本發(fā)明涉及高頻逆變電源技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種降低納米晶磁芯的剩磁的退火工藝。
背景技術(shù)：
軟磁材料具有低矯頑力、高磁導(dǎo)率等磁特性，是制作電感器、扼流圈、傳感器等磁芯的原材料，目前已在電力、電機(jī)和電子等行業(yè)得到廣泛應(yīng)用。迄今為止，對(duì)于工程應(yīng)用的軟磁材料，因其軟磁特性和使用功率、頻率的不同條件而分為金屬軟磁材料（如工業(yè)純鐵、硅鋼、坡莫合金）、軟磁鐵氧體、非晶及納米晶軟磁材料。傳統(tǒng)的金屬軟磁材料的矯頑力相對(duì)較高，限制了其在軟磁領(lǐng)域的應(yīng)用；軟磁鐵氧體因飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度較低不利于電子元器件的小型化；而納米晶合金軟磁材料作為這一領(lǐng)域的新興材料，因同時(shí)具有高飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度、高磁導(dǎo)率、低損耗（遠(yuǎn)低于硅鋼）、高電阻率及高強(qiáng)韌性等優(yōu)點(diǎn)，吸引了眾多科研工作者的注意，從研究初期就已投入生產(chǎn)應(yīng)用，且其制備工藝簡(jiǎn)單、節(jié)能環(huán)保，在少數(shù)領(lǐng)域已部分替代了傳統(tǒng)的硅鋼和鐵氧體材料。
隨著技術(shù)發(fā)展的成熟，納米晶磁芯在逆變電源應(yīng)用越來(lái)越廣泛，但要降低這種磁芯的剩磁，現(xiàn)有的一般退火工藝是用橫磁爐加橫磁場(chǎng)處理。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
為了克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺點(diǎn)和不足，本發(fā)明的目的在于提供一種降低納米晶磁芯的剩磁的退火工藝，該退火工藝用常規(guī)格退火爐把所要熱處理的納米晶磁芯通過(guò)兩次相同熱處理工藝以達(dá)到橫磁爐降低納米晶磁芯剩磁的電性要求，工藝簡(jiǎn)單，生產(chǎn)成本低。
本發(fā)明的目的通過(guò)下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：一種降低納米晶磁芯的剩磁的退火工藝，包括如下步驟：
（1）將納米晶帶材卷繞成環(huán)形納米晶磁芯；
（2）將納米晶磁芯放入真空退火爐內(nèi)進(jìn)行熱處理；
（3）將熱處理后的納米晶磁芯放入真空退火爐內(nèi)再次進(jìn)行熱處理。
優(yōu)選的，所述步驟（1）中，納米晶帶材的厚度為15-25μm，寬度為20-30mm。本發(fā)明通過(guò)嚴(yán)格控制納米晶帶材的厚度和寬度，使得納米晶磁芯在保持良好的電感量、較高的品質(zhì)因數(shù)的同時(shí)，降低了產(chǎn)品的損耗值，提高了直流偏置能力。
優(yōu)選的，所述步驟（1）中，納米晶帶材為鐵基納米晶帶材，所述鐵基納米晶帶材包括如下重量百分比的元素：si：14%-16%、b：7%-9%、nb：1%-3%、cu：1.6%-1.8%、zr：4%-6%、al：0.5%-1.5%，余量為fe。
非晶形成元素si、b，鐵基納米晶軟磁合金一般都是在非晶態(tài)合金基礎(chǔ)上，通過(guò)合適的晶化退火使其形成納米晶材料，因而非晶化元素是基本組成元素，特別是b元素，其原子半徑較小，外層電子多，非常有利于形成非晶態(tài)合金，si也是重要的非晶化元素，在本發(fā)明中，含si量高于18at％將使合金的飽和磁化強(qiáng)度降低，而含si量低于7at％則不易形成非晶態(tài)，同時(shí)，si元素還是α-fe(si)納米晶相的構(gòu)成元素；
納米晶形成元素cu、nb，晶化時(shí)cu首先與fe分離，形成該金屬元素的富集區(qū)，為納米晶化起形核作用，nb元素?cái)U(kuò)散緩慢，主要作用是阻礙α-fe晶粒的長(zhǎng)大，從而保證晶粒尺寸在納米量級(jí)，cu、nb含量的控制對(duì)于保持磁芯的微觀組織結(jié)構(gòu)非常重要。
