沉積裝置及使用該沉積裝置測(cè)量沉積材料的剩余量的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種沉積裝置及使用該沉積裝置測(cè)量沉積材料的剩余量的方法。所述沉積裝置包括：包括觀測(cè)窗的處理室、布置在處理室中以在第一方向上與觀測(cè)窗重疊的坩堝、布置在觀測(cè)窗與坩堝之間以在第一方向上與觀測(cè)窗重疊并且關(guān)于第一方向旋轉(zhuǎn)的盤片、聯(lián)接至處理室和盤片以使盤片旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)單元、布置在盤片與坩堝之間且提供有穿過(guò)其自身形成并在第一方向上與觀測(cè)窗重疊的開(kāi)口的沉積防止板、以及布置在處理室的外部以在第一方向上與觀測(cè)窗、盤片和坩堝重疊的測(cè)量傳感器。該測(cè)量傳感器檢測(cè)沉積材料與測(cè)量傳感器之間的距離，以測(cè)量沉積材料的剩余量。
【專利說(shuō)明】沉積裝置及使用該沉積裝置測(cè)量沉積材料的剩余量的方法
[0001]優(yōu)先權(quán)要求
[0002]本申請(qǐng)參考早先于2010年8月9日遞交韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局并因而被正式分配序列號(hào) 10-2012-0087362 的申請(qǐng)“DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MEASURING RESIDUALAMOUNT OF DEPOSITION MATERIAL USING THE SAME (沉積裝置及使用該沉積裝置測(cè)量沉積材料的剩余量的方法)”，將其合并于此，并要求其所有權(quán)益。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本公開(kāi)涉及能夠基于測(cè)量傳感器與沉積材料之間的距離測(cè)量沉積材料的剩余量的沉積裝置及使用該沉積裝置測(cè)量沉積材料的剩余量的方法。
【背景技術(shù)】
[0004]一般而言，使用沉積裝置來(lái)制造各種設(shè)備，例如顯示設(shè)備。沉積裝置包括處理室和布置在處理室中以容納沉積材料的坩堝。從坩堝蒸發(fā)的沉積材料沉積到置于坩堝上方的基板上。
[0005]在使用沉積裝置將沉積材料沉積到基板上的情況下，需要測(cè)量坩堝中沉積材料的剩余量，以找出為坩堝補(bǔ)給沉積材料的時(shí)間。
[0006]為此，沉積裝置包括安裝在處理室內(nèi)部的晶體傳感器，以測(cè)量坩堝中的沉積材料的剩余量。晶體傳感器檢測(cè)振動(dòng)次數(shù)根據(jù)附著到晶體傳感器上的沉積材料的厚度產(chǎn)生的變化。
[0007]然而，在更換基板而晶體傳感器被維持時(shí)，晶體傳感器的方向和位置改變，因此，難以精確地測(cè)量坩堝中沉積材料的剩余量。`
【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明可以提供能夠測(cè)量沉積材料的剩余量的沉積裝置。
[0009]本發(fā)明可以提供測(cè)量沉積裝置中的沉積材料的剩余量的方法。
[0010]本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例可以提供包括處理室、坩堝、盤片、旋轉(zhuǎn)單元、沉積防止板和測(cè)量傳感器的沉積裝置。
[0011]處理室可以包括布置在其上壁的一部分處的觀測(cè)窗。
[0012]坩堝可以布置在所述處理室的內(nèi)部的下壁上，以在第一方向上與所述觀測(cè)窗重疊，并且在坩堝中容納有沉積材料.[0013]盤片可以布置在所述觀測(cè)窗與所述坩堝之間，以在所述第一方向上與所述觀測(cè)窗重疊，并且盤片可以關(guān)于所述第一方向旋轉(zhuǎn)。在一些實(shí)施例中，當(dāng)在所述第一方向上觀看時(shí)，所述盤片可以具有圓形形狀。
[0014]所述旋轉(zhuǎn)單元可以聯(lián)接至所述處理室和所述盤片以使所述盤片旋轉(zhuǎn)。在一些實(shí)施例中，所述旋轉(zhuǎn)單元可以包括:附接到所述處理室的上壁的旋轉(zhuǎn)電機(jī)；以及在所述第一方向上延伸的軸，所述軸旋轉(zhuǎn)地聯(lián)接至所述旋轉(zhuǎn)電機(jī)和所述盤片。在一些實(shí)施例中，所述軸連接到所述盤片的中央。在一些實(shí)施例中，當(dāng)在所述第一方向上觀看時(shí)，所述軸可以布置為與所述觀測(cè)窗間隔開(kāi)。
