專利名稱：反應(yīng)腔裝置及具有其的基片處理設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，特別設(shè)計一種反應(yīng)腔裝置及具有該反應(yīng)腔裝置的基片處理設(shè)備。
背景技術(shù)：
化學(xué)氣象淀積(CVD)設(shè)備被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體，LED，液晶等行業(yè)。利用CVD設(shè)備可以在不同種類的基片表面上制備薄膜。在LED行業(yè)，一般利用MOCVD設(shè)備(CVD設(shè)備中的一種)來生產(chǎn)外延片。利用CVD設(shè)備生產(chǎn)外延片之前需要通過氣體導(dǎo)入裝置把工藝氣體導(dǎo)入工藝腔，并使其流經(jīng)基片表面。由于基片已被加熱到了工藝所需的溫度，工藝氣體在流經(jīng)基片的表面上方時會發(fā)生高溫化學(xué)反應(yīng)，其反應(yīng)的生成物會沉積在基片表面并形成薄膜。 由于工藝氣體之間的高溫化學(xué)反應(yīng)在生成所需的組分之外，還會同時生成許多影響薄膜質(zhì)量的反應(yīng)副產(chǎn)物。當(dāng)化學(xué)反應(yīng)的副產(chǎn)物達到一定的濃度以上就會嚴(yán)重阻礙所期待的化學(xué)反應(yīng)，并影響薄膜界面的陡峭度。
因此，如何快速排出工藝氣體之間的化學(xué)反應(yīng)副產(chǎn)物是當(dāng)前CVD設(shè)備面臨的困難。而當(dāng)前的MOCVD設(shè)備都是通過增大工藝腔的抽氣能力(使用大型干泵)，來快速排出工藝氣體之間的化學(xué)反應(yīng)副產(chǎn)物。然而，提高抽氣能力來快速排出各種副產(chǎn)物的同時也造成了大量未反應(yīng)的工藝氣體的浪費。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在至少解決上述技術(shù)問題之一。
為此，本發(fā)明的一個目的在于提出一種反應(yīng)腔裝置，該反應(yīng)腔裝置可有效地防止反應(yīng)氣體反應(yīng)后的副產(chǎn)物對基片成膜的影響。另外，還具有節(jié)省反應(yīng)氣體的優(yōu)點。
本發(fā)明的另一目的在于提出一種基片處理設(shè)備，該基片處理設(shè)備降低反應(yīng)氣體的副廣物對基片成I旲的影響，提升基片成I旲的工藝指標(biāo)，還能夠提聞反應(yīng)氣體利用率，提聞該基片處理設(shè)備的使用效率。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明第一方面提出的反應(yīng)腔裝置，包括腔室本體，所述腔室本體內(nèi)限定有反應(yīng)腔室；托盤，所述托盤設(shè)置在所述反應(yīng)腔室之中且可轉(zhuǎn)動；和進氣裝置， 所述進氣裝置用于在所述腔室本體之中形成相互交替的第一氣體區(qū)域和第二氣體區(qū)域，其中，在所述第一氣體區(qū)域之中通入工藝氣體，在所述第二氣體區(qū)域之中通入隔離氣體，其中，位于所述托盤上的基片隨托盤的轉(zhuǎn)動交替通過所述第一氣體區(qū)域和第二氣體區(qū)域。
根據(jù)本發(fā)明實施例的反應(yīng)腔裝置，工藝氣體和隔離氣體通過相互交替的方式通入到反應(yīng)腔室內(nèi)，具體地，可沿反應(yīng)腔室的周壁交互通入工藝氣體和隔離氣體，由此兩種氣體可以在反應(yīng)腔室內(nèi)形成相互交替的兩個區(qū)域(如工藝氣體形成的第一氣體區(qū)域和隔離氣體形成的第二氣體區(qū)域)，多個第一氣體區(qū)域被第二氣體區(qū)域隔離開，可以理解為在反應(yīng)過程中，每個第一氣體區(qū)域內(nèi)的工藝氣體都是單獨進行反應(yīng)的，因此可有效的減少化學(xué)反應(yīng)副產(chǎn)物的交叉污染，且在工藝氣體和隔離氣體交互流過基片表面的過程中，隔離`氣體可以對基片在工藝氣體中形成的薄膜進行橫向擴散，避免基片薄膜的縱向生長，這樣，有利于薄膜的平坦化，且隔離氣體還能夠清掃基片表面的工藝副產(chǎn)物，進而保證薄膜的質(zhì)量。另外， 由于隔離氣體對基片成膜的幫助，使工藝氣體副產(chǎn)物對基片成膜的損害相對減小，因此，該反應(yīng)腔裝置對氣體排放到外界的速度要求降低，這樣，可以有效地降低工藝氣體的流速，進而提升工藝氣體的利用率。
