專利名稱：一種干法刻蝕堅(jiān)硬無機(jī)材料基板icp刻蝕機(jī)的預(yù)真空腔的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種干法刻蝕堅(jiān)硬無機(jī)材料基板ICP刻蝕機(jī)的預(yù)真空腔。
背景技術(shù)：
刻蝕是半導(dǎo)體制造工藝、微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的工藝步驟，是與光刻相聯(lián)系的圖形化(pattern)處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。隨著微制造工藝的發(fā)展；廣義上來講，刻蝕成了通過溶液、 反應(yīng)離子或其它機(jī)械方式來剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱，成為微加工制造的一種普適叫法。 刻蝕最簡(jiǎn)單最常用分類是干法刻蝕和濕法刻蝕。干法刻蝕種類很多，包括光揮發(fā)、氣相腐蝕、等離子體腐蝕等。其優(yōu)點(diǎn)是各向異性好，選擇比高，可控性、靈活性、重復(fù)性好，易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化，無化學(xué)廢液，處理過程未引入污染，潔凈度高。缺點(diǎn)是成本高，設(shè)備復(fù)雜。干法刻蝕主要形式有純化學(xué)過程(如屏蔽式，下游式，桶式)，純物理過程(如離子銑)，物理化學(xué)過程， 常用的有反應(yīng)離子刻蝕RIE，離子束輔助自由基刻蝕ICP等。與其它刻蝕技術(shù)相比，ICP刻蝕技術(shù)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、性價(jià)比高、裝置的環(huán)徑比更大、 裝置更小型化且操作簡(jiǎn)單。同時(shí)ICP源具有至少在直徑20cm范圍內(nèi)的均勻性，可獨(dú)立控制離子密度和離子能量，已成為目前較為理想的等離子體源。ICP反應(yīng)可以得到大于 IO11cm-5的高密度等離子體，用以實(shí)現(xiàn)先進(jìn)的加工過程。例如，在常溫下深刻蝕硅片，可以獲得高刻蝕速率，高刻蝕縱寬比和高選擇比，同時(shí)保持側(cè)壁陡直。這種刻蝕工藝被廣泛應(yīng)用于各種深刻蝕，如MEMS的制作中。通過在鈍化和刻蝕之間加入一個(gè)去鈍化的步驟，或通過控制聚合薄層的厚度，合理調(diào)節(jié)其它刻蝕參數(shù)，不僅可以刻蝕出各向異性的端面，而且可以使得端面傾角在一定范圍內(nèi)有變化。利用ICP刻蝕技術(shù)刻蝕硅基材料和m-ν族化合物同樣可以獲得良好的刻蝕效果。ICP刻蝕技術(shù)廣泛應(yīng)用于微電子、LED及光伏領(lǐng)域。ICP刻蝕技術(shù)還用于制備 HB-LED的襯底。藍(lán)寶石襯底是LED的底層支撐，在藍(lán)寶石襯底上通過MOCVD依次生長(zhǎng)GaN低溫成核層、N型摻雜層、多量子阱(MQW)層、P型摻雜層，再制作電極，就可以制成LED。在藍(lán)寶石襯底上通過光刻和刻蝕做圖形就可以得到圖形化藍(lán)寶石襯底，即Patterned Sapphire Substrate，簡(jiǎn)稱PSS。光刻工藝的目的是用光刻膠將需要刻蝕的藍(lán)寶石顯露，將不需要刻蝕的藍(lán)寶石掩護(hù)；刻蝕的目的是將未被光刻膠保護(hù)的那部分藍(lán)寶石刻蝕，以形成圖形。與藍(lán)寶石襯底相比，圖形化藍(lán)寶石襯底具有顯著優(yōu)勢(shì)。首先，將藍(lán)寶石襯底進(jìn)行圖形化處理后，在襯底表面生長(zhǎng)GaN時(shí)，藍(lán)寶石與GaN的晶格失配會(huì)減小，從而減少由晶格失配引起的螺位錯(cuò)，就能有效地減少光生電子-空穴對(duì)由于螺位錯(cuò)引起的非輻射復(fù)合，提高LED的內(nèi)量子效率，增強(qiáng)LED的亮度；其次，由于從多量子阱產(chǎn)生的光線僅有單一的傳播方向，如果光線經(jīng)過圖形化處理的藍(lán)寶石襯底能夠增加光線的散射，這就使得光線有多個(gè)傳播方向。從多量子阱產(chǎn)生的光線傳播到空氣-藍(lán)寶石界面時(shí)，如果入射角大于