[0015]所述沉積防止板可以布置在所述盤片與所述坩堝之間，并且提供有穿過(guò)所述沉積防止板形成的開(kāi)口。所述開(kāi)口可以在所述第一方向上與所述觀測(cè)窗重疊。
[0016]所述測(cè)量傳感器可以布置在所述處理室的外部，以在所述第一方向上與所述觀測(cè)窗、所述盤片和所述坩堝重疊。所述測(cè)量傳感器檢測(cè)所述沉積材料與所述測(cè)量傳感器之間的距離，以測(cè)量所述沉積材料的剩余量。所述測(cè)量傳感器可以包括:光發(fā)射部，沿所述第一方向向所述觀測(cè)窗發(fā)射激光束；以及光接收部，接收所述激光束的一部分。
[0017]所述觀測(cè)窗和所述盤片可以包括石英。[0018]當(dāng)在所述第一方向上觀看時(shí)，所述觀測(cè)窗可以與所述盤片的周圍區(qū)域重疊。
[0019]在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，沉積裝置可以包括提供于所述處理室中的傳送單元，其中至少一個(gè)基板安裝在所述傳送單元上，所述傳送單元在與所述第一方向垂直的第二方向上移動(dòng)，以從所述沉積防止板和所述坩堝之間穿過(guò)，并且所述沉積防止板和所述坩堝被布置為彼此重疊，并且所述沉積材料被沉積在所述基板上。
[0020]本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例提供一種測(cè)量沉積材料的剩余量的方法，該方法可以包括:準(zhǔn)備沉積裝置，該沉積裝置包括具有觀測(cè)窗的處理室、容納沉積材料的坩堝、盤片、聯(lián)接至所述盤片的旋轉(zhuǎn)單元以及布置在所述處理室的外部以在第一方向上與所述觀測(cè)窗、所述盤片和所述坩堝重疊的測(cè)量傳感器；準(zhǔn)備第一基板以及在與所述第一方向垂直的第二 (或水平)方向上以預(yù)定距離與所述第一基板間隔開(kāi)的第二基板；使所述第一基板經(jīng)過(guò)所述坩堝上方；將所述沉積材料沉積在所述第一基板上；在所述第一基板從所述坩堝離開(kāi)后，測(cè)量所述沉積材料的剩余量；使所述第二基板經(jīng)過(guò)所述坩堝上方；將所述沉積材料沉積在所述第二基板上；以及在所述第二基板從所述坩堝離開(kāi)后，測(cè)量所述沉積材料的剩余量。
[0021]測(cè)量所述沉積材料的剩余量可以包括:檢測(cè)所述測(cè)量傳感器與所述坩堝中的所述沉積材料之間的距離以測(cè)量所述沉積材料的剩余量。從所述測(cè)量傳感器發(fā)出的激光束入射到所述沉積材料，并且所述激光束的從所述沉積材料反射的部分在穿過(guò)所述盤片和所述觀測(cè)窗之后入射到所述測(cè)量傳感器。
[0022]根據(jù)以上內(nèi)容，沉積裝置可以使用發(fā)出激光束的測(cè)量傳感器實(shí)時(shí)地測(cè)量沉積材料的剩余量。
[0023]另外，盡管測(cè)量了沉積材料的剩余量，但沉積工藝不需要停止，從而改進(jìn)沉積工藝
的工藝產(chǎn)量。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0024]由于通過(guò)參考以下結(jié)合附圖考慮時(shí)的詳細(xì)描述，本發(fā)明變得更好理解，因此本發(fā)明的更完整理解以及伴隨本發(fā)明的諸多優(yōu)點(diǎn)會(huì)變得更容易明顯，在附圖中同樣的附圖標(biāo)記指代相同或相似的部件，附圖中:
[0025]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的沉積裝置的剖視圖。
[0026]圖2是示出在第一方向上觀看的圖1所示觀測(cè)窗和盤片的平面圖。
[0027]圖3是示出圖1所示測(cè)量傳感器的框圖。
[0028]圖4是示出圖1所示觀測(cè)窗、坩堝、盤片、測(cè)量傳感器和沉積防止板的透視圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0029]下文中將參照附圖更充分地描述本發(fā)明?，F(xiàn)在將詳細(xì)參考實(shí)施例，實(shí)施例的示例示于附圖中，附圖中相同的附圖標(biāo)記始終指代相同的元件。在這一點(diǎn)上，當(dāng)前實(shí)施例可能具有不同的形式，而不應(yīng)當(dāng)被解釋為限于這里給出的描述。因此，以下僅通過(guò)參照附圖描述實(shí)施例，以解釋本描述的各方面。