另外，根據(jù)本發(fā)明的反應(yīng)腔裝置還可以具有如下附加的技術(shù)特征
在本發(fā)明的一個實施例中，所述第一氣體區(qū)域的面積大于所述第二氣體區(qū)域的面積。
在本發(fā)明的一個實施例中，所述托盤為環(huán)形，所述托盤具有中心孔。
在本發(fā)明的一個實施例中，所述進氣裝置包括第一進氣組件，所述第一進氣組件設(shè)置在所述腔室本體的內(nèi)壁與外壁之間，且所述第一進氣組件包括交替分布的第一氣體噴口和第二氣體噴口，其中，所述第一氣體噴口噴出工藝氣體，所述第二氣體噴口噴出隔離氣體。
在本發(fā)明的一個實施例中，所述反應(yīng)腔裝置還包括第一排氣組件，所述第一排氣組件位于所述托盤的中心孔之內(nèi)。
在本發(fā)明的一個實施例中，所述進氣裝置包括第二進氣組件，所述第二進氣組件為筒狀，且設(shè)置在托盤的中心孔之內(nèi)，且所述第一進氣組件包括交替分布的第三氣體噴口和第四氣體噴口，其中，所述第三氣體噴口噴出工藝氣體，所述第四氣體噴口噴出隔離氣體。
在本發(fā)明的一個實施例中，所述反應(yīng)腔裝置還包括第二排氣組件，所述第二排氣組件設(shè)置在所述腔室本體的內(nèi)壁與外壁之間以將所述反應(yīng)腔室與外界連通。
在本發(fā)明的一個實施例中，所述托盤的材料為石墨，且所述托盤之外涂覆有SiC鍍膜。
在本發(fā)明的一個實施例中，所述腔室本體的頂壁、底壁和周壁均設(shè)有水冷裝置。
在本發(fā)明的一個實施例中，所述的反應(yīng)腔裝置還包括位于每個所述托盤之下的加熱器以為所述托盤進行加熱。
在本發(fā)明的一個實施例中，所述的反應(yīng)腔裝置還包括位于所述加熱器之下的防護板。
在本發(fā)明的一個實施例中，所述的反應(yīng)腔裝置還包括一個或多個第五氣體噴口， 所述一個或多個第五氣體噴口設(shè)置在所述腔室本體的內(nèi)壁與外壁之間，且所述一個或多個第五氣體噴口位于所述加熱器之下。
在本發(fā)明的一個實施例中，所述的反應(yīng)腔裝置還包括位于所述一個和多個托盤之上的整流片；和升降電機，所述升降電機控制所述整 流片豎直移動。
在本發(fā)明的一個 實施例中，所述的反應(yīng)腔裝置還包括磁流體密封裝置，所述磁流體密封裝置與所述托盤相連；和旋轉(zhuǎn)電機，所述旋轉(zhuǎn)電機通過同步帶與所述磁流體密封裝置相連，且?guī)铀龃帕黧w密封裝置轉(zhuǎn)動。
本發(fā)明第二方面的實施例提出的基片處理設(shè)備包括反應(yīng)腔裝置，所述反應(yīng)腔裝置為上述第一方面實施例提出的反應(yīng)腔裝置；和控制器，所述控制器控制所述托盤的轉(zhuǎn)速。
根據(jù)本發(fā)明實施例的基片處理設(shè)備，不僅可以有效的減少化學(xué)反應(yīng)副產(chǎn)物的交叉污染，且在工藝氣體和隔離氣體交互流過基片表面的過程中，隔離氣體可以對基片在工藝氣體中形成的薄膜進行橫向擴散，避免基片薄膜的縱向生長，這樣，有利于薄膜的平坦化， 且隔離氣體還能夠清掃基片表面的工藝副產(chǎn)物，進而保證薄膜的質(zhì)量。另外，該基片處理設(shè)備可以有效地降低工藝氣體的流速，進而提升工藝氣體的利用率，相應(yīng)地，也會有效地提高基片處理設(shè)備的使用率。
另外，根據(jù)本發(fā)明的基片處理設(shè)備還可以具有如下附加的技術(shù)特征
