專利名稱：晶片拋光裝置和拋光方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及晶片拋光裝置和拋光方法，尤其涉及適用于經(jīng)半導(dǎo)體器件制造工藝形成的半導(dǎo)體晶片上使不平整部分平面化的化學(xué)和機(jī)械拋光的晶片拋光裝置和拋光方法。


圖10表示出在由化學(xué)和機(jī)械拋光使經(jīng)半導(dǎo)體器件制造工藝形成的半導(dǎo)體晶片上不平整部分平面化的情況下拋光晶片外周邊部分之后形狀的曲線圖。圖10中，水平軸代表從晶片外周邊部分到中心的徑向位置，垂直軸代表晶片的殘留層厚度。
通常，晶片拋光裝置進(jìn)行化學(xué)和機(jī)械拋光是將磨料供給旋轉(zhuǎn)的磨料布并且通過將磨料布壓在晶片上來進(jìn)行拋光的。在這種情況下，設(shè)置一個稱作護(hù)圈的環(huán)包圍晶片，以防止該晶片在拋光工藝期間跳出。圖10中，(a)代表的曲線表示了在護(hù)圈不與拋光布接觸情況下的晶片形狀。通常，拋光后晶片外周邊部分的形狀是在護(hù)圈壓在拋光布上之情況下的形狀。(b)代表的曲線表示了在護(hù)圈與磨料布接觸情況下的晶片形狀。通常，拋光后晶片外周邊部分形狀是依賴于護(hù)圈是否壓在磨料布上來區(qū)分的。已經(jīng)知道能夠獲得由圖10曲線(a)所示的較好或較高的平面度。
在半導(dǎo)體制造工藝中，從單個晶片獲得的半導(dǎo)體芯片量(以后稱作為生產(chǎn)率)依賴于晶片平坦區(qū)域的面積。在圖10由(a)所示曲線情況，即在護(hù)圈壓在磨料布之上的情況，在晶片外周邊部分中能夠獲得較高的平面度以便從一塊晶片以較低的制造成本取得較高的生產(chǎn)率。因此，鑒于此，從制造工藝角度看，將護(hù)圈壓在磨料布上是有利的。但是，在這種情況下，由于護(hù)圈圍著晶片，當(dāng)護(hù)圈較低的表面是平坦時，妨礙給晶片拋光表面供應(yīng)磨料量，使拋光速度降低，或者引起晶片中心部分欠拋光。
解決上述問題的拋光裝置已在日本未審公開專利JP7-237120中公開。
JP7-237120公開的晶片拋光裝置將參考圖9討論。
圖9所示晶片拋光裝置由可旋轉(zhuǎn)拋光床2、裝在拋光床上的磨料布、通過泵等在磨料布表面上供給磨料4的磨料供給部分5、支撐晶片1作為拋光標(biāo)的的運(yùn)載頭6、包圍晶片1并固定到運(yùn)載頭6內(nèi)，使得其處于一個高度以便在拋光時壓住磨料布3和在與磨料布3接觸的表面上設(shè)有多個凹槽10的護(hù)圈9、壓住朝向與運(yùn)載頭6一起的磨料布3的晶片1和護(hù)圈9的氣壓機(jī)構(gòu)14、以及驅(qū)動在與運(yùn)載頭6一起的磨料布3上的晶片1和護(hù)圈9的主軸13構(gòu)成的。
圖9所示常規(guī)晶片拋光裝置將磨料4供給旋轉(zhuǎn)磨料布3，并且通過旋轉(zhuǎn)主軸13、利用加壓機(jī)構(gòu)14將晶片1壓在磨料布3上來進(jìn)行拋光，對于進(jìn)行化學(xué)和機(jī)械拋光的普通裝置也類似之。此時，由于護(hù)圈9也壓在磨料布3上，因此能夠得到在晶片1外周邊部分如圖10(a)所示的良好平直度，以提高成品率。另一方面，由于護(hù)圈8上裝有多個凹槽10，磨料4就通過這些凹槽10供給晶片拋光表面以解決拋光速度降低和在晶片1中心部分欠拋光的問題。
但是，這種常規(guī)晶片拋光裝置仍然存在晶片和護(hù)圈經(jīng)運(yùn)載頭同步旋轉(zhuǎn)的問題。
也就是常規(guī)晶片拋光裝置對于晶片和護(hù)圈同步旋轉(zhuǎn)引起晶片圓周方向拋光量的波動和對應(yīng)地引起成品率的降低而能夠區(qū)分形成有凹槽部分和未形成凹槽部分的磨料的流入量。
