一種高溫cvd工藝的壓差改良方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高溫CVD工藝的壓差改良方法，包括以下步驟：提供一工藝室與一連通工藝室的傳遞室；提供至少一待加工的基片，并將基片通過傳遞室傳遞至工藝室；在工藝室內(nèi)對基片實施沉積工藝，向工藝室中通入惰性氣體，使得工藝室內(nèi)的壓力大于傳遞室內(nèi)的壓力，從而保證異物往傳遞室流動，減少工藝室的中成膜缺陷，改善良率，而且惰性氣體流入到傳遞室中還可有效冷卻工藝室內(nèi)的設備，防止H/W變型；在工藝室內(nèi)對所述基片實施蝕刻工藝，向傳遞室中通入惰性氣體，使得傳遞室內(nèi)的壓力大于工藝室內(nèi)的壓力，從而防止蝕刻氣體從工藝室泄漏到傳遞室，損害和腐蝕傳遞室內(nèi)部，同時將蝕刻氣體牢牢控制在工藝室內(nèi)，提高氣體使用率，提高蝕刻速率。
【專利說明】—種高溫CVD工藝的壓差改良方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種CVD工藝，尤其涉及一種高溫CVD工藝的壓差改良方法。
【背景技術】
[0002]CVD工藝指把含有構成薄膜元素的氣態(tài)反應劑或液態(tài)反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入工藝室，在基片襯底表面發(fā)生化學反應生成薄膜的過程。CVD工藝通常包括相互連通的傳遞室(Transfer chamber,簡稱TC)和工藝室(Process chamber,簡稱PC)。在工藝室中先后進行沉積工藝和蝕刻工藝，并將蝕刻完成的薄膜通過傳遞室進行傳遞輸出。
[0003]現(xiàn)有CVD沉積工藝(CVD-Process)時沒有較好的方法來控制工藝室和傳遞室之間的壓力，使得反應中腔室內(nèi)的氣體流動得不到有效控制，從而導致異物容易掉在工藝室的基片上形成成膜缺陷；現(xiàn)有CVD蝕刻工藝(CVD-ETCHING)時也沒有較好的方法來控制工藝室和傳遞室之間的壓力，使得反應中腔室內(nèi)的氣體流動得不到有效控制，導致工藝室中的蝕刻氣體會泄漏至傳遞室，腐蝕密封件和傳遞室內(nèi)的機構。因此，我們需要一種高溫CVD工藝的壓力控制方法，來解決現(xiàn)有相關領域的技術難點。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種可有利用傳輸室和工藝室內(nèi)壓力差來控制高溫CVD工藝中氣體流向問題的高溫CVD工藝的壓差改良方法。
[0005]為實現(xiàn)上述技術效果，本發(fā)明公開了一種高溫CVD工藝的壓差改良方法，包括以下步驟:
[0006]提供一工藝室與一連通所述工藝室的傳遞室；
[0007]提供至少一待加工的基片，并將所述基片通過所述傳遞室傳遞至所述工藝室；
[0008]在工藝室內(nèi)對所述基片實施沉積工藝，向所述工藝室中通入惰性氣體，使得工藝室內(nèi)的壓力大于傳遞室內(nèi)的壓力；
[0009]在所述工藝室內(nèi)對所述基片實施蝕刻工藝，向傳遞室中通入惰性氣體，使得傳遞室內(nèi)的壓力大于工藝室內(nèi)的壓力。
[0010]本發(fā)明進一步的改進在于，在實施所述沉積工藝時，控制所述工藝室與傳遞室之間的壓差在50mtorr以內(nèi)。
[0011]本發(fā)明進一步的改進在于，在實施所述蝕刻工藝時，控制所述傳遞室與所述工藝室之間的壓差在50mtorr以內(nèi)。
[0012]本發(fā)明進一步的改進在于,所述惰性氣體包括He、Ar。
[0013]本發(fā)明由于采用了以上技術方案，使其具有以下有益效果是:
[0014](I)在進行高溫CVD沉積工藝時在工藝室(Process chamber，簡稱PC)中加入He/Ar等惰性非含氧氣氣體，控制工藝室壓力大于傳遞室壓力，使異物往傳遞室流動，減少工藝室中形成膜中的缺陷，改善產(chǎn)品制成良率，而且He/Ar等惰性非含氧氣體流入到傳遞室(Transfer chamber,簡稱TC)中還可有效冷卻機器(ROBORT),防止H/W變型。[0015](2)在進行高溫CVD蝕刻工藝時在傳遞室中加入He/Ar等惰性非含氧氣氣體，控制傳遞室壓力大于工藝室壓力，防止蝕刻氣體從工藝室泄漏到傳遞室，而損壞和腐蝕傳遞室內(nèi)部，同時將蝕刻氣體牢牢控制在工藝室內(nèi)，可提高工藝室蝕刻速率，提高產(chǎn)能，降低氣體成本。
