用于通過真空蒸發(fā)沉積薄膜的裝置的噴射系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種用于通過真空蒸發(fā)沉積薄層的裝置的噴射系統(tǒng)，所述噴射系統(tǒng)包括用于接納待蒸發(fā)材料源的容器、用于加熱所述容器從而能蒸發(fā)所述材料的裝置、至少一個噴射架，所述噴射架包括與所述容器鏈接以接納來自所述容器的所述蒸發(fā)材料的內(nèi)導(dǎo)管和多個噴嘴，各噴嘴包括位于所述內(nèi)導(dǎo)管和所述架外部之間的連通通道從而將所述蒸發(fā)材料注入所述真空蒸發(fā)室中。根據(jù)本發(fā)明，所述噴射架包括多個沿縱向彼此機(jī)械串聯(lián)連接的噴射模塊，各噴射模塊包括多個噴嘴，且所述噴射架包括用于調(diào)節(jié)所述噴射模塊圍繞所述縱向的定向以使所述噴嘴沿與所述噴射架的縱向平行的線對準(zhǔn)的裝置。
【專利說明】用于通過真空蒸發(fā)沉積薄膜的裝置的噴射系統(tǒng)
[0001]本發(fā)明涉及一種用于真空蒸發(fā)沉積(也稱為PVD，物理氣相沉積)設(shè)備的噴射系統(tǒng)。
[0002]已知用于真空沉積由固體材料源蒸發(fā)的材料的設(shè)備。該類設(shè)備尤其用于在大基材上生產(chǎn)薄層疊層。例如，該類設(shè)備用于生產(chǎn)CIGS(銅銦鎵硒)型太陽能面板或OLED(有機(jī)發(fā)光器件)型二極管。PVD真空沉積設(shè)備通常包括與真空沉積室相連的蒸發(fā)源。所述蒸發(fā)源可蒸發(fā)或升華材料，所述以氣態(tài)形式送入真空沉積室中，在該室中沉積在基材上。
[0003]已知的真空沉積設(shè)備通常包括位于蒸發(fā)源和基材之間的噴射器。所述噴射器可使蒸發(fā)的材料擴(kuò)散以獲得在大基材上的均勻沉積。所述噴射器的幾何結(jié)構(gòu)取決于基材的形狀和尺寸。對大的矩形基材而言，使用由具有開口的長導(dǎo)管形成的噴射器(也稱為噴嘴)來使蒸發(fā)的材料沿噴射器均勻擴(kuò)散。噴射器的長度至少與基材的寬度或長度相等?；暮蛧娚淦髦g的相對運(yùn)動允許在非常大的基材(大于Im2)上沉積。
[0004]具有沿噴射器設(shè)置的噴嘴的噴射器也是已知的。各噴嘴通常包括將所述噴射器的內(nèi)導(dǎo)管與真空沉積室連接的通道。噴嘴的形狀和尺寸可適應(yīng)流動速率以及蒸發(fā)材料在基材表面上的流動分布。
[0005]可對真空蒸發(fā)室加以設(shè)置以允許在單一基材上或者在置于同一沉積室中的數(shù)個基材上沉積。然而，基材尺寸的改變或待加工基材的數(shù)量通常要求對噴射器做出改變以使得其適于基材的構(gòu)造，且避免在真空沉積室中在基材外沉積所造成的材料損失。
[0006]在這種情況下，必須具有數(shù)個各自適應(yīng)特定構(gòu)造的噴射器。因此，例如提供與基材寬度一樣多的噴射器。但 各噴射器很昂貴。此外，需要定期清潔噴射器以避免該噴射器和/或噴嘴中的內(nèi)部涂層的累積。該清潔操作需要使所述真空沉積機(jī)器停車，該停車時間必須盡可能短。
[0007]本發(fā)明的一個目的是確保通過PVD以良好質(zhì)量沉積薄層，包括在1.5-1.8m寬度上的層的厚度均一性和物理-化學(xué)組成。
[0008]希望真空蒸發(fā)沉積室的構(gòu)造可更容易地改變以接納不同尺寸的基材，而不提高該設(shè)備的成本。
