專利名稱：基板表面處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基板表面處理裝置，例如對硅基板、合成半導(dǎo)體基板、玻璃基板等的基板表面，通過向基板表面噴出運載氣體的方式進行表面處理的基板表面處理裝置。
背景技術(shù)：
專利文件特開平11-80959號公報基板表面處理裝置在與半導(dǎo)體相關(guān)的行業(yè)中，用于半導(dǎo)體基板表面進行清洗、氧化、薄膜堆積等工序的處理裝置。此外，在與玻璃相關(guān)的行業(yè)中，也用于液晶顯示器、等離子顯示器等產(chǎn)品的表面處理。
例如，圖5為以往例1的硅基板表面處理裝置MOCVD膛部的結(jié)構(gòu)縱剖面圖。
圖5中，硅基板S是用設(shè)置在基板下部的加熱裝置1來加熱的。
在與硅基板S相對的方向，設(shè)有氣體噴嘴板2，以向硅基板S均勻供給薄膜原料為目的的運載氣體G，通過供給氣體3a，并設(shè)有形成以該運載氣體供給口3a為中心，向圖示下方擴展大致呈圓錐狀的運載氣體擴散部3b的供給模具3。此外，在氣體噴嘴板2中，形成面向與運載氣體擴散部3b相連接的硅基板S表面噴出運載氣體G的若干個運載氣體通氣孔2a，沿著噴出運載氣體G的流路，即從運載氣體供給口3a，經(jīng)由氣體擴散部3b，到達(dá)運載氣體通氣孔2a，噴出運載氣體。
由于通過噴氣流路供給的運載氣體G，在硅基板S上起熱分解反應(yīng)，在硅基板S的表面，將薄膜堆積起來。在完成薄膜形成的目的之后，運載氣體G，經(jīng)由在加熱裝置1與氣體噴嘴板2之間形成的運載氣體排氣口4，通過未經(jīng)圖示的真空泵等進行排放。
另外，氣體噴嘴板2從加熱裝置1及硅基板S接收輻射后，溫度上升。一般情況下，由于氣體噴嘴板2的中部與周邊相比溫度較高，容易引起過熱的狀態(tài)。因此，氣體噴嘴板2通常要使用熱傳導(dǎo)性能良好的鋁制品。而且，為了防止氣體噴嘴板2過熱，一般采用外圍水冷的方式，即在氣體噴嘴板2的周邊設(shè)置冷卻水用的循環(huán)路5。
然而，在圖5所示的以往例1的結(jié)構(gòu)中，為了能夠適應(yīng)大口徑硅基板S，氣體噴嘴板2也必須擴大直徑。為此，外圍水冷式的氣體噴嘴板2其中央部與周邊就會產(chǎn)生50～80℃的溫差。這種溫差對于基板表面處理裝置進行均質(zhì)化處理是一個致命的現(xiàn)象。
例如，通常應(yīng)用于MOCVD的固體原料，因為其蒸汽壓力明顯低，為穩(wěn)定地獲得所需數(shù)量的CVD原料，就必須在高溫下加熱。為了輸送前述原料氣體，排放出的運載氣體G也要加熱到200℃后才能輸送至運載氣體供給口3a。此外，為了加熱運載氣體G，要在圓錐狀的運載氣體擴散部3b的周圍設(shè)置加熱器6。
此外，若含有原料氣體的運載氣體G溫度過低，在構(gòu)成氣體噴嘴板2的內(nèi)部或運載氣體通氣孔2a中的原料氣體的成份就會凝固。與此相反，眾所周知，若含有原料氣體的運載氣體G在加溫過程中溫度過高，在構(gòu)成氣體噴嘴板2的內(nèi)部或運載氣體通氣孔2a就會產(chǎn)生薄膜和中間生成物堆積的現(xiàn)象。其結(jié)果，在硅基板S上就難以獲得我們所希望的薄膜。
例如，圖6為以往例2的硅處理裝置的MOCVD膛部的結(jié)構(gòu)縱剖面圖。
