專利名稱：用于在基底上沉積涂層的方法和設備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明在第一方面涉及用于在基底上沉積涂層的方法。 根據(jù)第二方面，本發(fā)明涉及可操作用于在基底上沉積涂層的設備。
根據(jù)第三方面，本發(fā)明涉及用于在基底上沉積涂層的至少一個計 算機程序產(chǎn)品。
背景技術(shù)：
電弧蒸鍍方法是在利用物理汽相沉積(PVD)在切削工具上沉積 涂層時一種廣泛使用的沉積方法。優(yōu)點在于涂層的高粘附性，通常還 具有高韌性和高耐磨性。粘附性在很大程度上取決于電弧等離子體中 的強電離。然而，缺點在于涂層上的宏觀金屬顆粒，液滴，從而難以 沉積絕緣層。液滴是靶材在電弧過程中的局部快速融化而產(chǎn)生的，且 液滴的大小可以與涂層厚度處于相同的量級。切削工具的磨損通常發(fā) 生在液滴處，這是因為材料比涂層更軟，且液滴當在加工過程中暴露 于加工材料時相當更容易被扯掉。液滴還導致表面粗糙，這增大了加 工過程中，尤其是在加工覆層材料(例如，不銹鋼)時的磨損。由于
包括陽極在內(nèi)的所有區(qū)域均涂有絕緣層，因此作為晶體八1203的絕緣層
在PVD中且尤其是利用電弧蒸鍍法非常難以沉積。利用標準的DC電 弧蒸鍍對絕緣層進行沉積會導致陽極電消失、充電效應以及對陽極和 陰極造成意外的電弧放電。
磁控濺射并不像沉積方法一樣被廣泛用于切削工具，部分原因在 于磁控濺射導致的涂層的粘附性較差，這是因為與例如電弧蒸鍍法相 比，等離子體的電離程度較低。標準的磁控濺射在沉積絕緣層時也具
有缺陷，使(絕緣)陽極和陽極電弧電消失。
但是，可以沉積具有少量缺陷的光滑涂層，以及可以沉積大量不 同的材料，且通過調(diào)節(jié)耙材的成分而可容易地對成分進行控制。
雙磁控濺射(DMS)是一種濺射方法，其采用連接到兩個磁控管 的雙極性脈沖電源，這兩個磁控管在電源脈沖的過程中交替地用作陰 極和陽極。也就是說，沒有單獨的陽極可變成被涂覆。因此，雙磁控
濺射既可用于沉積電絕緣的涂層(諸如，例如厚的晶體A1203 (參見 US-5698314)，也可用于沉積光滑的導電涂層(例如，(Ti,Al)N (參見 WO-A1-2006/041366)。雙磁控濺射具有一些優(yōu)點，諸如光滑的涂層， 許多不同種類的源材料，然而主要的缺點在于，諸如與其他濺射方法 相比，相對于基底的粘附性較差。但是，利用DMS技術(shù)可以沉積厚的 晶體涂層，而這是在利用具有消失陽極的沉積系統(tǒng)(例如，利用標準 的電弧蒸鍍或標準的濺射技術(shù))時所不可能實現(xiàn)的。此外，與標準的 濺射相反，DMS技術(shù)通過只是調(diào)節(jié)加工參數(shù)就能對具有不止一種金屬 構(gòu)成成分的涂層材料的成分提供簡單控制(參見WO-Al-2006/041366)。 因此，在加工過程中可以容易地改變成分，并且成分不僅通過調(diào)節(jié)靶 材成分來調(diào)節(jié)，如與在標準磁控濺射中的情況一樣。
電絕緣層通常具有高的耐熱和耐氧化磨損以及耐氧化性，但與難 熔的金屬層(例如，TiN或者(Ti，Al) N)相比具有較低的耐磨性和剛 性。
利用除DMS之外的任意其他方法都難以沉積厚的絕緣涂層，諸如 高晶體化的A1203。
通過例如US-5306407, EP-A1-0668369和US-A-4877505已經(jīng)知
道了濺射與電弧蒸鍍工藝的組合。US-5306407中公開的方法具體包括 在涂層過程之前的金屬離子蝕刻步驟。EP-Al-0668369中的優(yōu)選方法是
利用濺射工藝開始沉積過程，這與通常的做法相反，g卩，電弧蒸鍍工 藝由于比在濺射中的離子化程度更高而導致更高的粘附性。
WO-A1-02/070776公開了同時了利用幾種電弧蒸鍍和磁控濺射技 術(shù)的方法。主要優(yōu)點在于降低了毒害，也就是說，靶材的表面在反應 濺射中越來越多地被產(chǎn)生的涂層覆蓋，涂層為例如SiN(當在氮氣環(huán)境 中利用Si的電弧蒸鍍來沉積SiN時)。