在本發(fā)明的一個實施例中，所述控制器還控制所述反應(yīng)腔裝置的升降電機以控制所述整流片和所述托盤之間的距離。通過調(diào)節(jié)整流片和托盤之間的距離，可以有效地調(diào)整氣流場對托盤的擾動，因此，可以增強托盤的高速旋轉(zhuǎn)所帶來的溫度補償效果，進而提高托盤表面的溫度均勻性。
本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實踐了解到。


本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點從結(jié)合下面附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中
圖1為本發(fā)明實施例的反應(yīng)腔裝置的結(jié)構(gòu)圖2為本發(fā)明一個具體實施例的反應(yīng)腔裝置的結(jié)構(gòu)圖3為圖2所示反應(yīng)腔裝置沿圖2所示的A向的剖面圖4為本發(fā)明另一實施例的反應(yīng)腔裝置的剖面圖；以及
圖5為圖4所示反應(yīng)腔裝置的結(jié)構(gòu)圖。
具體實施方式
下面詳細描述本發(fā)明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對本發(fā)明的限制。
在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“前”、 “后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。
在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個 元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。
以下結(jié)合附圖1-4首先描述根據(jù)本發(fā)明實施例的反應(yīng)腔裝置。
如圖1所示，為本發(fā)明實施例的反應(yīng)腔裝置的結(jié)構(gòu)圖。圖2為本發(fā)明另一實施例的反應(yīng)腔裝置的結(jié)構(gòu)圖。根據(jù)本發(fā)明實施例的反應(yīng)腔裝置包括腔室本體110、托盤120和進氣裝置。在圖1中，僅示出了具有一個托盤120的情況，以下實施例均以一個托盤120為例進行說明，但本發(fā)明實施例還可用于多個托盤的情況。
其中，腔室本體110內(nèi)限定有反應(yīng)腔室111。托盤120設(shè)置在反應(yīng)腔室111之中且可轉(zhuǎn)動。在本發(fā)明的一個實施例中，例如托盤120可以由石墨或者SiC制成，如果托盤120 的材料為石墨，則可在托盤120之外涂覆有SiC鍍膜。這樣，可以使托盤120具有相對更好的導(dǎo)熱性能。
本發(fā)明實施例的進氣裝置用于在所述腔室本體之中形成相互交替的第一氣體區(qū)域和第二氣體區(qū)域，其中，在所述第一氣體區(qū)域之中通入工藝氣體，在所述第二氣體區(qū)域之中通入隔離氣體。也就是說，工藝氣體和隔離氣體通過相互交替的方式通入到反應(yīng)腔室內(nèi)， 由此兩種氣體可以在反應(yīng)腔室內(nèi)相對形成相互交替的如第一氣體區(qū)域第二氣體區(qū)域的氣體區(qū)域，例如，如圖3中由虛線所組成的第一氣體區(qū)域為扇形區(qū)域1311和由虛線所組成的第二氣體區(qū)域，如扇形區(qū)域1321。
如圖1所示,在本發(fā)明的一個示例中,進氣裝置包括進氣組件130,對應(yīng)地,反應(yīng)腔裝置包括排氣組件133，進氣組件130設(shè)置在腔室本體110的周壁114內(nèi)，具體地設(shè)置在內(nèi)壁與外壁之間，結(jié)合圖3，進氣組件130分別包括交替分布的氣體噴口 131和氣體噴口 132， 在該實施例中，從氣體噴口 131向反應(yīng)腔室111內(nèi)通入工藝氣體，例如可以為MO+載氣和 NH3氣體。從氣體噴口 132向反應(yīng)腔室111內(nèi)通入隔離氣體，如N2或者H2氣體。結(jié)合圖1， 該實施例中的排氣組件133位于托盤120的中心孔之內(nèi)且為筒狀，相應(yīng)地，在筒狀排氣組件 133的周壁上設(shè)有通孔1332，如圖1中位于排氣組件133周壁的箭頭所示。這樣，氣體通過排氣組件133的通孔1332后并由設(shè)置在反應(yīng)腔室111底部的出氣孔1331排出。