另一方面，常規(guī)晶片拋光裝置不能控制給晶片拋光表面供給和排放磨料。按照拋光進(jìn)程產(chǎn)生的拋光芯片和反應(yīng)產(chǎn)品能夠被聚集在晶片拋光表面的下面。由此能夠引起擦傷晶片表面和降低拋光速度。
本發(fā)明是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的進(jìn)展作出。因此，本發(fā)明目的是提供晶片拋光裝置和拋光方法，其能夠利用消除拋光量的波動來提高成品率，并且能夠防止由于產(chǎn)品的聚集而發(fā)生的擦傷和拋光速度的降低。
根據(jù)本發(fā)明的第一方案，晶片拋光裝置包括旋轉(zhuǎn)拋光床；裝在拋光床上的磨料布；用于把磨料供給磨料布表面的磨料供給裝置；用于把晶片以預(yù)定壓力壓在磨料布上的晶片壓下裝置；圍繞晶片配置的并且在與磨料布接觸的表面上提供有內(nèi)周邊緣和外周邊緣之間延伸的多個凹槽的環(huán)形護(hù)圈；用于驅(qū)動晶片和磨料布上護(hù)圈的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置；和用于在晶片和護(hù)圈之間提供不同旋轉(zhuǎn)速度的旋轉(zhuǎn)速度差產(chǎn)生裝置；
根據(jù)本發(fā)明第二方案，晶片拋光方法包括步驟把磨料供給裝在旋轉(zhuǎn)拋光床上的磨料布表面；驅(qū)動作為拋光標(biāo)的物的晶片和圍繞晶片配量的護(hù)圈，通過護(hù)圈借助將晶片按預(yù)定壓力壓在磨料布上來進(jìn)行旋轉(zhuǎn)；和產(chǎn)生晶片和護(hù)圈不同的旋轉(zhuǎn)速度。
根據(jù)本發(fā)明第三方案，晶片拋光方法包括步驟把磨料供給裝在旋轉(zhuǎn)拋光床上的磨料布表面；驅(qū)動作為拋光標(biāo)的物的晶片和圍繞晶片配量的護(hù)圈，通過護(hù)圈借助將晶片按預(yù)定壓力壓在磨料布上來進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，其中磨料在晶片和護(hù)圈一個旋轉(zhuǎn)方向供給要拋光的晶片表面，以及磨料在另一旋轉(zhuǎn)方向從要拋光的晶片表面釋放；和在一個方向到另一方向之間轉(zhuǎn)換旋轉(zhuǎn)方向。
從下面給出的詳細(xì)說明和本發(fā)明優(yōu)選實(shí)例附圖將能完整地理解本發(fā)明，但它不是作為對本發(fā)明的限制而僅僅是為說明和理解。
附圖中圖1是表示根據(jù)本發(fā)明晶片拋光裝置第一實(shí)例結(jié)構(gòu)的視圖；圖2是表示圖1所示晶片拋光裝置第一實(shí)例的護(hù)圈中裝有凹槽實(shí)例的平面視圖；圖3是表示圖1所示晶片拋光裝置第一實(shí)例護(hù)圈的壓緊力與晶片外周邊部分形狀之間關(guān)系的曲線圖；圖4是表示在晶片外周邊部分圓周方向上拋光形狀的曲線圖；圖5是表示根據(jù)本發(fā)明晶片拋光裝置第二實(shí)例之結(jié)構(gòu)的視圖；圖6是表示圖5所示晶片拋光裝置第二實(shí)例的護(hù)圈中裝有凹槽的實(shí)例的平面視圖；圖7是表示圖1所示晶片拋光裝置第二實(shí)例的護(hù)圈中裝有凹槽的實(shí)例的平面視圖；圖8是表示根據(jù)本發(fā)明晶片拋光方法一個實(shí)例的流程圖；圖9是表示常規(guī)晶片拋光裝置之結(jié)構(gòu)的視圖；圖10是表示利用護(hù)圈壓住拋光表面的情況下和護(hù)圈不與拋光表面接觸固定的情況下拋光表面平直度相比較的說明圖。
