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一種真空鍍膜的加熱基片架的制作方法

文檔序號:3420619閱讀:396來源:國知局
專利名稱:一種真空鍍膜的加熱基片架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及制備種類薄膜的設(shè)備,具體地說是一種用于承載 基片的真空鍍膜的加熱基片架。
背景技術(shù)
真空鍍膜技術(shù)的應用已遍及各個領(lǐng)域,鍍膜的方法有很多種,較 為常用的是真空蒸發(fā)鍍膜,是通過蒸發(fā)源加熱使膜材蒸發(fā)。常用的蒸 發(fā)源有電阻式加熱蒸發(fā)源、電子東式蒸發(fā)源、空心熱陰極等離子束蒸 發(fā)源、感應式加熱蒸發(fā)源等,其中電阻式加熱蒸發(fā)源使用較多。作為
真空鍍膜重要的環(huán)節(jié),蒸發(fā)源在設(shè)計時,需要注意以下幾點第一,
蒸發(fā)源要使膜材有較高的蒸發(fā)率,并能存儲足夠的膜材;第二,膜材 的蒸發(fā)率應能夠容易控制;第三,蒸發(fā)源在長時間的工作中要具有可 靠的穩(wěn)定性;第四,蒸發(fā)源需有較長的使用壽命。現(xiàn)有的蒸發(fā)源其電 阻絲難于固定和東縛,可靠性較差,使用壽命也不高,很難滿足上述 的要求。
而目前使用的基片架,靶材與基片是相對固定的,無論靶材選擇 什么材料,距離都不可調(diào),因此服制了靶材的選擇范圍,也降低了鍍 膜的效率。此外,現(xiàn)有基片架在鍍膜過程中,基片固定,鍍膜均勾性 差,質(zhì)量不高。再有,鍍膜裸露在外,很容易被污染,降低了膜層質(zhì) 量。

實用新型內(nèi)容
為了解決上述現(xiàn)有基片架及蒸發(fā)源存在的問題,本實用新型的目 的在于提供一種基片托可旋轉(zhuǎn)、鍍膜均勻的真空鍍膜的加熱基片架。
本實用新型的另一目的在于提供一種蒸發(fā)源可伸縮的真空鍍膜 的加熱基片架,可適用于不同的膜材。
本實用新型的目的是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的 本實用新型包括蒸發(fā)源、傳動組件、支撐組件及步進電機磁力轉(zhuǎn)
軸,步進電機磁力轉(zhuǎn)軸安裝在支撐組件上,蒸發(fā)源設(shè)置在傳動組件上、
并通過傳動組件與步進電機磁力轉(zhuǎn)軸連動。
其中所述支撐組件由第一、二支撐盤中間設(shè)置多個支撐桿構(gòu)成,
步進電機磁力轉(zhuǎn)軸安裝在第二支撐盤上;在第二支撐盤上還安裝有直
動撥叉,其上設(shè)有伸縮機構(gòu);伸縮機構(gòu)位于第一、二支撐盤之間,一端連接直動撥叉,另一端由第一支撐盤穿出、并設(shè)有固定托,在固定
托上均布有多個與蒸發(fā)源相連接的固定桿;伸縮機構(gòu)為四連桿機構(gòu); 所述傳動組件包括第一連接桿、轉(zhuǎn)動托、轉(zhuǎn)動桿及第一、二齒輪,第 一連接桿的一端與步進電機磁力轉(zhuǎn)軸相連,另一端由支撐組件穿出、 并連接第一齒輪,第二齒輪與第一齒輪嚙合傳動;轉(zhuǎn)動托安裝在第二 齒輪上,在轉(zhuǎn)動托上均布有多個與蒸發(fā)源相連接的轉(zhuǎn)動桿;所述蒸發(fā) 源包括爐盤、爐盤架、基片托、加熱罩、隔熱片及簡式隔熱片,加熱 罩的底部與轉(zhuǎn)動桿相連接,基片托固接在加熱罩的頂部,與加熱罩一 起隨轉(zhuǎn)動桿旋轉(zhuǎn);爐盤架位于加熱罩的內(nèi)部、與固定桿相連接,外罩 有簡式隔熱片的爐盤安裝在爐盤架的頂部,在爐盤與爐盤架之間設(shè)有 隔熱片;基片托上開有第一凹槽;爐盤上電阻絲的兩側(cè)均布有多個第 二凹槽;在爐盤的中心開有熱偶引入口,電阻絲引入、引出口分別位 于熱偶引入口的兩側(cè);支撐組件上安裝有磁力轉(zhuǎn)軸,其通過第二連接 桿與基片擋板相連接,基片擋板通過磁力轉(zhuǎn)軸可繞第二連接桿旋轉(zhuǎn); 在支撐組件上還安裝有四芯引線組件,其上設(shè)有四個電極,其中兩個 連接加熱電源及蒸發(fā)源上的電阻絲,另外兩個連接溫度傳感器及溫度 顯示儀。
