專利名稱：研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及化學(xué)機(jī)械研磨技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)
至
JHL O
背景技術(shù)：
化學(xué)機(jī)械研磨(chemical mechanical polishing)技術(shù)兼有機(jī)械式研磨和化學(xué)式研磨的兩種作用，可以使半導(dǎo)體晶圓的表面更加光滑更加平坦，普遍應(yīng)用于半導(dǎo)體晶圓的制造中?；瘜W(xué)機(jī)械研磨(chemical mechanical polishing)設(shè)備中包括研磨盤和研磨盤驅(qū)動裝置，研磨盤驅(qū)動裝置與研磨盤連接。使用化學(xué)機(jī)械研磨(chemical mechanicalpolishing)設(shè)備進(jìn)行研磨時，研磨盤驅(qū)動裝置調(diào)整研磨盤的位置，將研磨盤放到研磨墊的上方，使研磨盤與研磨墊緊密接觸并帶動研磨盤旋轉(zhuǎn)，以配合半導(dǎo)體晶圓的研磨。研磨盤驅(qū)動裝置上還設(shè)有一個研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋(pad conditioner cover),具體結(jié)構(gòu)請參考圖1和圖2,如圖1和圖2所示,研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋(pad conditioner cover)包括蓋板和側(cè)壁，側(cè)壁貼合于研磨盤驅(qū)動裝置的邊緣。研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋(padconditioner cover)內(nèi)部中空，剛好可以包覆在研磨盤驅(qū)動裝置的外部,保護(hù)研磨盤驅(qū)動裝置，防止研磨液及其他物體進(jìn)入研磨盤驅(qū)動裝置的內(nèi)部。研磨過程中，研磨液雖然無法進(jìn)入研磨盤驅(qū)動裝置的內(nèi)部，但是會濺到研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋(pad conditioner cover)上。如果研磨液沒有及時清除,會出現(xiàn)結(jié)晶并產(chǎn)生微塵顆粒(Particle),微塵顆粒(Particle) —旦進(jìn)入研磨墊與產(chǎn)品接觸就會劃傷產(chǎn)品。為了防止研磨液結(jié)晶產(chǎn)生微塵顆粒(Particle),化學(xué)機(jī)械研磨(chemical mechanicalpolishing)設(shè)備會噴水清洗研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋(pad conditioner cover)。研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋(pad conditioner cover)與研磨盤驅(qū)動裝置連接，雖然能夠防止研磨盤驅(qū)動裝置進(jìn)水，但是清洗研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋(pad conditionercover)時,水會殘留在研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋(pad conditioner cover)上面。一旦殘留在研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋(pad conditioner cover)上面的水過多,水就會流到其下方的研磨墊上，稀釋研磨液。研磨液濃度降低會影響產(chǎn)品的研磨效果。另一方面，化學(xué)機(jī)械研磨(chemical mechanical polishing)設(shè)備的零部件在作業(yè)時會有磨損,產(chǎn)生的微塵顆粒(Particle)會掉入研磨盤驅(qū)動裝置研的保護(hù)蓋(pad conditioner cover)上面的水里?；煊挟愇锏乃绻麤]有得到及時清除或過濾，會流到研磨墊上，水中的異物會進(jìn)入產(chǎn)品和研磨墊之間導(dǎo)致產(chǎn)品劃傷?；耍绾畏乐箽埩粼谘心ケP驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋(pad conditioner cover)上面的水流到研磨墊上成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的一個技術(shù)問題。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋以解決現(xiàn)有技術(shù)中研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋上殘留的水流到研磨墊上影響研磨作業(yè)的問題。[0007]為解決上述問題，本實(shí)用新型提供一種研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋，包括蓋板和側(cè)壁；其中，所述蓋板與所述側(cè)壁連接；所述蓋板的邊緣設(shè)有凹槽。優(yōu)選的，在研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋中，所述凹槽的深度為3 6mm。優(yōu)選的，在研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋中，蓋板是傾斜的，傾斜度為30°。優(yōu)選的，在研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋中，所述蓋板包括順次連接的第一機(jī)構(gòu)、第二機(jī)構(gòu)和第三機(jī)構(gòu)；其中，第一機(jī)構(gòu)和第三機(jī)構(gòu)的形狀為圓弧面，第三機(jī)構(gòu)的形狀是長方形；所述第一機(jī)構(gòu)比所述第二機(jī)構(gòu)和第三機(jī)構(gòu)均高。優(yōu)選的，在研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋中，所述側(cè)壁的高度與所述第一機(jī)構(gòu)的高度相同。優(yōu)選的，在研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋中，所述凹槽上設(shè)置有一排水口，所述排水口設(shè)置于第三機(jī)構(gòu)上。優(yōu)選的，研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋還包括多個氣口，所述氣口設(shè)置于所述蓋板的第一機(jī)構(gòu)上。優(yōu)選的，研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋還包括多個氣口，所述氣口設(shè)置于靠近所述第一機(jī)構(gòu)的一側(cè)。優(yōu)選的，研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋還包括多個鎖扣；所述研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋通過鎖扣與所述研磨盤驅(qū)動裝置連接。