以下就以具體實施例的方式對本發(fā)明實施例的進氣裝置和排氣組件進行詳細說明
實施例1
以圖1所示反應(yīng)腔裝置為例進行詳細描述。如圖1所示，該反應(yīng)腔裝置采用四周進氣，中央排氣的結(jié)構(gòu)。擺放基片121的托盤120為環(huán)狀。結(jié)合圖3，基片121被擺放在托盤120的外邊緣的圓周方向上。托盤120可以圍繞托盤120的中心孔的軸向方向進行旋轉(zhuǎn)， 由于在托盤120上的基片121在隨著托盤120轉(zhuǎn)動的過程中會交替經(jīng)過工藝氣體所形成的第一氣體區(qū)域(圖3中由虛線所組成的扇形區(qū)域1311)和隔離氣體所形成的第二氣體的區(qū)域(圖3中由虛線所組成的扇形區(qū)域1321)?；?21在經(jīng)過工藝氣體所形成的第一扇形區(qū)域1311的過程中會在表面沉積薄膜，而在經(jīng)過隔離氣體所形成的第二扇形區(qū)域1321的過程中，薄膜會進行橫向擴散且避免基片薄膜的縱向生長，這是由于隔離氣體SN2或者H2 氣體構(gòu)成，不會形成反應(yīng)。因此會使薄膜更為平坦，減少薄膜的陡峭度。另外，隔離氣體還可以自動清掃基片121表面的工藝副產(chǎn)物，為基片進入下一個工藝氣體區(qū)域做準(zhǔn)備，進一步使 基片121的成膜質(zhì)量提高，增強基片121的工藝效果。當(dāng)然，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員知道，工藝氣體和隔離氣體的種類并不限于此。
優(yōu)選地，所述通入工藝氣體的扇形區(qū)域的面積大于通入隔離氣體的扇形區(qū)域的面積，這樣，可以提高工藝氣體利用率，同時提高基片121成膜的速度。
如圖2所示，在本發(fā)明的一個示例中，該反應(yīng)腔裝置例如還包括磁流體密封裝置180和旋轉(zhuǎn)電機190。
該磁流體密封裝置180與托盤120相連，該磁流體密封裝置180 —方面密封反應(yīng)腔室，防止氣體泄漏。另一方面由于旋轉(zhuǎn)電機190通過同步帶191與磁流體密封裝置180相連，且?guī)哟帕黧w密封裝置180轉(zhuǎn)動，因此使得磁流體密封裝置180可帶動托盤120轉(zhuǎn)動。 進而托盤120在旋轉(zhuǎn)電機190的驅(qū)動下可以圍繞托盤120的中心孔軸向旋轉(zhuǎn)。
再次結(jié)合圖2，在本發(fā)明的一個實施例中，由于托盤120的材質(zhì)可為SiC鍍膜的石墨，因此，還可以在每個托盤120之下設(shè)置加熱器140，加熱器140可為托盤120加熱，保證托盤120的表面溫度達到反應(yīng)所需溫度。另外，本發(fā)明實施例的反應(yīng)腔裝置例如還可以包括防護板150，該防護板150設(shè)置在加熱器140的下方。這樣可以保護底壁113部件。
從圖2中可以看出，在所述加熱器140的下方還設(shè)置一個或多個氣體噴口 134。所述氣體噴口 134設(shè)置在所述腔室本體110的內(nèi)壁與外壁之間(圖2中的左、右周壁的下部分)。通過氣體噴口 134向反應(yīng)腔室111中排入保護氣體，保護氣體不但可以使反應(yīng)腔室 111內(nèi)的氣流場更均勻，防止工藝氣體與反應(yīng)腔室111的底壁113和部分內(nèi)壁以及加熱器 140接觸，進而有效地保護底壁113，加熱器140等部件，以延長反應(yīng)腔裝置的使用壽命。
另外，再次結(jié)合圖2，本發(fā)明實施例的反應(yīng)腔裝置還可以包括整流片160和升降電機 170。