下面根據(jù)參考附圖的本發(fā)明優(yōu)選實(shí)例來詳細(xì)討論本發(fā)明。在下述說明中，為了提供本發(fā)明的完整理解，將說明許多特定的細(xì)節(jié)。但是對本領(lǐng)域技術(shù)人員不用這些特定的細(xì)節(jié)可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明是顯而易見的。在其它情況下，為了避免使本發(fā)明不必要的不清楚，沒有詳細(xì)地示出公知結(jié)構(gòu)。
圖1是表示根據(jù)本發(fā)明晶片拋光裝置第一實(shí)例之結(jié)構(gòu)的視圖。圖1所示晶片拋光裝置由可旋轉(zhuǎn)拋光床2、裝在拋光床2上的磨料布3、利用泵等將磨料4供在磨料布3表面上的磨料供給部分5、支撐晶片作為拋光標(biāo)的物的運(yùn)載頭6、具有緊固在運(yùn)載頭6上內(nèi)環(huán)的交叉輥軸承7、環(huán)上內(nèi)部地限定壓縮空氣流路的護(hù)圈基座8、圍繞晶片1配置的且在與磨料布3接觸的表面上裝有多個凹槽10的環(huán)形護(hù)圈9、設(shè)置在護(hù)圈基座8和護(hù)圈9之間并且通過將預(yù)定壓力的壓縮空氣引入護(hù)圈基座的流路來將護(hù)圈9以預(yù)定壓力壓入磨料布3的波紋管11、將壓縮空氣供給護(hù)圈基座8流路的氣管、與運(yùn)載頭6連接的和驅(qū)動使與運(yùn)載頭6一起的磨料布3上的晶片旋轉(zhuǎn)的主軸13、經(jīng)主軸13和運(yùn)載頭6將晶片1壓在拋光布3的非旋轉(zhuǎn)加壓機(jī)構(gòu)14、緊緊固定在加壓機(jī)構(gòu)14并且按垂直方向配置使得其尖頭端定位在運(yùn)載頭6兩側(cè)的二個制動器14、以及緊緊固定在護(hù)圈基底8、水平突出朝向運(yùn)載頭6兩側(cè)、與用于制動護(hù)圈基座8和護(hù)圈9旋轉(zhuǎn)的按照運(yùn)載頭6旋轉(zhuǎn)的制動器15接觸的二個軸。
圖2是表示裝在護(hù)圈9上凹槽10的第一實(shí)例的視圖。直線地朝向護(hù)圈9中心形成凹槽10。
下面討論其操作。
與常規(guī)晶片拋光裝置類似，通過驅(qū)動主軸13旋轉(zhuǎn)，通過從磨料供給部分5將磨料4供給與拋光床2旋轉(zhuǎn)相聯(lián)系的正旋轉(zhuǎn)的磨料布3、以及通過利用加壓機(jī)構(gòu)14來將晶片1壓在與運(yùn)載頭6一起的磨料布3上能夠完成晶片1的拋光。
此時，通過以預(yù)定壓力壓磨料布3、通過經(jīng)氣管12和護(hù)圈基座8的流路供給波紋管11內(nèi)部的壓縮空氣，護(hù)圈9自然保持了晶片1外周邊部分的拋光平直度。已經(jīng)知道壓住磨料布3的護(hù)圈9的過大或過少壓力都能夠降低晶片外周邊部分的拋光平直度。圖3是表示護(hù)圈9壓緊力和晶片外周邊部分形狀關(guān)系的曲線，其中水平軸代表從晶片1外周邊到中心的徑向位置，垂直軸是晶片1的殘余厚度。圖3中，各彎折線(a),(b),(c)表示當(dāng)壓住力分別是1psi,7psi和15psi時的殘余厚度。如圖3所示，當(dāng)護(hù)圈9的壓緊力在7psi時能有高平面度和平面度在1psi和15psi時能夠降低。因此，供給波紋管11的壓縮空氣設(shè)定為拋光平直度變成最佳時的壓力。應(yīng)當(dāng)注意，由于拋光平面度最佳處的護(hù)圈9壓緊力依賴于磨料布或裝置自身特征來區(qū)別，因此預(yù)先估計是必須的。