加入cu元素可以在隨后的非晶晶化初始階段形成高密度α相結(jié)晶晶核，以作為納米尺寸結(jié)晶的生長(zhǎng)中心。
本發(fā)明的鐵基納米晶磁芯采用al部分取代磁芯中的貴金屬nb，添加nb有利于提高磁芯的飽和磁感強(qiáng)度，添加al有利于矯頑力的降低，同時(shí)可以明顯降低磁芯的生產(chǎn)成本。
本發(fā)明的鐵基納米晶帶材通過(guò)采用上述元素，并嚴(yán)格控制各原料的重量百分比，制得的鐵基納米晶磁芯具有穩(wěn)定的磁導(dǎo)率和直流偏置能力，還具有高飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度、低損耗值、低矯頑力、耐高溫等優(yōu)點(diǎn)，綜合性能優(yōu)良。
更為優(yōu)選的，所述鐵基納米晶帶材還包括ga：0.4%-0.8%、v：0.1%-0.5%、ti：0.2%-0.6%、mn：1%-3%、cr：0.5%-1.5%、mo：0.8%-1.2%、c：1.2%-1.4%、ge：0.01%-0.05%、p：0.001%-0.005%、vb：1.4%-1.8%、ta：0.3%-0.7%和w：0.04%-0.08%。
本發(fā)明的鐵基納米晶帶材通過(guò)增加ga、v和ti元素，并嚴(yán)格控制各原料的重量百分比，可以提高合金的第一次晶化溫度，從而降低了兩次晶化溫度間的差距。本發(fā)明的鐵基納米晶帶材通過(guò)增加mn、cr和mo元素，并嚴(yán)格控制各原料的重量百分比，可以使材料形成較強(qiáng)的退火感生各向異性常數(shù)，在橫磁退火過(guò)程中形成可控調(diào)節(jié)的橫向磁各向異性，以達(dá)到線性磁導(dǎo)率和抗飽和的特性。本發(fā)明的鐵基納米晶帶材通過(guò)增加c、ge和p元素，并嚴(yán)格控制各原料的重量百分比，可以提高合金的第一次晶化溫度，從而降低了兩次晶化溫度間的差距。本發(fā)明的鐵基納米晶帶材通過(guò)增加vb、ta和w元素，并嚴(yán)格控制各原料的重量百分比，可以阻止納米晶晶粒長(zhǎng)大，維持并最終形成納米級(jí)的晶體尺寸結(jié)構(gòu)。
另一優(yōu)選的，所述步驟（1）中，納米晶帶材為鐵鎳基納米晶帶材，所述鐵鎳基納米晶帶材包括如下重量百分比的元素：ni：15%-25%、si：10%-12%、b：3%-5%、nb：2%-4%、cu：0.3%-0.5%、co：4%-8%，余量為fe。
非晶形成元素si、b，鐵基納米晶軟磁合金一般都是在非晶態(tài)合金基礎(chǔ)上，通過(guò)合適的晶化退火使其形成納米晶材料，因而非晶化元素是基本組成元素，特別是b元素，其原子半徑較小，外層電子多，非常有利于形成非晶態(tài)合金，si也是重要的非晶化元素，在本發(fā)明中，含si量高于18at％將使合金的飽和磁化強(qiáng)度降低，而含si量低于7at％則不易形成非晶態(tài)，同時(shí)，si元素還是α-fe(si)納米晶相的構(gòu)成元素；
納米晶形成元素cu、nb，晶化時(shí)cu首先與fe分離，形成該金屬元素的富集區(qū)，為納米晶化起形核作用，nb元素?cái)U(kuò)散緩慢，主要作用是阻礙α-fe晶粒的長(zhǎng)大，從而保證晶粒尺寸在納米量級(jí)，cu、nb含量的控制對(duì)于保持磁芯的微觀組織結(jié)構(gòu)非常重要。
加入cu元素可以在隨后的非晶晶化初始階段形成高密度α相結(jié)晶晶核，以作為納米尺寸結(jié)晶的生長(zhǎng)中心。
本發(fā)明的鐵鎳基納米晶磁芯在傳統(tǒng)的鐵基納米晶磁芯的配方上作出了改良，增加了適當(dāng)比例的金屬鎳，制備出的納米晶磁芯具有更佳的韌性、耐溫性和導(dǎo)磁率。
本發(fā)明的鐵鎳基納米晶磁芯中用co元素代替部分fe，可以明顯提高磁芯的高溫、高頻特性和品質(zhì)因數(shù)，磁芯的居里溫度、磁化強(qiáng)度比co置換fe前明顯提高。