[0030]可以理解，當(dāng)提及一元件或?qū)游挥诹硪辉驅(qū)印吧稀被蛘摺斑B接至”或“聯(lián)接至”另一元件或?qū)訒r(shí)，該元件或?qū)涌梢灾苯游挥谄渌驅(qū)由匣蛘咧苯舆B接至或聯(lián)接至其它元件或?qū)?，也可以存在中間元件或?qū)?。相反，?dāng)提及一元件“直接位于”另一元件或?qū)印吧稀被蛘摺爸苯舆B接至”或“直接聯(lián)接至”另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在中間元件或?qū)?。相同的附圖標(biāo)記始終指代相同的元件。這里所使用的詞語(yǔ)“和/或”包括所列出的相關(guān)聯(lián)項(xiàng)目中的一個(gè)或多個(gè)的任意組合和所有組合。
[0031]可以理解，盡管這里可能使用詞語(yǔ)第一、第二等來(lái)描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，但這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)受限于這些詞語(yǔ)。這些詞語(yǔ)僅用于將一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層或部分與另一元件、部件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開(kāi)來(lái)。因此，以下所討論的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分可以被命名為第二元件、部件、區(qū)域、層或部分，而不背離本發(fā)明的教導(dǎo)。
[0032]為了易于描述，這里可以使用空間上相對(duì)的詞語(yǔ)，例如“下面”、“下方”、“下”、“上方”和“上”等，以描述如圖中所示的一個(gè)元件或特征與另一元件或特征(或其它元件或特征)的關(guān)系。可以理解，空間上相對(duì)的詞語(yǔ)意在除圖中描繪的定向之外還包含處于使用中或操作中的設(shè)備的不同定向。例如，如果圖中的設(shè)備翻轉(zhuǎn)，則被描述為在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件就會(huì)被定向?yàn)槲挥谄渌蛱卣鳌吧戏健?。因此，示例性詞語(yǔ)“下方”可以包含上方和下方的定向。設(shè)備可以以其它方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或以其它定向)，并且可以對(duì)這里使用的空間上相對(duì)的描述語(yǔ)言進(jìn)行相應(yīng)的解釋。
[0033]這里所使用的術(shù)語(yǔ)的目 的僅在于描述特定的實(shí)施例，并不意在限制本發(fā)明。這里所使用的單數(shù)形式意在也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚地給出其它指示。進(jìn)一步可以理解，詞語(yǔ)“包括”及其變形在本說(shuō)明書(shū)中使用時(shí)指明存在所陳述的特征、整體、步驟、操作、元件、和/或部件，但不排除一個(gè)或多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組合的存在或附加。
[0034]除非有其它限定，這里所使用的所有詞語(yǔ)(包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常的理解相同的含義。進(jìn)一步可以理解，諸如那些在常用詞典中所限定的詞語(yǔ)應(yīng)當(dāng)被解釋為具有與其在相關(guān)領(lǐng)域的背景中相一致的含義，而不應(yīng)以理想化的或完全形式的意義來(lái)解釋，除非這里明確進(jìn)行了這種限定。
[0035]下文中將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明。
[0036]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的沉積裝置的剖視圖。
