一種印刷電路板酸性蝕刻液亞銅離子氧化裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于電路板酸性蝕刻液再生技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于將印刷電路板的酸性蝕刻液中產(chǎn)生的亞銅離子氧化成二價(jià)銅離子的印刷電路板酸性蝕刻液亞銅離子氧化
目.0
【背景技術(shù)】
[0002]印制線路板(PCB板)也稱(chēng)印刷電路板，其以絕緣板為基材，切成一定尺寸，其上至少附有一個(gè)導(dǎo)電圖形，作為基板，并在基板上部設(shè)有孔(如元件孔、堅(jiān)固孔、金屬孔等安裝孔)，用來(lái)代替以往裝置電子元器件的底盤(pán)，通過(guò)基板上的導(dǎo)電圖形、焊盤(pán)及金屬化過(guò)孔實(shí)現(xiàn)元件引腳之間的電氣連接。作為電子產(chǎn)品最基本也是最核心的部件，印制線路板廣泛運(yùn)用于各類(lèi)電子產(chǎn)品及大型設(shè)備及裝置上。
[0003]目前全球印刷電路板產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值占電子元件產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值的四分之一以上，是各個(gè)電子元件細(xì)分產(chǎn)業(yè)中比重最大的產(chǎn)業(yè)，產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)400億美元。同時(shí)，由于其在電子基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)中的獨(dú)特地位，已經(jīng)成為當(dāng)代電子元件業(yè)中最活躍的產(chǎn)業(yè)。隨著我國(guó)電子工業(yè)年增長(zhǎng)率超過(guò)20 %，也帶動(dòng)了印刷電路板及相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，我國(guó)已成為世界最大的印刷電路板生產(chǎn)中心。
[0004]蝕刻工藝是目前制造印刷電路板過(guò)程中必不可少的重要步驟，在印刷電路板生產(chǎn)過(guò)程中，通常用酸性或堿性蝕刻工藝生產(chǎn)電路板，因此，每年要產(chǎn)生大量的這種酸性或堿性蝕刻液。其中，酸性蝕刻液有鹽酸、鹽酸+氨酸鈉、鹽酸+雙氧水等工藝，酸性蝕刻廢液的主要成分為CuCl2' HCl、NH4Cl或NaCl等，其中銅含量為100?145g/L，酸度為I?4N，密度為1.2?1.4g/mL.產(chǎn)生的這些酸性蝕刻液因?yàn)榫哂袀?cè)蝕小、速率易于控制和易于再生等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用。在蝕刻過(guò)程中，Cu2+與Cu作用生成Cu+，隨著蝕刻反應(yīng)的進(jìn)行，Cu+數(shù)量越來(lái)越多，Cu2+減少，蝕刻液蝕刻能力很快下降，為保持穩(wěn)定蝕刻能力，需加入氧化劑或鼓空氣使Cu+盡快轉(zhuǎn)化為Cu 2+;同時(shí)當(dāng)蝕刻缸內(nèi)Cu 2+濃度達(dá)到一定數(shù)值時(shí)或者蝕刻缸的溶液超過(guò)一定體積時(shí)，需要及時(shí)排除部分蝕刻液以保證蝕刻工序的正常運(yùn)轉(zhuǎn)，該排出蝕刻液稱(chēng)之為蝕刻廢液。
[0005]而為了減少資源的浪費(fèi)和對(duì)環(huán)境的污染，行業(yè)中往往使用電解蝕刻液再生的方法處理，但在電解處理過(guò)程中陽(yáng)極肯定要產(chǎn)生氧化性的氣體，如果不進(jìn)行回收利用，不但造成經(jīng)濟(jì)的浪費(fèi)，又造成了環(huán)境的二次污染。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種印刷電路板酸性蝕刻液亞銅離子氧化裝置，旨在其不僅能實(shí)現(xiàn)連續(xù)自動(dòng)化的操作，而且能有效避免酸性蝕刻液在再生處理過(guò)程中添加的氧化劑和自身產(chǎn)生的氧化性氣體因無(wú)法回收利用造成的浪費(fèi)。