本發(fā)明的鐵鎳基納米晶磁芯采用al、ni部分取代磁芯中的貴金屬nb，添加nb有利于提高磁芯的飽和磁感強(qiáng)度，添加al有利于矯頑力的降低，同時(shí)可以明顯降低磁芯的生產(chǎn)成本。
本發(fā)明的鐵鎳基納米晶帶材通過(guò)采用上述元素，并嚴(yán)格控制各原料的重量百分比，制得的鐵鎳基納米晶磁芯具有穩(wěn)定的磁導(dǎo)率和直流偏置能力，還具有高飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度、低損耗值、低矯頑力、耐高溫等優(yōu)點(diǎn)，綜合性能優(yōu)良。
更為優(yōu)選的，所述鐵鎳基納米晶帶材還包括ga：0.4%-0.8%、v：0.1%-0.5%、ti：0.2%-0.6%、mn：1%-3%、cr：0.5%-1.5%、mo：0.8%-1.2%、c：1.2%-1.4%、ge：0.01%-0.05%、p：0.001%-0.005%、vb：1.4%-1.8%、ta：0.3%-0.7%和w：0.04%-0.08%。
本發(fā)明的鐵鎳基納米晶帶材通過(guò)增加ga、v和ti元素，并嚴(yán)格控制各原料的重量百分比，可以提高合金的第一次晶化溫度，從而降低了兩次晶化溫度間的差距。本發(fā)明的鐵鎳基納米晶帶材通過(guò)增加mn、cr和mo元素，并嚴(yán)格控制各原料的重量百分比，可以使材料形成較強(qiáng)的退火感生各向異性常數(shù)，在橫磁退火過(guò)程中形成可控調(diào)節(jié)的橫向磁各向異性，以達(dá)到線性磁導(dǎo)率和抗飽和的特性。本發(fā)明的鐵鎳基納米晶帶材通過(guò)增加c、ge和p元素，并嚴(yán)格控制各原料的重量百分比，可以提高合金的第一次晶化溫度，從而降低了兩次晶化溫度間的差距。本發(fā)明的鐵鎳基納米晶帶材通過(guò)增加vb、ta和w元素，并嚴(yán)格控制各原料的重量百分比，可以阻止納米晶晶粒長(zhǎng)大，維持并最終形成納米級(jí)的晶體尺寸結(jié)構(gòu)。
優(yōu)選的，所述步驟（2）和所述步驟（3）中，熱處理的步驟為：
a)經(jīng)過(guò)110-130min把爐內(nèi)溫度從室溫升溫至640-660k；
b)在643-663k保溫15-25min后，用32-40min升溫至750-770k；
c)在753-773k保溫35-45min后，用11-15min升溫至790-810k；
d)在793-813k保溫55-65min后，用10-14min升溫至825-845k；
e)在828-848k保溫35-45min后，退出爐罩強(qiáng)風(fēng)把爐體溫度急冷至340-360k，打開(kāi)爐門把納米晶磁芯取出；
f)把從爐內(nèi)取出的納米晶磁芯放在冷卻架上再?gòu)?qiáng)風(fēng)急冷至常溫。
本發(fā)明的退火工藝采用多次保溫，用常規(guī)格退火爐把所要熱處理的納米晶磁芯通過(guò)兩次相同熱處理工藝以達(dá)到橫磁爐降低納米晶磁芯剩磁的電性要求，簡(jiǎn)化了熱處理工藝，工藝簡(jiǎn)單，減少了生產(chǎn)設(shè)備投入，還可以節(jié)省電力成本25%以上，生產(chǎn)成本低。
更為優(yōu)選的，所述步驟（2）和所述步驟（3）中，熱處理的步驟為：
a)經(jīng)過(guò)120min把爐內(nèi)溫度從室溫升溫至650k；
b)在653k保溫20min后，用36min升溫至760k；
c)在763k保溫40min后，用13min升溫至800k；
d)在803k保溫60min后，用12min升溫至835k；
e)在838k保溫40min后，退出爐罩強(qiáng)風(fēng)把爐體溫度急冷至350k，打開(kāi)爐門把納米晶磁芯取出；
f)把從爐內(nèi)取出的納米晶磁芯放在冷卻架上再?gòu)?qiáng)風(fēng)急冷至常溫。
優(yōu)選的，所述步驟（2）和所述步驟（3）中，真空退火爐內(nèi)的真空度小于-0.1mpa，真空退火爐內(nèi)充有混合氣體，混合氣體由體積百分比為10%-20%的氫氣和體積百分比為80%-90%的氮?dú)饨M成。
