本發(fā)明涉及軟磁性金屬粉末、軟磁性金屬燒成體及線圈型電子部件。

背景技術(shù)：

1、在專利文獻(xiàn)1中記載有關(guān)于層疊線圈的發(fā)明，其特征在于，在磁性體中，使樹脂浸滲于fe-si-cr合金顆粒彼此之間的空隙中。

2、在專利文獻(xiàn)2中記載有關(guān)于軟磁性合金粉末的發(fā)明，其特征在于，含有將fe、ni、co和si各自的含量控制在特定范圍內(nèi)的fe-ni系顆粒。

3、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1：日本特開2012-238840號(hào)公報(bào)

5、專利文獻(xiàn)2：日本特開2008-135674號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明想要解決的技術(shù)問(wèn)題

2、本發(fā)明的目的在于提供一種軟磁性金屬粉末等，其能夠提供包含于電感l(wèi)以及q值足夠高且難以產(chǎn)生鍍敷伸長(zhǎng)并且不易短路的線圈型電子部件中、且磁導(dǎo)率μ以及電阻率ρ較高的軟磁性金屬燒成體。

3、用于解決技術(shù)問(wèn)題的手段

4、本發(fā)明的第一觀點(diǎn)所涉及的軟磁性金屬粉末，其包含由fe-ni-si-m系合金構(gòu)成的軟磁性金屬顆粒，上述fe-ni-si-m系合金進(jìn)一步包含p，m為選自b、co、mn、ti、zr、hf、nb、ta、mo、mg、ca、sr、ba、zn、al和稀土元素中的1種以上，在上述fe-ni-si-m系合金中，以fe、ni、si及m的合計(jì)含量為100質(zhì)量％計(jì)，包含15.0質(zhì)量％以上且55.0質(zhì)量％以下的ni，2.0質(zhì)量％以上且6.0質(zhì)量％以下的si，2.0質(zhì)量％以上且40.0質(zhì)量％以下的m，100ppm以上且5000ppm以下的p。

5、本發(fā)明的第二觀點(diǎn)所涉及的軟磁性金屬粉末，其包含由fe-ni系合金構(gòu)成的軟磁性金屬顆粒，上述fe-ni系合金進(jìn)一步包含cr，上述fe-ni系合金進(jìn)一步包含si和/或m，m為選自b、co、mn、ti、zr、hf、nb、ta、mo、mg、ca、sr、ba、zn、al和稀土元素中的1種以上，在上述fe-ni系合金中，以fe、ni、si、m和cr的合計(jì)含量為100質(zhì)量％計(jì)，包含小于2.0質(zhì)量％的cr。

6、上述fe-ni系合金還可以包含p，在上述fe-ni系合金中，以fe、ni、si、m和cr的合計(jì)含量為100質(zhì)量％計(jì)，可以包含100ppm以上且5000ppm以下的p。

7、以下的記載是對(duì)第一觀點(diǎn)所涉及的軟磁性合金粉末和第二觀點(diǎn)所涉及的軟磁性金屬粉末通用的記載。

8、m可以為co。

9、上述軟磁性金屬粉末的平均粒徑(d50)可以為1.5μm以上且15.0μm以下。

10、本發(fā)明的第一、第二觀點(diǎn)所涉及的軟磁性金屬燒成體包含第一、第二觀點(diǎn)所涉及的軟磁性金屬粉末。

11、包含上述軟磁性金屬粉末的軟磁性金屬燒成體的磁導(dǎo)率μ和電阻率ρ容易變高。

12、本發(fā)明的第一、第二觀點(diǎn)所涉及的線圈型電子部件是具有磁性素體和內(nèi)置于上述磁性素體的線圈導(dǎo)體的線圈型電子部件，上述磁性素體由第一、第二觀點(diǎn)所涉及的軟磁性金屬燒成體構(gòu)成。

13、磁性素體由上述的軟磁性金屬燒成體構(gòu)成的線圈型電子部件成為電感l(wèi)以及q值足夠高，難以引起鍍敷伸長(zhǎng)而難以短路的線圈型電子部件。

14、上述軟磁性金屬顆?？梢员话材ぐ玻鲜霭材ぶ械呐c上述軟磁性金屬顆粒接觸的層也可以包含si或含si的氧化物。

15、上述包覆膜中的與上述軟磁性金屬顆粒接觸的層也可以進(jìn)一步包含p。

16、上述包覆膜的平均厚度可以為5nm以上且60nm以下。

17、本發(fā)明的第三觀點(diǎn)所涉及的線圈型電子部件，其為具有磁性素體和內(nèi)置于上述磁性素體的線圈導(dǎo)體的線圈型電子部件，上述磁性素體包含軟磁性金屬顆粒，上述軟磁性金屬顆粒中的cr的含量小于2.0質(zhì)量(不含0質(zhì)量％)，上述軟磁性金屬顆粒被包覆膜包覆，上述包覆膜由與上述軟磁性金屬顆粒接觸的第一層以及與上述第一層相接的第二層構(gòu)成，上述第一層包含si或含si的氧化物，上述第二層包含cr。

18、也可以將上述第一層的平均厚度設(shè)為d1，將上述第二層的平均厚度設(shè)為d2，0.5≤d2/d1≤1.5。

19、d2可以為2.5nm以上且30nm以下。

20、以下的記載為對(duì)上述所有的線圈型電子部件通用的記載。

21、上述磁性素體可以包含軟磁性金屬顆粒和樹脂，上述樹脂可以填充于上述軟磁性金屬顆粒間的間隙空間。

22、上述樹脂可以是酚醛樹脂或環(huán)氧樹脂。

技術(shù)特征：

1.一種軟磁性金屬粉末，其特征在于，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的軟磁性金屬粉末，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的軟磁性金屬粉末，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的軟磁性金屬粉末，其特征在于，

5.一種軟磁性金屬燒成體，其特征在于，

6.一種線圈型電子部件，其特征在于，

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的線圈型電子部件，其特征在于，

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的線圈型電子部件，其特征在于，

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的線圈型電子部件，其特征在于，

10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的線圈型電子部件，其特征在于，

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的線圈型電子部件，其特征在于，

12.一種線圈型電子部件，其特征在于，

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的線圈型電子部件，其特征在于，

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的線圈型電子部件，其特征在于，所述磁性素體包含軟磁性金屬顆粒和樹脂，

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的線圈型電子部件，其特征在于，所述樹脂為酚醛樹脂或環(huán)氧樹脂。

技術(shù)總結(jié)
[課題]本發(fā)明提供一種軟磁性金屬粉末等，其能夠提供包含于電感L以及Q值足夠高且難以產(chǎn)生鍍敷伸長(zhǎng)并且不易短路的線圈型電子部件中的、磁導(dǎo)率μ以及電阻率ρ高的軟磁性金屬燒成體。[解決手段]本發(fā)明的軟磁性金屬粉末包括至少包含F(xiàn)e和Ni的軟磁性金屬顆粒。進(jìn)一步包含P、Si、Cr和/或M。M為選自B、Co、Mn、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Mo、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Al和稀土元素中的1種以上。各元素的含量在規(guī)定的范圍內(nèi)。

技術(shù)研發(fā)人員：鈴木孝志,櫻井優(yōu),伊藤秀幸,角田晃一,和田龍一,榎本奈美,永井雄介,川崎邦彥,近藤真一,石間雄也
受保護(hù)的技術(shù)使用者：TDK株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6