專利名稱：離子注入方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于在基片(例如半導(dǎo)體基片)平面上形成非均勻的劑量(每一單元區(qū)域注入離子的數(shù)量)分布(dose distribution)的離子注入(ion implantation)方法和裝置。
背景技術(shù)：
在傳統(tǒng)的離子注入技術(shù)中，一個(gè)主要的課題在于均勻地把離子注入基片的平面。在近些年來(lái)，出現(xiàn)了對(duì)于形成所期望的圖案的非均勻劑量分布的需求。該非均勻劑量分布是非均勻的劑量分布，或者在多個(gè)區(qū)域中具有不同劑量數(shù)量的劑量分布。
例如，在近些年來(lái)，生產(chǎn)諸如LSI和存儲(chǔ)器的半導(dǎo)體器件的工藝是復(fù)雜的，并且半導(dǎo)體基片尺寸較大，也很昂貴。因此，提高制造半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中的產(chǎn)量是很重要的。即，盡可能有效地利用一個(gè)基片是很重要的。為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，在用于制造半導(dǎo)體器件的多個(gè)工藝中的離子注入工藝中，存在著這樣的強(qiáng)烈需求，即通過(guò)任意使得劑量分布在基片的平面內(nèi)非均勻(被稱作APC先進(jìn)工藝控制)和任意改變特性(例如，F(xiàn)ET的閾值電壓Vth)，來(lái)校正形成在基片的平面內(nèi)的半導(dǎo)體器件的特定區(qū)域中的半導(dǎo)體器件的特性。
如在JP-A-2003-132835(第0011-0014段，附圖4)中所述，一種滿足這些需求的技術(shù)是一種離子注入技術(shù)，用于形成縱向和/或橫向圍繞作為邊界的基片中央部分的不同劑量分布。
根據(jù)如上面JP-A-2003-132835所述的技術(shù)，劑量分布的變動(dòng)只能圍繞作為邊界的基片中央部分進(jìn)行，而不能在基片的平面中形成各種不同的劑量分布。
附帶而言，校正或改變半導(dǎo)體器件的特性不總是在圍繞作為邊界的基片中央部分進(jìn)行，并且取決于處理工藝的狀況的不同條件，必須改變用于校正或改變特性的區(qū)域。從而，如上提及的JP-A-2003-132835中所述的技術(shù)不足以應(yīng)付在近些年來(lái)形成的需求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種能夠在基片的平面中形成不同的劑量分布的離子注入方法和裝置。
根據(jù)本發(fā)明，提供了一種離子注入方法，用于采用由電場(chǎng)或磁場(chǎng)在X方向上對(duì)離子束進(jìn)行往復(fù)掃描，以及在基本與X方向正交的Y方向上對(duì)該基片進(jìn)行往復(fù)機(jī)械驅(qū)動(dòng)，來(lái)把離子注入基片，其特征在于包括通過(guò)改變?cè)陔x子束入射到基片上的區(qū)域中的離子束的掃描速度和基片的驅(qū)動(dòng)速度之一，來(lái)形成在基片的平面中非均勻的劑量分布。
根據(jù)本發(fā)明，提供了一種用于將離子注入到基片中的離子注入裝置，包括用于由電場(chǎng)或磁場(chǎng)在X方向上往復(fù)掃描離子束的掃描單元和用于在基本與X方向正交的Y方向上往復(fù)機(jī)械驅(qū)動(dòng)該基片的驅(qū)動(dòng)單元，其特征在于還包括控制單元，用于控制至少掃描單元和驅(qū)動(dòng)單元之一，以改變?cè)陔x子束入射到基片上的區(qū)域中的離子束的掃描速度和基片的驅(qū)動(dòng)速度中的至少一個(gè)，以形成在基片的平面中非均勻的劑量分布。