整流片160位于托盤120的上方。升降電機170控制整流片160豎直移動。這樣， 整流片160和托盤120之間的距離可以根據(jù)工藝需求進行調(diào)節(jié)。且整流片160的材質(zhì)也可為SiC鍍膜的石墨材料制成，由此，可以在基片121上方形成一個良好的保溫區(qū)域，有利于基片121上方溫度場的均勻性。另外，工藝氣體之間的化學(xué)反應(yīng)副產(chǎn)物即使沉積在石墨制成的整流片160表面，也不會脫落形成顆粒，因此，保證基片121表面薄膜的質(zhì)量從而可進一步提高基片121成膜的工藝效果。
在本發(fā)明的一個實施例中，該反應(yīng)腔裝置還包括水冷裝置200，如圖2所示，在腔室本體Iio的頂壁112、底壁113和周壁114均設(shè)有水冷裝置200。水冷裝置200用于保護頂壁112、底壁113和周壁114免受熱輻射的傷害。另外，頂壁112、底壁113和周壁114上安裝的水冷裝置200還可以防止工藝氣體之間的預(yù)反應(yīng)和熱分解。
實施例2
本發(fā)明另一個實施例的反應(yīng)腔裝置如圖4所示，結(jié)合圖1，例如還可由中心孔向四周通入工藝氣體。且由反應(yīng)腔裝置的周壁114向外界排出氣體。
結(jié)合圖5，作為本發(fā)明的一個實施例，進氣裝置的進氣組件130的形狀還可以為筒狀，且設(shè)置在托盤120的中心孔之內(nèi)，且進氣組件130包括交替分布的氣體噴口 131和另一氣體噴口 132，其中，從氣體噴口 131向反應(yīng)腔室內(nèi)噴入工藝氣體，從氣體噴口 132向反應(yīng)腔室內(nèi)噴入隔尚氣體。
在本發(fā)明的一個實施例中，本發(fā)明實施例的反應(yīng)腔裝置還包括排氣組件133，排氣組件133設(shè)置在腔室本體的內(nèi)壁與外壁之間以將反應(yīng)腔室111與外界連通，在本發(fā)明的一個示例中，如圖5所示，排氣組件133為排氣管道，并設(shè)置在反應(yīng)腔裝置的周壁114內(nèi)且貫穿周壁 114，由此實現(xiàn)向外排出反應(yīng)后的氣體。
實施例2與實施例1不同的是進氣裝置以及排氣組件的結(jié)構(gòu)，而其它方面類似。
根據(jù)本發(fā)明實施例的反應(yīng)腔裝置，工藝氣體和隔離氣體通過相互交替的方式通入到反應(yīng)腔室內(nèi)，具體地，可沿反應(yīng)腔室的周壁交互通入工藝氣體和隔離氣體，由此兩種氣體可以在反應(yīng)腔室內(nèi)形成相互交替的兩個區(qū)域(如工藝氣體形成的扇形區(qū)域1311和隔離氣體形成的扇形區(qū)域1321)，多個扇形區(qū)域1311被扇形區(qū)域1321隔離開，可以理解為在反應(yīng)過程中，每個扇形區(qū)域1311內(nèi)的工藝氣體都是單獨進行反應(yīng)的，因此可有效的減少化學(xué)反應(yīng)副產(chǎn)物的交叉污染，且在工藝氣體和隔離氣體交互流過基片表面的過程中，隔離氣體可以對基片在工藝氣體中形成的薄膜進行橫向擴散，避免基片薄膜的縱向生長，這樣，有利于薄膜的平坦化，且隔離氣體還能夠清掃基片表面的工藝副產(chǎn)物，進而保證薄膜的質(zhì)量。另外，由于隔離氣體對基片成膜的幫助，使工藝氣體副產(chǎn)物對基片成膜的損害相對減小，因此，該反應(yīng)腔裝置對氣體排放到外界的速度要求降低，這樣，可以有效地降低工藝氣體的流速，進而提升工藝氣體的利用率。
本發(fā)明第二方面的實施例提出的基片處理設(shè)備，包括反應(yīng)腔裝置，如圖1或圖2所示，反應(yīng)腔裝置為上述第一方面實施例提出的反應(yīng)腔裝置。還包括控制器(圖中未示出)， 控制器控制反應(yīng)腔裝置的托盤120的轉(zhuǎn)速。