如圖6所示，氣體噴嘴板12中形成若干個運載氣體通氣孔12a的同時，在該運載氣體通氣孔12a之間設(shè)置了熱介質(zhì)的熱傳導(dǎo)路徑12b。此時，若各熱傳導(dǎo)路徑12b之間相互保持平行，且熱介質(zhì)流動的方向一致時，則氣體噴嘴板12的表面溫差將大約減少30℃。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的課題當(dāng)前，所要處理的表面面積呈現(xiàn)逐漸擴大的趨勢，而且目前對于處理的均質(zhì)化的精度要求越來越高。因此，針對上述以往例2中所涉及的問題，近期的基板表面處理裝置無法充分滿足要求。僅在復(fù)數(shù)運載氣體通氣孔12a之間設(shè)置熱介質(zhì)的熱傳導(dǎo)路徑12b，很難將這種高溫狀態(tài)維持下去，因為使用的運載氣體將達(dá)到200℃的高溫。
本發(fā)明的目的就是為了在更高的溫度下同樣可以提供能進行均質(zhì)化處理的基板表面處理裝置。
解決課題的手段為了實現(xiàn)這一目的，本發(fā)明的基板表面處理裝置，是由若干個氣體通氣孔將運載氣體向基板表面實施供給，并對該基板表面實施表面處理的基板表面處理裝置，其特征是，供給所定熱介質(zhì)的熱介質(zhì)入口連接上流環(huán)，前述熱介質(zhì)放出的熱介質(zhì)出口連接下流環(huán)，前述熱介質(zhì)的流動方向是從前述上流環(huán)至前述下流環(huán)，前述上流環(huán)和前述下流環(huán)之間被若干個熱傳導(dǎo)路徑所連接，兩兩相鄰的熱傳導(dǎo)路徑中的熱介質(zhì)的流動方向相反，且前述熱介質(zhì)可以是高于運載氣體的供給溫度的高溫氣體。
本發(fā)明的基板表面處理裝置，其特征在于經(jīng)由前述若干個熱傳導(dǎo)路徑從前述上流環(huán)至前述下流環(huán)的熱介質(zhì)循環(huán)路上，前述運載氣體從供給源至前述運載氣體通氣孔所構(gòu)成的氣體噴出流路的終端部分設(shè)置了熱變換板，該熱變換板是通過前述熱介質(zhì)循環(huán)路加熱運載氣體使其溫度大致均一。
基板表面處理裝置，其特征在于前述若干個運載氣體通氣孔是在前述熱變換板的垂直方向形成的，并且，前述熱傳導(dǎo)路徑與前述上流環(huán)大致在同一平面上，且處于上流環(huán)的內(nèi)徑側(cè)位置，在上流環(huán)側(cè)前述運載氣體通過前述若干個氣體通氣孔時，被加熱使其溫度大致均一。
本發(fā)明的基板表面處理裝置，其特征在于前述熱傳導(dǎo)路徑與前述下流環(huán)或前述上流環(huán)之間的連接部分，至少在一方設(shè)置對前述熱傳導(dǎo)路徑內(nèi)流動的前述熱介質(zhì)的流量進行控制的流量調(diào)節(jié)機構(gòu)。
本發(fā)明的基板表面處理裝置，其特征在于前述氣體，是氬、氮、空氣的單獨氣體或混合氣體。
本發(fā)明的基板表面處理裝置，其特征在于前述氣體比前述運載氣體的供給溫度還要高。
發(fā)明的效果本發(fā)明的基板表面處理裝置，是在指定的供給熱介質(zhì)的介質(zhì)體入口同上流環(huán)連接，同時將熱介質(zhì)放出的熱介質(zhì)出口同下流環(huán)連接，前述熱介質(zhì)的流動方向是從前述上流環(huán)至前述下流環(huán)，前述上流環(huán)和前述下流環(huán)之間被若干個熱傳導(dǎo)路徑所連接，兩兩相鄰的熱傳導(dǎo)路徑中的熱介質(zhì)的流動方向相反，同時，熱介質(zhì)使用高于運載氣體的供給溫度的高溫氣體，所以能實現(xiàn)運載氣體的高溫化，因此能實現(xiàn)高度均質(zhì)的表面處理。