如果離子束的射束電流密度是常數(shù)，則進(jìn)入基片的劑量數(shù)量與離子束的掃描速度成反比。因此，有可能通過(guò)改變?cè)陔x子束入射到基片上的區(qū)域中的離子束的掃描速度和基片的驅(qū)動(dòng)速度中的至少一個(gè)，而在基片的平面中形成非均勻的劑量分布。而且，通過(guò)適當(dāng)?shù)剡x擇用于改變掃描速度或驅(qū)動(dòng)速度的模式，能夠在基片的平面中形成不同的劑量分布。
可以通過(guò)改變?cè)陔x子束入射到基片上的區(qū)域中的離子束的掃描速度和基片的驅(qū)動(dòng)速度中的至少一個(gè)，并且圍繞其中央部分旋轉(zhuǎn)該基片，來(lái)形成在基片的平面中的非均勻的劑量分布。
而且，可以通過(guò)執(zhí)行多次注入處理和旋轉(zhuǎn)處理來(lái)形成在基片的平面中的非均勻的劑量分布，其中所述注入處理通過(guò)在離子束入射到基片上的區(qū)域中，在控制基片的驅(qū)動(dòng)速度以使其與離子束的射束電流密度成反比的同時(shí)，逐步地改變離子束的掃描速度和基片的驅(qū)動(dòng)速度中的至少一個(gè)，將離子注入到基片中，并且所述旋轉(zhuǎn)處理在每一個(gè)注入處理之間的間隔中，圍繞中央部分以預(yù)定的旋轉(zhuǎn)角度旋轉(zhuǎn)基片。
在中央?yún)^(qū)域與圍繞中央?yún)^(qū)域的外圍區(qū)域間具有不同劑量數(shù)量的劑量分布可以通過(guò)執(zhí)行n次(n為2或更大的整數(shù))注入處理和旋轉(zhuǎn)處理而在基片的平面內(nèi)形成，該注入處理通過(guò)從基片的一端到另一個(gè)端，逐步地把離子束的掃描速度從第一掃描速度改變成與第一掃描速度不同的第二掃描速度，再改變成第一掃描速度，來(lái)將離子注入到基片中，并且該旋轉(zhuǎn)處理以每一個(gè)360/n度來(lái)旋轉(zhuǎn)該基片。
假定在中央?yún)^(qū)域和外圍區(qū)域的目標(biāo)劑量數(shù)量分別為DA和DB，并且在一個(gè)注入處理中的第一掃描速度和第二掃描速度時(shí)的設(shè)置劑量數(shù)量分別為d1和d2，設(shè)置劑量數(shù)量d1和d2可以根據(jù)下面的方程式來(lái)設(shè)置，d1＝(2DB-DA)/n并且d2＝DA/n在中央?yún)^(qū)域和圍繞中央?yún)^(qū)域的外圍區(qū)域間具有不同劑量數(shù)量的劑量分布可以通過(guò)執(zhí)行n次(n為2或更大的整數(shù))注入處理和旋轉(zhuǎn)處理而在基片的平面內(nèi)形成，該注入處理通過(guò)在離子束入射到基片上的區(qū)域中，逐步地把基片的驅(qū)動(dòng)速度從第一驅(qū)動(dòng)速度改變成與第一驅(qū)動(dòng)速度不同的第二驅(qū)動(dòng)速度，再改變成第一驅(qū)動(dòng)速度，將離子注入到基片中，并且該旋轉(zhuǎn)處理以每一個(gè)360/n度來(lái)旋轉(zhuǎn)該基片。
