制備Ni-Al高溫抗氧化復(fù)合涂層的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種滲鋁劑中添加無水SmCl3制備Ni-Al高溫抗氧化復(fù)合涂層,屬于表面處理領(lǐng)域。本發(fā)明在P92鐵素體不銹鋼表面鍍鎳后進(jìn)行包埋滲鋁,最佳的滲鋁劑由質(zhì)量百分比為6%Al、2%NH4Cl、2%無水SmCl3和90%Al2O3組成,經(jīng)過熱處理后,在鍍鎳基體表面上得到致密的滲鋁涂層,復(fù)合涂層抗氧化速率為0.1715×10-6g/cm2/s;滲鋁劑中添加無水SmCl3具有催滲、促滲作用,促進(jìn)涂層形成Ni-Al金屬間化合物,最重要的是可以改善涂層在長時(shí)間高溫服役環(huán)境下的致密性、結(jié)合力、熱穩(wěn)定性等性能,該方法具有節(jié)能、節(jié)材、工藝簡便等優(yōu)點(diǎn),具有實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。
【專利說明】滲f呂劑中添加無水SmC 13制備N 1-AI高溫抗氧化復(fù)合涂層
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種滲鋁劑中添加無水SmCl3制備N1-Al高溫抗氧化復(fù)合涂層,屬于表面處理領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]為了提高高溫材料的工作效率和使用壽命,在材料表面涂覆復(fù)合涂層,增強(qiáng)材料的抗氧化能力,N1-Al金屬間化合物有著優(yōu)良的高溫抗氧化性能,涂覆的N1-Al合金材料在高溫抗氧化方面有著廣闊的應(yīng)用前景。文獻(xiàn)Xiang Z D等人所著的Relat1nshipBetween Pack Chemistry and Aluminide Coating Format1n for Low-TemperatureAluminisat1n of Alloy Steels, Acta Materialia 2006, 54(17):4453-4463,提供了在P92鋼表面采用兩步法制備Ni2Al3/Ni的復(fù)合涂層,即先在材料表面鍍一層純鎳,再在650°C下采用粉末包埋滲鋁工藝使部分純鎳鋁化;武漢科技大學(xué)吳道潔提供了在P92鋼表面制備了 N1-Al化合物復(fù)合涂層,復(fù)合涂層存在著亟待解決問題,一是復(fù)合涂層隨著等溫退火時(shí)間的延長,孔洞嚴(yán)重增多增大的問題,二是元素?cái)U(kuò)散的問題;CN102864407A公開了稀土催滲氮碳共滲工藝,得出了稀土具有增加滲層致密度,提高工件的使用性能。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種滲鋁劑中添加無水SmCl3制備N1-Al高溫抗氧化復(fù)合涂層,制備致密的、熱穩(wěn)定性好的高溫抗氧化復(fù)合涂層。
[0004]技術(shù)解決方案:
本發(fā)明是以P92鐵素體不銹鋼經(jīng)過表面預(yù)處理、鍍鎳后為基體材料,基體材料在低溫下包埋滲鋁,滲鋁劑包含質(zhì)量百分比為6% Al,2% NH4Cl,x%無水SmCl3和(92_z)% Al2O3組份,X分別為0、2、4或6。將配好的四組滲鋁劑分別放入剛玉坩堝中,把鍍鎳的基體材料垂直放入滲鋁劑中,將坩堝密封,在溫度為650°C下進(jìn)行熱處理,使得在鍍鎳基體表面上得到致密的滲鋁涂層,涂層厚度為20 μ m,復(fù)合涂層抗氧化速率為0.1715X10^0.2830X 1^6g/cm2/s。
[0005]本發(fā)明最優(yōu)選擇滲鋁劑中添加無水SmCl3質(zhì)量百分比為2%,得到致密的滲鋁涂層,涂層厚度為20 μ m,復(fù)合涂層抗氧化速率為0.1715 X 10_6 g/cm2/s。
[0006]發(fā)明效果
本發(fā)明中滲鋁劑中添加無水SmCl3是影響復(fù)合涂層致密性和抗氧化性的關(guān)鍵,滲鋁劑中添加無水SmCl3的復(fù)合涂層抗氧化性優(yōu)于未添加無水SmCl3的復(fù)合涂層,但添加過量的無水SmCl3滲鋁層厚度不均勻,降低了復(fù)合涂層抗氧化性,添加2%無水SmCl3的涂層抗氧化性能最佳;滲鋁劑中添加無水SmCl3在熱處理過程中不會(huì)產(chǎn)生水蒸汽,有利于制備致密的滲鋁涂層;無水SmCl3除了催滲、促滲的作用外,釤原子沿晶界滲入鎳層,促進(jìn)涂層形成N1-Al金屬間化合物,最重要的是可以改善涂層在長時(shí)間高溫服役環(huán)境下的致密性、結(jié)合力、熱穩(wěn)定性;在基體表面得到的高溫抗氧化涂層,是利用金屬間化合物優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性和各元素?cái)U(kuò)散時(shí)的相互制約,從而使此涂層具有較強(qiáng)的高溫抗氧化性,該方法具有節(jié)能、節(jié)材、工藝簡便等優(yōu)點(diǎn),具有重要的實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0007]圖1為本發(fā)明滲鋁劑中添加2%無水SmCl3的P92鋼復(fù)合涂層OM圖;