US-A1-2001/0008707涉及一種方法，用于通過將利用電弧蒸鍍的 第一層與隨后的濺射層組合在一起，而在具有低耐熱性的物品上沉積 有色涂層。
US-5234561涉及用于隨后的電弧蒸鍍和磁控濺射的方法和系統(tǒng)。 這個應用用于在例如珠寶的裝飾品上進行裝飾，且主要目的在于利用 具有類似顏色和良好粘附性的涂層(TiN)來代替金子。
US-5698314和US-5879823涉及與其他涂層一起的PVD沉積的 Al203層，但并沒有提及電弧蒸鍍的層與DMS層的組合。
US-Al-2001/0008707， US-A1-2006/0102077和US-B1-6315877中
描述了用于利用一個或兩個門，以及快門來進行沉積工藝的設備。為 了以高的沉積速度和/或許多不同的耙材和/或不同類型的源來實現(xiàn)成 本有效的涂層設備，這一任務的困難之處在于在基底臺周圍實現(xiàn)盡可 能多的源，以及實現(xiàn)一個或多個加熱器和用于泵送系統(tǒng)的大凸緣。例 如，用于以較高溫度進行沉積的強力加熱系統(tǒng)減少用于電弧或濺射源 的空間。沉積速度不僅僅取決于源的數(shù)量，還取決于這些源在加工過 程中的應用。較大數(shù)量的源還能夠?qū)е聦拥亩询B或具有不同組成的多 層。US-B1-6315877中描述的設備與通常的涂層設備的不同之處在于， 加熱器被放置在接收的中心。這導致在設備壁處具有更多用于源的空 間，但是這使得基底臺的拆卸復雜。
上述沉積技術(shù)均不能單獨以良好的粘附性、高的耐磨性和剛性、 以及高的耐熱性和耐氧化性使涂層系統(tǒng)沉積，也不能僅通過調(diào)節(jié)涂層 參數(shù)較大程度地改變涂層組分而使涂層系統(tǒng)沉積，并且組合有良好粘 附性的耐磨內(nèi)層。

發(fā)明內(nèi)容
通過根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于在基底上沉積涂層的方法來解決 上述問題。該方法包括以下步驟 -通過電弧蒸鍍進行沉積； -通過雙磁控濺射進行沉積； 所述沉積被順序或同時進行。
這種方法的主要優(yōu)點在于可使涂層系統(tǒng)沉積，并具有良好的粘附 性、高的耐磨性和剛性、高的耐熱和耐氧化性，允許涂層組成較大改 變，以及允許涂層系統(tǒng)的光滑表面。
在上下文中，另一優(yōu)點在于所述涂層包括至少一個通過電弧蒸鍍 沉積的層以及至少一個通過雙磁控濺射沉積的層。
根據(jù)另一實施方式， 一個優(yōu)點在于所述涂層包括至少一個通過電 弧蒸鍍和雙磁控濺射沉積的層。
此外，在上下文中，優(yōu)點在于所述涂層包括通過電弧蒸鍍沉積的 最內(nèi)層。
在上下文中，優(yōu)點在于所述涂層包括通過雙磁控濺射沉積的最外層。
此外，在上下文中，優(yōu)點在于，所述方法還包括以下步驟
-利用金屬離子對所述基底進行等離子蝕刻。
在上下文中，還一優(yōu)點在于，所述方法還包括 -利用非金屬離子對所述基底進行等離子蝕刻。
此外，在上下文中，優(yōu)點在于，利用雙磁控濺射沉積的至少一個 所述層是電絕緣的。
在上下文中，還一優(yōu)點在于，至少一個所述電絕緣層是氧化層。
根據(jù)另一實施方式，優(yōu)點在于，至少一個所述電絕緣層是A1203層。
此外，在上下文中，優(yōu)點在于，所述基底是切削工具基底。
在上下文中，還一優(yōu)點在于，所述方法在真空下進行，而不會破 壞所述真空。
還可利用根據(jù)權(quán)利要求13所述的操作用于在基底上沉積涂層的 設備來解決上述問題。該設備包括用于接收所述基底的真空室。該設 備包括中間部分，第一門部分和第二門部分。第一和第二門部分可在 關(guān)閉位置和打開位置之間操作，當在關(guān)閉位置時，中間部分和第一與
