一種襯底拋光方法包含：制備上面形成鶴層的襯底；制 備拋光漿料，所述拋光漿料包含用于進行拋光且具有正（電位的磨料以及用于控制所述 磨料的（電位的電位調(diào)節(jié)劑；以及在向所述襯底供應(yīng)所述拋光漿料的同時對所述鎢層進 行拋光。根據(jù)所述電位調(diào)節(jié)劑的濃度來控制所述磨料的（電位和所述鎢層對絕緣層的拋 光選擇性。
[0029] 可以在向所述襯底供應(yīng)所述漿料的同時供應(yīng)氧化劑。
[0030] 所述拋光可以通過根據(jù)所述電位調(diào)節(jié)劑的濃度來使所述鎢層氧化以形成氧化鎢 層且用所述磨料對所述氧化鎢層進行拋光或者蝕刻所述鎢層來進行。
[0031] 上面形成鎢層的所述襯底的制備可以包含在所述襯底上形成絕緣層、在所述絕緣 層中形成溝槽、以及在包含所述溝槽在內(nèi)的所述絕緣層的整個表面上形成鎢層。
[0032] 所述鎢層的拋光可以包含使用所述絕緣層的拋光速率大于所述鎢層的拋光速率 的漿料進行的第一拋光以及使用所述鎢層的拋光速率大于所述絕緣層的拋光速率的漿料 進行的第二拋光。
[0033] 所述鎢層的拋光可以通過使用具有大于或等于約6 : 1的所述鎢層對所述絕緣層 的拋光選擇性的漿料來進行。
[0034] 所述鎢層和所述絕緣層可以通過使用具有約1 : 1到2 : 1的所述鎢層對所述絕 緣層的拋光選擇性的漿料來同時進行拋光。
【附圖說明】
[0035] 可結(jié)合附圖從以下描述更詳細地理解示范性實施例。
[0036] 圖1A、圖1B和圖2說明用作一般磨料的膠質(zhì)氧化硅的透射電子顯微鏡（TEM)攝影 圖像和初級顆粒的分布圖。
[0037] 圖3A、圖3B和圖4說明根據(jù)示范性實施例的用作磨料的二氧化鋯顆粒的TEM攝影 圖像和初級顆粒的分布圖。
[0038] 圖5是二氧化鋯顆粒的X射線衍射圖。
[0039] 圖6是鎢的普貝圖。
[0040] 圖7是示范性實施例中使用的圖案晶片的TEM攝影圖像。
[0041] 圖8A和圖8B是用于確保相對于示范性實施例中使用的電位調(diào)節(jié)劑的濃度來說的 漿料的分散穩(wěn)定性的攝影圖像。
[0042] 圖9是說明漿料的二次粒徑和4電位相對于電位調(diào)節(jié)劑的濃度的曲線圖。
[0043] 圖10是說明鎢和氧化物層的4電位的曲線圖。
[0044] 圖11是說明鎢和氧化物層的拋光速率和選擇性相對于4電位的曲線圖。
[0045] 圖12是說明鎢對氧化物層的拋光選擇性和4電位相對于電位調(diào)節(jié)劑的濃度的曲 線圖。
[0046] 圖13A到圖13D是說明鎢的拋光機制的示意圖。
[0047] 圖14A到圖14K是相對于電位調(diào)節(jié)劑的濃度來說的在拋光之后鎢的表面的掃描電 子顯微鏡（SEM)攝影圖像。
[0048] 圖15A到圖15J和圖16A到圖16D是相對于電位調(diào)節(jié)劑的濃度來說的在拋光之后 沒有進行磨光工藝（buffing process)的鶴和氧化物層的表面的SEM攝影圖像。
[0049] 圖17是說明在拋光之后沒有進行磨光工藝的鎢和氧化物層的表面處的拋光顆粒 的數(shù)目相對于電位調(diào)節(jié)劑的濃度的曲線圖。
[0050] 圖18A到圖18D是相對于電位調(diào)節(jié)劑的濃度來說的在對鎢進行拋光之后的TEM攝 影圖像。
[0051] 圖19是說明碟形坑、腐蝕和拋光選擇性相對于4電位的曲線圖。
[0052] 圖20A到圖20C是用于解釋根據(jù)示范性實施例的制造半導(dǎo)體裝置的方法的剖視 圖。
[0053] 圖21A和圖21B是用于解釋根據(jù)另一示范性實施例的制造半導(dǎo)體裝置的方法的剖 視圖。
[0054] 圖22A和圖22B是用于解釋根據(jù)又一示范性實施例的制造半導(dǎo)體裝置的方法的剖 視圖。
【具體實施方式】
[0055] 下文中，將參看附圖詳細描述特定實施例。然而，本發(fā)明可按不同形式體現(xiàn)且不應(yīng) 視為限于本文中闡述的實施例。而是，提供這些實施例以使得本發(fā)明將為詳盡且完整的，且 將向所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員全面地傳達本發(fā)明的范圍。
