本技術涉及光伏，具體涉及一種內置加熱真空反應結構。

背景技術：

1、等離子體增強化學氣相沉積設備pecvd是常用的制造光電單元中各層硅薄膜的方法，等離子體增強化學氣相沉積設備pecvd作為新型平板顯示、晶硅太陽能電池及半導體相關領域核心設備之一，其鍍膜厚度均勻性日益成為嚴重的重要課題，反應區(qū)是影響鍍膜均勻性的因素之一，反應區(qū)的工件襯底溫度加熱成為研究的重點之一。目前工業(yè)廣泛采用的pecvd沉積系統(tǒng)是一個真空電磁系統(tǒng)，真空壓力在10-500pa，在真空室內常采用一對平板形狀的電極來激發(fā)等離子系統(tǒng)，工件襯底加熱到反應溫度，工藝氣體形成等離子體在工件襯底上進行反應，形成薄膜沉積或蝕刻表面，激發(fā)等離子的這兩個電極板分別為接地的正極和用來激發(fā)等離子體的激發(fā)電極（負極）。通常用設頻13.56mhz（rf）和甚高頻40mhz或60mhz（vhf），激發(fā)一個射頻或甚高頻阻抗匹配器與一個提供等離子體激發(fā)功率的電源相連接。

2、現(xiàn)有技術通過電極板上產生電磁波加熱襯底來獲得沉積反應的溫度，當襯底變得很大時，所渡薄膜的均與性就受到襯底加熱獲得的溫度均勻性的制約，特別是受襯底表面的散熱系數(shù)影響，襯底中心與襯底邊緣溫度均勻性差異顯著，而且由于直接對襯底進行加熱而非對放電區(qū)進行加熱，在放電區(qū)存在溫差同時會引起工藝氣體溫度的變化，從而引起氣體流場的變化，這會進一步增加薄膜的均勻性差異。

技術實現(xiàn)思路

1、本實用新型提出了一種內置加熱真空反應結構，解決上述現(xiàn)有技術存在的技術問題。

2、根據(jù)本實用新型的一個方面，提供了一種內置加熱真空反應結構，其特征在于，包括：真空環(huán)境和等離子激發(fā)系統(tǒng)，所述真空環(huán)境由真空室上蓋板、真空室主體組成的水冷真空室、真空系統(tǒng)共同構成，所述等離子激發(fā)系統(tǒng)由rf/vhf系統(tǒng)、噴淋電極、地電極、接地共同構成，還包括內置的噴淋電極加熱盒和內置的地電極加熱盒，所述內置的噴淋電極加熱盒通過布置在噴淋電極加熱盒主體上的第一加熱元件進行加熱噴淋電極，所述第一加熱元件通過第一固定板固定在噴淋電極加熱盒主體上，所述內置的地電極加熱盒通過布置在地電極上的第二加熱元件，第三加熱元件對地電極進行加熱，所述第二加熱元件通過第二固定板，第三加熱元件通過第三固定板固定在地電極上，所述真空室上蓋板的第一水冷通道由第一水冷蓋板固定在真空室上蓋板上形成，第二水冷蓋板與第三水冷蓋板固定在真空室主體上形成第二水冷通道，封閉的反應區(qū)包括固定噴淋電極、硅片和載板與可移動的地電極，所述地電極通過升降系統(tǒng)移動到可調節(jié)裝置上。

3、進一步地，所述內置的噴淋電極加熱盒與內置的地電極加熱盒包括多個不同的溫度分區(qū)。

4、進一步地，所述第一加熱元件，第二加熱元件，第三加熱元件的布置方式是連續(xù)矩形，回型，波浪形，或者是它們的組合。

5、進一步地，所述第一加熱元件，第二加熱元件，第三加熱元件采用平板焊接、v型槽，矩形槽或u型槽進行安裝。

6、本實用新型的另一方面在于提供一種內置加熱真空反應結構，其特征在于，包括：真空環(huán)境和等離子激發(fā)系統(tǒng)，所述真空環(huán)境由真空室上蓋板、真空室主體組成的水冷真空室、真空系統(tǒng)共同構成，所述等離子激發(fā)系統(tǒng)由rf/vhf系統(tǒng)、噴淋電極、地電極、接地共同構成，還包括多個內置的噴淋電極加熱盒和內置的地電極加熱盒，所述內置的噴淋電極加熱盒通過布置在噴淋電極加熱盒主體上的第一加熱元件進行加熱噴淋電極，所述第一加熱元件通過第一固定板固定在噴淋電極加熱盒主體上，所述內置的地電極加熱盒通過布置在地電極上的第二加熱元件，第三加熱元件對地電極進行加熱，所述第二加熱元件通過第二固定板，第三加熱元件通過第三固定板固定在地電極上，所述真空室上蓋板的第一水冷通道由第一水冷蓋板固定在真空室上蓋板上形成，第二水冷蓋板與第三水冷蓋板固定在真空室主體上形成第二水冷通道，封閉的反應區(qū)包括固定噴淋電極、硅片和載板與可移動的地電極，所述地電極通過升降系統(tǒng)移動到可調節(jié)裝置上。

7、進一步地，所述內置的噴淋電極加熱盒與內置的地電極加熱盒包括多個不同的溫度分區(qū)。

8、進一步地，所述第一加熱元件，第二加熱元件，第三加熱元件的布置方式是連續(xù)矩形，回型，波浪形，或者是它們的組合。

9、進一步地，所述第一加熱元件，第二加熱元件，第三加熱元件采用平板焊接、v型槽，矩形槽或u型槽進行安裝。

10、由上述本實用新型提供的技術方案可以看出，采用本實用新型，通過直接方式對內置的噴淋電極反應盒、地電極反應盒進行加熱，利用一對電極之間的熱輻射對封閉的反應區(qū)進行加熱，有效地解決了反應區(qū)硅片中心區(qū)和邊緣溫度不均勻的問題，同時應對內置的反應盒加熱引起的真空室壁面過高的問題，在真空室上采用了水冷結構，將多余熱量帶走，便于pecvd設備的維護和操作。