圖2為本發(fā)明滲鋁劑中添加2%無水SmCl3的P92鋼復(fù)合涂層XRD圖;
圖3為本發(fā)明滲鋁劑中添加2%無水SmCl3的P92鋼復(fù)合涂層SEM圖。
【具體實(shí)施方式】
[0008]實(shí)施例1
P92鐵素體不銹鋼表面預(yù)處理后為基體材料,基體材料在瓦特電鍍液中鍍鎳,陽極為鎳板,陰極為基體材料,電流密度為2.23 A/dm2,鍍鎳溫度為45°C,時(shí)間為2小時(shí),得到基體材料鍍鎳厚度為100 μ m,鍍鎳的基體材料在低溫下包埋滲鋁,滲鋁劑由6%A1、2%NH4C1和92% Al2O3質(zhì)量百分比組成,將配好的滲鋁劑分別放入剛玉坩堝中,把鍍鎳的基體材料垂直放入滲鋁劑中部,將坩堝用水玻璃泥密封,坩堝放在箱式電阻爐中進(jìn)行熱處理,熱處理溫度為650°C,使得在鍍鎳基體表面上得到致密的滲鋁涂層,厚度為20 μ m,復(fù)合涂層抗氧化速率為 0.2830 X 1(Γ6 g/cm2/s。
[0009]實(shí)施例2
P92鐵素體不銹鋼表面預(yù)處理后為基體材料,基體材料在瓦特電鍍液中鍍鎳,陽極為鎳板,陰極為基體材料,電流密度為2.23A/dm2,鍍鎳溫度為45°C,時(shí)間為2小時(shí),得到基體材料鍍鎳厚度為100 μ m,鍍鎳的基體材料在低溫下包埋滲鋁,滲鋁劑由6% Al,2% NH4C1、2%無水SmCl3和90% Al2O3質(zhì)量百分比組成,將配好的滲鋁劑分別放入剛玉坩堝中,把鍍鎳的基體材料垂直放入滲鋁劑中部,將坩堝用水玻璃泥密封,坩堝放在箱式電阻爐中進(jìn)行熱處理,熱處理溫度為650°C,使得在鍍鎳基體表面上得到致密的滲鋁涂層,厚度為20 μ m,復(fù)合涂層抗氧化速率為0.1715 X 10_6 g/cm2/s。
[0010]實(shí)施例3
P92鐵素體不銹鋼表面預(yù)處理后為基體材料,基體材料在瓦特電鍍液中鍍鎳,陽極為鎳板,陰極為基體材料,電流密度為2.23A/dm2,鍍鎳溫度為45°C,時(shí)間為2小時(shí),得到基體材料鍍鎳厚度100 μ m,鍍鎳的基體材料在低溫下包埋滲鋁,滲鋁劑由6% Al,2% NH4C1、4%無水SmCljP88% Al2O3質(zhì)量百分比組成,將配好的滲鋁劑分別放入剛玉坩堝中,把鍍鎳的基體材料垂直放入滲鋁劑中部,將坩堝用水玻璃泥密封,坩堝放在箱式電阻爐中進(jìn)行熱處理,熱處理溫度為650°C,使得在鍍鎳基體表面上得到致密的滲鋁涂層,厚度為20 μ m,復(fù)合涂層抗氧化速率為 0.2440 X 1-6 g/cm2/s。
[0011]實(shí)施例4
P92鐵素體不銹鋼表面預(yù)處理后為基體材料,基體材料在瓦特電鍍液中鍍鎳,陽極為鎳板,陰極為基體材料,電流密度為2.23 A/dm2,鍍鎳溫度為45°C,時(shí)間為2小時(shí),得到基體材料鍍鎳厚度為100 μ m,鍍鎳的基體材料在低溫下包埋滲鋁,滲鋁劑由6% Al,2% NH4Cl,6%無水SmCl3和86% Al2O3質(zhì)量百分比組成,將配好的滲鋁劑分別放入剛玉坩堝中,把鍍鎳的基體材料垂直放入滲鋁劑中部,將坩堝用水玻璃泥密封,坩堝放在箱式電阻爐中進(jìn)行熱處理,熱處理溫度為650°C,使得在鍍鎳基體表面上得到致密的滲鋁涂層,厚度為20 μ m,復(fù)合涂層抗氧化速率為0.2108 X 10_6 g/cm2/s。
【權(quán)利要求】
1.滲鋁劑中添加無水SmCl3制備N1-Al高溫抗氧化復(fù)合涂層,其特征在于,P92鐵素體不銹鋼經(jīng)過表面預(yù)處理、鍍鎳后為基體材料,基體材料在低溫下包埋滲鋁,滲鋁劑包含6%Al,2% NH4Cl, x%無水SmCl3和(92_z)% Al2O3質(zhì)量百分比組份,分別為0、2、4或6,將配好的滲鋁劑分別放入剛玉坩堝中,把鍍鎳的基體材料垂直放入滲鋁劑中部,將坩堝密封,在溫度為650°C下進(jìn)行熱處理,使得在鍍鎳基體表面上得到致密的滲鋁涂層,涂層厚度為20μ m,復(fù)合涂層抗氧化速率為0.1715 X ΚΓ6?0.2830 X 1(T6 g/cm2/s。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的添加無水SmCl3制備N1-Al高溫抗氧化復(fù)合涂層,其特征在于,最優(yōu)選擇滲鋁劑中添加無水SmCl3質(zhì)量百分比為2%,得到致密的滲鋁涂層,涂層厚度為20 μ m,復(fù)合涂層抗氧化速率為0.1715 X 10_6 g/cm2/s。
【文檔編號(hào)】C23C28/02GK104294211SQ201410560473
【公開日】2015年1月21日 申請(qǐng)日期:2014年10月21日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月21日
【發(fā)明者】趙勇桃, 張韶慧, 任慧平 申請(qǐng)人:內(nèi)蒙古科技大學(xué)