本發(fā)明通過(guò)嚴(yán)格控制真空退火爐內(nèi)的真空度，并在真空退火爐內(nèi)充入氮?dú)浠旌蠚怏w，可以提高納米晶磁芯的磁導(dǎo)率。注入氮?dú)夂?，氮?dú)庵饕鸬骄鶆驕囟鹊淖饔?，氮?dú)饩褪菬崃康膫鲗?dǎo)介質(zhì)，使?fàn)t內(nèi)磁芯均勻的受熱，從而使磁芯的溫度均勻、平衡，納米晶磁芯的磁導(dǎo)率與在退火爐氣氛有關(guān),退火爐的氣氛不同時(shí)，磁導(dǎo)率有一定的差異；經(jīng)過(guò)試驗(yàn)得出以下結(jié)論，磁芯的磁導(dǎo)率變化規(guī)律是：退火爐內(nèi)的抽真空之后比沒(méi)有抽真空之前好；抽真空再充入氮?dú)浠旌蠚怏w，比只抽真空要好。
優(yōu)選的，所述步驟（3）之后還包括步驟（4）將再次進(jìn)行熱處理后的納米晶磁芯進(jìn)行浸膠固化處理。
所述步驟（4）中，浸膠固化處理包括如下步驟：
a、將納米晶磁芯在60-70℃溫度下進(jìn)行預(yù)熱；
b、采用環(huán)氧樹(shù)脂膠漆作為固化劑，將環(huán)氧樹(shù)脂膠漆在水浴60-70℃環(huán)境下加熱；并用稀釋劑以膠漆與稀釋劑的比例為0.8-1.2:1來(lái)配兌稀釋，稀釋后的膠漆在60-70℃下保溫40-80min；
c、將預(yù)熱后的納米晶磁芯浸于配兌后的熱膠漆中，采用真空含浸的方式，含浸30-50min，真空度為0.6-0.8mpa；
d、將含浸后的納米晶磁芯采用三段保溫法固化，第一段溫度60-80℃，保溫40-80min；第二段溫度100-120℃，保溫80-120min；第三段溫度140-160℃，保溫80-120min；自然冷卻。
為解決納米晶磁芯的固化方式問(wèn)題，該方法的固化步驟采用了高粘接強(qiáng)度、低應(yīng)力膠水固化成型，即環(huán)氧樹(shù)脂膠漆。含浸前先預(yù)熱膠漆和納米晶磁芯，使得兩者的溫度均保持在60-70℃，當(dāng)環(huán)氧樹(shù)脂膠漆在70℃左右時(shí)，活性增加，粘度會(huì)下降，這樣就可以保證在淋膠時(shí)，多余的膠漆能通過(guò)自身的重力作用流出納米晶磁芯的內(nèi)部，保證了納米晶磁芯的表面干凈，不影響磁芯后續(xù)的切割精度。其次，為進(jìn)一步地改善膠漆的粘度和加熱后的流動(dòng)性，采用丙酮為稀釋劑嗎，膠漆與稀釋劑以0.8-1.2:1的比例配兌。并且含浸后采用三段保溫法固化，使配兌的膠漆在高溫的情況下在納米晶磁芯表面形成密封膜，保證膠漆存留在納米晶磁芯內(nèi)部，解決了現(xiàn)有常規(guī)方式的油漆滲漏及強(qiáng)度低等問(wèn)題，同時(shí)膠漆的高強(qiáng)度和低應(yīng)力對(duì)最終切割的不破損和鏡面要求起到助力作用。
本發(fā)明的有益效果在于：本發(fā)明的退火工藝用常規(guī)格退火爐把所要熱處理的納米晶磁芯通過(guò)兩次相同熱處理工藝以達(dá)到橫磁爐降低納米晶磁芯剩磁的電性要求，簡(jiǎn)化了熱處理工藝，工藝簡(jiǎn)單，減少了生產(chǎn)設(shè)備投入，還可以節(jié)省電力成本25%以上，生產(chǎn)成本低。通過(guò)本發(fā)明的退火工藝制得的納米晶磁芯具有穩(wěn)定的磁導(dǎo)率和直流偏置能力，還具有高飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度、低損耗值、低矯頑力、耐高溫等優(yōu)點(diǎn)，綜合性能優(yōu)良。
具體實(shí)施方式
為了便于本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解，下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明，實(shí)施方式提及的內(nèi)容并非對(duì)本發(fā)明的限定。
實(shí)施例1
一種降低納米晶磁芯的剩磁的退火工藝，包括如下步驟：
（1）將納米晶帶材卷繞成環(huán)形納米晶磁芯；
（2）將納米晶磁芯放入真空退火爐內(nèi)進(jìn)行熱處理；
（3）將熱處理后的納米晶磁芯放入真空退火爐內(nèi)再次進(jìn)行熱處理。