本實用新型的優(yōu)點與積極效果為
1. 本實用新型的基片在鍍膜過程中可旋轉(zhuǎn),大大提高了鍍膜的 均勻性,保證了膜層質(zhì)量。
2. 本實用新型的靶材和基片之間的距離可以調(diào)節(jié),針對不同的 膜材可以選擇不同的距離,從而擴大了靶材的選擇范圍,提高了鍍膜 效率;并且,伸縮機構(gòu)運動靈活,伸縮距離大。
3. 蒸發(fā)源的爐盤結(jié)構(gòu)簡單,設(shè)置的第二凹槽很好地突破了電阻 絲難以固定和東縛的難點,避免電阻絲因受熱變形而脫開爐盤造成短 路,延長了蒸發(fā)源的使用壽命,提高了蒸發(fā)源的可靠性。
4. 熱偶固定在基片托的正下方,能夠準確地測量出加熱溫度。
5. 本實用新型的基片托上設(shè)置的第一凹槽,增大了熱阻,減少 了熱傳導,有效地起到了聚熱的作用。
6. 本實用新型的基片擋板對基片起到防護作用,屏蔽了污染, 提高了膜層質(zhì)量。
7. 本實用新型結(jié)構(gòu)簡單、可靠性好,工作效率高。

圖l為本實用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖之一; 圖2為圖1中蒸發(fā)源的剖視圖; 圖3為圖2中爐盤的俯視圖;圖4為圖3的A—A視圖5為本實用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖之二;
其中l(wèi)為基片擋板,2為蒸發(fā)源,3為轉(zhuǎn)動桿,4為固定桿,5 為固定托,6為第一齒輪,7為第一支撐盤,8為第一連接桿,9為支 撐桿,IO為第二連接桿,ll為第二支撐盤,12為四芯引線組件,13 為步進電機磁力轉(zhuǎn)軸,14為直動撥叉,15為磁力轉(zhuǎn)軸,16為伸縮機 構(gòu),17為第二齒輪,18為轉(zhuǎn)動托,19為第一凹槽,20為爐盤,21 為爐盤架,22為基片托,23為簡式隔熱片,24為加熱罩,25為隔熱 片,26為接線柱,27為螺釘,28為第二凹槽,29為電阻絲引入口, 30為熱偶引入口, 31為電阻絲引出口。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖對本實用新型作進一步詳述。
如圖1及圖5所示,本實用新型包括蒸發(fā)源2、傳動組件、支撐 組件及步進電機磁力轉(zhuǎn)軸13。支撐組件由第一、二支撐盤7、 11及 支撐桿9組成,第一支撐盤7為三角形,第一支撐盤ll為圓形,在 第一支撐盤7的三個角上分別與三個支撐桿9的一端固定連接,三個 支撐桿9的另 一端固定在第二支撐盤11上。在第二支撐盤11上分別 安裝有四芯引線組件l2、步進電機磁力轉(zhuǎn)軸13、直動撥叉14及磁力 轉(zhuǎn)軸15。傳動組件包括第一連接桿8、轉(zhuǎn)動托18、轉(zhuǎn)動桿3及第一、 二齒輪6、 17,第一連接桿8的一端與步進電機磁力轉(zhuǎn)軸13相連, 另一端由第一支撐盤7穿出、并連接第一齒輪6,第二齒輪17與第 一齒輪6嚙合傳動;轉(zhuǎn)動托18安裝在第二齒輪17上,在轉(zhuǎn)動托18 上均布有多個轉(zhuǎn)動桿3。在第一、二支撐盤7、 ll之間容置一個伸縮 機構(gòu)16 (本實施例為四連桿機構(gòu)),其一端與直動撥叉14相連,另 一端由第一支撐盤7穿出、并設(shè)有固定托5,在固定托5上均布有多 個固定桿4。第二連接桿IO的一端連接磁力轉(zhuǎn)軸15,另一端與基片 擋板1相連接,基片擋板1通過磁力轉(zhuǎn)軸15的驅(qū)動可繞第二連接桿 IO旋轉(zhuǎn)。四芯引線組件12上設(shè)有四個電極,其中兩個連接加熱電源 及蒸發(fā)源2上的電阻絲,另外兩個連接溫度傳感器及溫度顯示儀,加 熱電源通過四芯引線組件12接到蒸發(fā)源2的電阻絲上,根據(jù)不同的 加熱溫度選擇不同材料的電阻絲。