[0009]還希望使真空蒸發(fā)室的停車時間最短以提高該蒸發(fā)設(shè)備的效率。
[0010]本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，且更特別地涉及一種用于通過真空蒸發(fā)沉積薄層的設(shè)備的噴射系統(tǒng)，意欲將所述噴射系統(tǒng)置于真空蒸發(fā)室中，且所述噴射系統(tǒng)包括用于接納待蒸發(fā)材料的容器、適于蒸發(fā)所述材料的容器加熱裝置、至少一個包括與所述容器連接以接納來自所述容器的所述蒸發(fā)的材料的內(nèi)導(dǎo)管和多個噴嘴的噴射架(rampe)，各噴嘴包括至少一個位于所述內(nèi)導(dǎo)管和該架外部之間的連通通道以使得將蒸發(fā)的材料擴(kuò)散至所述真空蒸發(fā)室中。
[0011]根據(jù)本發(fā)明，所述噴射架包括多個沿縱向彼此機(jī)械串聯(lián)連接的噴射模塊，各噴射模塊包括多個噴嘴，且所述噴射架包括用于調(diào)節(jié)所述噴射模塊圍繞所述縱向的方向從而使得所述噴射模塊的所述噴嘴沿與所述噴射架的縱向平行的線對準(zhǔn)的裝置。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的一個特定實施方案，所述噴射模塊呈圓柱狀，其中噴射模塊的噴嘴設(shè)置于所述圓柱的母線上。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的不同方面:
[0014]-所述噴射模塊具有相同的結(jié)構(gòu)，所述噴射架進(jìn)一步包括適于緊密封閉噴射架末端的閉合模塊；
[0015]-所述容器由至少一個適于固定在所述噴射架的第一開放端的第一噴射模塊上的第一圓柱狀容器模塊和/或適于固定在所述噴射架的第二開放端的最后噴射模塊上的第二圓柱狀容器模塊構(gòu)成；
[0016]-所述噴射模塊的材料為下述材料中的一種:氧化鋁(Al2O3)、石墨碳、玻璃化炭黑、涂覆有熱解石墨的碳、純化的碳、涂覆有碳化硅的碳或熱解氮化硼(或PBN)。
[0017]根據(jù)本發(fā)明實施方案的不同方面，所述噴射系統(tǒng)進(jìn)一步包括:
[0018]-至少一個壓縮密封墊，所述密封墊適于確保在壓縮時噴嘴對準(zhǔn)；
[0019]-所述至少一個密封墊由柔性石墨制成；
[0020]-所述至少一個密封墊位于兩個相鄰的噴射模塊之間和/或位于所述容器模塊與第一噴射模塊之間和/或位于最后的噴射模塊和閉合模塊之間；
[0021]-與各噴射模塊和/或容器模塊相連的獨(dú)立加熱裝置，所述加熱裝置包括兩個適于分別包封所述噴射模塊、所述容器模塊的半圓柱形半殼；
[0022]-圍繞所述加熱裝置設(shè)置的熱保護(hù)裝置和圍繞所述熱保護(hù)裝置設(shè)置的冷卻裝置；
[0023]-框架和用于將所述多個噴射模塊和/或所述容器模塊固定至所述框架上的機(jī)械
裝置；
[0024]-所述框架包括一個或數(shù)個直條，其中安裝所述固定裝置以使得能沿所述條滑動。
[0025]本發(fā)明還涉及一種噴射系統(tǒng)，其包括多個根據(jù)所述實施方案之一的噴射架，所述噴射架的縱軸彼此平行設(shè)置，以使得材料均勻共蒸發(fā)。
[0026]本發(fā)明特別有利地用于真空蒸發(fā)沉積系統(tǒng)用噴射設(shè)備中，尤其是用于生產(chǎn)OLED。
