水，再攪拌10分鐘，攪拌速度為55轉(zhuǎn)/分鐘，攪拌溫度均為18°C ；
[0069]第四步:最后將制得的混合物經(jīng)0.12 μπι的過濾器過濾，以去除混合物中粒徑大于0.12 μ m的有害粒子，制得所需蝕刻液，其表面張力低為20 X 10 3N/m。
[0070]其中，所述碘酸的濃度大于97.5% (重量百分比)，所述有機(jī)鹽酸的濃度大于89%(重量百分比)。
[0071]其中，所述非離子表面活性劑為司盤類非離子表面活性劑。
[0072]其中，所述弱酸性陽離子交換樹脂為弱酸性苯乙烯系陽離子交換樹脂。
[0073]其中，所述弱酸性陽咼子交換樹脂與有機(jī)鹽酸的質(zhì)量比為0.3?0.5。
[0074]綜上所述，本發(fā)明液晶顯示器用蝕刻液及其制備方法具有的如下優(yōu)點(diǎn):1)改變表面張力，使其表面張力從傳統(tǒng)的60mN/m降低到20?40N/m左右，增強(qiáng)其表面浸潤性，使在使用過程中達(dá)到均勻一致的目的，蝕刻效果佳，無微晶體殘留。
[0075]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基于納米二氧化硫的電路板用蝕刻液，其特征在于，包括以下重量百分比的組合物: 納米二氧化硫3.5 %?6.5 % ; 三乙醇胺 1.2%?1.6%; 碘酸 0.5%?1.6%; 有機(jī)鹽酸2.5%?3.3%; 非離子表面活性劑1.5%?2.3% ; 穩(wěn)定劑0.5%?1.5%; 消泡劑3.5%?5.6%; 其余為蒸餾水。2.如權(quán)利要求1所述的基于納米二氧化硫的電路板用蝕刻液，其特征在于，包括以下重量百分比的組合物: 納米二氧化硫3.5%; 三乙醇胺1.2%; 碘酸0.5%; 有機(jī)鹽酸2.5%; 非離子表面活性劑1.5%; 穩(wěn)定劑0.5%; 消泡劑3.5%; 其余為蒸餾水。3.如權(quán)利要求1所述的基于納米二氧化硫的電路板用蝕刻液，其特征在于，包括以下重量百分比的組合物: 納米二氧化硫5% ； 三乙醇胺1.4%; 碘酸1.1%; 有機(jī)鹽酸2.8%; 非離子表面活性劑1.9%; 穩(wěn)定劑0.9%; 消泡劑4.6%; 其余為蒸餾水。4.如權(quán)利要求1所述的基于納米二氧化硫的電路板用蝕刻液，其特征在于，包括以下重量百分比的組合物: 納米二氧化硫6.5%; 三乙醇胺1.6%; 碘酸1.6%; 有機(jī)鹽酸3.3%; 非離子表面活性劑2.3%; 穩(wěn)定劑1.5% ; 消泡劑5.6%; 其余為蒸餾水。5.如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的基于納米二氧化硫的電路板用蝕刻液，其特征在于，所述碘酸的濃度大于97.5% (重量百分比)，所述有機(jī)鹽酸的濃度大于89% (重量百分比)。6.如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的基于納米二氧化硫的電路板用蝕刻液，其特征在于，所述非離子表面活性劑為司盤類非離子表面活性劑。
【專利摘要】本發(fā)明公布了一種基于納米二氧化硫的電路板用蝕刻液，包括以下重量百分比的組合物：納米二氧化硫3.5％～6.5％；三乙醇胺1.2％～1.6％；碘酸0.5％～1.6％；有機(jī)鹽酸2.5％～3.3％；非離子表面活性劑1.5％～2.3％；穩(wěn)定劑0.5％～1.5％；消泡劑3.5％～5.6％；其余為蒸餾水。本發(fā)明通過在原有工藝的基礎(chǔ)上新加入了納米二氧化硫，不僅能夠在不發(fā)生抗蝕涂層滲透的情況下進(jìn)行蝕刻，顯著提高鉻金屬膜的蝕刻速度，具有蝕刻速度可控性，有效抑制抗蝕保護(hù)層的劣化，得到表面平坦光滑的鉻金屬膜配線，具有重要的應(yīng)用價(jià)值。
【IPC分類】C23F1/26
【公開號(hào)】CN105369251
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510952173
【發(fā)明人】劉進(jìn)軍
【申請(qǐng)人】無錫吉進(jìn)環(huán)?？萍加邢薰?br>【公開日】2016年3月2日
【申請(qǐng)日】2015年12月16日