如圖2~4所示,蒸發(fā)源2包括由陶瓷材料模具制成的爐盤20和 爐盤架21、基片托22、加熱罩24、隔熱片25以及簡式隔熱片23, 加熱罩24的底部與轉(zhuǎn)動桿3相連接,基片托22通過銷固定在加熱罩 24的頂部,與加熱罩24 —起隨轉(zhuǎn)動桿3旋轉(zhuǎn)。爐盤架21位于加熱 罩24的內(nèi)部、與固定桿5相連接,外罩有簡式隔熱片23的爐盤20安裝在爐盤架21的頂部,在爐盤20與爐盤架21之間設(shè)有隔熱片25。 基片托22及加熱罩24能夠轉(zhuǎn)動而爐盤架21不能轉(zhuǎn)動但可以在伸縮 機構(gòu)16的驅(qū)動下伸縮,既能實現(xiàn)基片加熱,又能實現(xiàn)基片轉(zhuǎn)動,使 膜層更加均勻。加熱罩24、隔熱片25及簡式隔熱片23形成熱量保 護空間,可減少熱量損失?;?2的上下兩面均開有第一凹槽19, 增大了熱阻,減少了熱傳導,有效地起到了聚熱的作用。爐盤20上 電阻絲的兩側(cè)均布有多個第二凹槽28,在加熱的過程中,可防止電 阻絲因受熱變形而脫開爐盤造成短路。在爐盤20的中心開有熱偶引 入口 30,電阻絲引入、引出口 29、 31分別位于熱偶引入口 30的兩 側(cè)。爐盤20上設(shè)有接線柱26,螺釘27緊固在接線柱26上,用于連 接電阻絲和導線。熱偶固定在基片托22的正下方,因此,測量數(shù)據(jù) 最接近基片的真實溫度。
本實用新型的工作原理為當基片成膜時,磁力轉(zhuǎn)軸15驅(qū)動第 二連接桿10旋轉(zhuǎn),使基片擋板l旋開。通過手動調(diào)節(jié)直動撥叉14, 使其帶動伸縮機構(gòu)16運動,固定托5在伸縮機構(gòu)16的帶動下,控制 蒸發(fā)源2中的爐盤架21前后伸縮需要的距離,伸縮距離視膜材而定。 步進電機磁力轉(zhuǎn)軸13工作,驅(qū)動第一連接桿8旋轉(zhuǎn),通過第一、二 齒輪6、 17的嚙合傳動,驅(qū)動加熱罩24及其上的基片托22旋轉(zhuǎn),基 片托22在轉(zhuǎn)動的同時加熱到需要的溫度,進行鍍膜且保持鍍膜的均 勻性。不工作時,將基片擋板l旋轉(zhuǎn)至擋住基片,防止污染基片的純 度。
本實施例選用熔點為150(TC的鐵鉻鋁制成的絲狀電阻式加熱源, 其加熱溫度高,溫度可自由控制,加熱絲的熱變形對蒸發(fā)源的使用壽 命影響小,通過調(diào)整的爐盤架的伸縮距離和基片托的旋轉(zhuǎn)速度,能夠 很好地控制鍍膜的性能。本實用新型的基片旋轉(zhuǎn)速度可在5~60轉(zhuǎn)/ 分鐘范圍內(nèi)選擇,不同膜材選擇不同的轉(zhuǎn)速勻速旋轉(zhuǎn)。
權(quán)利要求1.一種真空鍍膜的加熱基片架,其特征在于包括蒸發(fā)源(2)、傳動組件、支撐組件及步進電機磁力轉(zhuǎn)軸(13),步進電機磁力轉(zhuǎn)軸(13)安裝在支撐組件上,蒸發(fā)源(2)設(shè)置在傳動組件上、并通過傳動組件與步進電機磁力轉(zhuǎn)軸(13)連動。
2. 按權(quán)利要求1所述的真空鍍膜的加熱基片架,其特征在于 所述支撐組件由第一、二支撐盤(7、 11)中間設(shè)置多個支撐桿(9) 構(gòu)成,步進電機磁力轉(zhuǎn)軸(13)安裝在第二支撐盤(11)上;在第二 支撐盤(11)上還安裝有直動撥叉(14),其上設(shè)有伸縮機構(gòu)(16); 伸縮機構(gòu)U6)位于第一、二支撐盤(7、 11)之間, 一端連接直動 撥叉(14),另一端由第一支撐盤(7)穿出、并設(shè)有固定托(5),在 固定托(5)上均布有多個與蒸發(fā)源(2)相連接的固定桿(4)。