[0027]本發(fā)明還涉及如下特征，所述特征將由下文描述變得更清楚且必須獨(dú)立或根據(jù)其技術(shù)上可能的組合加以考慮。
[0028]以非限制性實例方式給出的該描述能使得在參照附圖下更好地理解本發(fā)明，在所述附圖中:
[0029]-圖1以正視圖和縱剖面顯示了本發(fā)明第一實施方案的噴射架；
[0030]-圖2以底視圖和縱剖面顯示了本發(fā)明第二實施方案的噴射架；
[0031]-圖3以正視圖、側(cè)視圖、軸向首I]面和縱首I]面顯不了噴射架；
[0032]-圖4顯示了用于包封本發(fā)明具體實施方案的噴射架模塊的熱殼；
[0033]-圖5示意性地顯示了根據(jù)具體實施方案，在容器安裝/拆卸過程中，噴射架的透視圖；
[0034]-圖6示意性地顯示了根據(jù)另一具體實施方案，在容器安裝/拆卸過程中，噴射架的透視圖；
[0035]-圖7以側(cè)視圖示意性地顯示了基于分別使用單一噴射架來進(jìn)行單蒸發(fā)和使用兩個和三個噴射架來進(jìn)行共蒸發(fā)的不同沉積設(shè)置。
[0036]本發(fā)明涉及一種用于真空蒸發(fā)沉積系統(tǒng)的噴射架，所述噴射架適于接納由蒸發(fā)源蒸發(fā)的材料。所述架以本 來已知的方式包括具有多個噴嘴的擴(kuò)散器以將蒸發(fā)的材料擴(kuò)散至真空沉積室中。圖1-6中未示出其中放置有基材和噴射架的蒸發(fā)室。
[0037]圖1示意性地顯示了根據(jù)本發(fā)明第一實施方案的噴射架。圖1的右側(cè)部分顯示了噴射架I的正視圖。圖1的左側(cè)部分以沿AA’方向的縱剖面顯示了希望在其上沉積材料的基材10和噴射架I。作為插圖，圖1的左側(cè)部分顯示了所述架的橫截面視圖細(xì)節(jié)的放大圖。
[0038]首先，將詳細(xì)描述圖1噴射架的正視圖。所述噴射架沿縱軸5延伸。噴射架I包括用于容納待蒸發(fā)材料的容器模塊4。待蒸發(fā)的材料可呈不同形式(液體、固體、粉末……)。特別地，所述容器用于蒸發(fā)下述材料:銀(Ag)、鎂(Mg)、鎵(Ga)、銦(In)、氟化鋰(LiF)At化銦(In2S3)、鋅(Zn)、鎘(Cd)、錫(Sn)、鋁(Al)或銅(Cu)。根據(jù)圖1的實施方案，噴射架I主要用于垂直安裝。在這種情況下，容器模塊4位于所述架的下端以通過重力容納未蒸發(fā)的材料。在圖1所示的實例中，所述容器模塊與所述架對準(zhǔn)。然而，容器模塊4可根據(jù)操作(臥式或立式)、待蒸發(fā)的材料、所述噴射系統(tǒng)的生產(chǎn)時間或者還有待蒸發(fā)材料的消耗而具有特定的幾何結(jié)構(gòu)、部署(與縱軸5成直線、45°、90° )或者還有容量(長度、直徑)。
[0039]噴射架I還包括數(shù)個串聯(lián)安裝的噴射模塊2a、2b、2c、2d、2e。所示實例包括5個噴射模塊。然而，噴射模塊的數(shù)量當(dāng)然沒有限制。第一噴射模塊2a固定在容器模塊4上。噴射模塊2b固定在噴射模塊2a上。同樣地，噴射模塊2c固定在噴射模塊2b上等。最后，閉合模塊6固定在噴射模塊2e上。因此,與容器模塊4相對的架I末端被閉合模塊6相對于所述待蒸發(fā)材料的蒸氣緊密閉合。閉合模塊6可集成至末端噴射模塊中以形成僅一個在一端閉合的噴射模塊。形成所述架的不同噴射模塊可彼此固定，例如通過嵌套或螺紋固定。所述噴射模塊可圍繞其軸定向以允許對各噴射模塊進(jìn)行角度調(diào)節(jié)。該方向調(diào)節(jié)能確保噴嘴沿所述架對準(zhǔn)，該對準(zhǔn)對涂覆質(zhì)量而言是重要的。在所述噴射模塊彼此螺紋連接的情況下，各噴射模塊包括適配螺紋7。在加工模塊期間，螺紋的起始位置相對于噴嘴位置控制，這導(dǎo)致粗略對準(zhǔn)，精細(xì)對準(zhǔn)由密封墊的壓縮確保。優(yōu)選地，密封墊8位于兩個噴射模塊之間。所述墊確保相對于真空蒸發(fā)室的緊密固定，同時允許調(diào)節(jié)噴射模塊的方向。