拋光操作期間，磨料4從多個裝在護(hù)圈9上的凹槽流入晶片的拋光表面。因此，由于磨料4的流量在裝有凹槽10的部分和未裝凹槽10的部分能夠區(qū)分，因此，除非采取某些措施，否則在晶片周邊方向能引起拋光量的波動。因而在所示實(shí)例中，運(yùn)載頭6和護(hù)圈9設(shè)計成跨過交叉輥軸承7獨(dú)立旋轉(zhuǎn)。所以即使當(dāng)運(yùn)載頭6和晶片1旋轉(zhuǎn)時，通過接觸固定在非旋轉(zhuǎn)加壓機(jī)構(gòu)14和軸的制動器15來阻止護(hù)圈9的旋轉(zhuǎn)。由此，在晶片1旋轉(zhuǎn)和護(hù)圈9旋轉(zhuǎn)之間引起速度差當(dāng)引起凹槽10關(guān)于晶片1圓周的相對旋轉(zhuǎn)。因此在晶片1的圓周方向能夠使磨料4的流入量一致。
圖4是表示在晶片外周邊部分的圓周方向上拋光形狀的曲線，其中水平軸代表從晶片外周邊部分指向中心的徑向的位置，垂直軸代表晶片的殘余層厚度。圖4中，(a)代表當(dāng)應(yīng)用本發(fā)明時的拋光的形狀，(b)是常規(guī)拋光的形狀。在常規(guī)晶片拋光裝置中，晶片和護(hù)圈彼此同步地旋轉(zhuǎn)，在有凹槽部分和沒有凹槽部分磨料的流入量是區(qū)分的，對應(yīng)地引起成品率的降低。與此對照，當(dāng)用所示實(shí)例的晶片拋光裝置來完成拋光時，在圖4的線(a)所代表的圓周方向能夠均勻地拋光晶片1。
應(yīng)注意到，在本發(fā)明中，用于產(chǎn)生晶片1和護(hù)圈9之間旋轉(zhuǎn)速度差的結(jié)構(gòu)并不特別地局限于所示實(shí)例。作為獨(dú)立旋轉(zhuǎn)的軸承，可以使用各種減磨擦軸承，例如滾球軸承，針形輥等，以及通過滑動部件的滑動軸承等。另外，通過用滑動部件形成護(hù)圈基座8和護(hù)圈9自身來形成軸承的替換是可能的。作為護(hù)圈9的旋轉(zhuǎn)阻止機(jī)構(gòu)，是將高磨擦部件壓在護(hù)圈9側(cè)表面上的結(jié)構(gòu)。在這種情況下，通過調(diào)節(jié)部件的壓力在一定程度上能夠控制旋轉(zhuǎn)速度差。
另一方面，還有可能用高磨擦部件來形成護(hù)圈9的底面以提供與磨料布3的大的磨擦力來限制旋轉(zhuǎn)。簡言之，能夠采用引起晶片1旋轉(zhuǎn)和護(hù)圈9旋轉(zhuǎn)的速度差的任何結(jié)構(gòu)。
而且，除了用波紋管和壓縮空氣的氣壓之外，用于壓住護(hù)圈9的裝置還能夠是多個盤形彈簧，環(huán)形簧片和各種其它的結(jié)構(gòu)。
另一方面，在拋光床2的某些情況下，在拋光操作期間有可能引起磨料布3的傾斜或垂直位移。此時，在運(yùn)載頭6和主軸13之間的連接可以采用可傾斜的接合。例如，在可旋轉(zhuǎn)接合的情況，例如球形接合等，可以采用銷釘?shù)纫詡魉托D(zhuǎn)力。
圖5是表示根據(jù)本發(fā)明晶片拋光裝置第二實(shí)例結(jié)構(gòu)的視圖。圖5所示晶片拋光裝置采用旋轉(zhuǎn)速度差產(chǎn)生裝置，獨(dú)立地包括控制護(hù)圈13和護(hù)圈主軸17的旋轉(zhuǎn)方向和旋轉(zhuǎn)速度的第一旋轉(zhuǎn)控制部分18和第二旋轉(zhuǎn)控制部分，護(hù)圈主軸17的旋轉(zhuǎn)與使驅(qū)動與運(yùn)載床6一起的晶片1旋轉(zhuǎn)且連接到護(hù)圈基座8的主軸13無關(guān)，其用于驅(qū)動護(hù)圈基座8和護(hù)圈9旋轉(zhuǎn)而與晶片1無關(guān)，以代替如第一實(shí)例中通過制動器15和軸16的接觸的旋轉(zhuǎn)阻止機(jī)構(gòu)。其它的結(jié)構(gòu)同第一實(shí)例中的部分，因此，為了使公開簡單以便清楚地理解本發(fā)明避免贅述，省略了對公知元件的說明。