[0056] 根據(jù)示范性實施例的漿料是鎢拋光漿料且可以包含用于進行拋光的磨料、用于形 成氧化物的氧化劑和用于促進氧化物形成的電位調(diào)節(jié)劑。磨料、氧化劑和電位調(diào)節(jié)劑可以 包含在溶液中。舉例來說，將磨料、氧化劑和電位調(diào)節(jié)劑分散并分布在水中，明確地說，分散 并分布在蒸餾（DI)水中。另外，可以還包含分散劑以促進磨料的分散，且可以還包含pH控 制劑以控制漿料的pH值。漿料具有磨料在液體中的分散狀態(tài)，且每一組份的量經(jīng)適當?shù)卣{(diào) 整。同時，氧化劑可以不包含在漿料中，并且可以單獨地制備且在進行拋光工藝期間提供在 襯底上。
[0057] 磨料可以包含具有（+)(電位的磨料顆粒。舉例來說，磨料顆?？梢园趸?锫（Zr0 2)顆粒。二氧化锫顆粒具有結(jié)晶相且具有具備晶體晶面（crystal facet)的多面體 形狀。如圖1A和圖1B中的透射電子顯微鏡（TEM)攝影圖像所示，廣泛用作一般磨料的膠質(zhì) 氧化娃具有非晶相和球形顆粒形狀。另外，如圖2中所示，膠質(zhì)氧化娃的初級顆粒（primary particle)是以約40納米到70納米的尺寸來分散，且具有約38. 5納米的平均尺寸。然而， 如圖3A和圖3B中所示，示范性實施例中使用的二氧化鋯顆粒具有結(jié)晶相以及具備晶體晶 面的多面體形狀。另外，如圖4中所示，二氧化鋯的初級顆粒是以約10納米到100納米的 尺寸來分散且具有約23. 3納米的平均尺寸。如圖5中所示，二氧化鋯顆粒是固體顆粒，且 在通過X射線衍射（XRD)進行分析時具有單斜結(jié)構(gòu)（monoclinic structure)的結(jié)晶形狀。 通過設(shè)置晶面，可以有效地進行鎢的拋光。同時，根據(jù)示范性實施例的二氧化鋯顆粒的初級 顆粒具有約10納米到1〇〇納米的平均粒徑。在初級顆粒的平均尺寸小于約10納米的情況 下，拋光速率可能較低，且鎢的拋光可能難以進行，而在初級顆粒的平均尺寸大于約100納 米的情況下，可能會在拋光期間產(chǎn)生刮痕。明確地說，二氧化鋯顆粒優(yōu)選地具有約15納米 到50納米的初級顆粒的平均粒徑。在上述范圍之內(nèi)，可以使磨料顆粒的濃度最優(yōu)化，并且 在將刮痕的產(chǎn)生降至最低的同時還可以獲得高的拋光速率。另外，以漿料的總量計，二氧 化鋯顆粒的量可以是大致大于約0. 2重量％到小于或等于約10重量％。在二氧化鋯顆粒 的量小于或等于約〇. 2重量％的情況下，拋光速率過小，且拋光可能難以進行，而在量超過 約10重量％的情況下，顆粒的分散穩(wěn)定性可能是不良的，且二次顆粒的尺寸可能增大過度 而產(chǎn)生刮痕。明確地說，二氧化鋯顆粒的量可以是約0. 3重量％到5重量％，且更優(yōu)選是約 0. 4重量％到2重量％。在二氧化锫顆粒的量是約0. 4重量％到5重量％的情況下,鶴的拋 光速率可能是良好的，且可以確保分散穩(wěn)定性，且在二氧化鋯顆粒的量是約0. 4重量％到2 重量％的情況下，鎢的拋光速率可能更好。
[0058] 分散劑起到使磨料均勻地分散在漿料中的作用且可以使用陽離子聚合材料、陰離 子聚合材料和非離子聚合材料。另外，分散劑可以精確地控制磨料的（電位。就是說，陽離 子分散劑可以使磨料的（電位增大到正電位，而陰離子分散劑可以使磨料的（電位減小 到負電位。另外，非離子分散劑可以使磨料的（電位維持原樣。因此，可以根據(jù)漿料中包含 的分散劑而維持磨料的（電位或?qū)⒛チ系模娢痪_地控制到正電位或負電位。陽離子 聚合物分散劑可以包含選自由以下各者組成的群組中的至少一者：聚賴氨酸、聚乙烯亞胺、 氯化本索寧、5-溴-5-硝基-1，3-二惡烷、西曲溴銨、西曲氯銨、雙十八烷基二甲基氯化銨、 四甲基氫氧化銨、二硬脂基二甲基氯化銨、聚羥丙基二甲基氯化銨、1，2_二油?；?3-三甲 胺丙烷和聚丙烯胺。陰離子聚合物分散劑可以包含選自由以下各者組成的群組中的至少一 者：聚丙烯酸、多羧酸、十二烷基苯磺酸鈉、十二烷基硫酸鈉和聚苯乙烯磺酸鈉。另外，非離 子分散劑可以包含選自由以下各者組成的群組中的至少一者：聚乙烯吡咯烷酮、聚環(huán)氧乙 烷、聚乙烯醇、羥乙基纖維素、2-氨基-2-甲基-1-丙醇、0 -環(huán)糊精、果糖、葡萄糖和半乳 糖。以漿料的總量計，分散劑的濃度可以是大致大于〇. 01重量％到小于或等于約1重量％。 在量小于或等于約〇. 01重量％的情況下，可能不是很好地進行分散，且可能會產(chǎn)生沉淀。 在量超過1重量％的情況下，離子化濃度可能會增大，且可能會產(chǎn)生沉淀。明確地說，以漿 料的總量計，分散劑所占的量優(yōu)選地可以是約〇. 05重量％到0. 5重量％，且