假定在中央?yún)^(qū)域和外圍區(qū)域的目標(biāo)劑量數(shù)量分別為DA和DB，并且在注入處理中的第一驅(qū)動(dòng)速度和第二驅(qū)動(dòng)速度時(shí)的設(shè)置劑量數(shù)量分別為d1和d2，那么設(shè)置劑量數(shù)量d1和d2可以根據(jù)下面的方程式來(lái)設(shè)置，d1＝(2DB-DA)/n并且d2＝DA/n在上述的離子注入方法和裝置中，在離子束入射到基片上的區(qū)域中改變離子束的掃描速度和基片的驅(qū)動(dòng)速度中的至少一個(gè)，借此可能不必使基片的中央部分用作改變劑量數(shù)量的邊界。因此，在基片的平面中形成各種不同的劑量分布。因此，有可能進(jìn)行離子注入來(lái)適應(yīng)性地校正或者改變形成在基片平面中半導(dǎo)體器件的特定區(qū)域中的半導(dǎo)體器件的特性。
而且，由于基片圍繞中央部分旋轉(zhuǎn)，可在圍繞基片中央部分的旋轉(zhuǎn)方向上改變劑量分布，借此可以在基片的平面中形成各種不同的劑量分布。
而且，通過(guò)逐步地改變離子束的掃描速度和基片的驅(qū)動(dòng)速度中的至少一個(gè)，來(lái)把離子注入到基片中的注入處理被執(zhí)行多次，并且在每次執(zhí)行注入處理之間的間隔中，執(zhí)行以每一個(gè)360/n度圍繞基片的中央部分旋轉(zhuǎn)基片的旋轉(zhuǎn)處理，借此形成圍繞基片中央部分的旋轉(zhuǎn)對(duì)稱的劑量分布。因此，在基片的平面中進(jìn)一步形成各種不同的劑量分布。
而且，執(zhí)行注入處理和旋轉(zhuǎn)處理，該注入處理把離子束的掃描速度從第一掃描速度逐步地改變到與第一掃描速度不同的第二掃描速度，再到第一掃描速度，來(lái)把離子注入基片，并且該旋轉(zhuǎn)處理逐步地旋轉(zhuǎn)基片，借此有可能在基片的中央?yún)^(qū)域和圍繞中央?yún)^(qū)域的外圍區(qū)域中形成具有不同劑量數(shù)量的劑量分布。
而且，設(shè)置劑量數(shù)量d1和d2根據(jù)給出的方程式來(lái)設(shè)置，借此可以容易地獲得在中央?yún)^(qū)域和外圍區(qū)域中的目標(biāo)劑量數(shù)量DA和DB。
而且，執(zhí)行注入處理和旋轉(zhuǎn)處理，該注入處理把基片的驅(qū)動(dòng)速度從第一驅(qū)動(dòng)速度逐步地改變到與第一驅(qū)動(dòng)速度不同的第二驅(qū)動(dòng)速度，再到第一驅(qū)動(dòng)速度，來(lái)把離子注入基片中，并且該旋轉(zhuǎn)處理逐步地旋轉(zhuǎn)基片，借此有可能在基片的中央?yún)^(qū)域和圍繞中央?yún)^(qū)域的外圍區(qū)域中形成具有不同劑量數(shù)量的劑量分布。


圖1是示出用于執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明的離子注入方法的離子注入裝置的一個(gè)示例的示意平面圖；圖2是以放大比例示出圖1的離子注入裝置的一個(gè)示例的示意側(cè)視圖；圖3是示出改變離子束的掃描速度的模式示例的視圖；圖4是示出改變離子束的掃描速度的模式示例的視圖；圖5是示出改變離子束的掃描速度的模式示例的視圖；圖6是示出改變離子束的掃描速度的模式示例的視圖；圖7是示出改變離子束的掃描速度的模式示例的視圖；圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的離子注入方法的一個(gè)示例的過(guò)程圖；圖9是用于從理論上說(shuō)明如何在基片的中央部分和圍繞其的外圍部分之間形成具有不同劑量的劑量分布的視圖；圖10是用于從理論上說(shuō)明如何在基片的中央部分和圍繞其的外圍部分之間形成具有不同劑量的劑量分布的視圖；圖11是用于從理論上說(shuō)明如何在基片的中央部分和圍繞其的外圍部分之間形成具有不同劑量的劑量分布的視圖；圖12是用于從理論上說(shuō)明如何在基片的中央部分和圍繞其的外圍部分之間形成具有不同劑量的劑量分布的視圖；