所述步驟（1）中，納米晶帶材的厚度為15μm，寬度為20mm。
所述步驟（1）中，納米晶帶材為鐵基納米晶帶材，所述鐵基納米晶帶材包括如下重量百分比的元素：si：14%、b：7%、nb：1%、cu：1.6%、zr：4%、al：0.5%，余量為fe。
所述鐵基納米晶帶材還包括ga：0.4%、v：0.1%、ti：0.2、mn：1%、cr：0.5%、mo：0.8%、c：1.2%、ge：0.01%、p：0.001%、vb：1.4%、ta：0.3%和w：0.04%。
所述步驟（2）和所述步驟（3）中，熱處理的步驟為：
a)經(jīng)過(guò)110min把爐內(nèi)溫度從室溫升溫至640k；
b)在643k保溫15min后，用32min升溫至750k；
c)在753k保溫35min后，用11min升溫至790k；
d)在793k保溫55min后，用10min升溫至825k；
e)在828k保溫35min后，退出爐罩強(qiáng)風(fēng)把爐體溫度急冷至340k，打開(kāi)爐門把納米晶磁芯取出；
f)把從爐內(nèi)取出的納米晶磁芯放在冷卻架上再?gòu)?qiáng)風(fēng)急冷至常溫。
所述步驟（2）和所述步驟（3）中，真空退火爐內(nèi)的真空度小于-0.1mpa，真空退火爐內(nèi)充有混合氣體，混合氣體由體積百分比為10%的氫氣和體積百分比為90%的氮?dú)饨M成。
所述步驟（3）之后還包括步驟（4）將再次進(jìn)行熱處理后的納米晶磁芯進(jìn)行浸膠固化處理。
所述步驟（4）中，浸膠固化處理包括如下步驟：
a、將納米晶磁芯在60℃溫度下進(jìn)行預(yù)熱；
b、采用環(huán)氧樹(shù)脂膠漆作為固化劑，將環(huán)氧樹(shù)脂膠漆在水浴60℃環(huán)境下加熱；并用稀釋劑以膠漆與稀釋劑的比例為0.8:1來(lái)配兌稀釋，稀釋后的膠漆在60℃下保溫40min；
c、將預(yù)熱后的納米晶磁芯浸于配兌后的熱膠漆中，采用真空含浸的方式，含浸30min，真空度為0.6mpa；
d、將含浸后的納米晶磁芯采用三段保溫法固化，第一段溫度60℃，保溫40min；第二段溫度100℃，保溫80min；第三段溫度140℃，保溫80min；自然冷卻。
實(shí)施例2
一種降低納米晶磁芯的剩磁的退火工藝，包括如下步驟：
（1）將納米晶帶材卷繞成環(huán)形納米晶磁芯；
（2）將納米晶磁芯放入真空退火爐內(nèi)進(jìn)行熱處理；
（3）將熱處理后的納米晶磁芯放入真空退火爐內(nèi)再次進(jìn)行熱處理。
所述步驟（1）中，納米晶帶材的厚度為18μm，寬度為22mm。
所述步驟（1）中，納米晶帶材為鐵基納米晶帶材，所述鐵基納米晶帶材包括如下重量百分比的元素：si：14.5%、b：7.5%、nb：1.5%、cu：1.65%、zr：4.5%、al：0.8%，余量為fe。
所述鐵基納米晶帶材還包括ga：0.5%、v：0.2%、ti：0.3%、mn：1.5%、cr：0.8%、mo：0.9%、c：1.25%、ge：0.02%、p：0.002%、vb：1.5%、ta：0.4%和w：0.05%。
所述步驟（2）和所述步驟（3）中，熱處理的步驟為：
a)經(jīng)過(guò)115min把爐內(nèi)溫度從室溫升溫至645k；
b)在648k保溫18min后，用34min升溫至755k；
c)在758k保溫38min后，用12min升溫至795k；
d)在798k保溫58min后，用11min升溫至830k；
e)在833k保溫38min后，退出爐罩強(qiáng)風(fēng)把爐體溫度急冷至345k，打開(kāi)爐門把納米晶磁芯取出；
f)把從爐內(nèi)取出的納米晶磁芯放在冷卻架上再?gòu)?qiáng)風(fēng)急冷至常溫。
所述步驟（2）和所述步驟（3）中，真空退火爐內(nèi)的真空度小于-0.1mpa，真空退火爐內(nèi)充有混合氣體，混合氣體由體積百分比為12%的氫氣和體積百分比為88%的氮?dú)饨M成。
所述步驟（3）之后還包括步驟（4）將再次進(jìn)行熱處理后的納米晶磁芯進(jìn)行浸膠固化處理。
所述步驟（4）中，浸膠固化處理包括如下步驟：
