晶棒的拋光處理方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了晶棒的拋光處理方法，包括：第一步，將晶棒浸泡在水中，保持至少5分鐘；第二步，將晶棒取出，并將晶棒的兩端固定在旋轉(zhuǎn)加工工作臺上；第三步，旋轉(zhuǎn)晶棒，并且利用寬度5cm左右的粗砂布，沿著晶棒的一端向另一端以20cm/s的速度往復移動，進行第一次打磨；第四步，旋轉(zhuǎn)晶棒，并且利用寬度10cm左右的細砂布，沿著晶棒的一端向另一端以25cm/s的速度往復移動，進行第二次打磨；第五步，旋轉(zhuǎn)晶棒，并且利用寬度10cm左右的沾水細砂布，沿著晶棒的一端向另一端以15cm/s的速度往復移動，進行第三次打磨；第六步，風干。通過上述技術方案晶棒的拋光處理方法，可以大大降低晶棒的磨損程度，節(jié)省晶棒的材料。
【專利說明】晶棒的拋光處理方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種晶棒的拋光處理方法，屬于半導體材料【技術領域】。
【背景技術】
[0002]在進行半導體加工的過程中，所使用的晶棒毛坯料經(jīng)常需要進行拋光處理，在拋光處理的過程中，容易造成晶棒磨損過多，浪費嚴重的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是提供一種晶棒的拋光處理方法，減少拋光磨損，節(jié)省材料。
[0004]本發(fā)明的目的通過以下技術方案來具體實現(xiàn):
晶棒的拋光處理方法，包括:
第一步，將晶棒浸泡在水中，保持至少5分鐘；
第二步，將晶棒取出，并將晶棒的兩端固定在旋轉(zhuǎn)加工工作臺上；
第三步，旋轉(zhuǎn)晶棒，并且利用寬度5cm左右的粗砂布，沿著晶棒的一端向另一端以20cm/s的速度往復移動，進行第一次打磨；
第四步，旋轉(zhuǎn)晶棒，并且利用寬度IOcm左右的細砂布，沿著晶棒的一端向另一端以25cm/s的速度往復移動，進行第二次打磨；
第五步，旋轉(zhuǎn)晶棒，并且利用寬度IOcm左右的沾水細砂布，沿著晶棒的一端向另一端以15cm/s的速度往復移動，進行第三次打磨；
第六步，風干。
[0005]通過上述技術方案晶棒的拋光處理方法，可以大大降低晶棒的磨損程度，節(jié)省晶棒的材料。
【具體實施方式】
[0006]本發(fā)明實施例一所述的晶棒的拋光處理方法，包括:
第一步，將晶棒浸泡在水中，保持5分鐘；
第二步，將晶棒取出，并將晶棒的兩端固定在旋轉(zhuǎn)加工工作臺上；
第三步，旋轉(zhuǎn)晶棒，并且利用寬度5cm左右的粗砂布，沿著晶棒的一端向另一端以20cm/s的速度往復移動，進行第一次打磨；
第四步，旋轉(zhuǎn)晶棒，并且利用寬度IOcm左右的細砂布，沿著晶棒的一端向另一端以25cm/s的速度往復移動，進行第二次打磨；
第五步，旋轉(zhuǎn)晶棒，并且利用寬度IOcm左右的沾水細砂布，沿著晶棒的一端向另一端以15cm/s的速度往復移動，進行第三次打磨；
第六步，風干。
[0007]通過上述技術方案晶棒的拋光處理方法，可以大大降低晶棒的磨損程度，節(jié)省晶棒的材料。
【權利要求】
1.晶棒的拋光處理方法，包括: 第一步，將晶棒浸泡在水中，保持至少5分鐘； 第二步，將晶棒取出，并將晶棒的兩端固定在旋轉(zhuǎn)加工工作臺上； 第三步，旋轉(zhuǎn)晶棒，并且利用寬度5cm左右的粗砂布，沿著晶棒的一端向另一端以20cm/s的速度往復移動，進行第一次打磨； 第四步，旋轉(zhuǎn)晶棒，并且利用寬度IOcm左右的細砂布，沿著晶棒的一端向另一端以25cm/s的速度往復移動，進行第二次打磨； 第五步，旋轉(zhuǎn)晶棒，并且利用寬度IOcm左右的沾水細砂布，沿著晶棒的一端向另一端以15cm/s的速度往復移動，進行第三次打磨； 第六步，風干。
【文檔編號】B24B21/02GK103522149SQ201310477542
【公開日】2014年1月22日 申請日期:2013年10月14日 優(yōu)先權日:2013年10月14日
【發(fā)明者】劉耀峰, 潘振東 申請人:無錫榮能半導體材料有限公司