[0037]參照?qǐng)D1，沉積裝置1000包括處理室100、坩堝200、盤片300、旋轉(zhuǎn)單元400和測(cè)量傳感器500。
[0038]處理室100由具有預(yù)定厚度的壁圍繞以在其中提供密閉空間。處理室100具有各種形狀，例如穹頂形狀、六面體形狀等。在本示例性實(shí)施例中，將詳細(xì)描述具有六面體形狀的處理室100。
[0039]盡管圖1中未示出，但真空泵(未示出)可以附接到處理室100的壁上，以維持處理室100中的空間的真空狀態(tài)。
[0040]處理室100包括形成為穿過(guò)處理室100的上壁UW的一部分的觀測(cè)窗10，如圖1所
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[0041]觀測(cè)窗10由石英玻璃形成，但觀測(cè)窗10不應(yīng)當(dāng)局限于石英玻璃。亦即，可以使用透射激光束的各種材料來(lái)形成觀測(cè)窗10。
[0042]坩堝200布置在處理室100內(nèi)部的下壁LW上，且在其中容納沉積材料20。坩堝200用于蒸發(fā)沉積材料。
[0043]沉積材料20沉積到載入處理室100中的基板SBl和SB2上。沉積材料20可以是
鋁，但不應(yīng)當(dāng)局限于鋁。
[0044]坩堝200包括加熱單元(未示出)。加熱單元將坩堝200加熱到足以蒸發(fā)沉積材料20的溫度。
[0045]坩堝200位于在第一方向Dl例如豎直方向上與觀測(cè)窗10重疊的位置處。因此，從處理室100的外部沿第一方向Dl穿過(guò)觀測(cè)窗10的激光束到達(dá)容納于坩堝200中的沉積材料20。
[0046]圖2是在第一方向Dl上示出圖1所示觀測(cè)窗10和盤片300的平面圖。
[0047]參照?qǐng)D1和圖2，盤片300布置在觀測(cè)窗10與坩堝200之間，且位于在第一方向Dl上與觀測(cè)窗10和坩堝200重疊的位置處。
[0048]當(dāng)在第一方向Dl上觀看時(shí)，盤片300具有圓形形狀。盤片300由石英玻璃形成，但盤片300不應(yīng)當(dāng)局限于石英玻璃。亦即，可以使用透射激光束的各種材料來(lái)形成盤片300。
[0049]當(dāng)在第一方向Dl上觀看時(shí)，盤片300包括中央?yún)^(qū)域CA和圍繞中央?yún)^(qū)域CA的周圍區(qū)域PA。
[0050]另外，當(dāng)在第一方向Dl上觀看時(shí)，觀測(cè)窗10位于與盤片300的周圍區(qū)域PA重疊的位置處。優(yōu)選地，當(dāng)在第一方向Dl上觀看時(shí)，觀測(cè)窗10和盤片300之間的重疊位置離盤片300的周圍區(qū)域PA更近，但觀測(cè)窗10需要位于在第一方向Dl上至少與盤片300重疊的位置處。
[0051]盤片300隨其旋轉(zhuǎn)軸AX關(guān)于第一方向Dl旋轉(zhuǎn)。當(dāng)在第一方向Dl上觀看時(shí)，旋轉(zhuǎn)軸AX可以與觀測(cè)窗10間隔開(kāi)。
[0052]盤片300防止沉積材料20蒸發(fā)和沉積到觀測(cè)窗10上，以改進(jìn)入射到觀測(cè)窗10并穿過(guò)觀測(cè)窗10的激光束的透射率。同時(shí)，入射到盤片300上的激光束需要具有高透射率，且高透射率可以通過(guò)將在稍后描述的沉積防止板實(shí)現(xiàn)。
[0053]再次參照?qǐng)D1，旋轉(zhuǎn)單元400聯(lián)接到處理室100和盤片300以使盤片300旋轉(zhuǎn)。
[0054]旋轉(zhuǎn)單元400包括旋轉(zhuǎn)電機(jī)410和軸420。
[0055]旋轉(zhuǎn)電機(jī)410附接到處理室100的上壁UW。旋轉(zhuǎn)電機(jī)410連接到軸420以使軸420旋轉(zhuǎn)。
[0056]軸420具有在第一方向Dl上延伸的形狀。軸420的第一端部在穿過(guò)處理室100的上壁UW之后旋轉(zhuǎn)地聯(lián)接到旋轉(zhuǎn)電機(jī)410，并且軸420的第二端部聯(lián)接到盤片300。因此，當(dāng)軸420由旋轉(zhuǎn)電機(jī)410旋轉(zhuǎn)時(shí)，盤片300旋轉(zhuǎn)。[0057]軸420的第二端部連接到盤片300的中央。當(dāng)在第一方向Dl上觀看時(shí)，軸420位于與觀測(cè)窗10間隔開(kāi)之處。