結(jié)合圖2，在本發(fā)明的一個實施例中，例如控制器還控制反應(yīng)腔裝置的升降電機 170，從而控制整流片 160和托盤120之間的距離。這樣，整流片160和托盤120之間的距離可以根據(jù)工藝需求進行調(diào)節(jié)。且整流片160的材質(zhì)也可為SiC鍍膜的石墨材料制成，由此，可以在基片121上方形成一個良好的保溫區(qū)域，有利于基片121上方溫度場的均勻性。
根據(jù)本發(fā)明實施例的基片處理設(shè)備，可以有效地降低工藝氣體的流速，進而提升工藝氣體的利用率，相應(yīng)地，由此也會有效地提高基片處理設(shè)備的使用率。另外，通過調(diào)節(jié)整流片和托盤之間的距離，可以有效地調(diào)整氣流場對托盤的擾動，因此，可以增強托盤的高速旋轉(zhuǎn)所帶來的溫度補償效果，進而提高托盤表面的溫度均勻性。
在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個實施例”、“一些實施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點包含于本發(fā)明的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不一定指的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點可以在任何的一個或多個實施例或示例中以合適的方式結(jié)合。
盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實施例，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和宗旨的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求及其等同限定。
權(quán)利要求
1.一種反應(yīng)腔裝置，其特征在于，包括 腔室本體，所述腔室本體內(nèi)限定有反應(yīng)腔室； 托盤，所述托盤設(shè)置在所述反應(yīng)腔室之中且可轉(zhuǎn)動；和 進氣裝置，所述進氣裝置用于在所述腔室本體之中形成相互交替的第一氣體區(qū)域和第二氣體區(qū)域，其中，在所述第一氣體區(qū)域之中通入工藝氣體，在所述第二氣體區(qū)域之中通入隔離氣體， 其中，位于所述托盤上的基片隨托盤的轉(zhuǎn)動交替通過所述第一氣體區(qū)域和第二氣體區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔裝置，其特征在于，所述第一氣體區(qū)域的面積大于所述第二氣體區(qū)域的面積。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔裝置，其特征在于，所述托盤為環(huán)形，所述托盤具有中心孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的反應(yīng)腔裝置，其特征在于，所述進氣裝置包括 第一進氣組件，所述第一進氣組件設(shè)置在所述腔室本體的內(nèi)壁與外壁之間，且所述第一進氣組件包括交替分布的第一氣體噴口和第二氣體噴口，其中，所述第一氣體噴口噴出工藝氣體，所述第二氣體噴口噴出隔離氣體。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的反應(yīng)腔裝置，其特征在于，還包括 第一排氣組件，所述第一排氣組件位于所述托盤的中心孔之內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的反應(yīng)腔裝置，其特征在于，所述進氣裝置包括 第二進氣組件，所述第二進氣組件為筒狀，且設(shè)置在托盤的中心孔之內(nèi)，且所述第二進氣組件包括交替分布的第三氣體噴口和第四氣體噴口，其中，所述第三氣體噴口噴出工藝氣體，所述第四氣體噴口噴出隔離氣體。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的反應(yīng)腔裝置，其特征在于，還包括 第二排氣組件，所述第二排氣組件設(shè)置在所述腔室本體的內(nèi)壁與外壁之間以將所述反應(yīng)腔室與外界連通。