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一種硅塊磨頭的制作方法

文檔序號:3387788閱讀:313來源:國知局
專利名稱:一種硅塊磨頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種硅塊磨頭。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體硅片的制作過程中,硅塊經(jīng)線鋸開方后需進(jìn)行表面磨面處理,再進(jìn)行硅片的切割エ序。目前,在エ藝操作中,通常采用金剛石或氮化硼超硬材質(zhì)的砂輪磨頭對硅塊進(jìn)行磨面處理。采用超硬材質(zhì)的砂輪磨頭研磨硅塊,由于砂輪轉(zhuǎn)動削磨硅塊表面時,砂輪對硅塊會產(chǎn)生表面壓カ及及內(nèi)部應(yīng)カ,致使硅塊表面損傷層擴(kuò)大呈裂紋向內(nèi)部延伸,進(jìn)而產(chǎn)生崩邊、邊緣、隱裂片等缺陷。因此,此種機(jī)械削磨硅塊產(chǎn)生的表面損傷層極大,且線切后硅片產(chǎn)生的邊緣片也很多。

實用新型內(nèi)容本實用新型實施例所要解決的技術(shù)問題在于,提供ー種硅塊磨頭,其用于硅塊的研磨拋光處理,減少砂輪磨面對硅塊造成的表面損傷層,從而減少后續(xù)線切片過程中硅片邊緣片比率的產(chǎn)生,同時確保磨頭持續(xù)正常地使用。為了解決上述技術(shù)問題,本實用新型實施例提供了ー種硅塊磨頭,所述的硅塊磨頭,包括毛刷底座和毛刷,所述毛刷底座包括用于研磨硅塊的ー個盤面,多簇所述毛刷固定于所述盤面上,且多簇所述毛刷沿毛刷底座外圍環(huán)形排布,所述毛刷簇與簇之間留有間隙。所述盤面上開設(shè)有ー環(huán)形凹槽。所述多簇毛刷固定于所述環(huán)形凹槽內(nèi)。所述多簇毛刷通過粘結(jié)劑固定在所述環(huán)形凹槽內(nèi)。所述環(huán)形凹槽的寬度為10 12_。所述毛刷簇與簇之間的間隙沿所述硅塊磨頭的旋轉(zhuǎn)軸徑向或切線方向延伸,所述毛刷簇與簇之間的間隙的寬度為O. I O. 4_。當(dāng)所述毛刷簇與簇之間的間隙沿所述硅塊磨頭的旋轉(zhuǎn)軸切線方向延伸,所述每簇毛刷成圓弧切角狀。所述毛刷鋪設(shè)的的徑向?qū)挾葹?0 12mm。所述毛刷是金剛石毛刷。所述毛刷底座為圓盤形,其材質(zhì)為鋁合金材料。所述毛刷底座上開設(shè)一圓形中心孔和多個環(huán)形陣列分布的圓孔,且所述多個圓孔在所述中心孔及所述毛刷之間。實施本實用新型實施例,具有如下有益效果I.本實用新型硅塊磨頭,采用毛刷作為磨頭磨面,在毛刷與硅塊接觸工作的過程中,采用毛刷的硅塊磨頭對硅塊產(chǎn)生的壓カ向四面分散,可以減少硅塊表面加工產(chǎn)生的損傷層,有效去除硅塊表面裂紋,并抑制該類缺陷向內(nèi)部延伸,降低表面粗糙度。從而,也可以有效減少后續(xù)切片エ序中廣生的邊緣片,提聞娃片的質(zhì)量。2.本實用新型硅塊磨頭,毛刷簇與簇之間留有間隙,可避免在硅塊拋光過程中毛刷內(nèi)產(chǎn)生的硅粉堆積現(xiàn)象,保證毛刷磨頭的持續(xù)正常使用。3.本實用新型硅塊磨頭,將毛刷簇與簇之間的間隙延伸方向設(shè)置成硅塊磨頭的旋轉(zhuǎn)軸的切線方向,使得在硅塊拋光過程中產(chǎn)生的硅粉在離心カ的作用下及時排出,防止硅塊拋光過程中硅粉的堆積,保證毛刷磨頭的持續(xù)正常使用。