第二門部分提供真空室。該設備還包括多個(n個)設置在第一和第二 門部分上的凸緣。n個凸緣每個均包括一個或幾個磁控濺射源，和/或 一個或幾個電弧蒸鍍源。此外，該設備還包括在每個源前方的可動快 門。該設備還包括控制裝置，可操作用于控制至少一個電弧蒸鍍源 通過電弧蒸鍍進行沉積，和控制至少兩個磁控濺射源通過雙磁控濺射 進行沉積。該至少一個電弧蒸鍍源和該至少兩個磁控濺射源可用于順 序或同時運行。
這個設備的主要優(yōu)點在于，可使涂層系統(tǒng)沉積，并具有良好的粘 附性、高的耐磨性和剛性、高的耐熱和耐氧化性，允許涂層組成較大 改變，以及允許涂層系統(tǒng)的光滑表面。
在上下文中，還一優(yōu)點在于，所述涂層包括至少一個通過所述至 少一個電弧蒸鍍源沉積的層，和至少一個通過所述至少兩個磁控濺射 源沉積的層。
根據(jù)另一實施方式，優(yōu)點在于，所述涂層包括至少一個通過所述 至少一個電弧蒸鍍源和所述至少兩個磁控濺射源沉積的層。
另外，在上下文中，優(yōu)點在于，所述控制裝置可操作用于控制所 述至少一個電弧蒸鍍源來沉積包括在所述涂層中的最內(nèi)層。
在上下文中，還一優(yōu)點在于，所述控制裝置可操作用于控制所述 至少兩個磁控濺射源來沉積包括在所述涂層中的最外層。
此外，在上下文中，優(yōu)點在于，所述設備還包括具有布置在所述 中間部分頂側(cè)上的泵凸緣的泵送系統(tǒng)，所述泵送系統(tǒng)可操作用于在所 述真空室中提供真空。
在上下文中，還一優(yōu)點在于，所述設備還包括布置在所述中間部 分的第一外側(cè)中的第一加熱器裝置，和布置在所述中間部分的第二外 側(cè)中的第二加熱器裝置，其中所述第一和第二加熱器裝置可操作用于 在所述真空室中實現(xiàn)高達800。的加工溫度。
此外，在上下文中，優(yōu)點在于，所述第一和第二加熱器裝置包括 由電阻加熱合金制成的桿。
在上下文中，還一優(yōu)點在于，當所述第一和第二門部分處于所述
關(guān)閉位置時，所述真空室具有八邊形的截面，且其中n等于6。
此外，在上下文中，優(yōu)點在于，所述設備還包括用于利用金屬離 子對所述基底進行等離子蝕刻的裝置。
根據(jù)另一實施方式，優(yōu)點在于，所述設備還包括可利用非金屬離 子對所述基底進行等離子蝕刻的裝置。
在上下文中，還一優(yōu)點在于，通過所述至少兩個磁控濺射源沉積 的至少一個所述層是電絕緣的。
此外，在上下文中，優(yōu)點在于，至少一個所述電絕緣層是氧化層。
根據(jù)另一實施方式，優(yōu)點在于，至少一個所述電絕緣層是A1203層。
在上下文中，還一優(yōu)點在于，所述基底是切削工具基底。
此外，在上下文中，優(yōu)點在于，所述至少兩個磁控濺射源和所述 至少一個電弧蒸鍍源可在真空中操作，而不會破壞所述真空，g卩，不
會使所述真空室中的壓力增大超過lmbar。
上述問題還可通過根據(jù)權(quán)利要求29所述的至少一個計算機程序 產(chǎn)品來解決。所述至少一個計算機產(chǎn)品可直接裝載到至少一個數(shù)字計 算機的內(nèi)部存儲器中，且包括軟件代碼部分，用于在至少一個產(chǎn)品在 至少一個計算機內(nèi)運行時執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明的方法的步驟。
這個計算機程序產(chǎn)品的主要優(yōu)點在于，可使涂層系統(tǒng)沉積，并具 有良好的粘附性、高的耐磨性和剛性、高的耐熱和耐氧化性，允許涂 層組成較大改變，以及允許涂層系統(tǒng)的光滑表面。
應注意，在本說明書中使用的術(shù)語"包括/包括有"旨在表示給定 的特性、步驟或組分的存在，而并不排除一個或多個其他的特性、特 征、整數(shù)、步驟、其組分或組群的存在。


下面將參照附圖描述本發(fā)明的實施方式，在圖中 圖1是根據(jù)本發(fā)明的用于在基底上沉積涂層的方法的第一實施方 式的流程圖2是根據(jù)本發(fā)明的用于在基底上沉積涂層的方法的第二實施方 式的流程圖3是根據(jù)本發(fā)明的操作用于在基底上沉積涂層的設備的示意性 立體圖4是圖3所示的設備的示意性立體圖5示意地示出了根據(jù)本發(fā)明的多個計算機程序產(chǎn)品。
