本實用新型涉及晶體加工技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種改善鍺單晶片總厚度變化的裝置。

背景技術(shù)：

高純鍺單晶具有高抗輻射、高頻、光電性能好的特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于國防軍工、航空航天、電子、光導(dǎo)纖維、紅外光學(xué)、半導(dǎo)體等領(lǐng)域，由此成為了當(dāng)今世界上非常重要的戰(zhàn)略物資。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，其用途不斷擴(kuò)展。從鍺單晶到晶片需要經(jīng)過滾磨、切片、倒角、研磨(包括化學(xué)腐蝕)、拋光和清洗，其中切片工序和化學(xué)腐蝕工序是影響拋光片翹曲度的關(guān)鍵工藝，研磨工藝主要是去除切片工藝給鍺單晶片造成的損傷層，拋光工序是控制拋光片TTV(總厚度變化)的關(guān)鍵工藝。而TTV是表面幾何參數(shù)的一項重要指標(biāo)，體現(xiàn)了鍺單晶片的表面性質(zhì)，直接影響后序外延工藝和器件性能。

在拋光工序中，除了拋光盤轉(zhuǎn)速、拋光頭壓力、拋光液流量和及拋光速率對鍺單晶片TTV的影響之外，無蠟墊粘到陶瓷盤表面后的平整度也是影響鍺單晶片TTV的重要因素之一。目前所使用的無蠟墊時常存在不能很牢固的粘在陶瓷盤表面，或兩者之間留有空隙的問題，致使拋光后鍺單晶片的TTV過大，影響后序外延工藝，降低器件性能。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型所要解決的就是目前使用的無蠟墊粘貼不牢固，與陶瓷片有空隙導(dǎo)致的拋光后鍺單晶片的TTV過大的問題，提供一種改善鍺單晶片總厚度變化的裝置。

一種改善鍺單晶片總厚度變化的裝置，其特征在于該裝置由陶瓷盤、無蠟墊、圓墊、圓形鐵盤和圓柱形鐵塊構(gòu)成，陶瓷盤表面粘有若干個無蠟墊，無蠟墊內(nèi)設(shè)置圓形凹槽，圓墊放置在無蠟墊的圓形凹槽內(nèi)，圓形鐵盤壓在圓墊上，使所有圓墊表面處于同一平面，圓形鐵盤表面中央設(shè)置有圓柱形鐵塊。

所述的圓墊為聚氯乙烯材料，邊緣為圓弧形邊型。

所述的圓形鐵盤表面設(shè)置對稱把手。

所述的圓柱形鐵塊側(cè)面和圓形鐵盤的表面設(shè)置防滑墊。

所述的圓墊、圓形鐵盤和圓柱形鐵塊表面的平面度公差在1.5μm以下。

本實用新型的一種改善鍺單晶片總厚度變化的裝置，設(shè)計科學(xué)，結(jié)構(gòu)簡單，使用方便，能夠有效清除無蠟墊與陶瓷盤之間的間隙，讓無蠟墊更加牢固、平穩(wěn)地粘在陶瓷盤表面，進(jìn)而改善了鍺單晶片的總厚度變化，圓墊為聚氯乙烯材料，使用時間長，有利于降低成本。

附圖說明

圖1是本實用新型裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是圓墊的俯視圖;

圖中，1陶瓷盤，2無蠟墊，3圓墊，4圓形鐵盤，5對稱把手，6圓柱形鐵塊，7防滑墊，8圓弧形邊型，9圓形凹槽。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。