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔裝置，其特征在于，所述托盤的材料為石墨，且所述托盤之外涂覆有SiC鍍膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔裝置，其特征在于，所述腔室本體的頂壁、底壁和周壁均設(shè)有水冷裝置。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔裝置，其特征在于，還包括 位于每個所述托盤之下的加熱器以為所述托盤進行加熱。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的反應(yīng)腔裝置，其特征在于，還包括 位于所述加熱器之下的防護板。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的反應(yīng)腔裝置，其特征在于，還包括 一個或多個第五氣體噴口，所述一個或多個第五氣體噴口設(shè)置在所述腔室本體的內(nèi)壁與外壁之間，且所述一個或多個第五氣體噴口位于所述加熱器之下。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔裝置，其特征在于，還包括 位于所述一個和多個托盤之上的整流片；和 升降電機，所述升降電機控制所述整流片豎直移動。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔裝置，其特征在于，還包括 磁流體密封裝置，所述磁流體密封裝置與所述托盤相連；和 旋轉(zhuǎn)電機，所述旋轉(zhuǎn)電機通過同步帶與所述磁流體密封裝置相連，且?guī)铀龃帕黧w密封裝置轉(zhuǎn)動。
15.—種基片處理設(shè)備,其特征在于,包括 反應(yīng)腔裝置，所述反應(yīng)腔裝置為如權(quán)利要求1-14任一項所述的反應(yīng)腔裝置；和 控制器，所述控制器控制所述托盤的轉(zhuǎn)速。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的基片處理設(shè)備，其特征在于，所述控制器還控制所述反應(yīng)腔裝置的升降電機以控制所述整流片和所述托盤之間的距離。
全文摘要
本發(fā)明提出一種反應(yīng)腔裝置，包括腔室本體，腔室本體內(nèi)限定有反應(yīng)腔室；托盤，托盤設(shè)置在反應(yīng)腔室之中且可轉(zhuǎn)動；和進氣裝置，進氣裝置用于在腔室本體之中形成相互交替的第一氣體區(qū)域和第二氣體區(qū)域，其中，在第一氣體區(qū)域之中通入工藝氣體，在第二氣體區(qū)域之中通入隔離氣體，位于所述托盤上的基片隨托盤的轉(zhuǎn)動交替通過所述第一氣體區(qū)域和第二氣體區(qū)域。本發(fā)明還提出一種基片處理設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的反應(yīng)腔裝置，可有效地防止反應(yīng)氣體反應(yīng)后的副產(chǎn)物對基片成膜的影響。根據(jù)本發(fā)明的基片處理設(shè)備，降低反應(yīng)氣體的副產(chǎn)物對基片成膜的影響，提升基片成膜的工藝指標(biāo)，還能夠提高反應(yīng)氣體利用率，提高該基片處理設(shè)備的使用效率。
文檔編號C23C16/455GK103031540SQ201110303918
公開日2013年4月10日 申請日期2011年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月30日
發(fā)明者周衛(wèi)國 申請人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司