[0007]本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種印刷電路板酸性蝕刻液亞銅離子氧化裝置，其包括外殼、固定盤(pán)、蓋板、噴管、噴射盤(pán)、分散盤(pán)及進(jìn)水管，所述固定盤(pán)及所述蓋板分別設(shè)置在所述外殼的相對(duì)兩端，所述噴管與所述噴射盤(pán)連接且兩者均收容于所述外殼內(nèi)，所述噴管及所述進(jìn)水管的一端通過(guò)所述分散盤(pán)連接，所述進(jìn)水管的另一相對(duì)端與酸性蝕刻液生產(chǎn)線連接；所述蓋板與酸性再生電解設(shè)備的陽(yáng)極排氣口管道連接，所述蓋板的中心設(shè)置有貫穿其上、下表面的進(jìn)氣口，所述噴射盤(pán)包括與所述分散盤(pán)連接的噴嘴及圍繞所述噴嘴設(shè)置的氣孔；所述酸性蝕刻液通過(guò)所述進(jìn)水管進(jìn)入所述分散盤(pán)及所述噴射盤(pán)并噴入所述噴管中，所述氧化性氣體在所述氣孔產(chǎn)生的負(fù)壓作用下從所述進(jìn)氣口進(jìn)入所述噴管內(nèi)與所述酸性蝕刻液混合并發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而將酸性蝕刻液內(nèi)的亞銅離子氧化成二價(jià)銅離子。
[0008]進(jìn)一步地，前述的外殼為中空?qǐng)A柱狀結(jié)構(gòu)，所述外殼沿其軸向具有中空的兩相對(duì)的上端、下端及側(cè)面；所述固定盤(pán)卡設(shè)在所述下端上，所述蓋板蓋設(shè)在所述上端上，所述固定盤(pán)、所述蓋板及所述側(cè)面圍成一收容空間以收容所述噴管、所述噴射盤(pán)及所述分散盤(pán)于其中，所述側(cè)面于其靠近所述上端的位置沿所述外殼的徑向開(kāi)設(shè)有開(kāi)孔，所述進(jìn)水管的一端從所述開(kāi)孔伸入所述收容空間內(nèi)與所述分散盤(pán)連接。
[0009]進(jìn)一步地，前述的外殼、所述固定盤(pán)、所述蓋板、所述噴管、所述噴射盤(pán)、所述分散盤(pán)及所述進(jìn)水管均采用耐酸堿腐蝕性材質(zhì)制成。
[0010]進(jìn)一步地，前述的固定盤(pán)呈圓盤(pán)狀結(jié)構(gòu)，其直徑與所述外殼的下端的直徑相等；所述固定盤(pán)靠近其圓心的位置等間距的設(shè)有四個(gè)開(kāi)口，所述四個(gè)開(kāi)口圍繞所述固定盤(pán)的圓心設(shè)置。
[0011]進(jìn)一步地，前述的蓋板呈圓盤(pán)狀結(jié)構(gòu)，其直徑與所述外殼的上端及所述固定盤(pán)的直徑相等；所述進(jìn)氣口靠近所述上表面的一端的直徑小于其靠近所述下表面一端的直徑，所述進(jìn)氣口為一頂端小、底端大的錐形開(kāi)口。
[0012]進(jìn)一步地，前述的噴管為四根上、下開(kāi)口的中空?qǐng)A柱管結(jié)構(gòu)，所述噴管的上、下開(kāi)口的直徑等于所述固定盤(pán)的開(kāi)口的直徑，且其軸向的長(zhǎng)度小于所述外殼的軸向長(zhǎng)度，所述噴管的下開(kāi)口端收容在所述固定盤(pán)對(duì)應(yīng)的開(kāi)口中，從而使所述噴管通過(guò)所述固定盤(pán)固定在所述外殼上。
[0013]進(jìn)一步地，前述的印刷電路板酸性蝕刻液亞銅離子氧化裝置的下端固定在一個(gè)吸收缸上，且所述吸收缸與所述蝕刻液生產(chǎn)線連接。
[0014]進(jìn)一步地，前述的噴射盤(pán)大致呈圓盤(pán)狀，所述噴射盤(pán)沿其軸向的厚度大于所述噴管的軸向厚度，所述噴射盤(pán)沿其軸向由下至上依次包括底盤(pán)、中間盤(pán)及頂盤(pán)，所述底盤(pán)、所述中間盤(pán)及所述頂盤(pán)的直徑相等，且依次疊加在一起；所述底盤(pán)沿其軸向?qū)?yīng)所述噴管的上開(kāi)口位置設(shè)置有收容槽，所述中間盤(pán)圍繞其圓心設(shè)置有一個(gè)開(kāi)槽，所述開(kāi)槽的直徑略小于所述外殼的直徑；所述頂盤(pán)靠近其圓心的位置等間距的設(shè)有四個(gè)收容孔，所述噴嘴收容于所述收容孔內(nèi)且與所述噴管相對(duì)應(yīng)連接，所述氣孔沿所述噴射盤(pán)的軸向圍繞所述收容孔的周?chē)_(kāi)設(shè)。
[0015]進(jìn)一步地，前述的噴嘴沿其軸向的中間設(shè)置有錐形孔，所述錐形孔與所述噴管相通，所述噴嘴的材料為鈦或鈦合金。
[0016]進(jìn)一步地，前述的分散盤(pán)呈中空?qǐng)A錐狀結(jié)構(gòu)，所述分散盤(pán)的上端直徑小于其下端的直徑，沿其軸向設(shè)置有錐形連通孔；所述分散盤(pán)的上端與所述進(jìn)水管的下端連接，所述分散盤(pán)的下端與所述頂盤(pán)連接，所述四個(gè)噴嘴的錐形孔與所述連通孔連通。