【具體實施方式】
[0016]下面結合【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細的說明。
[0017]本發(fā)明公開了一種高溫CVD工藝的壓差改良方法，具體包括以下實施步驟:
[0018]首先，提供一工藝室(Process chamber,簡稱PC)與一連通該工藝室的傳遞室(Transfer chamber,簡稱 TC)。
[0019]然后，提供至少一待加工的基片，并將基片通過傳遞室(TC)傳遞至工藝室(PC)。
[0020]在工藝室內(nèi)對基片實施沉積工藝，向工藝室中通入He/Ar等惰性非含氧氣體，使得工藝室內(nèi)的壓力大于傳遞室內(nèi)的壓力，形成較大的壓差，促使氣流從壓力大的一邊向壓力小的一邊流動，即自工藝室向傳遞室內(nèi)流動，從而使制程過程中的異物隨氣流往傳遞室流動，避免異物在沉積工藝中落在基片上，影響基片的成膜質(zhì)量，改善了產(chǎn)品的制成良率。并且通過在工藝室通入HE/AR等惰性非含氧氣體還可以有效冷卻工藝室內(nèi)的ROBORT/SLIT-VALVE/GATE-VALVE / SEAL，防止 H/W 變型。
[0021]在工藝室內(nèi)采用蝕刻氣體對基片實施蝕刻工藝，向傳遞室中通入He/Ar等惰性非含氧氣體，使得傳遞室內(nèi)的壓力大于工藝室內(nèi)的壓力，形成較大的壓差，促使氣流從壓力大的一邊向壓力小的一邊流動，即自傳遞室向工藝室內(nèi)流動，防止蝕刻工藝中的蝕刻氣體從工藝室內(nèi)泄漏到傳遞室，而損壞和腐蝕傳遞室內(nèi)部機構，同時還能將蝕刻氣體牢牢控制在工藝室內(nèi)，提高蝕刻氣體的利用率，提高蝕刻工藝的蝕刻速率，提升產(chǎn)品性能，降低工藝成本。
[0022]進一步的，如果工藝室與傳遞室之間的壓差過大，會造成工藝室與傳遞室之間的氣流流通量過大，產(chǎn)生揚塵，影響產(chǎn)品制成良率，因此，控制工藝室與傳遞室之間的壓差在50mtorr以內(nèi)，以避免工藝室與傳遞室之間的氣流流通量過大。
[0023]本發(fā)明的高溫CVD工藝的壓差改良方法通過合理通入He/Ar等惰性非含氧氣體有效控制傳遞室與工藝室之間的壓力差范圍在50mtorr以內(nèi)，解決了生產(chǎn)過程中的氣體流動不受控制的問題，提高了生產(chǎn)效率。
[0024] 以上結合實施例對本發(fā)明進行了詳細說明，本領域中普通技術人員可根據(jù)上述說明對本發(fā)明做出種種變化例。因而，實施例中的某些細節(jié)不應構成對本發(fā)明的限定，本發(fā)明將以所附權利要求書界定的范圍作為本發(fā)明的保護范圍。
【權利要求】
1.一種高溫CVD工藝的壓差改良方法，其特征在于包括以下步驟: 提供一工藝室與一連通所述工藝室的傳遞室； 提供至少一待加工的基片，并將所述基片通過所述傳遞室傳遞至所述工藝室； 在工藝室內(nèi)對所述基片實施沉積工藝，向所述工藝室中通入惰性氣體，使得工藝室內(nèi)的壓力大于傳遞室內(nèi)的壓力； 在所述工藝室內(nèi)對所述基片實施蝕刻工藝，向傳遞室中通入惰性氣體，使得傳遞室內(nèi)的壓力大于工藝室內(nèi)的壓力。
2.如權利要求1所述的一種高溫CVD工藝的壓差改良方法，其特征在于:在實施所述沉積工藝時，控制所述工藝室與傳遞室之間的壓差在50mtorr以內(nèi)。
3.如權利要求1所述的一種高溫CVD工藝的壓差改良方法，其特征在于:在實施所述蝕刻工藝時，控制所述傳遞室與所述工藝室之間的壓差在50mtorr以內(nèi)。
4.如權利要求1所述的一種高溫CVD工藝的壓差改良方法，其特征在于:所述惰性氣體包括H e、Ar。
【文檔編號】C23C16/455GK103993294SQ201410155323
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2014年4月17日 優(yōu)先權日:2014年4月17日
【發(fā)明者】孫魯男, 董杭, 許嘉哲, 嚴進嶸 申請人:上海和輝光電有限公司