11、上述說明僅是本實用新型技術的概述，為了能夠更清楚了解本實用新型的技術手段，而可依照說明書的內容予以實施，并且為了讓本實用新型的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉本實用新型的具體實施方式。

技術特征：

1.一種內置加熱真空反應結構，其特征在于，包括：真空環(huán)境和等離子激發(fā)系統(tǒng)，所述真空環(huán)境由真空室上蓋板、真空室主體組成的水冷真空室、真空系統(tǒng)共同構成，所述等離子激發(fā)系統(tǒng)由rf/vhf系統(tǒng)、噴淋電極、地電極、接地共同構成，還包括內置的噴淋電極加熱盒和內置的地電極加熱盒，所述內置的噴淋電極加熱盒通過布置在噴淋電極加熱盒主體上的第一加熱元件進行加熱噴淋電極，所述第一加熱元件通過第一固定板固定在噴淋電極加熱盒主體上，所述內置的地電極加熱盒通過布置在地電極上的第二加熱元件，第三加熱元件對地電極進行加熱，所述第二加熱元件通過第二固定板，第三加熱元件通過第三固定板固定在地電極上，所述真空室上蓋板的第一水冷通道由第一水冷蓋板固定在真空室上蓋板上形成，第二水冷蓋板與第三水冷蓋板固定在真空室主體上形成第二水冷通道，封閉的反應區(qū)包括固定噴淋電極、硅片和載板與可移動的地電極，所述地電極通過升降系統(tǒng)移動到可調節(jié)裝置上。

2.根據(jù)權利要求1所述的內置加熱真空反應結構，其特征在于，所述內置的噴淋電極加熱盒與內置的地電極加熱盒包括多個不同的溫度分區(qū)。

3.根據(jù)權利要求1所述的內置加熱真空反應結構，其特征在于，所述第一加熱元件，第二加熱元件，第三加熱元件的布置方式是連續(xù)矩形，回型，波浪形，或者是它們的組合。

4.根據(jù)權利要求1所述的內置加熱真空反應結構，其特征在于，所述第一加熱元件，第二加熱元件，第三加熱元件采用平板焊接、v型槽，矩形槽或u型槽進行安裝。

5.一種內置加熱真空反應結構，其特征在于，包括：真空環(huán)境和等離子激發(fā)系統(tǒng)，所述真空環(huán)境由真空室上蓋板、真空室主體組成的水冷真空室、真空系統(tǒng)共同構成，所述等離子激發(fā)系統(tǒng)由rf/vhf系統(tǒng)、噴淋電極、地電極、接地共同構成，還包括多個內置的噴淋電極加熱盒和內置的地電極加熱盒，所述內置的噴淋電極加熱盒通過布置在噴淋電極加熱盒主體上的第一加熱元件進行加熱噴淋電極，所述第一加熱元件通過第一固定板固定在噴淋電極加熱盒主體上，所述內置的地電極加熱盒通過布置在地電極上的第二加熱元件，第三加熱元件對地電極進行加熱，所述第二加熱元件通過第二固定板，第三加熱元件通過第三固定板固定在地電極上，所述真空室上蓋板的第一水冷通道由第一水冷蓋板固定在真空室上蓋板上形成，第二水冷蓋板與第三水冷蓋板固定在真空室主體上形成第二水冷通道，封閉的反應區(qū)包括固定噴淋電極、硅片和載板與可移動的地電極，所述地電極通過升降系統(tǒng)移動到可調節(jié)裝置上。

6.根據(jù)權利要求5所述的內置加熱真空反應結構，其特征在于，所述內置的噴淋電極加熱盒與內置的地電極加熱盒包括多個不同的溫度分區(qū)。

7.根據(jù)權利要求5所述的內置加熱真空反應結構，其特征在于，所述第一加熱元件，第二加熱元件，第三加熱元件的布置方式是連續(xù)矩形，回型，波浪形，或者是它們的組合。

8.根據(jù)權利要求5所述的內置加熱真空反應結構，其特征在于，所述第一加熱元件，第二加熱元件，第三加熱元件采用平板焊接、v型槽，矩形槽或u型槽進行安裝。

技術總結
本技術公開了一種內置加熱真空反應結構，包括：真空環(huán)境和等離子激發(fā)系統(tǒng)，還包括內置的噴淋電極加熱盒和內置的地電極加熱盒，所述內置的噴淋電極加熱盒通過布置在噴淋電極加熱盒主體上的第一加熱元件進行加熱噴淋電極，所述第一加熱元件通過第一固定板固定在噴淋電極加熱盒主體上，所述內置的地電極加熱盒通過布置在地電極上的第二加熱元件，第三加熱元件對地電極進行加熱，所述第二加熱元件通過第二固定板，第三加熱元件通過第三固定板固定在地電極上。本技術的優(yōu)點是：通過直接方式對內置的噴淋電極反應盒、地電極反應盒進行加熱，利用一對電極之間的熱輻射對封閉的反應區(qū)進行加熱，解決了反應區(qū)硅片中心區(qū)和邊緣溫度不均勻的問題。

技術研發(fā)人員：張迎春,趙永飛,白仁華
受保護的技術使用者：捷造科技（寧波）有限公司
技術研發(fā)日：20240403
技術公布日：2024/12/10