a、將納米晶磁芯在62℃溫度下進(jìn)行預(yù)熱；
b、采用環(huán)氧樹(shù)脂膠漆作為固化劑，將環(huán)氧樹(shù)脂膠漆在水浴62℃環(huán)境下加熱；并用稀釋劑以膠漆與稀釋劑的比例為0.9:1來(lái)配兌稀釋，稀釋后的膠漆在62℃下保溫50min；
c、將預(yù)熱后的納米晶磁芯浸于配兌后的熱膠漆中，采用真空含浸的方式，含浸35min，真空度為0.65mpa；
d、將含浸后的納米晶磁芯采用三段保溫法固化，第一段溫度65℃，保溫50min；第二段溫度105℃，保溫90min；第三段溫度145℃，保溫90min；自然冷卻。
實(shí)施例3
一種降低納米晶磁芯的剩磁的退火工藝，包括如下步驟：
（1）將納米晶帶材卷繞成環(huán)形納米晶磁芯；
（2）將納米晶磁芯放入真空退火爐內(nèi)進(jìn)行熱處理；
（3）將熱處理后的納米晶磁芯放入真空退火爐內(nèi)再次進(jìn)行熱處理。
所述步驟（1）中，納米晶帶材的厚度為20μm，寬度為25mm。
所述步驟（1）中，納米晶帶材為鐵基納米晶帶材，所述鐵基納米晶帶材包括如下重量百分比的元素：si：15%、b：8%、nb：2%、cu：1.7%、zr：5%、al：1.0%，余量為fe。
所述鐵基納米晶帶材還包括ga：0.6%、v：0.3%、ti：0.4%、mn：2%、cr：1.0%、mo：1.0%、c：1.3%、ge：0.03%、p：0.003%、vb：1.6%、ta：0.5%和w：0.06%。
所述步驟（2）和所述步驟（3）中，熱處理的步驟為：
a)經(jīng)過(guò)120min把爐內(nèi)溫度從室溫升溫至650k；
b)在653k保溫20min后，用36min升溫至760k；
c)在763k保溫40min后，用13min升溫至800k；
d)在803k保溫60min后，用12min升溫至835k；
e)在838k保溫40min后，退出爐罩強(qiáng)風(fēng)把爐體溫度急冷至350k，打開(kāi)爐門把納米晶磁芯取出；
f)把從爐內(nèi)取出的納米晶磁芯放在冷卻架上再?gòu)?qiáng)風(fēng)急冷至常溫。
所述步驟（2）和所述步驟（3）中，真空退火爐內(nèi)的真空度小于-0.1mpa，真空退火爐內(nèi)充有混合氣體，混合氣體由體積百分比為15%的氫氣和體積百分比為85%的氮?dú)饨M成。
所述步驟（3）之后還包括步驟（4）將再次進(jìn)行熱處理后的納米晶磁芯進(jìn)行浸膠固化處理。
所述步驟（4）中，浸膠固化處理包括如下步驟：
a、將納米晶磁芯在65℃溫度下進(jìn)行預(yù)熱；
b、采用環(huán)氧樹(shù)脂膠漆作為固化劑，將環(huán)氧樹(shù)脂膠漆在水浴65℃環(huán)境下加熱；并用稀釋劑以膠漆與稀釋劑的比例為1:1來(lái)配兌稀釋，稀釋后的膠漆在65℃下保溫60min；
c、將預(yù)熱后的納米晶磁芯浸于配兌后的熱膠漆中，采用真空含浸的方式，含浸40min，真空度為0.7mpa；
d、將含浸后的納米晶磁芯采用三段保溫法固化，第一段溫度70℃，保溫60min；第二段溫度110℃，保溫810min；第三段溫度150℃，保溫100min；自然冷卻。
實(shí)施例4
一種降低納米晶磁芯的剩磁的退火工藝，包括如下步驟：
（1）將納米晶帶材卷繞成環(huán)形納米晶磁芯；
（2）將納米晶磁芯放入真空退火爐內(nèi)進(jìn)行熱處理；
（3）將熱處理后的納米晶磁芯放入真空退火爐內(nèi)再次進(jìn)行熱處理。
所述步驟（1）中，納米晶帶材的厚度為22μm，寬度為28mm。
所述步驟（1）中，納米晶帶材為鐵基納米晶帶材，所述鐵基納米晶帶材包括如下重量百分比的元素：si：15.5%、b：8.5%、nb：2.5%、cu：1.75%、zr：5.5%、al：1.2%，余量為fe。
所述鐵基納米晶帶材還包括ga：0.7%、v：0.4%、ti：0.5%、mn：2.5%、cr：1.2%、mo：1.1%、c：1.35%、ge：0.04%、p：0.004%、vb：1.7%、ta：0.6%和w：0.07%。
所述步驟（2）和所述步驟（3）中，熱處理的步驟為：
a)經(jīng)過(guò)125min把爐內(nèi)溫度從室溫升溫至655k；