權(quán)利要求1.一種干法刻蝕堅(jiān)硬無機(jī)材料基板ICP刻蝕機(jī)的預(yù)真空腔，包括腔體，所述腔體上安裝有腔蓋，所述腔蓋上開有片盤取放口，所述片盤取放口處設(shè)置有蓋子，所述腔體的一側(cè)面上開有片盤進(jìn)出口，所述片盤進(jìn)出口處設(shè)有閥門，所述腔體上設(shè)有用于與機(jī)械泵連接的機(jī)械泵接口、用于與進(jìn)氣管道連接的進(jìn)氣管道接口，其特征在于所述腔體內(nèi)底面上開有導(dǎo)軌槽，所述導(dǎo)軌槽內(nèi)安裝有沿其運(yùn)動(dòng)的導(dǎo)軌器，所述導(dǎo)軌器上連接有輸送片盤的機(jī)械手；所述導(dǎo)軌器與帶動(dòng)其運(yùn)動(dòng)的絲桿連接，所述絲桿可轉(zhuǎn)動(dòng)的安裝在腔體內(nèi)，其一端穿出腔體與伺服電機(jī)連接，所述伺服電機(jī)固定在腔體的底部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種干法刻蝕堅(jiān)硬無機(jī)材料基板ICP刻蝕機(jī)的預(yù)真空腔，其特征在于所述導(dǎo)軌器的寬度與導(dǎo)軌槽相等，所述導(dǎo)軌器的長(zhǎng)度小于導(dǎo)軌槽的長(zhǎng)度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種干法刻蝕堅(jiān)硬無機(jī)材料基板ICP刻蝕機(jī)的預(yù)真空腔，其特征在于所述腔蓋與腔體通過螺釘固定，并通過密封圈密封。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種干法刻蝕堅(jiān)硬無機(jī)材料基板ICP刻蝕機(jī)的預(yù)真空腔，其特征在于所述腔蓋與蓋子之間設(shè)有密封槽。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種干法刻蝕堅(jiān)硬無機(jī)材料基板ICP刻蝕機(jī)的預(yù)真空腔，其特征在于所述絲桿與腔體之間是采用磁流體密封。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種干法刻蝕堅(jiān)硬無機(jī)材料基板ICP刻蝕機(jī)的預(yù)真空腔，其特征在于所述絲桿固定安裝在腔體內(nèi)的絲桿固定器上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種干法刻蝕堅(jiān)硬無機(jī)材料基板ICP刻蝕機(jī)的預(yù)真空腔，其特征在于所述腔體與伺服電機(jī)、機(jī)械泵、絲桿固定器、進(jìn)氣管道、閥門均是螺紋連接。
專利摘要一種干法刻蝕堅(jiān)硬無機(jī)材料基板ICP刻蝕機(jī)的預(yù)真空腔，包括腔體，所述腔體上安裝有腔蓋，所述腔蓋上開有片盤取放口，所述片盤取放口處設(shè)置有蓋子，所述腔體的一側(cè)面上開有片盤進(jìn)出口，所述片盤進(jìn)出口處設(shè)有閥門，所述腔體上設(shè)有用于與機(jī)械泵連接的機(jī)械泵接口、用于與進(jìn)氣管道連接的進(jìn)氣管道接口，所述腔體內(nèi)底面上開有導(dǎo)軌槽，所述導(dǎo)軌槽內(nèi)安裝有沿其運(yùn)動(dòng)的導(dǎo)軌器，所述導(dǎo)軌器上連接有輸送片盤的機(jī)械手；所述導(dǎo)軌器與帶動(dòng)其運(yùn)動(dòng)的絲桿連接，所述絲桿可轉(zhuǎn)動(dòng)的安裝在腔體內(nèi)，其一端穿出腔體與伺服電機(jī)連接，所述伺服電機(jī)固定在腔體的底部。本實(shí)用新型的有益效果機(jī)械手的運(yùn)輸機(jī)制更簡(jiǎn)單可靠、成本低。
文檔編號(hào)C23F4/00GK202307811SQ201120352700
公開日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2011年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月20日
發(fā)明者李超波, 陳波, 饒志鵬, 黃成強(qiáng) 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院嘉興微電子儀器與設(shè)備工程中心