本發(fā)明的基板表面處理裝置，是從運載氣體供給源到運載氣體通氣孔然后通過傳導(dǎo)吹氣流路的終端部所形成的在熱變換板上從上流環(huán)經(jīng)過若干個熱傳導(dǎo)路徑流到下流環(huán)的過程中設(shè)置了熱介質(zhì)循環(huán)路，根據(jù)這個熱介質(zhì)循環(huán)路，熱變換板被加熱，使其溫度大致均一，因此使運載氣體能獲得穩(wěn)定的高溫化加熱效果，從而實現(xiàn)更高層面的均質(zhì)處理。
本發(fā)明的基板表面處理裝置，是在熱變換板上設(shè)置若干個運載氣體通氣孔，成垂直方向，熱傳導(dǎo)路徑與上流環(huán)大致在同一平面上，且處于上流環(huán)的內(nèi)徑側(cè)位置，在上流環(huán)側(cè)運載氣體通過若干個運載氣體通氣孔時，被加熱使其溫度大致均一，從而對運載氣體用高溫分別進行高溫化處理。
本發(fā)明的基板表面處理裝置，為了控制熱介質(zhì)通過熱傳導(dǎo)路徑的流量，在熱傳導(dǎo)路徑與下流環(huán)或上流環(huán)之間的連接部分至少在一方設(shè)置一個流量調(diào)節(jié)機構(gòu)，以實現(xiàn)對熱傳導(dǎo)路徑內(nèi)的熱介質(zhì)進行溫度的均一控制。


為應(yīng)用于本發(fā)明的基板表面處理裝置的運載氣體加熱管裝置，(A)為運載氣體加熱管裝置外部透視圖，(B)為熱介質(zhì)的流路說明圖。
為對圖1的結(jié)構(gòu)加以說明的剖面圖。
為對熱變換板的結(jié)構(gòu)加以說明的剖面圖。
為本發(fā)明的基板表面處理裝置的整體結(jié)構(gòu)剖面圖。
以往例1的基板表面處理裝置的剖面圖。
以往例2的基板表面處理裝置的剖面圖。
符號說明31供給管(熱介質(zhì)入口)32上流環(huán)33排放管(熱介質(zhì)出口)34下流環(huán)35連接管35a熱傳導(dǎo)管部(熱傳導(dǎo)路徑)35b孔22氣體噴嘴板(熱變換板)22c運載氣體通氣孔具體實施方式
參照下列附圖，詳細(xì)說明基于本發(fā)明的基板表面處理裝置的實施形態(tài)。參照圖1～圖4，對本發(fā)明的硅基板表面處理裝置的實施形態(tài)分別進行展示。
問題點的探討若物體呈圓板狀，通過其中軸線的熱傳導(dǎo)路徑與從中心至外圍的間距越大，通常，從熱源接受的熱能就越少。因此，對于采取若干個熱傳導(dǎo)路徑的本實施方式，有必要對各熱傳導(dǎo)路徑的熱介質(zhì)流量逐一進行調(diào)整。而且，可根據(jù)實驗對流量進行適當(dāng)調(diào)整。
此外，在舊模式的事例2的圖6中，在氣體噴嘴板12中確保復(fù)數(shù)的熱介質(zhì)的熱傳導(dǎo)路徑12b，并在相鄰的熱傳導(dǎo)路徑12b之間設(shè)置運載氣體通氣孔12a，同時，各熱傳導(dǎo)路徑12b保持相互平行，若在相鄰的熱傳導(dǎo)路徑12b中熱介質(zhì)流動的方向相反，則在氣體噴嘴板12內(nèi)的溫差會減少5℃。
該結(jié)果作為基板表面處理裝置基本上沒有什么問題，但熱介質(zhì)的流動十分復(fù)雜，實用的氣體噴嘴板12的制作以及熱介質(zhì)循環(huán)的連接方法極其復(fù)雜，所以以這種狀況，還不能為基板表面處理裝置所用。