優(yōu)選的，研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋還包括鎖扣保護(hù)機(jī)構(gòu)；所述鎖扣保護(hù)機(jī)構(gòu)與所述側(cè)壁固定連接。優(yōu)選的，在研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋中，所述蓋板、側(cè)壁和鎖扣保護(hù)機(jī)構(gòu)是一體成型的。優(yōu)選的，在研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋中，所述蓋板、側(cè)壁和鎖扣保護(hù)機(jī)構(gòu)均為塑料結(jié)構(gòu)，由透明的塑料制成。綜上所述，在本實(shí)用新型提供的研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋上設(shè)有凹槽，研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋上面的水會流入凹槽中，不會流到研磨墊上，由此也就避免了水流到研磨墊上影響研磨作業(yè)的問題，提高了化學(xué)機(jī)械研磨工藝的可靠性。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋的保護(hù)蓋主體的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)中研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋的俯視圖；圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例的一種研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋的部分結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例的一種研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋的俯視圖；圖5是圖4中區(qū)域A的放大示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本實(shí)用新型提出一種研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。請參考圖3，其為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋的部分結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，所述研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋100包括:蓋板11和側(cè)壁12 ；所述蓋板11與所述側(cè)壁12連接；所述蓋板11的邊緣設(shè)有凹槽15。具體的，研磨盤驅(qū)動裝置與研磨盤連接，研磨盤驅(qū)動裝置上設(shè)置有研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋100。研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋100包括蓋板11和側(cè)壁12,蓋板11和側(cè)壁12連接，側(cè)壁12貼合于研磨盤驅(qū)動裝置的邊緣。研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋100的形狀與研磨盤驅(qū)動裝置的形狀相匹配，包覆在研磨盤驅(qū)動裝置的外部。請參考圖4，其為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋的俯視圖，如圖4所示，蓋板11包括順次連接的第一機(jī)構(gòu)、第二機(jī)構(gòu)和第三機(jī)構(gòu)，其中，第一機(jī)構(gòu)和第三機(jī)構(gòu)的形狀為圓弧面，第二機(jī)構(gòu)的形狀是長方形。蓋板11的邊緣設(shè)置有凹槽15，凹槽15的深度一般為3 6mm。凹槽15上還設(shè)置有一排水口 16,排水口 16設(shè)置于第三機(jī)構(gòu)上,并與化學(xué)機(jī)械研磨(chemical mechanicalpolishing)設(shè)備的排水裝置連接。請繼續(xù)參考圖3，蓋板11是傾斜的，傾斜度為30°，蓋板11中的第一機(jī)構(gòu)比第二機(jī)構(gòu)和第三機(jī)構(gòu)要高，第三機(jī)構(gòu)最低。蓋板11是一個斜面，傾斜度的大小可以根據(jù)排水要求進(jìn)行調(diào)整，如果水量很大要求快速排水，蓋板11的傾斜度可以更大一些，超過30°。如果水量比較小無需快速排水，蓋板11的傾斜度可以小一些，低于30°，只要研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋100上面的水能夠及時排除，不會流到研磨墊上就行。請繼續(xù)參考圖3，側(cè)壁12的高度與蓋板11中的第一機(jī)構(gòu)的高度相同，由于蓋板11是傾斜的，第一機(jī)構(gòu)比第二機(jī)構(gòu)和第三機(jī)構(gòu)均高，可見，側(cè)壁12的高度比第二機(jī)構(gòu)和第三機(jī)構(gòu)均高，側(cè)壁12高出蓋板11，可以防止蓋板11上面的水流到研磨墊上。研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋100還包括多個鎖扣14和鎖扣保護(hù)機(jī)構(gòu)13，研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋100通過鎖扣14與研磨盤驅(qū)動裝置連接，鎖扣14的外部設(shè)置有鎖扣保護(hù)機(jī)構(gòu)13，鎖扣保護(hù)機(jī)構(gòu)13與側(cè)壁12固定連接。考慮到研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋100的密封性，防止研磨液或水滲入研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋100中，蓋板11、側(cè)壁12和鎖扣保護(hù)機(jī)構(gòu)13最好是一體成型。同時，為了便于檢查研磨盤驅(qū)動裝置中各個部件，蓋板11、側(cè)壁12和鎖扣保護(hù)機(jī)構(gòu)13均由透明的塑料制成。如5圖所示，研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋100還包括多個氣口 17，氣口 17設(shè)置于蓋板11的第一機(jī)構(gòu)上。因?yàn)檠心ケP驅(qū)動裝置自身設(shè)有氣體管道，氣口 17可以與研磨盤驅(qū)動裝置內(nèi)的氣體管道連接，氣體通過氣口 17噴到研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋100上能夠促進(jìn)排水。氣口 17可以設(shè)置在蓋板11的第一機(jī)構(gòu)上，也可以獨(dú)立設(shè)置，不設(shè)置研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋100上，只要?dú)饪?17的位置靠近蓋板11中的第一機(jī)構(gòu)，能夠?qū)?zhǔn)研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋100上的水把水往向第三機(jī)構(gòu)吹就行。