圖6是表示裝在護(hù)圈9上凹槽10第二實(shí)例的視圖。凹槽形成為沿著由拋光床2旋轉(zhuǎn)速度和護(hù)圈9旋轉(zhuǎn)速度確定的磨料流線延伸的形狀。
另一方面，圖7是表示裝在護(hù)圈9內(nèi)凹槽10第三實(shí)例的視圖。凹槽10是相對于伸過晶片中心點(diǎn)的多根直線以給定角度傾斜延伸的直線形狀結(jié)構(gòu)。
下面討論操作。
在所示實(shí)例和第一實(shí)例中，基本的操作是彼此類似的，不同僅在于在晶片1和護(hù)圈9之間產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)速度差的操作上。
在所示實(shí)例中，通過第一旋轉(zhuǎn)控制部分18和第二旋轉(zhuǎn)控制部分19，主軸13和護(hù)圈主軸17的旋轉(zhuǎn)分別由控制旋轉(zhuǎn)速度或旋轉(zhuǎn)方向而不同。因此，能夠選擇晶片1的旋轉(zhuǎn)和護(hù)圈9的旋轉(zhuǎn)來設(shè)定晶片1和護(hù)圈9兩者以彼此不同的速度在相同方向上旋轉(zhuǎn)的條件，來設(shè)定晶片和護(hù)圈9以相互相反方向旋轉(zhuǎn)的條件，以及僅有晶片1旋轉(zhuǎn)護(hù)圈9停止的條件，其依賴于選擇的磨料布3或拋光裝置自身的特性。
另一方面，在所示實(shí)例中，能夠通過第二旋轉(zhuǎn)控制部分19將護(hù)圈主軸17的主軸控制在恒定速度。在這種情況下，如圖6所示，沿由拋光床2旋轉(zhuǎn)速度和護(hù)圈9旋轉(zhuǎn)速度確定的磨料4流線型延伸形成的凹槽10展現(xiàn)磨料4較好的流入特性。當(dāng)在某種程度上取得改善的流入特性時，或者當(dāng)在進(jìn)行用變化的旋轉(zhuǎn)速度完成拋光操作時，如圖7所示，凹槽10可以是相對于從晶片1中心點(diǎn)伸過的多個直線的傾斜延伸的直線形狀。
圖8是表示根據(jù)本發(fā)明晶片拋光方法一個實(shí)例的流程圖。圖8所示晶片拋光方法的特征在于選擇地重復(fù)順時針(CW)方向旋轉(zhuǎn)護(hù)圈9，以便將磨料4供給晶片1的拋光表面的步驟，重復(fù)逆時針(CCW)方向旋轉(zhuǎn)護(hù)圈，以便從晶片1的拋光表面釋放磨料4的步驟。應(yīng)注意到，旋轉(zhuǎn)方向是從與護(hù)圈磨料布3接觸的表面所觀察角度的方向，該護(hù)圈在拋光操作期間具有圖6和7所示形狀的凹槽。如果凹槽10形成為在相對方向上傾斜，磨料的供給和釋放的旋轉(zhuǎn)方向就變成相反。
下面給出關(guān)于操作的討論。
在拋光開始之后，首先驅(qū)動護(hù)圈9CW方向旋轉(zhuǎn)。在這個旋轉(zhuǎn)方向，通過傾斜凹槽10，磨料4必然被吸入護(hù)圈9。因此，磨料4供給晶片1的拋光表面。然而，磨料4不能以充分的量釋放，晶片1表面和磨料4之間拋光芯片或反應(yīng)產(chǎn)品能夠聚集在晶片1拋光表面的下面，引起擦傷或拋光速度的降低。因此，接著，在給定周期過去之后，驅(qū)動護(hù)圈9CCW方向旋轉(zhuǎn)。在這種情況下，與CW方向相反，磨料4必定從晶片1拋光表面釋放，拋光芯片或反應(yīng)產(chǎn)品能從晶片拋光表面下方的部分中去掉。釋放操作之后，護(hù)圈9以CW方向旋轉(zhuǎn)的步驟再次進(jìn)行以進(jìn)行拋光。通過選擇地重復(fù)磨料的供給和排放。直到完成拋光，在不發(fā)生擦傷或旋轉(zhuǎn)速度降低的情況下能夠完成晶片1的拋光。