針對內(nèi)置熱源的膛壁(圓筒狀、箱狀)，相互之間構(gòu)成熱介質(zhì)的相向流動，可以控制壁的溫度。在這種情況下，對各熱傳導(dǎo)路徑安裝旋緊閥比固定式孔更加便利。
本發(fā)明實施的形態(tài)構(gòu)成圖1(A)是本發(fā)明的基板表面處理裝置所適應(yīng)的構(gòu)成熱介質(zhì)循環(huán)的概念展示透視圖，圖1(B)是熱介質(zhì)流路的說明圖，圖2同樣是本發(fā)明基板表面處理裝置所適應(yīng)的構(gòu)成熱介質(zhì)循環(huán)的概念展示斷面圖，圖3同樣是本發(fā)明基板表面處理裝置所適應(yīng)的構(gòu)成熱介質(zhì)循環(huán)的核心部分的擴大斷面圖。圖4同樣是本發(fā)明基板表面處理裝置的斷面圖。
適用于熱介質(zhì)循環(huán)的本實施形態(tài)，具備上述的加熱組件1，運載氣體排氣孔4。
在與硅基板S的相對的方向設(shè)有氣體噴嘴板22，以向硅基板S均勻供給薄膜原料為目的的運載氣體G，通過供給氣體口22a，并以該運載氣體供給口22a為中心向圖示下方大致呈圓錐形的運載氣體擴散部22b，并通過與運載氣體擴散部22b相連接，形成向硅基板S表面噴出運載氣體G的若干個運載氣體通氣孔22c，并將該運載氣體G所經(jīng)過的通道，即從運載氣體供給口22a，經(jīng)過氣體擴散部22b，到達(dá)運載氣體通氣孔22c，作為噴出運載氣體的流路。
經(jīng)由噴出運載氣體的流路供給的運載氣體G，在硅基板S上起熱分解反應(yīng)，因此，在硅基板S的表面，薄膜被堆積起來。已完成薄膜形成的作用的運載氣體G，經(jīng)過在加熱裝置1與氣體噴嘴板22之間形成的運載氣體排氣口4，采用未經(jīng)圖示的真空泵排放出來。
另外，在氣體噴嘴板22，配置形成由高溫氣體形成熱介質(zhì)的熱傳導(dǎo)路徑的運載氣體加熱管裝置30。
該運載氣體加熱管裝置30，如圖1所示，成為熱介質(zhì)入口的供給管31與在下方的大口徑圓環(huán)狀的上流環(huán)32連接，以及成為熱介質(zhì)出口的排放管33與在上方的小口徑圓環(huán)狀的下流環(huán)34連接，平行配置，同時，設(shè)有構(gòu)成用于控制該上流環(huán)32與下流環(huán)34相連接，用于從熱介質(zhì)入口供給、并從熱介質(zhì)出口排放的熱介質(zhì)流動的復(fù)數(shù)的大致呈L形彎曲的連接管35。
連接管35在上流側(cè)設(shè)有熱傳導(dǎo)管部35a，該熱傳導(dǎo)管部35a與上流環(huán)32處于同一平面狀的內(nèi)徑側(cè)，其端部與上流環(huán)32相連接。此時，如圖1(B)所示，以供給管31為基準(zhǔn)，將熱傳導(dǎo)管部35a與上流環(huán)32相互連接，從供給管31供給，向圖的左右兩側(cè)被分散的熱介質(zhì)，在相鄰的熱傳導(dǎo)管部35a相互向反方向流動。另外，如圖4所示，各熱傳導(dǎo)管部35a，熱介質(zhì)的流動方向位于上流側(cè)，維持著較高溫度的狀態(tài)，在各運載氣體通氣孔22c之間相互配置，對通過該運載氣體通氣孔22c的運載氣體G的溫度進行調(diào)節(jié)。