圖13是示出在對(duì)應(yīng)于圖9的第一注入處理之后實(shí)際獲得的劑量分布的一個(gè)示例的視圖；圖14是示出在對(duì)應(yīng)于圖12的第四注入處理之后實(shí)際獲得的劑量分布的一個(gè)示例的視圖。
具體實(shí)施例方式
圖1是示出用于執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明的離子注入方法的離子注入裝置的一個(gè)示例的示意平面圖。圖2是以放大比例示出圖1的離子注入裝置的一個(gè)基片示例及其周圍部分的示意側(cè)視圖。
這個(gè)離子注入裝置依賴于把離子注入基片2(例如半導(dǎo)體基片)的整個(gè)表面的所謂混合型掃描方法，該方法采用由電場(chǎng)或磁場(chǎng)在X方向上(例如水平方向)上對(duì)離子束4進(jìn)行的往復(fù)掃描，以及在與X方向基本正交的Y方向(例如垂直方向)上對(duì)基片2進(jìn)行的往復(fù)機(jī)械驅(qū)動(dòng)。在JP-A-2001-143651和JP-A-2001-185071中也描述了混合掃描系統(tǒng)的離子注入器。
這個(gè)離子注入器具體來(lái)說(shuō)包括離子種類(ion species)10，用于提取離子束4；大型分離磁鐵12，用于從自離子源10提取的離子束4中選擇性地取得(derive)特定離子種類；加速管14，用于對(duì)從大型分離磁鐵12得到的離子束4進(jìn)行加速或減速；Q透鏡16，用于對(duì)從加速管14得到的離子束4成型；能量分離器18，用于從由Q透鏡16導(dǎo)出的離子束4中選擇性地得到特定能量的離子；掃描器20，用于由電場(chǎng)或磁場(chǎng)在X方向上往復(fù)地掃描從能量分離器18得到的離子束4；以及射束平行器24，用于通過(guò)由電場(chǎng)或磁場(chǎng)折彎從掃描器20導(dǎo)出的離子束4，使得離子束4平行以便與掃描器20協(xié)作進(jìn)行掃描，即產(chǎn)生平行的離子束4。
從射束平行器24導(dǎo)出的離子束4被施加到在注入腔26中的支架28上所支撐的基片2上，使得離子注入到基片2中。隨后，基片2由驅(qū)動(dòng)單元32在Y方向上往復(fù)驅(qū)動(dòng)。對(duì)基片2的往復(fù)驅(qū)動(dòng)和對(duì)離子束4的往復(fù)掃描協(xié)作，從而在基片2的整個(gè)表面上進(jìn)行離子注入。
在這種情況下，如在上述的JP-A-2003-132835中所述，在離子束入射到基片2上的區(qū)域中，基片2在Y方向上的驅(qū)動(dòng)速度v被控制為與離子束4的射束電流密度J成反比。換句話說(shuō)，如此進(jìn)行控制，使得J/v是常數(shù)。通過(guò)這種方法，即使離子束4的射束電流密度J在將離子注入到基片2的期間改變，這種改變也可以由驅(qū)動(dòng)速度v來(lái)補(bǔ)償，以避免注入基片2的劑量數(shù)量發(fā)生改變。也就是說(shuō)，使得離子束以預(yù)定的劑量數(shù)量注入到基片2中。
而且，這種離子注入器包括旋轉(zhuǎn)單元30，用于使得基片2與支架28一起圍繞基片2的中央部分2a旋轉(zhuǎn)(例如以圖2中的箭頭B所指示的順時(shí)針?lè)较?。驅(qū)動(dòng)單元32將旋轉(zhuǎn)單元30、支架28和基片2作為一個(gè)整體在Y方向上進(jìn)行往復(fù)驅(qū)動(dòng)。
對(duì)離子束4的掃描是基于從掃描電源22提供給掃描器20的掃描輸出(例如掃描電壓或掃描電流)P(t)來(lái)控制的。P(t)是時(shí)間t的函數(shù)。這個(gè)掃描電源22和掃描器20組成用于在X方向上往復(fù)地掃描離子束4的掃描單元。