[0017]進(jìn)一步地，前述的進(jìn)水管為一彎管結(jié)構(gòu)，其包括水平管部及與所述水平管部連接的彎折管部；所述水平管部與設(shè)置有廢液泵的蝕刻液生產(chǎn)線相連接，所述彎折管部與所述分散盤(pán)的上端連接。
[0018]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，有益效果在于:本發(fā)明實(shí)施方式提供的印刷電路板酸性蝕刻液亞銅離子氧化裝置，通過(guò)設(shè)置與蝕刻液生產(chǎn)線連接的進(jìn)水管、與酸性再生電解設(shè)備的陽(yáng)極排氣口管道連接的蓋板的進(jìn)氣口，及分別與所述進(jìn)水管及所述進(jìn)氣口連接的具有氣孔及噴嘴結(jié)構(gòu)的噴射盤(pán)及噴管結(jié)構(gòu)，從而使酸性蝕刻液在泵浦的作用下從所述進(jìn)水管流入所述噴嘴并噴入所述噴管中，使所述酸性再生電解設(shè)備的陽(yáng)極因電解產(chǎn)生的氧化性氣體在所述氣孔產(chǎn)生的負(fù)壓作用下從所述進(jìn)氣口進(jìn)入所述噴管內(nèi)，所述氧化性氣體與所述酸性蝕刻液在所述噴管內(nèi)匯集并充分混合而發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，將酸性蝕刻液內(nèi)的亞銅離子氧化成二價(jià)銅離子，從而不僅實(shí)現(xiàn)亞銅離子的氧化，而且實(shí)現(xiàn)氧化性氣體在酸性蝕刻液再生處理中的回收利用。
【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的印刷電路板酸性蝕刻液亞銅離子氧化裝置的立體分解示意圖。
[0020]圖2是圖1中的印刷電路板酸性蝕刻液亞銅離子氧化裝置的剖面示意圖。
[0021]圖3是圖1中的印刷電路板酸性蝕刻液亞銅離子氧化裝置的氧化及再生工藝流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0023]請(qǐng)參閱圖1及圖2所示，本發(fā)明提供的印刷電路板酸性蝕刻液亞銅離子氧化裝置100用于對(duì)酸性蝕刻液中的亞銅離子進(jìn)行氧化，所述印刷電路板酸性蝕刻液亞銅離子氧化裝置100包括外殼1、固定盤(pán)2、蓋板3、噴管4、噴射盤(pán)5、分散盤(pán)6及進(jìn)水管7。所述固定盤(pán)2及所述蓋板3分別設(shè)置在所述外殼I的下端11及上端10。所述噴管4與所述噴射盤(pán)5連接且兩者均收容于所述外殼I內(nèi)，所述噴管4及所述進(jìn)水管7的一端通過(guò)所述分散盤(pán)6連接，所述進(jìn)水管7的另一相對(duì)端與酸性蝕刻液生產(chǎn)線(未圖示)連接；所述蓋板3與酸性再生電解設(shè)備的陽(yáng)極排氣口管道(未圖示)連接。在本實(shí)施例中，所述外殼1、所述固定盤(pán)2、所述蓋板3、所述噴管4、所述噴射盤(pán)5、所述分散盤(pán)6及所述進(jìn)水管7均采用耐酸堿腐蝕性材質(zhì)制成。
[0024]所述外殼I為中空?qǐng)A柱狀結(jié)構(gòu)，所述外殼I沿其軸向具有中空的兩相對(duì)的上端10、下端11及側(cè)面12。所述固定盤(pán)2卡設(shè)在所述下端11上，所述蓋板3蓋設(shè)在所述上端10上。所述固定盤(pán)2、所述蓋板3及所述側(cè)面12圍成一收容空間120以收容所述噴管4、所述噴射盤(pán)5及所述分散盤(pán)6于其中。所述側(cè)面12于其靠近所述上端10的位置沿所述外殼I的徑向開(kāi)設(shè)有開(kāi)孔121，所述開(kāi)孔121供所述進(jìn)水管7的一端伸入所述收容空間120內(nèi)與所述分散盤(pán)6連接。
[0025]所述固定盤(pán)2呈圓盤(pán)狀結(jié)構(gòu)，其直徑與所述外殼I的下端11的直徑相等。所述固定盤(pán)2靠近其圓心的位置等間距的設(shè)有四個(gè)開(kāi)口 20，所述四個(gè)開(kāi)口 20圍繞所述固定盤(pán)2的圓心設(shè)置?？梢岳斫?，所述固定盤(pán)2還可以一體成型地設(shè)置在所述外殼I的下端11。
[0026]所述蓋板3呈圓盤(pán)狀結(jié)構(gòu)，其直徑與所述外殼I的上端10及所述固定盤(pán)2的直徑相等。所述蓋板3的中心設(shè)置有貫穿所述蓋板3的上、下表面的進(jìn)氣口 30以使從所述酸性再生電解設(shè)備的陽(yáng)極排氣口管道排出的氣體從所述進(jìn)氣口 30進(jìn)入所