具體實施例方式
圖1中公開了根據(jù)本發(fā)明的用于在基底上沉積涂層的方法的第一
實施方式的流程圖。該方法開始于方框50。該方法在方框52繼續(xù)進行 步驟利用電弧蒸鍍進行沉積。之后，該方法在方框54繼續(xù)進行步驟 利用雙磁控濺射進行沉積。該方法在方框56結(jié)束。
圖2中公開了根據(jù)本發(fā)明的用于在基底上沉積涂層的方法的第二 實施方式的流程圖。該方法開始于方框60。之后，該方法在方框62繼 續(xù)執(zhí)行步驟通過電弧蒸鍍進行沉積，并同時通過雙磁控濺射進行沉 積。該方法在方框64結(jié)束。
從圖1和圖2中可知，這里公開的兩個實施方式的不同之處在于， 方法的第一實施方式中的步驟是順序執(zhí)行的，而相同的步驟在方法的 第二實施方式中是同時執(zhí)行的。
根據(jù)本發(fā)明的方法的另一實施方式，涂層包括至少一個通過電弧 蒸鍍沉積的層和至少一個通過雙磁控濺射沉積的層。
在該方法的另一可選方式中，涂層包括至少一個通過電弧蒸鍍和 雙磁控濺射沉積的層。
此外，涂層還包括通過電弧蒸鍍沉積的最內(nèi)層。由此，產(chǎn)生的最 內(nèi)層具有良好的粘附性。
在本發(fā)明的另一實施方式中，涂層還可包括通過雙磁控濺射沉積 的最外層。由此，實現(xiàn)光滑的外層。
此外，該方法還可以包括利用金屬離子或可選地利用非金屬離 子對基底進行等離子蝕刻。
根據(jù)另一可選方式，該方法還包括利用非金屬離子對基底進行 等離子蝕刻。
在該方法的另一實施方式中，利用雙磁控濺射沉積的至少一個所 述層是電絕緣的。
此外，在該方法的一個實施方式中，至少一個所述電絕緣層是氧 化層。
在該方法的另一實施方式，至少一個所述電絕緣層是Al203層。 此外，所述基底可以是切削工具基底。
優(yōu)選的是，根據(jù)本發(fā)明的方法在真空下進行，而不會破壞所述真空。
在圖3和圖4中還示出了根據(jù)本發(fā)明的操作用于在基底上沉積涂
層的設備10的立體圖。
設備IO包括用于接收所述基底的真空室12。該設備10具有三個 不同的主要部分，即中間部分14，第一門部分16和第二門部分18。 第一和第二門部分16， 18通過鉸鏈15在一端與中間部分14連接，如 圖3和圖4所示。這表示，第一和第二門部分16， 18可打開以在沉積 加工之前將基底放置在基底臺上，或者在沉積加工結(jié)束后取出已處理 過的基底。應指出，圖3和圖4中僅示出了門部分16, 18處于關(guān)閉位 置，由此可以在真空室12中獲得真空。
從圖3和圖4中可知，在這個具體的情況下，設備10包括設置在 第一和第二門部分16， 18上的6個凸緣20r206。每個凸緣20,-206均 包括一個或幾個磁控濺射源(未示出)和/或一個或幾個電弧蒸鍍源(未 示出)。設備10還包括控制裝置(未示出)，其可操作用于控制至少 一個電弧蒸鍍源以通過電弧蒸鍍進行沉積，和控制至少兩個磁控濺射 源以通過雙磁控濺射進行沉積。通過這個設備10，所述至少一個電弧 蒸鍍源和所述至少兩個磁控濺射源可順序或同時運行。設備IO還包括 設置在每個源的前方的可動快門(未示出)。從圖3和圖4中可知， 示出了 6個用于可動快門的頂部凸緣30r306。所述可動快門可在打開 位置和關(guān)閉位置之間操作，當在關(guān)閉位置時，可避免表面意外暴露于 輻射通量?？扉T在正常情況下處于關(guān)閉位置，而且僅當使用其中的一 些源時才處于打開位置。應指出，各個快門都是單獨控制。
為了在真空室12中提供真空，設備IO包括具有設置在中間部分 14的頂側(cè)上的泵凸緣32p 322， 323的泵送系統(tǒng)(未示出)(參見圖3 和圖4)。 設備10還包括布置在中間部分14的第一外側(cè)中的第一加熱器裝
置(未示出)。在圖3和圖4中，示出了用于第一加熱器裝置的兩個 凸緣。設備IO還包括布置在中間部分14的第二外側(cè)中的第二加熱器 裝置(未示出)。第一和第二加熱器裝置可操作用于在真空室12中實 現(xiàn)高達800°的加工溫度。第一和第二加熱器裝置可以為由電阻加熱合 金制成的桿的形式。