[0058]圖3是示出圖1所示測(cè)量傳感器的框圖。
[0059]參照?qǐng)D1和圖3，測(cè)量傳感器500布置在處理室100外部，且位于在第一方向Dl上與觀測(cè)窗10、坩堝200和盤片300重疊的位置處。圖1中，測(cè)量傳感器500布置在處理室100的上壁UW上，以與觀測(cè)窗10對(duì)應(yīng)。
[0060]測(cè)量傳感器500檢測(cè)坩堝20中的沉積材料20與測(cè)量傳感器500之間的距離。
[0061]測(cè)量傳感器500包括光發(fā)射部510和光接收部520。
[0062]光發(fā)射部510布置在處理室100外部且沿第一方向Dl向觀測(cè)窗10發(fā)射激光束。從光發(fā)射部510發(fā)出的激光束在穿過(guò)觀測(cè)窗10和盤片300之后，到達(dá)容納于坩堝200中的沉積材料20的表面。從光發(fā)射部510發(fā)出的激光束的一部分被沉積材料20的表面反射，并且所反射的激光束在穿過(guò)盤片300和觀測(cè)窗10之后到達(dá)測(cè)量傳感器500。
[0063]光接收部520接收所反射的激光束以檢測(cè)測(cè)量傳感器500與沉積材料20之間的距離。[0064]測(cè)量傳感器500基于所檢測(cè)到的距離測(cè)量沉積材料20的剩余量。盡管附圖中未示出，但測(cè)量傳感器500包括查找表，查找表中的數(shù)據(jù)表示沉積材料20的量與從測(cè)量傳感器500到沉積材料20的距離之間的關(guān)系。因此，測(cè)量傳感器500讀出沉積材料20的量的數(shù)據(jù)。該數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)于所檢測(cè)到的從測(cè)量傳感器500到沉積材料20的距離，從而可以觀測(cè)到沉積材料20的剩余量。
[0065]沉積裝置1000可以進(jìn)一步包括沉積防止板600。
[0066]圖4是示出圖1所示觀測(cè)窗10、坩堝200、盤片300、測(cè)量傳感器500和沉積防止板600的透視圖。
[0067]參照?qǐng)D1和圖4，沉積防止板600在第一方向Dl上布置在盤片300與坩堝200之間。
[0068]沉積防止板600被提供有在第一方向Dl上與觀測(cè)窗10重疊的位置處穿過(guò)沉積防止板600而形成的開(kāi)口 0P。另外，開(kāi)口 OP也位于在第一方向Dl上與盤片300的周圍區(qū)域PA和坩堝200重疊的位置處。因此，從測(cè)量傳感器500發(fā)出的激光束穿過(guò)開(kāi)口 0P。
[0069]沉積防止板600防止從坩堝200蒸發(fā)的沉積材料20沉積到盤片300的中央?yún)^(qū)域CA的下表面上。沉積材料20被沉積到盤片300的周圍區(qū)域PA的下表面上。在這種情況下，由于盤片300關(guān)于作為其旋轉(zhuǎn)軸的軸420旋轉(zhuǎn)，因此，沉積材料20均勻地沉積到盤片300的周圍區(qū)域PA的下表面上。相應(yīng)地，在特定時(shí)刻，非常少量的沉積材料20沉積在盤片300周圍區(qū)域PA的下表面的區(qū)域TA中。區(qū)域TA與觀測(cè)窗10在第一方向Dl上重疊。因此，沉積到盤片300周圍區(qū)域PA的下表面上的沉積材料20的量不會(huì)對(duì)從測(cè)量傳感器500發(fā)出并穿過(guò)盤片300的激光束的透射率造成任何影響。
[0070]沉積防止板600的形狀不應(yīng)當(dāng)局限于特定的形狀，只要當(dāng)在第一方向Dl上觀看時(shí)，沉積防止板600覆蓋盤片300即可。在圖4中，沉積防止板600具有直徑比盤片300的直徑大的圓形形狀。
[0071]盡管附圖中未示出，但沉積防止板600連接到處理室100并固定到處理室100。
[0072]返回參照?qǐng)D1，基板SBl和SB2被載入處理室100中。圖1示出第一基板SBl和第二基板SB2，沉積材料20依次沉積在第一基板SBl和第二基板SB2上。
[0073]第一基板SBl和第二基板SB2在與第一方向Dl基本垂直的第二方向D2上移動(dòng)，以允許第一基板SBl和第二基板SB2在坩堝200與沉積防止板600之間經(jīng)過(guò)。
[0074]盡管在附圖中未示出，但第一基板SBl和第二基板SB2安裝在處理室100中提供的傳送單元TU上，并通過(guò)傳送單元TU在第二方向D2上移動(dòng)。例如，傳送單元TU可以是傳送帶。當(dāng)在第二方向D2上移動(dòng)時(shí)，第一基板SBl和第二基板SB2在第二方向D2上彼此間隔開(kāi)。