[0040]從圖1的剖面圖可以觀察到，容器模塊4和噴射模塊2a、2b、2c、2d、2e為管狀和空鼓(creuse)狀。所述噴射模塊為圓柱狀，所述噴嘴在所述圓柱體的母線上對準(zhǔn)。根據(jù)優(yōu)選實施方案，所述噴射模塊具有幾乎為圓形的截面，但包括帶有噴嘴的平面。
[0041]噴射模塊2a通過中心孔與容器4連通。噴射模塊2b也通過中心孔與噴射模塊2a連通，等等，并連通噴射模塊2e和閉合模塊6。此時，來自所述容器的蒸發(fā)材料可在所述噴射架的所有模塊內(nèi)自由擴(kuò)散至閉合模塊。所述噴射架的不同模塊的內(nèi)徑足以使得其傳導(dǎo)性確保低或可忽略不計的物料損失，因此確保在各噴嘴上的相同流動。
[0042]各噴射模塊2a、2b、……2e具有多個噴嘴3。噴嘴3通常包括將所述架的內(nèi)部與蒸發(fā)室連接的通道，以允許蒸發(fā)材料向基材10擴(kuò)散。優(yōu)選地，不同模塊的噴嘴3沿與所述架的軸5平行的軸對準(zhǔn)。根據(jù)示例性實施方案，各噴射模塊2包括約20個噴嘴3。根據(jù)優(yōu)選實施方案，所述噴嘴以相繼噴嘴之間的恒定間距分布，從而獲得噴嘴3沿與軸5平行的軸在空間上均勻分布。根據(jù)優(yōu)選實施方案，各噴嘴由附加構(gòu)件構(gòu)成，例如與噴射模塊螺紋連接。在這種情況下，噴嘴可與具有不同開口的噴嘴互換。因此，可根據(jù)噴嘴3的位置沿架I放置具有不同開口的噴嘴3，從而調(diào)節(jié)在基材10整個表面上的沉積分布。根據(jù)示例性實施方案，噴射模塊2a的長度等于400mm，通過圍繞縱軸旋轉(zhuǎn)而獲得的定向精度低于2°，噴嘴間的距離等于20mm，且螺紋7的延伸長度為10mm。[0043]優(yōu)選地，所述噴射模塊、閉合模塊和/或容器模塊由在所需蒸發(fā)溫度下具有與待蒸發(fā)材料化學(xué)相容的材料制造。例如，所述噴射模塊、容器模塊和/或閉合模塊的材料可為碳、石墨、熱解石墨、玻璃化炭黑、氮化硼、氧化鋁……。在相鄰兩個模塊之間插入由柔性石墨制成的厚度為1mm量級的密封墊8以確保密閉性，還允許調(diào)節(jié)不同噴射模塊2a、2b……的方向，因此允許噴嘴3對準(zhǔn)。
[0044]因此，正如上文所詳述的那樣，架I由串聯(lián)連接的不同模塊構(gòu)成以形成沿軸5的直線單元:容器模塊、噴射模塊和閉合模塊。噴射模塊的數(shù)量決定了所述架的長度決定且可容易地重新設(shè)置。
[0045]圖2顯示了噴射架的第二實施方案，其特別地顯示了用于沿軸5水平安裝的噴射架。圖2的右側(cè)部分顯示了噴射架I的底視圖。圖2的左側(cè)部分以沿剖面AA’的縱剖圖顯示了希望沉積材料的基材10和噴射架I。作為插圖，顯示了所述架的剖面圖細(xì)節(jié)的放大圖。相同的附圖標(biāo)記表示與圖1相同的構(gòu)件。圖2的架也包括容器模塊4、數(shù)個串聯(lián)安裝且具有噴嘴3的噴射模塊2a、2b、2c、2d、2e,和閉合模塊6。