正如上面所指出，在根據(jù)本發(fā)明的晶片拋光裝置中，代替引起晶片和護(hù)圈的同步旋轉(zhuǎn)，在晶片和具有凹槽的護(hù)圈之間引起速度差。因此，磨料到晶片的流入量能夠在晶片的圓周方向一致，使得在晶片圓周方向的拋光量均勻以提高生產(chǎn)成品率。
另一方面，在根據(jù)本發(fā)明的晶片拋光方法中，代替磨料恒定地供給和排放出晶片拋光表面，選擇地重復(fù)進(jìn)行磨料供給和釋放步驟。因此，與拋光進(jìn)程相聯(lián)系而產(chǎn)生的拋光芯片和反應(yīng)產(chǎn)品可不聚集在晶片的拋光表面的下方，避免了發(fā)生晶片表面的擦傷并且能夠保持拋光速度不變。
盡管本發(fā)明已經(jīng)對于其示例性實(shí)例進(jìn)行了說明和解釋，但對本領(lǐng)域技術(shù)人員其應(yīng)理解為在不脫離本發(fā)明精神和范圍的情況下，可對其進(jìn)行各種其它的變化、省略和添加。因此，本發(fā)明不應(yīng)理解為僅局限于上述的特定實(shí)例，而應(yīng)理解為相對于所附權(quán)利要求提出的特征，包含在其范圍和等價之內(nèi)能夠?qū)崿F(xiàn)的所有可能的實(shí)例。
權(quán)利要求
1.一種晶片拋光裝置，包括旋轉(zhuǎn)拋光床；裝在所述拋光床上的磨料布；用于將磨料供給所述磨料布表面的磨料供給裝置；用于以預(yù)定壓力將所述晶片壓在所述磨料布上的晶片壓住裝置；配置在所述晶片周圍、且裝有在與所述磨料布接觸的表面上在內(nèi)周邊緣和外周邊緣之間延伸的多個凹槽的環(huán)形護(hù)圈；用于驅(qū)動所述晶片和在所述磨料布上的所述護(hù)圈的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置；以及用于在所述晶片和所述護(hù)圈之間提供不同旋轉(zhuǎn)速度的旋轉(zhuǎn)速度差產(chǎn)生裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的晶片拋光裝置，其中裝在所述護(hù)圈上的所述多個凹槽沿多個伸過所述晶片中心點(diǎn)的直線延伸并且是線性形狀結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的晶片拋光裝置，其中所述多個裝在所述護(hù)圈上的凹槽沿著由所述拋光床旋轉(zhuǎn)速度和所述護(hù)圈的旋轉(zhuǎn)速度確定的所述磨料的預(yù)定流線型延伸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的晶片拋光裝置，其中所述多個裝在所述護(hù)圈上的凹槽相對于多個以預(yù)定角度伸過所述晶片中心點(diǎn)的直線傾斜延伸并且是線性形狀結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的晶片拋光裝置，其中所述多個裝在所述護(hù)圈上的凹槽相對于多個以預(yù)定角度伸過所述晶片中心點(diǎn)的直線傾斜延伸并且是曲線形狀結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的晶片拋光裝置，其中旋轉(zhuǎn)速度差產(chǎn)生裝置包括設(shè)置在用于驅(qū)動旋轉(zhuǎn)所述晶片的所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置和所述護(hù)圈之間的軸承，以及所述護(hù)圈和用于防止所述護(hù)圈旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)阻止裝置。