此時，若需要加熱運載氣體G，例如，本實施形態(tài)所示硅基板S等涉及半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)域的作為基板表面處理裝置使用時，在熱介質(zhì)采用高溫氣體。另外，若需要對運載氣體G進行冷卻，例如與玻璃相關(guān)的產(chǎn)業(yè)，作為液晶顯示器、等離子顯示器等基板表面清洗裝置使用時，對熱介質(zhì)使用冷卻水或低溫氣體。然而，作為高溫氣體的一種，使用氬氣、氮氣、空氣等，無論是哪種介質(zhì)的運載氣體G的加熱溫度(或冷卻溫度)，都必須具有與之相對應(yīng)的種類和溫度設(shè)定。另外，特別是以加熱為目的使用時，高溫氣體等氣體溫度的設(shè)定可以超過液體溫度的設(shè)定，并且，運載氣體加熱管裝置30的流路內(nèi)壁具有不易因年久而被腐蝕的優(yōu)點。
例如，各連接管35，要考慮到從供給管31的連接距離(連接位置)和熱傳導(dǎo)管部35a的長度等條件，在下流環(huán)34(或上流環(huán)32)與其連接部，設(shè)置限制熱傳導(dǎo)管部35a內(nèi)部流動的熱介質(zhì)流量的孔或?qū)α髁窟M行調(diào)節(jié)機構(gòu)35b，以實現(xiàn)運載氣體溫度的均勻化。
為此，適合這種形態(tài)的熱介質(zhì)循環(huán)路具備上流環(huán)32、下流環(huán)34以及形成連接上流環(huán)32和下流環(huán)34的復(fù)數(shù)的熱傳導(dǎo)路徑的連接管35，在形成復(fù)數(shù)的運載氣體通氣孔22c的氣體噴嘴板22且構(gòu)成了運載氣體G的熱變換板。
另外，在熱傳導(dǎo)管部35a形成的熱傳導(dǎo)路徑相互平行，且由于在相鄰的熱傳導(dǎo)路徑內(nèi)流動的熱介質(zhì)的流動方向正好相反，特別是能夠降低在大口徑氣體噴嘴板22中，上流點與下流點之間所產(chǎn)生的溫差。下文將詳細(xì)介紹這種關(guān)系。
在熱傳導(dǎo)路徑中，若熱介質(zhì)的溫度高于具有熱變換板功能的氣體噴嘴板22時，熱介質(zhì)的溫度經(jīng)過熱傳導(dǎo)路徑，被傳遞到氣體噴嘴板22。相反，若熱介質(zhì)的溫度低于具有熱變換板功能的氣體噴嘴板22時，將對氣體噴嘴板22進行冷卻。與以往的基板表面處理裝置相比，在熱傳導(dǎo)路徑內(nèi)流動的熱介質(zhì)與加熱器和在采用來自硅基板S的輻射熱進行加熱的熱變換板，關(guān)于熱傳導(dǎo)作用的構(gòu)成是完全不同的。
關(guān)于熱變換，對熱變換板進行加熱時，將熱傳導(dǎo)路徑內(nèi)的熱介質(zhì)溫度對上流側(cè)和下流側(cè)進行比較時，上流側(cè)的溫度較高，下流側(cè)的溫度就會變低。因此，在同一條熱傳導(dǎo)路徑中，上流和下流就會產(chǎn)生溫差。關(guān)于該熱變換，若對熱變換板進行冷卻，將熱傳導(dǎo)路徑內(nèi)的熱介質(zhì)溫度按上流側(cè)和下流側(cè)進行比較時，上流側(cè)的溫度低，下流側(cè)的溫度就會變高。因此，在同一條熱傳導(dǎo)路徑中，上流和下流就會產(chǎn)生溫差。
可是，若從氣體噴嘴板22的總體上看，相鄰的熱傳導(dǎo)路徑的上流與下流流動的方向相反，因此，與氣體噴嘴板22相鄰的區(qū)域溫差高低的構(gòu)成是高/低/高/低……。
在此，本構(gòu)成力圖消除氣體噴嘴板22所產(chǎn)生的潛在溫度差的主要原因。因此氣體噴嘴板22能夠達(dá)到更好地、更均勻地對熱介質(zhì)進行加熱處理?？赏ㄟ^孔35b對各熱傳導(dǎo)路徑內(nèi)的熱介質(zhì)流量進行調(diào)節(jié)來實現(xiàn)對氣體噴嘴板22的加熱均一化的調(diào)控。