從圖3和圖4中可知，在公開的實施方式中，當?shù)谝缓偷诙T部 分16， 18處于所述關(guān)閉位置時，設備10以及真空室12因此具有八邊 形的截面。在這個公開的實施方式中，設備10如上所述的具有6個凸 緣20廣206。
在最普遍的情況下，設備10包括多個數(shù)量為n個、布置在第一和 第二門部分16， 18上的凸緣20r20n。這表示，設備10且因此真空室 12具有n+2個側(cè)邊的截面。
根據(jù)設備10的一個實施方式，涂層包括至少一個通過所述至少一 個電弧蒸鍍源沉積的層以及至少一個通過所述至少兩個磁控濺射源沉 積的層。
根據(jù)設備10的另一實施方式，涂層包括至少一個通過所述至少一 個電弧蒸鍍源和所述至少兩個磁控濺射源沉積的層。
此外，控制裝置可操作用于控制至少一個所述電弧蒸鍍源來沉積 包括在涂層中的最內(nèi)層。
根據(jù)設備10的還一實施方式，控制裝置可操作用于控制所述至少 兩個磁控濺射源來沉積包括在涂層中的最外層。
此外，設備IO可包括用于利用金屬離子對所述基底進行等離子蝕
刻的裝置(未示出)。
根據(jù)設備10的另一實施方式，設備還包括可利用非金屬離子對所 述基底進行等離子蝕刻的裝置(未示出)。
此外，根據(jù)另一可選形式，通過所述至少兩個磁控濺射源沉積的 至少一個所述層是電絕緣的。
根據(jù)設備10的另一實施方式，至少一個所述電絕緣層是氧化層。
此外，根據(jù)另一可選形式，至少一個所述電絕緣層是八1203層。
優(yōu)選的是，所述基底是切削工具基底。
根據(jù)設備10的還一實施方式，所述至少兩個磁控濺射源和所述至
少一個電弧蒸鍍源可在真空中操作，而不會破壞所述真空。
設備IO的設計允許高的加工溫度、低的基礎壓力、高的生產(chǎn)率和 /或高達6種不同的靶材，并且能夠生產(chǎn)具有具有均勻?qū)雍竦?、由全?6種靶材構(gòu)成的層，以及可容易地從電弧源改變?yōu)榇趴貫R射源。
電弧蒸鍍源和磁控濺射源可順序或同時運行。同時運行的沉積導 致了多層的或共同沉積的層。
根據(jù)基底臺的設計，多層涂層是周期性的或非周期性的。
在圖5中，示意地示出了根據(jù)本發(fā)明的一些計算機程序產(chǎn)品 102p…102n。在圖5中，示出了 n個不同的數(shù)字計算機100i，…，100n， 其中n是整數(shù)。在圖5中，示出了 n個不同的計算機程序產(chǎn)品102P…， 102n，這里示出的為不同形式的CD盤。不同的計算機程序產(chǎn)品102p…，
102n被直接裝載到n個不同計算機100P…，100n的內(nèi)部存儲器中。 每個計算機產(chǎn)品102p…，102n均包括軟件代碼部分，用于當在計算 機100p…，100n上運行產(chǎn)品102P…，102n時執(zhí)行根據(jù)圖1或圖2 的所有的步驟。計算機程序產(chǎn)品102^…，102n可例如為磁盤，RAM 盤，磁帶，磁性光盤或一些其他合適產(chǎn)品的形式。
本發(fā)明并不限于上述實施方式。本領(lǐng)域技術(shù)人員應明白在所附
權(quán)利要求的范圍內(nèi)可進行許多不同的改進。
權(quán)利要求
1.用于在基底上沉積涂層的方法，該方法包括以下步驟-通過電弧蒸鍍進行沉積所述涂層；-通過雙磁控濺射進行沉積所述涂層；所述沉積步驟被順序或同時進行。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的用于在基底上沉積涂層的方法，其特征 在于，所述涂層包括至少一個通過電弧蒸鍍沉積的層以及至少一個通 過雙磁控濺射沉積的層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于在基底上沉積涂層的方法，其 特征在于，所述涂層包括至少一個通過電弧蒸鍍和雙磁控濺射沉積的層。