專利名稱：一種沉積薄膜的方法、面板和顯示器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及鍍膜技術，特別是指一種沉積薄膜的方法、面板和顯示器。
背景技術：
銦錫氧化物薄膜(簡稱ΙΤ0薄膜)因其具有優(yōu)良的透明、導電等性能而應用廣泛，目前主要應用于平板顯示、電子發(fā)光和太陽能電池等領域。氮化硅(SiNx)薄膜是一種物理和化學性能十分優(yōu)良的介質膜，具有高的致密性、高的介電常數、良好的絕緣性能和優(yōu)良的抗堿離子(如Na+，K+)能力等，因此廣泛應用于集成電路的保護膜、表面鈍化、層間絕
緣、介質電容等方面。目前在平板顯示、觸摸屏、半導體器件等領域經常需要在ITO薄膜表面沉積一層SiNx薄膜作為保護膜、絕緣膜或介質電容等?，F有技術中，采用等離子體增強化學氣相沉積法(PECVD, Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition)工藝在ITO薄膜表面沉積SiNx時,利用娃燒(SiH4)與氨氣(NH3)之間的反應生成氮化硅薄膜。現有技術存在如下問題如圖I、圖2和圖3所示，反應過程中SiH4分解產生的氫會與覆蓋于基體01上的ITO薄膜02中的氧發(fā)生反應發(fā)生霧化(Haze)現象，使原本透明的ITO薄膜02顏色變白，導致所形成的器件透光率降低；同時由于ITO薄膜02中氧的缺失導致ITO薄膜02中的金屬會在ITO薄膜02和氮化硅薄膜03界面處析出形成大的顆粒狀的金屬析出物04，導致所形成的器件表面平整度下降，粗糙的表面會增加對光的散射作用，進一步降低所形成器件的透光率；圖2中標識了金屬析出物04的尺寸。

發(fā)明內容
本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種沉積薄膜的方法、面板和顯示器，用于解決現有技術中，在基體的銦錫氧化物薄膜表面沉積氮化硅薄膜過程中會發(fā)生霧化現象，導致形成的器件透光率降低以及器件表面平整度下降的缺陷。為解決上述技術問題，本發(fā)明的實施例提供一種沉積薄膜的方法，包括在基體表面沉積一層銦錫氧化物薄膜；控制硅烷以第一流量輸出，所述硅烷與氨氣在所述銦錫氧化物薄膜上反應形成覆蓋所述銦錫氧化物薄膜的氮化硅緩沖層；控制硅烷以大于所述第一流量的第二流量輸出，所述硅烷與氨氣反應形成氮化硅覆蓋層覆蓋于所述氮化硅緩沖層上；所述氮化硅緩沖層與所述氮化硅覆蓋層形成氮化硅薄膜沉積在所述銦錫氧化物薄膜上。所述的方法中，所述第一流量為200 600標況暈升/分鐘。所述的方法中，所述第二流量為1400 1800標況暈升/分鐘。所述的方法中，采用濺射工藝在所述基體的表面沉積一層所述銦錫氧化物薄膜；采用等離子體增強化學氣相沉積法沉積所述氮化硅緩沖層與所述氮化硅覆蓋層。所述的方法中，所述氮化硅緩沖層的厚度為200 600埃。一種面板，包括基體；沉積在所述基體表面的銦錫氧化物薄膜；以第一流量輸出的硅烷與氨氣在所述銦錫氧化物薄膜上反應形成覆蓋所述銦錫氧化物薄膜的氮化硅緩沖層；以大于所述第一流量的第二流量輸出的硅烷與氨氣反應形成氮化硅覆蓋層覆蓋于所述氮化硅緩沖層上；所述氮化硅緩沖層與所述氮化硅覆蓋層形成氮化硅薄膜覆蓋在所述銦錫氧化物薄膜上。所述的面板中，所述氮化硅緩沖層的厚度為200 600埃。