如圖4所示，關(guān)于本實施形態(tài)的基板表面處理裝置，是由設(shè)置在硅基板S下部的加熱裝置1進行加熱，在該硅基板S的對向設(shè)有氣體噴嘴板22，以向硅基板S均勻供給薄膜原料為目的，設(shè)置復(fù)數(shù)的運載氣體通氣孔22c及呈圓錐狀的運載氣體擴散部22b。經(jīng)由運載氣體22c被供給的運載氣體G，在硅基板S上起熱分解反應(yīng)后，在硅基板S的表面上堆積成薄膜。在薄膜形成的目的完成之后，運載氣體G利用真空泵通過排氣口4進行排放。
氣體噴嘴板22，是從供給管31供給熱介質(zhì)(高溫氣體)，經(jīng)過適用于由上流環(huán)32、連接管35、下流環(huán)34等部分構(gòu)成的本實施形態(tài)的熱介質(zhì)循環(huán)的氣體噴嘴板22，并從排放管33排放。一方面，熱介質(zhì)提供自身所保持的熱能，完成其作為熱介質(zhì)的作用。另一方面，氣體噴嘴板22，熱介質(zhì)從自身所構(gòu)成的板平面接受熱供給，從而達(dá)到均勻加熱的目的。
運載氣體G是為了對硅基板S進行表面處理用的，從運載氣體供給口3被均勻分布后進行供給，并通過在氣體噴嘴板22的運載氣體通氣孔22c進行加熱，在對硅基板S的表面進行加熱處理后，通過排放口4進行排放。
產(chǎn)業(yè)上的可行性本發(fā)明的基板表面處理裝置，是在指定的供給熱介質(zhì)的介質(zhì)體入口同上流環(huán)連接，同時將熱介質(zhì)放出口的熱介質(zhì)出口同下流環(huán)連接，熱介質(zhì)的流動方向是從上流環(huán)至下流環(huán)，上流環(huán)和下流環(huán)之間被若干個熱傳導(dǎo)路徑所連接，兩兩相鄰的熱傳導(dǎo)路徑中的熱介質(zhì)的流動方向相反，同時，熱介質(zhì)使用高于運載氣體的供給溫度的高溫氣體，所以能實現(xiàn)運載氣體的高溫化，因此能實現(xiàn)高度均質(zhì)的表面處理。
本發(fā)明的基板表面處理裝置，是從運載氣體供給源到運載氣體通氣孔然后通過傳導(dǎo)吹氣流路的終端部所形成的在熱變換板上從上流環(huán)經(jīng)過若干個熱傳導(dǎo)路徑流到下流環(huán)的過程中設(shè)置了熱介質(zhì)循環(huán)路，根據(jù)這個熱介質(zhì)循環(huán)路，熱變換板被加熱，使其溫度大致均一，因此使運載氣體能獲得穩(wěn)定的高溫化加熱效果，從而實現(xiàn)更高層面的均質(zhì)處理。
本發(fā)明的基板表面處理裝置，是在熱變換板上裝有復(fù)數(shù)的運載氣體通氣孔，形成垂直方向，熱傳導(dǎo)路徑是與上流環(huán)在同一平面上的內(nèi)徑側(cè)的位置在上流環(huán)通過復(fù)數(shù)的通氣孔時，能對運載氣體，用高溫且分別進行高溫的處理。
本發(fā)明的基板表面處理裝置，為了控制熱介質(zhì)通過熱傳導(dǎo)路徑的流量，在下流環(huán)或上流環(huán)之間的連接部分至少在一側(cè)安裝一個流量調(diào)節(jié)閥，以實現(xiàn)對熱傳導(dǎo)路徑內(nèi)的熱介質(zhì)的溫度控制。
權(quán)利要求