實施例1：一種改善鍺單晶片總厚度變化的裝置，該裝置由陶瓷盤1、無蠟墊2、圓墊3和圓形鐵盤4構(gòu)成，陶瓷盤1表面粘有若干個無蠟墊2，無蠟墊2內(nèi)設(shè)置圓形凹槽9，圓墊3放置在無蠟墊2的圓形凹槽9內(nèi)，圓墊3為聚氯乙烯材料，具有一定的強(qiáng)度和硬度，使用時間長，有利于降低成本，圓墊3邊緣為圓弧形邊型8，防止無蠟墊2的圓形凹槽9被刮花，進(jìn)而影響到晶片的質(zhì)量，厚度為5mm，圓墊3表面設(shè)置圓形鐵盤4，圓形鐵盤4厚度為15mm，重量為20kg，圓形鐵盤4表面設(shè)置對稱把手5，方便移動圓形鐵盤4，圓形鐵盤4表面中央設(shè)置有圓柱形鐵塊6，圓柱形鐵塊6直徑為150mm，高度為200mm，重量為20kg，以增強(qiáng)擠壓力，清除無蠟墊2與陶瓷盤1之間的空隙，圓柱形鐵塊6側(cè)面和圓形鐵盤4的表面設(shè)置防滑墊7，增加摩擦力，方便使用。

實際工作時，首先將無蠟墊2粘在陶瓷盤1的表面，然后將圓墊3放到無蠟墊2的圓形凹槽9中，再把圓形鐵盤4壓在圓墊3的上表面，過程中應(yīng)注意圓形鐵盤4的邊緣與陶瓷盤1邊緣對齊，以使陶瓷盤1表面的無蠟墊2受到均勻的壓力。最后將圓柱形鐵塊6放到圓形鐵盤4表面的中心處，過3小時之后，依次取下圓柱形鐵塊6、圓形鐵盤4和圓墊3，接著用水把鍺單晶片吸附在無蠟墊2的圓形凹槽9中，然后把陶瓷盤1裝到拋光機(jī)上進(jìn)行機(jī)械化學(xué)拋光。

實施例2：一種改善鍺單晶片總厚度變化的裝置，該裝置由陶瓷盤1、無蠟墊2、圓墊3和圓形鐵盤4構(gòu)成，陶瓷盤1表面粘有若干個無蠟墊2，無蠟墊2內(nèi)設(shè)置圓形凹槽9，圓墊3放置在無蠟墊2的圓形凹槽9內(nèi)，圓墊3為聚氯乙烯材料，具有一定的強(qiáng)度和硬度，使用時間長，有利于降低成本，圓墊3邊緣為圓弧形邊型8，防止無蠟墊2的圓形凹槽9被刮花，進(jìn)而影響到晶片的質(zhì)量，厚度為8mm，圓墊3表面設(shè)置圓形鐵盤4，圓形鐵盤4厚度為30mm，重量為30kg，圓形鐵盤4表面設(shè)置對稱把手5，方便移動圓形鐵盤4，圓形鐵盤4表面中央設(shè)置有圓柱形鐵塊6，圓柱形鐵塊6直徑為200mm，高度為250mm，重量為30kg，以增強(qiáng)擠壓力，清除無蠟墊2與陶瓷盤1之間的空隙，圓柱形鐵塊6側(cè)面和圓形鐵盤4的表面設(shè)置防滑墊7，增加摩擦力，方便使用。

實際工作時，首先將無蠟墊2粘在陶瓷盤1的表面，然后將圓墊3放到無蠟墊2的圓形凹槽9中，再把圓形鐵盤4壓在圓墊3的上表面，過程中應(yīng)注意圓形鐵盤4的邊緣與陶瓷盤1邊緣對齊，以使陶瓷盤1表面的無蠟墊2受到均勻的壓力。最后將圓柱形鐵塊6放到圓形鐵盤4表面的中心處，過1.5小時之后，依次取下圓柱形鐵塊6、圓形鐵盤4和圓墊3，接著用水把鍺單晶片吸附在無蠟墊2的圓形凹槽9中，然后把陶瓷盤1裝到拋光機(jī)上進(jìn)行機(jī)械化學(xué)拋光。

如表1所示，使用本實用新型后，2～6英寸鍺單晶片的TTV都得到了很大的改善。