b)在658k保溫22min后，用38min升溫至765k；
c)在768k保溫42min后，用14min升溫至805k；
d)在808k保溫62min后，用13min升溫至840k；
e)在843k保溫42min后，退出爐罩強(qiáng)風(fēng)把爐體溫度急冷至355k，打開(kāi)爐門把納米晶磁芯取出；
f)把從爐內(nèi)取出的納米晶磁芯放在冷卻架上再?gòu)?qiáng)風(fēng)急冷至常溫。
所述步驟（2）和所述步驟（3）中，真空退火爐內(nèi)的真空度小于-0.1mpa，真空退火爐內(nèi)充有混合氣體，混合氣體由體積百分比為18%的氫氣和體積百分比為82%的氮?dú)饨M成。
所述步驟（3）之后還包括步驟（4）將再次進(jìn)行熱處理后的納米晶磁芯進(jìn)行浸膠固化處理。
所述步驟（4）中，浸膠固化處理包括如下步驟：
a、將納米晶磁芯在68℃溫度下進(jìn)行預(yù)熱；
b、采用環(huán)氧樹(shù)脂膠漆作為固化劑，將環(huán)氧樹(shù)脂膠漆在水浴68℃環(huán)境下加熱；并用稀釋劑以膠漆與稀釋劑的比例為1.1:1來(lái)配兌稀釋，稀釋后的膠漆在68℃下保溫70min；
c、將預(yù)熱后的納米晶磁芯浸于配兌后的熱膠漆中，采用真空含浸的方式，含浸45min，真空度為0.75mpa；
d、將含浸后的納米晶磁芯采用三段保溫法固化，第一段溫度75℃，保溫70min；第二段溫度115℃，保溫110min；第三段溫度155℃，保溫110min；自然冷卻。
實(shí)施例5
一種降低納米晶磁芯的剩磁的退火工藝，包括如下步驟：
（1）將納米晶帶材卷繞成環(huán)形納米晶磁芯；
（2）將納米晶磁芯放入真空退火爐內(nèi)進(jìn)行熱處理；
（3）將熱處理后的納米晶磁芯放入真空退火爐內(nèi)再次進(jìn)行熱處理。
所述步驟（1）中，納米晶帶材的厚度為25μm，寬度為30mm。
所述步驟（1）中，納米晶帶材為鐵基納米晶帶材，所述鐵基納米晶帶材包括如下重量百分比的元素：si：16%、b：9%、nb：3%、cu：1.8%、zr：6%、al：1.5%，余量為fe。
所述鐵基納米晶帶材還包括ga：0.8%、v：0.5%、ti：0.6%、mn：3%、cr：1.5%、mo：1.2%、c：1.4%、ge：0.05%、p：0.005%、vb：1.8%、ta：0.7%和w：0.08%。
所述步驟（2）和所述步驟（3）中，熱處理的步驟為：
a)經(jīng)過(guò)130min把爐內(nèi)溫度從室溫升溫至660k；
b)在663k保溫25min后，用40min升溫至770k；
c)在773k保溫45min后，用15min升溫至810k；
d)在813k保溫65min后，用14min升溫至845k；
e)在848k保溫45min后，退出爐罩強(qiáng)風(fēng)把爐體溫度急冷至360k，打開(kāi)爐門把納米晶磁芯取出；
f)把從爐內(nèi)取出的納米晶磁芯放在冷卻架上再?gòu)?qiáng)風(fēng)急冷至常溫。
所述步驟（2）和所述步驟（3）中，真空退火爐內(nèi)的真空度小于-0.1mpa，真空退火爐內(nèi)充有混合氣體，混合氣體由體積百分比為20%的氫氣和體積百分比為80%的氮?dú)饨M成。
所述步驟（3）之后還包括步驟（4）將再次進(jìn)行熱處理后的納米晶磁芯進(jìn)行浸膠固化處理。
所述步驟（4）中，浸膠固化處理包括如下步驟：
a、將納米晶磁芯在70℃溫度下進(jìn)行預(yù)熱；
b、采用環(huán)氧樹(shù)脂膠漆作為固化劑，將環(huán)氧樹(shù)脂膠漆在水浴70℃環(huán)境下加熱；并用稀釋劑以膠漆與稀釋劑的比例為1.2:1來(lái)配兌稀釋，稀釋后的膠漆在70℃下保溫80min；
c、將預(yù)熱后的納米晶磁芯浸于配兌后的熱膠漆中，采用真空含浸的方式，含浸50min，真空度為0.8mpa；
d、將含浸后的納米晶磁芯采用三段保溫法固化，第一段溫度80℃，保溫80min；第二段溫度120℃，保溫120min；第三段溫度160℃，保溫120min；自然冷卻。
實(shí)施例6
本實(shí)施例與上述實(shí)施例1的不同之處在于：