1.一種基板表面處理裝置，其特征在于是由若干個氣體通氣孔將運載氣體向基板表面實施供給，并對該基板表面實施表面處理的基板表面處理裝置，其特征是，供給所定熱介質(zhì)的熱介質(zhì)入口連接上流環(huán)，前述熱介質(zhì)放出的熱介質(zhì)出口連接下流環(huán)，前述熱介質(zhì)的流動方向是從前述上流環(huán)至前述下流環(huán)，前述上流環(huán)和前述下流環(huán)之間被若干個熱傳導(dǎo)路徑所連接，兩兩相鄰的熱傳導(dǎo)路徑中的熱介質(zhì)的流動方向相反，且前述熱介質(zhì)可以是氣體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板表面處理裝置，其特征在于經(jīng)由前述若干個熱傳導(dǎo)路徑從前述上流環(huán)至前述下流環(huán)的熱介質(zhì)循環(huán)路上，前述運載氣體從供給源至前述運載氣體通氣孔所構(gòu)成的氣體噴出流路的終端部分設(shè)置了熱變換板，該熱變換板是通過前述熱介質(zhì)循環(huán)路加熱運載氣體使其溫度大致均一。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板表面處理裝置，其特征在于前述若干個運載氣體通氣孔是在前述熱變換板的垂直方向形成的，并且，前述熱傳導(dǎo)路徑與前述上流環(huán)大致在同一平面上，且處于上流環(huán)的內(nèi)徑側(cè)位置，在上流環(huán)側(cè)前述運載氣體通過前述若干個氣體通氣孔時，被加熱使其溫度大致均一。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3之一所述的基板表面處理裝置，其特征在于前述熱傳導(dǎo)路徑與前述下流環(huán)或前述上流環(huán)之間的連接部分，至少在一方設(shè)置對前述熱傳導(dǎo)路徑內(nèi)流動的前述熱介質(zhì)的流量進行控制的流量調(diào)節(jié)機構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4之一所述的基板表面處理裝置，其特征在于前述氣體，是氬、氮、空氣的單獨氣體或混合氣體。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5之一所述的基板表面處理裝置，其特征在于前述氣體比前述運載氣體的供給溫度還要高。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能實現(xiàn)運載氣體高溫化，并且能達(dá)到高度均質(zhì)處理的基板表面處理裝置。供給所定的熱介質(zhì)的熱介質(zhì)入口連接上流環(huán)，前述熱介質(zhì)放出的熱介質(zhì)出口連接下流環(huán)，前述熱介質(zhì)的流動方向是從前述上流環(huán)至前述下流環(huán)，前述上流環(huán)和前述下流環(huán)之間被若干個熱傳導(dǎo)路徑所連接，兩兩相鄰的熱傳導(dǎo)路徑中的熱介質(zhì)的流動方向相反，并且熱介質(zhì)可以使用氣體。
文檔編號C23C16/44GK101088146SQ200580044309
公開日2007年12月12日 申請日期2005年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月24日
發(fā)明者梅田優(yōu) 申請人:渡邊商行株式會社