[0075]根據(jù)沉積裝置1000，從測(cè)量傳感器500發(fā)出并被沉積材料20的表面反射的激光束部分沿第一方向Dl穿越第一基板 SBl與第二基板SB2之間，從而入射到測(cè)量傳感器500。
[0076]根據(jù)本示例性實(shí)施例的沉積裝置1000可以通過(guò)使用測(cè)量傳感器500實(shí)時(shí)測(cè)量沉積材料20的剩余量。另外，由于通過(guò)盤片300防止了沉積材料20沉積到觀測(cè)窗10上，且通過(guò)沉積防止板600防止了沉積材料20沉積到盤片300的中央?yún)^(qū)域CA的下表面上，因此，從測(cè)量傳感器500發(fā)出的激光束可以穿過(guò)觀測(cè)窗10、盤片300的周圍區(qū)域PA以及沉積防止板600的開(kāi)口 0P。
[0077]下文中，將參照?qǐng)D1詳細(xì)描述測(cè)量沉積材料20的剩余量的方法。
[0078]將第一基板SBl和第二基板SB2載入處理室100中，使得第一基板SBl和第二基板SB2在第二方向D2上以預(yù)定距離彼此間隔開(kāi)。
[0079]當(dāng)?shù)谝换錝Bl沿第二方向D2經(jīng)過(guò)坩堝200上方時(shí)，沉積材料20沉積到第一基板SBl上。
[0080]在第一基板SBl沿第二方向D2經(jīng)過(guò)坩堝200上方之后，測(cè)量傳感器500在第二基板SB2沿第二方向D2經(jīng)過(guò)坩堝200上方之前測(cè)量沉積材料20的剩余量。
[0081]在這種情況下，測(cè)量傳感器500、觀測(cè)窗10、盤片300、開(kāi)口 OP和坩堝200從處理室100的頂部向下依次布置，并且在第一方向Dl上觀看時(shí)彼此重疊。基于測(cè)量傳感器500與坩堝200中的沉積材料20之間的距離測(cè)量沉積材料20的剩余量。
[0082]為此，從測(cè)量傳感器500的光發(fā)射部510發(fā)出的激光束入射到沉積材料20，且激光束的由沉積材料20的表面反射的部分在依次穿過(guò)開(kāi)口 0P、盤片300和觀測(cè)窗10之后，入射到測(cè)量傳感器500的光接收部520。
[0083]在測(cè)量沉積材料20的剩余量之后，接著進(jìn)行下一沉積過(guò)程。然后，當(dāng)?shù)诙錝B2沿第二方向D2經(jīng)過(guò)坩堝200上方時(shí)，沉積材料20沉積到第二基板SB2上。
[0084]根據(jù)測(cè)量沉積材料20的剩余量的方法，從測(cè)量傳感器500發(fā)出的激光束在穿過(guò)第一基板SBl與第二基板SB2之間的空間之后被提供給沉積材料20，并且激光束的被沉積材料20反射的部分在穿過(guò)第一基板SBl與第二基板SB2之間的空間之后入射到測(cè)量傳感器500。因此，盡管測(cè)量了沉積材料20的剩余量，但沉積工藝不需要停止，從而改進(jìn)沉積工藝的工藝產(chǎn)量。
[0085]盡管已經(jīng)描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，但應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明不限于這些示例性實(shí)施例，而是可以由本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)進(jìn)行各種改變和修改。
【權(quán)利要求】
1.一種沉積裝置包括: 包括觀測(cè)窗的處理室，所述觀測(cè)窗布置在所述處理室的上壁的一部分處； 坩堝，布置在所述處理室的內(nèi)部的下壁上，以在第一方向上與所述觀測(cè)窗重疊，并且所述坩堝中容納有沉積材料； 盤片，布置在所述觀測(cè)窗與所述坩堝之間，以在所述第一方向上與所述觀測(cè)窗重疊，并且所述盤片關(guān)于所述第一方向旋轉(zhuǎn)； 旋轉(zhuǎn)單元，聯(lián)接至所述處理室和所述盤片以使所述盤片旋轉(zhuǎn)；以及測(cè)量傳感器，布置在所述處理室的外部，以在所述第一方向上與所述觀測(cè)窗、所述盤片和所述坩堝重疊，并且所述測(cè)量傳感器檢測(cè)所述沉積材料與所述測(cè)量傳感器之間的距離，以測(cè)量所述沉積材料的剩余量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積裝置，其中所述測(cè)量傳感器包括: 