所述步驟（1）中，納米晶帶材為鐵鎳基納米晶帶材，所述鐵鎳基納米晶帶材包括如下重量百分比的元素：ni：15%、si：10%、b：3%、nb：2%、cu：0.3%、co：4%，余量為fe。
所述鐵鎳基納米晶帶材還包括ga：0.4%、v：0.1%、ti：0.2、mn：1%、cr：0.5%、mo：0.8%、c：1.2%、ge：0.01%、p：0.001%、vb：1.4%、ta：0.3%和w：0.04%。
實(shí)施例7
本實(shí)施例與上述實(shí)施例2的不同之處在于：
所述步驟（1）中，納米晶帶材為鐵鎳基納米晶帶材，所述鐵鎳基納米晶帶材包括如下重量百分比的元素：ni：18%、si：11.5%、b：3.5%、nb：2.5%、cu：0.35%、co：5%，余量為fe。
所述鐵鎳基納米晶帶材還包括ga：0.5%、v：0.2%、ti：0.3%、mn：1.5%、cr：0.8%、mo：0.9%、c：1.25%、ge：0.02%、p：0.002%、vb：1.5%、ta：0.4%和w：0.05%。
實(shí)施例8
本實(shí)施例與上述實(shí)施例3的不同之處在于：
所述步驟（1）中，納米晶帶材為鐵鎳基納米晶帶材，所述鐵鎳基納米晶帶材包括如下重量百分比的元素：ni：20%、si：11%、b：4%、nb：3%、cu：0.4%、co：6%，余量為fe。
所述鐵鎳基納米晶帶材還包括ga：0.6%、v：0.3%、ti：0.4%、mn：2%、cr：1.0%、mo：1.0%、c：1.3%、ge：0.03%、p：0.003%、vb：1.6%、ta：0.5%和w：0.06%。
實(shí)施例9
本實(shí)施例與上述實(shí)施例4的不同之處在于：
所述步驟（1）中，納米晶帶材為鐵鎳基納米晶帶材，所述鐵鎳基納米晶帶材包括如下重量百分比的元素：ni：22%、si：11.5%、b：4.5%、nb：3.5%、cu：0.45%、co：7%，余量為fe。
所述鐵鎳基納米晶帶材還包括ga：0.7%、v：0.4%、ti：0.5%、mn：2.5%、cr：1.2%、mo：1.1%、c：1.35%、ge：0.04%、p：0.004%、vb：1.7%、ta：0.6%和w：0.07%。
實(shí)施例10
本實(shí)施例與上述實(shí)施例5的不同之處在于：
所述步驟（1）中，納米晶帶材為鐵鎳基納米晶帶材，所述鐵鎳基納米晶帶材包括如下重量百分比的元素：ni：25%、si：12%、b：5%、nb：4%、cu：0.5%、co：8%，余量為fe。
所述鐵鎳基納米晶帶材還包括ga：0.8%、v：0.5%、ti：0.6%、mn：3%、cr：1.5%、mo：1.2%、c：1.4%、ge：0.05%、p：0.005%、vb：1.8%、ta：0.7%和w：0.08%。
經(jīng)測(cè)試，本發(fā)明制得的納米晶磁芯的有效磁導(dǎo)率μe可以達(dá)到8.5×104以上，飽和磁感應(yīng)值bs可以達(dá)到1.46t以上，矯頑力磁場(chǎng)強(qiáng)度hc的值小于2am-1，剩磁比小于0.07；抗直流偏置能力強(qiáng)，在100oe場(chǎng)強(qiáng)下，磁導(dǎo)率仍然有72%以上；其中在0.2t、20khz條件下?lián)p耗值為1.0w/kg以下，同時(shí)磁芯在0.5t、20khz條件下?lián)p耗值為5.2w/kg以下，磁芯在0.5t、50khz條件下?lián)p耗值為16.0w/kg以下。
通過(guò)本發(fā)明的退火工藝制得的納米晶磁芯具有穩(wěn)定的磁導(dǎo)率和直流偏置能力，還具有高飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度、低損耗值、低矯頑力、耐高溫等優(yōu)點(diǎn)，綜合性能優(yōu)良。
上述實(shí)施例為本發(fā)明較佳的實(shí)現(xiàn)方案，除此之外，本發(fā)明還可以其它方式實(shí)現(xiàn)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下任何顯而易見(jiàn)的替換均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。