作為插圖，顯不了位于容器模塊4和第一噴射模塊2a之間的中間模塊的剖面圖。所述中間模塊一方面固定在所述容器的開孔上，另一方面固定在第一噴射模塊2a上。中間模塊9包括部分封閉所述架的內(nèi)孔的內(nèi)壁以將未蒸發(fā)的材料容納于所述容器中。所述內(nèi)壁包括用于使蒸發(fā)材料流動(在圖2的插圖中以箭頭示意性顯示)的開孔。該具有內(nèi)壁的中間模塊9特別適于容器模塊水平對準(zhǔn)的情況，以允許未蒸發(fā)的材料保持在容器模塊4內(nèi)。所述中間模塊可通過圍繞所述架的軸5旋轉(zhuǎn)而定向，從而使得所述內(nèi)壁的開孔位于所述架的上部，如所述插圖所示，此時噴嘴方向朝上。[0046]圖3顯示了具有加熱裝置以允許蒸發(fā)并擴(kuò)散材料的噴射架的不同視圖。在圖3中間以正視圖、在圖3左側(cè)以側(cè)視圖、在圖3右側(cè)以沿軸5的縱剖面視圖且在圖3的左側(cè)上部以沿橫截面BB’的軸向剖面圖顯示了架。所述架包括如圖1所述的不同模塊，尤其是容器模塊4、數(shù)個噴射模塊2a……2e和末端模塊6。容器模塊4以及各噴射模塊被熱殼包封。各熱殼具有與其包封的容器模塊或噴射模塊相同的長度。在正視圖和側(cè)視圖上觀察到呈盤管16形式以循環(huán)冷卻流體如水的熱殼的外部冷卻裝置。所述噴射架安裝在包括兩個圓柱條11的框架上，所述條11彼此平行且與所述架的軸5平行。所述架I借助固定片13固定在所述框架上。有利地，固定片13可通過沿條11的軸滑動而調(diào)節(jié)。
[0047]優(yōu)選地，熱殼由兩個通常為半圓柱狀且用于包封外部形狀同樣為圓柱的架的半殼構(gòu)成。所述形成熱殼的兩個半殼相對于通過該架的縱軸5的平面對稱。圖4顯示了根據(jù)具體實施方案用于包封噴射架模塊的熱半殼的正視圖、后視圖和透視圖。半殼17包括位于其內(nèi)面上的細(xì)絲14以用于通過輻射加熱所述架的模塊。細(xì)絲14可將所述噴射架加熱至可達(dá)1200-1500°C的溫度。半殼17包括位于細(xì)絲14兩端的電接頭14a、14b。因此，各熱半殼可獨(dú)立于其他半殼地與電源連接。各熱半殼也可與其他熱半殼串聯(lián)連接至單一電源上。所述細(xì)絲由熱保護(hù)體15與所述架的環(huán)境隔絕。置于殼17外部上的水冷卻系統(tǒng)16能降低所述架的外部溫度。冷卻系統(tǒng)16包括用于將半殼的冷卻回路的兩端流體連通的接頭16a、16b。然后，各熱半殼可獨(dú)立于其他熱半殼地與冷卻水源鏈接。各熱半殼也可與其他熱半殼串聯(lián)連接至單一的冷卻水源。
[0048]一旦所述材料被消耗，則需要填充所述容器模塊?？赡鼙仨氈脫Q所述容器以維持操作。圖5示意性地顯示了根據(jù)具體實施方案在安裝/拆卸容器期間的噴射架的透視圖。在該實施方案中，拆卸包封所述容器模塊的兩個熱半殼17。由此接近容器模塊4。所述容器模塊通過嵌套或借助螺紋7螺紋連接在第一噴射模塊2a上。該系統(tǒng)允許將所述噴射架保持在蒸發(fā)室中。此外，可非?？焖俚馗淖兯鋈萜?。
[0049]圖6示意性地顯示了根據(jù)另一具體實施方案在安裝/拆卸容器期間的噴射架的透視圖。在這種情況下，不拆卸包封所述容器模塊的熱半殼，而是簡單地通過松開固定片13，然后通過使所述熱半殼沿所述框架的條11滑動而置換。所清空的空間允許接近所述容器、填充或置換所述容器。在重新組裝期間，足以將容器模塊4固定在第一噴射模塊2a上，且使殼17沿條11滑動，從而使得其包封容器模塊4。所述固定片可由螺紋保持。