如圖2所示，在支架28的上游和下游排列前級(jí)多點(diǎn)法拉第系統(tǒng)38和后級(jí)多點(diǎn)法拉第系統(tǒng)39，用于通過(guò)接收離子束4以及在X方向上測(cè)量射束電流密度分布，來(lái)對(duì)掃描輸出P(t)的波形進(jìn)行整形。前級(jí)多點(diǎn)法拉第系統(tǒng)38和后級(jí)多點(diǎn)法拉第系統(tǒng)39由在X方向上排列的多個(gè)法拉第杯構(gòu)成。后級(jí)多點(diǎn)法拉第系統(tǒng)39固定在離子束4的束線(beam line)上。前級(jí)多點(diǎn)法拉第系統(tǒng)38和支架28被在Y方向上驅(qū)動(dòng)，并且在需要的時(shí)候被放置在離子束4的束線上。在JP-A-2001-143651中描述了類似的多點(diǎn)法拉第系統(tǒng)。
由多點(diǎn)法拉第系統(tǒng)38和39測(cè)量的值被輸出到控制單元36?？刂茊卧?6具有下列功能(1)控制掃描單元(特別是本實(shí)施例中的掃描電源22等)來(lái)調(diào)整離子束4在X方向上的掃描速度s，(2)控制驅(qū)動(dòng)單元32來(lái)調(diào)整支架28上的基片2在Y方向上的驅(qū)動(dòng)速度v，(3)控制旋轉(zhuǎn)單元30使得基片2圍繞中央部分2a旋轉(zhuǎn)，并且(4)控制掃描單元、驅(qū)動(dòng)單元32和旋轉(zhuǎn)單元30來(lái)執(zhí)行多次注入處理和中間旋轉(zhuǎn)處理，并且(5)基于所測(cè)量的值和各種設(shè)置的值來(lái)對(duì)本實(shí)施例中的掃描輸出P(t)的波形進(jìn)行整形。
下面將描述在用于本離子注入器中的基片平面中形成各種不同的劑量分布的離子注入方法的示例。
例如，通過(guò)控制基片2在Y方向上的驅(qū)動(dòng)速度v使其與離子束4的射束電流密度成反比的同時(shí)，根據(jù)預(yù)定模式改變離子束4在X方向上的掃描速度s，來(lái)形成基片2的平面內(nèi)非均勻的劑量分布?；?的驅(qū)動(dòng)速度v被控制為與射束電流密度成反比，以補(bǔ)償離子束4的射束電流密度的可能變動(dòng)。如果離子束4的射束電流密度沒(méi)有變動(dòng)，則基片2的驅(qū)動(dòng)速度v恒定。在下面的描述中，基片2的驅(qū)動(dòng)速度v和離子束4的掃描速度s意味著在離子束4入射到基片2上的區(qū)域中的驅(qū)動(dòng)速度和掃描速度，這是由于掃描速度s和驅(qū)動(dòng)速度v不影響在這個(gè)區(qū)域外注入到基片2上的劑量數(shù)量。
在這種情況下，圖3到7示出了改變離子束4的掃描速度s的位置和程度，即，改變掃描速度s的模式的幾個(gè)示例。
在圖3的示例中，以逐步的凹形形式從s1到s2再到s3(＝s1)，來(lái)改變離子束4的掃描速度s。在這個(gè)示例中，s2比s1小，但是反過(guò)來(lái)，s2也可以比s1大，從而以凸形形式來(lái)改變掃描速度。而且，s1也可以不等于s3。而且，可以以更多的級(jí)別改變掃描速度。由于即使改變是逐步的，實(shí)際上也不能在時(shí)間0改變掃描速度s，所以存在與之相關(guān)的輕微轉(zhuǎn)變間隔(這點(diǎn)在此后也適用)。