所述的面板中，所述氮化硅緩沖層具體為以200 600標況毫升/分鐘輸出的所述硅烷與所述氨氣反應形成的氮化硅緩沖層；所述氮化硅覆蓋層具體為以1400 1800標況毫升/分鐘輸出的所述硅烷與所述氨氣反應形成的氮化硅覆蓋層。一種顯示器，包括面板，所述面板包括基體；沉積在所述基體表面的銦錫氧化物薄膜；以第一流量輸出的硅烷與氨氣在所述銦錫氧化物薄膜上反應形成覆蓋所述銦錫氧化物薄膜的氮化硅緩沖層；以大于所述第一流量的第二流量輸出的硅烷與氨氣反應形成氮化硅覆蓋層覆蓋于所述氮化硅緩沖層上；所述氮化硅緩沖層與所述氮化硅覆蓋層形成氮化硅薄膜覆蓋在所述銦錫氧化物薄膜上。
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所述的顯示器中，所述氮化硅緩沖層的厚度為200 600埃。本發(fā)明的上述技術方案的有益效果如下在第一次沉積形成氮化硅緩沖層的過程中，由于SiH4流量很小，反應氣體中SiH4分解產生的氫的含量也很小，因此SiH4分解產生的氫與銦錫氧化物薄膜中的氧發(fā)生反應較為緩慢，霧化現象也很輕微；在第二次沉積氮化硅覆蓋層過程中，由于SiH4分解產生的氫與銦錫氧化物薄膜中的氧被氮化硅緩沖層隔絕，因此不會出現霧化現象，銦錫氧化物薄膜沒有失去氧因此杜絕了出現金屬析出物，從而改善了器件的表面平整度以及提高了透光率。


圖I為現有技術霧化現象的面板俯視圖；圖2為現有技術生成的含金屬析出物的氮化硅薄膜圖一；圖3為現有技術生成的含金屬析出物的氮化硅薄膜圖二 ；圖4為本發(fā)明實施例一種沉積薄膜的方法流程示意圖；圖5為本發(fā)明實施例不含金屬析出物的氮化硅薄膜圖；圖6為本發(fā)明實施例消除了霧化現象的面板俯視圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明要解決的技術問題、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖及具體實施例進行詳細描述。本發(fā)明實施例中，通過改變PECVD工藝沉積氮化硅過程中硅烷的流量，利用硅烷與氨氣之間的反應進行兩次沉積。本發(fā)明實施例中提供一種沉積薄膜的方法，如圖4所示，包括步驟101，在基體表面沉積一層銦錫氧化物薄膜；步驟102，控制硅烷以第一流量輸出，所述硅烷與氨氣在所述銦錫氧化物薄膜上反應形成覆蓋所述銦錫氧化物薄膜的氮化硅緩沖層；步驟103，控制硅烷以大于所述第一流量的第二流量輸出，所述硅烷與氨反應形成氮化硅覆蓋層覆蓋于所述氮化硅緩沖層上；所述氮化硅緩沖層與所述氮化硅覆蓋層形成氮化硅薄膜沉積在所述銦錫氧化物薄膜上。應用所提供的技術手段，在第一次沉積形成氮化硅緩沖層的過程中，由于硅烷流量很小，反應氣體中硅烷分解產生的氫的含量也很小，因此氫與銦錫氧化物薄膜中的氧發(fā)生反應較為緩慢，霧化現象也很輕微；在第二次沉積氮化硅覆蓋層過程中，由于硅烷分解產生的氫與銦錫氧化物薄膜中的氧被氮化硅緩沖層隔絕，因此不會出現霧化現象，銦錫氧化物薄膜沒有失去氧因此能夠杜絕出現金屬析出物，從而改善了器件的表面平整度以及提高了透光率。覆蓋有氮化硅薄膜的基體包括基體、銦錫氧化物薄膜和氮化硅薄膜；其中，氮化硅薄膜包括氮化硅緩沖層和氮化硅覆蓋層，其中，基體和銦錫氧化物薄膜之間還可以存在構成物件的其他層。 采用PECVD工藝沉積SiNx薄膜的工藝條件