[0050]還可設(shè)想地是在不拆卸所述容器模塊或熱殼下填充所述容器。例如，可僅拆卸末端模塊6而不拆卸熱殼。然后可在所述噴射架的另一端借助合適的裝置如喂料口或“裝料管”填充所述容器。另一解決方案包括在噴射架中由相對于所述容器模塊的一端滑動敞開的容器(通常稱為“舟”)。該后一構(gòu)造似乎更適于臥式操作的架。該容器含有待蒸發(fā)的容器。
[0051]所述框架確保整個噴射架I的剛性。此外，所述框架允許所述噴射架與輸送系統(tǒng)連接以使所述架產(chǎn)生相對于大基材的運(yùn)動。最后，所述框架允許一個或數(shù)個噴射架相對于基材平面容易地定向。因此，圖7不意了不同的沉積設(shè)置。在圖7的頂部不意了用于由材料容器單一蒸發(fā)的單一噴射架。圖7的中間顯示了具有兩個噴射架I和I’的系統(tǒng)。所述兩個噴射架1、1’各自包括其合適的材料容器。該具有兩個噴射架的系統(tǒng)能容易地共沉積不同的材料，將所述材料同時沉積至基材上。各架的條11允許通過圍繞條的簡單旋轉(zhuǎn)而使各架定向，例如以相對于基材法線呈對稱的方式定向。所述兩個架有利地具有相同的長度、彼此平行且與基材平面平行，這能獲得在架I和I’的整個長度上均勻共蒸發(fā)。類似地，圖7的底部顯示了具有三個噴射架1、1’、1〃的系統(tǒng)。所述三個噴射架1、1’、1〃各自包括其材料容器，從而允許共蒸發(fā)三種不同的材料，同時沉積在基材10上。有利地，所述三個架具有相同的長度、彼此平行設(shè)置且與基材10的平面平行，從而獲得均勻的共蒸發(fā)。
[0052]通過組裝不同 模塊(噴射模塊、容器模塊)而構(gòu)造噴射架允許容易地適應(yīng)待加工基材的尺寸，尤其是具有大尺寸的基材。具有特定長度的架的制造基于組裝預(yù)定數(shù)量的噴射模塊，但不需要研究也不需要特殊工具，因此成本較低。另一方面，所述容器模塊易于裝載和卸載，這能減少該設(shè)備的停車時間，因此提高真空蒸發(fā)機(jī)的效率。所述噴射架的直線構(gòu)造允許用兩個或三個或者甚至更多個噴射架實現(xiàn)均勻共蒸發(fā)設(shè)置。
【權(quán)利要求】
1.一種用于通過真空蒸發(fā)沉積薄層的設(shè)備的噴射系統(tǒng)，其中意欲將所述噴射系統(tǒng)置于真空蒸發(fā)室中，且所述噴射系統(tǒng)包括: -用于接納待蒸發(fā)材料的容器(4)； -適于蒸發(fā)所述材料的容器加熱裝置； -至少一個噴射架(1)，其包括與容器(4)連接以接納來自容器(4)的蒸發(fā)的所述材料的內(nèi)導(dǎo)管和多個噴嘴(3)，其中各噴嘴(3)包括至少一個位于所述內(nèi)導(dǎo)管和所述架外部之間的連通通道以使所述蒸發(fā)的材料擴(kuò)散至所述真空蒸發(fā)室中； 其特征在于: -噴射架(1)包括多個沿縱向(5)彼此機(jī)械串聯(lián)連接的噴射模塊(2a，2b，2c，2d，2e)，各噴射模塊(2a，2b，2c，2d，2e)包括多個噴嘴(3)，且 -所述噴射架(1)包括用于調(diào)節(jié)所述噴射模塊(2a，2b，2c，2d，2e)圍繞所述縱向(5)的方向以使所述噴射模塊(2a，2b，2c，2d，2e)的所述噴嘴(5)沿與噴射架(1)的縱向(5)平行的線對準(zhǔn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的噴射系統(tǒng),其中所述噴射模塊(2a，2b，2c，2d，2e)呈圓柱體形狀，所述噴射模塊(2a，2b，2c，2d，2e)的噴嘴(3)設(shè)置于所述圓柱體的母線上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的噴射系統(tǒng)，其中所述噴射模塊(2a，2b，2c，2d，2e)具有相同的結(jié)構(gòu)，所述噴射架進(jìn)一步包括適于將該噴射架末端緊密閉合的閉合模塊(6)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項的噴射系統(tǒng)，其中所述容器由至少一個適于固定在所述噴射架的第一開放端的第一噴射模塊上的第一圓柱狀容器模塊(4)和/或適于固定在所述噴射架的第二開放端的最后噴射模塊上的第二圓柱狀容器模塊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項的噴射系統(tǒng)，其中噴射模塊(2a，2b，2c，2d，2e)的材料為如下材料中的一種:氧化鋁(Al2O3)、石墨碳、玻璃化炭黑、涂覆有熱解石墨的碳、純化的碳、涂覆有碳化硅的碳或熱解氮化硼。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項的噴射系統(tǒng)，進(jìn)一步包括設(shè)置在兩個相鄰的噴射模塊(2a, 2b, 2c, 2d, 2e)之間和/或在容器模塊(4)和第一噴射模塊(2a)之間和/或在最后噴射模塊(2e)和閉合模塊(6)之間的至少一個壓縮密封墊，所述至少一個密封墊適于在壓縮時確保所述噴嘴對準(zhǔn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項的噴射系統(tǒng),進(jìn)一步包括與各噴射模塊連接和/或與所述容器模塊連接的獨(dú)立加熱裝置(14)，所述加熱裝置(14)包括兩個適于分別包封所述噴射模塊(2a，2b，2c，2d，2e)、所述容器模塊(4)的半圓柱狀半殼。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的噴射系 統(tǒng)，其中所述半殼進(jìn)一步包括圍繞加熱裝置(14)設(shè)置的熱保護(hù)裝置(15)和圍繞熱保護(hù)裝置(15)設(shè)置的冷卻裝置(16)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項的噴射系統(tǒng)，進(jìn)一步包括框架(11)和用于將多個噴射模塊(2a，2b，2c，2d，2e)和/或容器模塊(4)機(jī)械固定至所述框架的裝置(13)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的噴射系統(tǒng)，其中所述框架進(jìn)一步包括一個或數(shù)個直條(11)，所述固定裝置以能沿所述條(11)滑動的方式安裝。
11.根據(jù)權(quán)利要求1_10中任一項的噴射系統(tǒng)，包括多個噴射架，所述噴射架的縱軸(5)彼此平行地設(shè)置以允許均勻共蒸發(fā)所述材料。
【文檔編號】C23C14/26GK103906856SQ201280051570
【公開日】2014年7月2日 申請日期:2012年10月18日 優(yōu)先權(quán)日:2011年10月21日
【發(fā)明者】J-L·居約克斯, J·維萊特, N·布萊恩特, D·埃斯特韋 申請人:瑞必爾