如果離子束4的射束電流密度恒定，則注入到基片2中的劑量數(shù)量與離子束4的掃描速度s成反比。即，掃描速度s和劑量數(shù)量成反向關(guān)系，其中，在較高掃描速度s的區(qū)域中劑量數(shù)量較小，而在較低掃描速度s的區(qū)域中劑量數(shù)量較大。由于離子束4的掃描速度s遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于基片2的驅(qū)動(dòng)速度v，有理由認(rèn)為在基片2上以X方向上掃描離子束4的同時(shí)，離子束4的射束電流密度是恒定的。
因此，在圖3的示例中，在基片2的平面中沿著Y方向像河流一樣形成具有不同劑量數(shù)量的區(qū)域R1到R3(由于基片2的驅(qū)動(dòng)速度v如上所述被控制，以便抑制在Y方向上的劑量數(shù)量的改變)，如圖9的示例所示。區(qū)域R1到R3中的劑量數(shù)量之間的相關(guān)性與如上所述的等同。
在圖9到圖14示出的基片2的定位板(orientation flat)2b被圖示，以便明確如后面將描述的對(duì)基片2進(jìn)行旋轉(zhuǎn)時(shí)的位置關(guān)系，但并沒(méi)有進(jìn)行具體限定定位板2b與注入?yún)^(qū)之間的位置關(guān)系。
在圖4的示例中，以另一種逐步的形式從s4到s5再到s6(＝s4＞s5＞s6)，來(lái)改變離子束4的掃描速度s。相反，可以以s4＜s5＜s6來(lái)改變掃描速度。并且，掃描速度可以以更多的級(jí)別來(lái)改變。
在圖4的示例中，在基片2的平面中沿著Y方向像河流一樣形成具有不同劑量數(shù)量的區(qū)域R1到R3，如圖9的示例所示。然而，區(qū)域R1到R3中的劑量數(shù)量之間的相關(guān)性與圖3的示例不同。
在圖5的示例中，離子束4的掃描速度s被線性改變?yōu)橐环N連續(xù)且平滑地進(jìn)行改變的形式。傾斜度可以與圖示的傾斜度相反。并且，傾斜度可以更大或者更小。
在圖5的示例中，在基片2的平面中形成這樣一種劑量分布，其中以與圖5的傾斜度相反的傾斜度連續(xù)地改變劑量數(shù)量。
在圖6的示例中，離子束4的掃描速度s被改變?yōu)榱硪环N連續(xù)且平滑的形式，像曲線一樣。雖然在圖6的示例中，該曲線像峽谷一樣，但是該曲線也可以像山峰一樣。
在圖6的示例中，在基片2的平面中形成這樣一種劑量分布，其中以與圖6的傾斜度相反的傾斜度來(lái)連續(xù)地改變劑量數(shù)量。
在圖7的示例中，三個(gè)級(jí)別s7、s8和s9來(lái)改變離子束4的掃描速度s，像彎折(buckling)一樣。傾斜度可以與圖示的傾斜度相反。掃描速度可以以更多的級(jí)別來(lái)改變。
在圖7的示例中，在基片2的平面中沿著Y方向像河流一樣形成具有不同劑量數(shù)量的區(qū)域R1到R3，如圖9的示例所示。區(qū)域R1到R3中的劑量數(shù)量的相關(guān)性與圖3和圖4所示的不同。
控制單元36控制掃描單元，以上述的方式改變離子束的掃描速度s。
在上述的示例中，通過(guò)在控制基片2在Y方向上的驅(qū)動(dòng)速度v以與離子束4的射束電流密度成反比的同時(shí)，改變離子束4在X方向上的掃描速度s，來(lái)形成在基片2的平面中非均勻的劑量分布。并且，可以充分地選擇用于改變掃描速度s的模式，以便在基片2的平面中形成各種不同的劑量分布。并非總需要把基片2的中央部分2a作為改變劑量數(shù)量的邊界。因此，例如，有可能進(jìn)行離子注入，以便適應(yīng)性地校正或者改變?cè)诨?的平面中形成的半導(dǎo)體器件的特定區(qū)域中的半導(dǎo)體器件的特性。