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的用于在基底上沉積涂層的方法，其 特征在于，所述涂層包括通過電弧蒸鍍沉積的最內(nèi)層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2-4中任一項所述的用于在基底上沉積涂層的方 法，其特征在于，所述涂層包括通過雙磁控濺射沉積的最外層。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的用于在基底上沉積涂層的方 法，其特征在于，所述方法還包括以下步驟-利用金屬離子對所述基底進行等離子蝕刻。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的用于在基底上沉積涂層的方 法，其特征在于，所述方法還包括以下步驟-利用非金屬離子對所述基底進行等離子蝕刻。
8. 根據(jù)權(quán)利要求2-7中任一項所述的用于在基底上沉積涂層的方 法，其特征在于，利用雙磁控濺射沉積的所述層中的至少一個是電絕 緣的。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于在基底上沉積涂層的方法，其特征在于，所述電絕緣層中的至少一個是氧化層。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的用于在基底上沉積涂層的方法， 其特征在于，所述電絕緣層中的至少一個是八1203層。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1-10中任一項所述的用于在基底上沉積涂層的 方法，其特征在于，所述基底是切削工具基底。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1-11中任一項所述的用于在基底上沉積涂層的 方法，其特征在于，所述方法在真空下進行，而不會破壞所述真空。
13. 操作用于在基底上沉積涂層的設備(IO)，其中所述設備(IO) 包括用于接收所述基底的真空室(12)，所述設備包括中間部分(14)， 第一門部分(16)和第二門部分(18)，其中所述第一門部分和第二 門部分(16， 18)可在關(guān)閉位置和打開位置之間操作，當在關(guān)閉位置 時，所述中間部分(14)和第一門部分與第二門部分(16， 18)提供 所述真空室(12)，所述設備(10)還包括多個數(shù)量為n的、設置在 所述第一門部分和第二門部分(16， 18)上的凸緣(20P…，20n)， 所述n個凸緣(20P…，20n)每個均包括一個或幾個磁控濺射源，和 /或一個或幾個電弧蒸鍍源，所述設備(10)還包括在每個源前方的可 動快門，其中所述設備(10)還包括控制裝置，其操作用于控制至少 一個電弧蒸鍍源以通過電弧蒸鍍進行沉積，和控制至少兩個磁控濺射 源以通過雙磁控濺射進行沉積，其中所述至少一個電弧蒸鍍源和所述 至少兩個磁控濺射源能夠順序或同時運行。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的操作用于在基底上沉積涂層的設備 (10)，其特征在于，所述涂層包括至少一個通過所述至少一個電弧 蒸鍍源沉積的層，和至少一個通過所述至少兩個磁控濺射源沉積的層。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的操作用于在基底上沉積涂層的 設備(10)，其特征在于，所述涂層包括至少一個通過所述至少一個 電弧蒸鍍源和所述至少兩個磁控濺射源沉積的層。
16. 根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的操作用于在基底上沉積涂層的 設備(10)，其特征在于，所述控制裝置能夠操作用于控制所述至少 一個電弧蒸鍍源來沉積包括在所述涂層中的最內(nèi)層。