使用本實(shí)用新型研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋100時，先將研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋100與研磨盤驅(qū)動裝置進(jìn)行組裝。具體的，首先將密封圈放置在研磨盤驅(qū)動裝置的邊緣，之后將研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋100放在密封圈上，其中，蓋板11中第一機(jī)構(gòu)的位置靠近研磨盤，第二機(jī)構(gòu)和第三機(jī)構(gòu)的位置遠(yuǎn)離研磨盤。然后，通過螺絲將鎖扣14與研磨盤驅(qū)動裝置上對應(yīng)的鎖扣擰緊。由此，研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋100與研磨盤驅(qū)動裝置固定連接。由于蓋板11的周邊設(shè)有凹槽15，一旦有水積聚在研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋100的上面，水會流入凹槽15中。同時，蓋板11是一個斜面，蓋板11上的水都從高處的第一機(jī)構(gòu)流向低處的第三機(jī)構(gòu)。而且，位于第三機(jī)構(gòu)的凹槽上還設(shè)置有排水口 16，水流匯集到排水口16,通過排水口 16流到化學(xué)機(jī)械研磨(chemical mechanical polishing)設(shè)備的排水裝置中，最終排到化學(xué)機(jī)械研磨(chemical mechanical polishing)設(shè)備外。此外,靠近第一機(jī)構(gòu)的氣口 17也會噴出氣體，將水從第一機(jī)構(gòu)往第三機(jī)構(gòu)方向吹，加快排水。綜上可見，本實(shí)用新型研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋設(shè)有凹槽和排水口，水會流入凹槽后通過排水口及時排除。進(jìn)一步的，研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋是傾斜的，水自動地從較高的一端流向較低的一端。而且，較高的一端設(shè)有氣口，排水效果更理想。由此，研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋的上面不會有水殘留，更不會有水流到研磨墊上。上述描述僅是對本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的描述，并非對本實(shí)用新型范圍的任何限定，本實(shí)用新型領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋，其特征在于，包括:蓋板和側(cè)壁； 其中，所述蓋板與所述側(cè)壁連接； 所述蓋板的邊緣設(shè)有凹槽。
2.如權(quán)利要求1所述的研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋，其特征在于，所述凹槽的深度為3 6mm ο
3.如權(quán)利要求1所述的研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋，其特征在于，所述蓋板是傾斜的，傾斜度為30°。
4.如權(quán)利要求1所述的研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋，其特征在于，所述蓋板包括順次連接的第一機(jī)構(gòu)、第二機(jī)構(gòu)和第三機(jī)構(gòu)； 其中，第一機(jī)構(gòu)和第三機(jī)構(gòu)的形狀為圓弧面，第三機(jī)構(gòu)的形狀是長方形；所述第一機(jī)構(gòu)比所述第二機(jī)構(gòu)和第三機(jī)構(gòu)均高。
5.如權(quán)利要求4所述的研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋，其特征在于，所述側(cè)壁的高度與所述第一機(jī)構(gòu)的高度相同。
6.如權(quán)利要求4所述的研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋，其特征在于，所述凹槽上設(shè)置有一排水口，所述排水口設(shè)置于第三機(jī)構(gòu)上。
7.如權(quán)利要求4所述的研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋，其特征在于，還包括多個氣口，所述氣口設(shè)置于所述蓋板的第一機(jī)構(gòu)上。
8.如權(quán)利要求4所述的研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋，其特征在于，還包括多個氣口，所述氣口設(shè)置于靠近所述第一機(jī)構(gòu)的一側(cè)。
9.如權(quán)利要求1所述的研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋，其特征在于，還包括多個鎖扣； 所述研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋通過鎖扣與所述研磨盤驅(qū)動裝置連接。
10.如權(quán)利要求9所述的研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋，其特征在于，還包括鎖扣保護(hù)機(jī)構(gòu)； 所述鎖扣保護(hù)機(jī)構(gòu)與所述側(cè)壁固定連接。
11.如權(quán)利要求10所述的研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋，其特征在于，所述蓋板、側(cè)壁和鎖扣保護(hù)機(jī)構(gòu)是一體成型的。
12.如權(quán)利要求10所述的研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋，其特征在于，所述蓋板、側(cè)壁和鎖扣保護(hù)機(jī)構(gòu)均為塑料結(jié)構(gòu)，由透明的塑料制成。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋，所述研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋包括蓋板和側(cè)壁。其中，所述蓋板與所述側(cè)壁連接，所述蓋板的邊緣設(shè)有凹槽。本實(shí)用新型提供的研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋上設(shè)有凹槽，研磨盤驅(qū)動裝置的保護(hù)蓋上面的水會流入凹槽中，不會流到研磨墊上，由此也就避免了水流到研磨墊上影響研磨作業(yè)的問題，提高了化學(xué)機(jī)械研磨工藝的可靠性。
文檔編號B24B37/34GK203031444SQ201320028398
公開日2013年7月3日 申請日期2013年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月18日
發(fā)明者張巍, 周敏浩 申請人:中芯國際集成電路制造(北京)有限公司