權利要求
1.一種沉積薄膜的方法，其特征在于，包括 在基體表面沉積一層銦錫氧化物薄膜； 控制硅烷以第一流量輸出，所述硅烷與氨氣在所述銦錫氧化物薄膜上反應形成覆蓋所述銦錫氧化物薄膜的氮化硅緩沖層； 控制硅烷以大于所述第一流量的第二流量輸出，所述硅烷與氨氣反應形成氮化硅覆蓋層覆蓋于所述氮化硅緩沖層上；所述氮化硅緩沖層與所述氮化硅覆蓋層形成氮化硅薄膜沉積在所述銦錫氧化物薄膜上。
2.根據權利要求I所述的方法，其特征在于， 所述第一流量為200 600標況暈升/分鐘。
3.根據權利要求I所述的方法，其特征在于， 所述第二流量為1400 1800標況暈升/分鐘。
4.根據權利要求I所述的方法，其特征在于， 采用濺射工藝在所述基體的表面沉積一層所述銦錫氧化物薄膜； 采用等離子體增強化學氣相沉積法沉積所述氮化硅緩沖層與所述氮化硅覆蓋層。
5.根據權利要求I所述的方法，其特征在于， 所述氮化硅緩沖層的厚度為200 600埃。
6.—種面板,其特征在于,包括 基體； 沉積在所述基體表面的銦錫氧化物薄膜； 以第一流量輸出的硅烷與氨氣在所述銦錫氧化物薄膜上反應形成覆蓋所述銦錫氧化物薄膜的氮化硅緩沖層； 以大于所述第一流量的第二流量輸出的硅烷與氨氣反應形成氮化硅覆蓋層覆蓋于所述氮化硅緩沖層上；所述氮化硅緩沖層與所述氮化硅覆蓋層形成氮化硅薄膜覆蓋在所述銦錫氧化物薄膜上。
7.根據權利要求6所述的面板，其特征在于， 所述氮化硅緩沖層的厚度為200 600埃。
8.根據權利要求6所述的面板，其特征在于， 所述氮化硅緩沖層具體為以200 600標況毫升/分鐘輸出的所述硅烷與所述氨氣反應形成的氮化硅緩沖層； 所述氮化硅覆蓋層具體為以1400 1800標況毫升/分鐘輸出的所述硅烷與所述氨氣反應形成的氮化硅覆蓋層。
9.一種顯示器，其特征在于，包括面板，所述面板包括 基體； 沉積在所述基體表面的銦錫氧化物薄膜； 以第一流量輸出的硅烷與氨氣在所述銦錫氧化物薄膜上反應形成覆蓋所述銦錫氧化物薄膜的氮化硅緩沖層； 以大于所述第一流量的第二流量輸出的硅烷與氨氣反應形成氮化硅覆蓋層覆蓋于所述氮化硅緩沖層上；所述氮化硅緩沖層與所述氮化硅覆蓋層形成氮化硅薄膜覆蓋在所述銦錫氧化物薄膜上。
10.根據權利要求9所述的顯示器，其特征在于，所述氮化硅緩沖層的厚度為200 600埃。
全文摘要
本發(fā)明公開一種沉積薄膜的方法、面板和顯示器，方法包括在基體表面沉積一層銦錫氧化物薄膜；控制硅烷以第一流量輸出，硅烷與氨氣在銦錫氧化物薄膜上反應形成覆蓋銦錫氧化物薄膜的氮化硅緩沖層；控制硅烷以大于第一流量的第二流量輸出，硅烷與氨氣反應形成氮化硅層，氧化硅層覆蓋于氮化硅緩沖層上。在第一次沉積形成氮化硅緩沖層的過程中反應并不劇烈使得產生的氫與ITO薄膜中的氧發(fā)生反應較為困難，霧化現象很輕微；在第二次沉積氮化硅覆蓋層過程中，由于產生的氫與ITO薄膜中的氧被氮化硅緩沖層隔絕，因此不會出現霧化現象，ITO薄膜和氮化硅薄膜界面處也能夠杜絕出現金屬析出物，從而改善了器件的表面平整度以及提高了透光率。
文檔編號C23C16/34GK102703900SQ201110221519
公開日2012年10月3日 申請日期2011年8月3日 優(yōu)先權日2011年8月3日
發(fā)明者姚琪, 張鋒, 戴天明, 楊靜 申請人:京東方科技集團股份有限公司