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本實用新型實施例一提供的新型磨頭的示意圖;圖2為本實用新型實施例ニ提供的新型磨頭的示意具體實施方式
下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本實用新型保護(hù)的范圍。實施例一請參閱圖1,為本實用新型提供的ー種硅塊磨頭100,包括毛刷底座10和毛刷20,所述毛刷20為金剛石毛刷,所述毛刷底座10的材質(zhì)為鋁合金材料,所述毛刷底座10為圓盤形,在毛刷底座10上,有一個用于研磨硅塊的盤面30,沿毛刷底座10外圍設(shè)有環(huán)形凹槽11,所述環(huán)形凹槽11的寬度為10mm。在所述環(huán)形凹槽11內(nèi)通過粘結(jié)劑固定有多簇毛刷20,每簇毛刷20簇與簇之間留有O. 2mm的間隙12。所述毛刷底座10上開設(shè)一圓形中心孔14,且在所述中心孔14及所述毛刷20之間,設(shè)有多個環(huán)形陣列分布的圓孔13,用于安裝螺絲釘使磨頭100固定到研磨設(shè)備上。當(dāng)然,在其他實施方式中,在所述毛刷底座10的盤面上直接固定所述毛刷20也可以,而省略環(huán)形凹槽11。其中所述毛刷20簇與簇之間的間隙12沿所述硅塊磨頭100的旋轉(zhuǎn)軸徑向方向延イ申,即所述每簇毛刷20的一端邊界線21與另一端邊界線22均與硅塊磨頭100的旋轉(zhuǎn)軸徑向方向平行,使毛刷20簇與簇之間形成一道徑向凹槽12。所述毛刷20鋪設(shè)的徑向?qū)挾葹镮Omm0當(dāng)然,除了本實施例之外,還可通過改變毛刷徑向鋪設(shè)寬度和簇與簇之間的間隙寬度而得到本實用新型的其他實施例。實施例ニ請參閱圖2,為本實用新型提供的ー種硅塊磨頭200,包括毛刷底座210和毛刷220。與實施例一所提供的硅塊磨頭100相比較,磨頭200的不同之處在于,所述毛刷底座210的環(huán)形凹槽211的寬度為12mm。在所述環(huán)形凹槽211內(nèi)通過粘結(jié)劑固定有多簇毛刷220,每簇毛刷220簇與簇之間留有O. 3mm的間隙212。其中所述每簇毛刷220鋪設(shè)成圓弧切角狀。所述圓弧切角狀為每簇毛刷220的一端邊界線221與另一端邊界線222均與硅塊磨頭100的旋轉(zhuǎn)軸切線方向平行,使毛刷220簇與簇之間形成一道切線方向的凹槽212。所述毛刷220鋪設(shè)的徑向?qū)挾葹?2mm。將毛刷220簇與簇之間的間隙12延伸方向設(shè)置成硅塊磨頭200的旋轉(zhuǎn)軸的切線方向,使得在硅塊拋光過程中產(chǎn)生的硅粉在離心カ的作用下及時排出,防止硅塊拋光過程中硅粉的堆積,保證毛刷磨頭的持續(xù)正常使用。同樣,除了本實施例之外,也可通過改變毛刷徑向鋪設(shè)寬度和簇與簇之間的間隙寬度而得到本實用新型的其他實施例。本實用新型實施例提供的硅塊磨頭可直接安裝在現(xiàn)有的硅塊磨面設(shè)備上進(jìn)行使 用,更換無錫上機(jī)、阿諾德設(shè)備上的現(xiàn)有金剛石精磨。
權(quán)利要求1.一種硅塊磨頭,其特征在于,包括毛刷底座和毛刷,所述毛刷底座包括用于研磨硅塊的一個盤面,多簇所述毛刷固定于所述盤面上,且多簇所述毛刷沿所述毛刷底座外圍環(huán)形排布,所述毛刷簇與簇之間留有間隙。
2.如權(quán)利要求I所述的硅塊磨頭,其特征在于,所述盤面上開設(shè)有一環(huán)形凹槽,多簇所述毛刷固定于所述環(huán)形凹槽內(nèi)。
3.如權(quán)利要求2所述的硅塊磨頭,其特征在于,所述多簇毛刷通過粘結(jié)劑固定在所述環(huán)形凹槽內(nèi)。
4.如權(quán)利要求2所述的硅塊磨頭 ,其特征在于,所述環(huán)形凹槽的寬度為10 12mm。
5.如權(quán)利要求I所述的硅塊磨頭,其特征在于,所述毛刷簇與簇之間的間隙沿所述硅塊磨頭的旋轉(zhuǎn)軸徑向或切線方向延伸,所述毛刷簇與簇之間的間隙的寬度為0. I 0. 4_。
6.如權(quán)利要求5所述的硅塊磨頭,其特征在于,當(dāng)所述毛刷簇與簇之間的間隙沿所述硅塊磨頭的旋轉(zhuǎn)軸切線方向延伸,所述每簇毛刷成圓弧切角狀。
7.如權(quán)利要求I所述的硅塊磨頭,其特征在于,所述毛刷鋪設(shè)的徑向?qū)挾葹?0 12mm。
8.如權(quán)利要求I所述的硅塊磨頭,其特征在于,所述毛刷是金剛石毛刷。
9.如權(quán)利要求I所述的硅塊磨頭,其特征在于,所述毛刷底座為圓盤形,材質(zhì)為鋁合金材料。
10.如權(quán)利要求I或2所述的硅塊磨頭,其特征在于,所述毛刷底座上開設(shè)一圓形中心孔和多個環(huán)形陣列分布的圓孔,且所述多個圓孔在所述中心孔及所述毛刷之間。
專利摘要本實用新型公開了一種硅塊磨頭,包括毛刷底座和毛刷,其中毛刷底座包括用于研磨硅塊的一個盤面,多簇毛刷固定于此盤面上,且多簇毛刷沿毛刷底座外圍環(huán)形排布,毛刷簇與簇之間留有間隙。采用本實用新型的毛刷磨頭對硅塊進(jìn)行軟拋光處理,減少了硅塊表面加工產(chǎn)生的損傷層,有效地去除了硅塊表面裂紋,減少了線切過程中硅片邊緣片的產(chǎn)生。同時毛刷簇與簇之間的間隙可防止硅塊拋光過程中硅粉的堆積,保證毛刷磨頭的持續(xù)正常使用。
文檔編號B24B41/04GK202399134SQ20112052213
公開日2012年8月29日 申請日期2011年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月14日
發(fā)明者中野研吾, 張存新, 李建敏, 章金兵 申請人:江西賽維Ldk太陽能高科技有限公司
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