17. 根據(jù)權(quán)利要求14-16中任一項所述的操作用于在基底上沉積 涂層的設備(10)，其特征在于，所述控制裝置能夠操作用于控制所 述至少兩個磁控濺射源來沉積包括在所述涂層中的最外層。
18. 根據(jù)權(quán)利要求13-17中任一項所述的操作用于在基底上沉積 涂層的設備(10)，其特征在于，所述設備(10)還包括具有布置在 所述中間部分(14)頂側(cè)上的泵凸緣的泵送系統(tǒng)，所述泵送系統(tǒng)操作 用于在所述真空室(12)中提供真空。
19. 根據(jù)權(quán)利要求13-18中任一項所述的操作用于在基底上沉積 涂層的設備(10)，其特征在于，所述設備(10)還包括布置在所述 中間部分(14)的第一外側(cè)中的第一加熱器裝置，和布置在所述中間 部分(14)的第二外側(cè)中的第二加熱器裝置，其中所述第一加熱器裝 置和第二加熱器裝置操作用于在所述真空室(12)中實現(xiàn)高達800。的 處理溫度。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的操作用于在基底上沉積涂層的設備 (10)，其特征在于，所述第一加熱器裝置和第二加熱器裝置包括由電阻加熱合金制成的桿。
21. 根據(jù)權(quán)利要求13-20中任一項所述的操作用于在基底上沉積 涂層的設備(IO)，其特征在于，當所述第一門部分和第二門部分(16， 18)處于所述關(guān)閉位置時，所述真空室(12)具有八邊形的截面，且 其中n等于6。
22. 根據(jù)權(quán)利要求13-21中任一項所述的操作用于在基底上沉積 涂層的設備(10)，其特征在于，所述設備(10)還包括操作用于利 用金屬離子對所述基底進行等離子蝕刻的裝置。
23. 根據(jù)權(quán)利要求13-21中任一項所述的操作用于在基底上沉積 涂層的設備(10)，其特征在于，所述設備(10)還包括操作利用非 金屬離子對所述基底進行等離子蝕刻的裝置。
24. 根據(jù)權(quán)利要求14-23中任一項所述的操作用于在基底上沉積 涂層的設備(10)，其特征在于，通過所述至少兩個磁控濺射源而沉 積的所述層中的至少一個是電絕緣的。
25. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的操作用于在基底上沉積涂層的設備 (10)，其特征在于，所述電絕緣層中的至少一個是氧化層。
26. 根據(jù)權(quán)利要求24或25所述的操作用于在基底上沉積涂層的 設備(10)，其特征在于，所述電絕緣層中的至少一個是Al203層。
27. 根據(jù)權(quán)利要求13-26中任一項所述的操作用于在基底上沉積 涂層的設備(10)，其特征在于，所述基底是切削工具基底。
28. 根據(jù)權(quán)利要求13-27中任一項所述的操作用于在基底上沉積 涂層的設備(10)，其特征在于，所述至少兩個磁控濺射源和所述至 少一個電弧蒸鍍源能夠在真空中操作，而不會破壞所述真空。
29.至少一個計算機程序產(chǎn)品(102P…102。，其可被直接裝載 到至少一個數(shù)字計算機(100P…100n)的內(nèi)部存儲器中，該計算機程 序產(chǎn)品包括軟件代碼部分，用于在所述至少一個產(chǎn)品(102P…102J 在所述至少一個計算機(100P…100J內(nèi)運行時執(zhí)行根據(jù)權(quán)利要求1 的方法的步驟。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于在基底上沉積涂層的方法。該方法包括以下步驟通過電弧蒸鍍進行沉積所述涂層；通過雙磁控濺射進行沉積所述涂層；所述沉積步驟被順序或同時進行。
文檔編號C23C14/35GK101368260SQ200810215959
公開日2009年2月18日 申請日期2001年8月29日 優(yōu)先權(quán)日2001年8月29日
發(fā)明者托爾比約恩·塞林德, 馬庫斯·羅德馬爾 申請人:山特維克知識產(chǎn)權(quán)股份有限公司