3. 按權(quán)利要求2所述的真空鍍膜的加熱基片架,其特征在于 所述伸縮機構(gòu)(16)為四連桿機構(gòu)。
4. 按權(quán)利要求1或2所述的真空鍍膜的加熱基片架,其特征在 于所述傳動組件包括第一連接桿(8)、轉(zhuǎn)動托(18)、轉(zhuǎn)動桿(3) 及第一、二齒輪(6、 17),第一連接桿(8)的一端與步進電機磁力 轉(zhuǎn)軸(13)相連,另一端由支撐組件穿出、并連接第一齒輪(6),第 二齒輪(17)與第一齒輪(6)嚙合傳動;轉(zhuǎn)動托(18)安裝在第二 齒輪(17)上,在轉(zhuǎn)動托(18)上均布有多個與蒸發(fā)源(2)相連接 的轉(zhuǎn)動桿(3)。
5. 按權(quán)利要求1或2所述的真空鍍膜的加熱基片架,其特征在 于所述蒸發(fā)源(2 )包括爐盤(20 )、爐盤架(21 )、基片托(22 )、 加熱罩(24)、隔熱片(")及簡式隔熱片(23),加熱罩(24)的底 部與轉(zhuǎn)動桿(3)相連接,基片托(22)固接在加熱罩(24)的頂部, 與加熱罩(24) —起隨轉(zhuǎn)動桿(3)旋轉(zhuǎn);爐盤架(21)位于加熱罩(24)的內(nèi)部、與固定桿(5)相連接,外罩有簡式隔熱片(23)的 爐盤(20)安裝在爐盤架(21)的頂部,在爐盤(20)與爐盤架(21) 之間設(shè)有隔熱片(25)。
6. 按權(quán)利要求5所述的真空鍍膜的加熱基片架,其特征在于 所述基片托(22)上開有第一凹槽"9)。
7. 按權(quán)利要求5所述的真空鍍膜的加熱基片架,其特征在于 所述爐盤(20)上電阻絲的兩側(cè)均布有多個第二凹槽(28);在爐盤(20)的中心開有熱偶引入口 (30),電阻絲引入、引出口 (29、 31)分別位于熱偶引入口 (30)的兩側(cè)。
8. 按權(quán)利要求1或2所述的真空鍍膜的加熱基片架,其特征在 于所述支撐組件上安裝有磁力轉(zhuǎn)軸(15),其通過第二連接桿(IO) 與基片擋板(1)相連接,基片擋板(1)通過磁力轉(zhuǎn)軸(15)可繞第 二連接桿(10)旋轉(zhuǎn)。
9. 按權(quán)利要求1或2所述的真空鍍膜的加熱基片架,其特征在 于在支撐組件上還安裝有四芯引線組件(12),其上設(shè)有四個電極, 其中兩個連接加熱電源及蒸發(fā)源(2)上的電阻絲,另外兩個連接溫 度傳感器及溫度顯示儀。
專利摘要本實用新型涉及制備種類薄膜的設(shè)備,具體地說是一種用于承載基片的真空鍍膜的加熱基片架,包括蒸發(fā)源、傳動組件、支撐組件及步進電機磁力轉(zhuǎn)軸,步進電機磁力轉(zhuǎn)軸安裝在支撐組件上,蒸發(fā)源設(shè)置在傳動組件上、并通過傳動組件與步進電機磁力轉(zhuǎn)軸連動。本實用新型的基片在鍍膜過程中可旋轉(zhuǎn),提高了鍍膜的均勻性,保證了膜層質(zhì)量;靶材和基片之間的距離可以調(diào)節(jié),針對不同的膜材可以選擇不同的距離,從而擴大了靶材的選擇范圍,提高了鍍膜效率;蒸發(fā)源的爐盤結(jié)構(gòu)簡單,很好地突破了電阻絲難以固定和束縛的難點,避免電阻絲因受熱變形而脫開爐盤造成短路,延長了蒸發(fā)源的使用壽命,提高了蒸發(fā)源的可靠性;基片擋板對基片起到防護作用,屏蔽了污染。
文檔編號C23C14/50GK201158704SQ200820010150
公開日2008年12月3日 申請日期2008年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月11日
發(fā)明者呂鑫淼, 冬 張, 徐寶利, 李重茂, 王云琴, 趙崇凌, 趙科新, 趙長存, 郭東民, 高樹愛 申請人:中國科學院沈陽科學儀器研制中心有限公司
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