光發(fā)射部，沿所述第一方向向所述觀測(cè)窗發(fā)射激光束；以及 光接收部，接收所述激光束的一部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積裝置，進(jìn)一步包括布置在所述盤片與所述坩堝之間的沉積防止板，并且所述沉積防止板具有穿過(guò)所述沉積防止板形成的開(kāi)口，其中所述開(kāi)口在所述第一方向上與所述觀測(cè)窗重疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積裝置，其中當(dāng)在所述第一方向上觀看時(shí)，所述觀測(cè)窗與所述盤片的周圍區(qū)域重疊。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的沉積裝置，進(jìn)一步包括提供于所述處理室中的傳送單元，其中至少一個(gè)基板安裝在所述傳送單元上，所述傳送單元在與所述第一方向垂直的第二方向上移動(dòng)，以從所述沉積防止板和所述坩堝之間穿過(guò)，并且所述沉積防止板和所述坩堝被布置為彼此重疊，并且所述沉積材料被沉積在所述基板上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積裝置，其中所述觀測(cè)窗和所述盤片包括石英。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積裝置，其中當(dāng)在所述第一方向上觀看時(shí)，所述盤片具有圓形形狀。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積裝置，其中所述旋轉(zhuǎn)單元包括: 附接到所述處理室的上壁的旋轉(zhuǎn)電機(jī)；以及 在所述第一方向上延伸的軸，所述軸旋轉(zhuǎn)地聯(lián)接至所述旋轉(zhuǎn)電機(jī)和所述盤片。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的沉積裝置，其中所述軸連接到所述盤片的中央。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的沉積裝置，其中當(dāng)在所述第一方向上觀看時(shí)，所述軸被布置為與所述觀測(cè)窗間隔開(kāi)。
11.一種測(cè)量沉積材料的剩余量的方法，包括: 準(zhǔn)備沉積裝置，所述沉積裝置包括具有觀測(cè)窗的處理室、容納沉積材料的坩堝、盤片、聯(lián)接至所述盤片的旋轉(zhuǎn)單元以及布置在所述處理室的外部以在第一方向上與所述觀測(cè)窗、所述盤片和所述坩堝重疊的測(cè)量傳感器； 準(zhǔn)備第一基板以及在與所述第一方向垂直的第二方向上以預(yù)定距離與所述第一基板間隔開(kāi)的第二基板； 使所述第一基板經(jīng)過(guò)所述坩堝上方； 將所述沉積材料沉積在所述第一基板上；在所述第一基板從所述坩堝離開(kāi)后，測(cè)量所述沉積材料的剩余量； 使所述第二基板經(jīng)過(guò)所述坩堝上方； 將所述沉積材料沉積在所述第二基板上；以及 在所述第二基板從所述坩堝離開(kāi)后，測(cè)量所述沉積材料的剩余量。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中測(cè)量所述沉積材料的剩余量包括: 檢測(cè)所述測(cè)量傳感器與所述坩堝中的所述沉積材料之間的距離以測(cè)量所述沉積材料的剩余量。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中從所述測(cè)量傳感器發(fā)出的激光束入射到所述沉積材料，并且所述激光束的從所述沉積材料反射的部分在穿過(guò)所述盤片和所述觀測(cè)窗之后入射到所述測(cè)量傳 感器。
【文檔編號(hào)】C23C14/54GK103572214SQ201310322268
【公開(kāi)日】2014年2月12日 申請(qǐng)日期:2013年7月29日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月9日
【發(fā)明者】金娫佑 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司