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的晶片拋光裝置，其中所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置提供用于每個所述晶片和所述護(hù)圈，而與其它的無關(guān)，并且所述旋轉(zhuǎn)速度差產(chǎn)生裝置包含兩個旋轉(zhuǎn)控制裝置，分別控制各個旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置的旋轉(zhuǎn)方向和旋轉(zhuǎn)速度，而與其它的無關(guān)。
8.一種晶片拋光方法，包括步驟將磨料供給裝在旋轉(zhuǎn)拋光床上的磨料布表面；驅(qū)動作為拋光標(biāo)的物的晶片和圍繞所述晶片配置的護(hù)圈，用于通過所述護(hù)圈借助以預(yù)定壓力將所述晶片壓在所述磨料布上來進(jìn)行旋轉(zhuǎn)；和引起所述晶片和所述護(hù)圈的旋轉(zhuǎn)速度差。
9.一種晶片拋光方法，包括步驟將磨料供給裝在旋轉(zhuǎn)拋光床上的磨料布的表面；驅(qū)動作為拋光標(biāo)的物的晶片和圍繞所述晶片配置的護(hù)圈，用于通過所述護(hù)圈借助以預(yù)定壓力將所述晶片壓在所述磨料布上來進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，其中所述磨料以所述晶片和所述護(hù)圈的一個旋轉(zhuǎn)方向供給要被拋光的所述晶片表面，所述磨料以另一個旋轉(zhuǎn)方向從要被拋光的所述晶片的所述表面排放；和在所述一個方向到另一方向之間轉(zhuǎn)換旋轉(zhuǎn)方向。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的晶片拋光方法，其中多個相對于以預(yù)定角度伸過所述晶片中心點(diǎn)的直線而傾斜延伸的凹槽安裝在與所述磨料布接觸的所述護(hù)圈表面，其方式使得所述磨料以所述晶片和所述護(hù)圈的一個旋轉(zhuǎn)方向供給要被拋光的所述晶片的表面，所述磨料以另一旋轉(zhuǎn)方向從要被拋光的所述晶片的所述表面排放。
11.根據(jù)權(quán)利要求9的晶片拋光方法，其中在所述磨料布上所述護(hù)圈旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)方向的轉(zhuǎn)換按照預(yù)定順序重復(fù)進(jìn)行。
全文摘要
一種晶片拋光裝置及其方法,借助消除拋光量的波動能夠提高成品率,并且能夠防止因反應(yīng)產(chǎn)品的聚集而發(fā)生擦傷和拋光速度的降低。該晶片拋光裝置具有旋轉(zhuǎn)拋光床,裝在拋光床上的磨料布,用于將磨料供給磨料布表面的磨料供給裝置,用于將晶片以預(yù)定壓力壓在磨料布上的晶片壓住裝置,圍繞晶片配置的且在與磨料布接觸的表面上裝有在內(nèi)周邊緣和外周邊緣之間延伸的多個凹槽,用于驅(qū)動晶片和磨料布上的護(hù)圈的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置,以及用于在晶片和護(hù)圈之間提供不同的旋轉(zhuǎn)速度的旋轉(zhuǎn)速度差產(chǎn)生裝置。
文檔編號B24B37/30GK1228367SQ9811167
公開日1999年9月15日 申請日期1998年12月4日 優(yōu)先權(quán)日1997年12月4日
發(fā)明者三橋秀男, 大井聰, 山森篤, 稻葉精一 申請人:日本電氣株式會社