如果離子束4的射束電流密度恒定，則注入到基片2中的劑量數(shù)量也與基片2的驅(qū)動(dòng)速度v成反比。因此，可以通過(guò)在保持離子束4在X方向上的掃描速度s恒定的同時(shí)，根據(jù)預(yù)定模式改變基片2在Y方向的驅(qū)動(dòng)速度v，來(lái)形成在基片2的平面中非均勻的劑量分布。
在這種情況下，在圖3到7中，當(dāng)橫軸為基片2的驅(qū)動(dòng)速度v，而縱軸為基片在Y方向上的位置時(shí)，就可以獲得改變基片2的驅(qū)動(dòng)速度v的位置和程度，即改變驅(qū)動(dòng)速度v的模式的幾個(gè)示例。上面的描述適用于這種情況。
如上所述，控制單元36控制驅(qū)動(dòng)單元32來(lái)改變基片2的驅(qū)動(dòng)速度v。
通過(guò)這種方式，通過(guò)在保持離子束4在X方向上的掃描速度s恒定的同時(shí)，根據(jù)預(yù)定模式改變基片2在Y方向的驅(qū)動(dòng)速度v，可以形成在基片2的平面中非均勻的劑量分布。并且，通過(guò)適當(dāng)?shù)剡x擇用于改變驅(qū)動(dòng)速度v的模式，可以在基片2的平面中形成各種不同的劑量分布。并非總需要把基片2的中央部分2a作為改變劑量數(shù)量的邊界。因此，例如，有可能進(jìn)行離子注入，以便適應(yīng)性地校正或者改變?cè)诨?的平面中形成的半導(dǎo)體器件的特定區(qū)域中的半導(dǎo)體器件的特性。
可以通過(guò)同時(shí)如上述示例那樣改變離子束4的掃描速度s以及如上述示例那樣改變基片2的驅(qū)動(dòng)速度v，來(lái)形成在基片2的平面中非均勻的劑量分布。由于以這種方式在基片2的平面中在X方向和Y方向上改變劑量分布，因此可以在基片2的平面中進(jìn)一步形成各種不同的劑量分布。
控制單元36可以控制掃描單元和驅(qū)動(dòng)單元32，來(lái)以上述方式改變離子束4的掃描速度s和基片2的驅(qū)動(dòng)速度v。
而且，可以通過(guò)改變離子束4的掃描速度s和基片2的驅(qū)動(dòng)速度v中的至少一個(gè)，并且使基片2圍繞中央部分2a旋轉(zhuǎn)，來(lái)在基片2的平面中形成非均勻的劑量分布。
通過(guò)這種方式，由于在圍繞基片2的中央部分2a的旋轉(zhuǎn)方向上改變劑量分布，因此還可以進(jìn)一步在基片平面中形成各種不同的劑量分布。
在旋轉(zhuǎn)基片2時(shí)，可以以每一個(gè)預(yù)定的旋轉(zhuǎn)角度θ來(lái)逐步地旋轉(zhuǎn)基片，或者在預(yù)定的旋轉(zhuǎn)角度θ之內(nèi)連續(xù)平滑地旋轉(zhuǎn)基片。在前一種情況，基片2的平面中的劑量分布具有清晰的邊界。旋轉(zhuǎn)角θ是在0＜θ≤360°內(nèi)的任意值。
并且，可以在離子束4不施加給基片2的同時(shí)，或者在離子束4施加給基片2的同時(shí)，旋轉(zhuǎn)基片2。在前一種情況，在基片2的平面中的劑量分布具有清晰的邊界。
控制單元36控制旋轉(zhuǎn)單元30，以便以上述方式旋轉(zhuǎn)基片2。
并且，可以通過(guò)執(zhí)行多次注入處理和旋轉(zhuǎn)處理來(lái)形成在基片2的平面中非均勻的劑量分布，該注入處理在控制基片2的驅(qū)動(dòng)速度v以使其與離子束4的射束電流密度成反比的同時(shí)，逐步改變離子束4的掃描速度s，把離子注入基片2中，如圖8所述的處理示例那樣，并且該旋轉(zhuǎn)處理在離子束4沒(méi)有施加給基片2時(shí)，在每一次注入處理之間的間隔中以預(yù)定的旋轉(zhuǎn)角來(lái)圍繞中央部分2a旋轉(zhuǎn)基片2。在圖8的示例中，注入處理形成4次(即，注入處理40、42、44和46)，并且，在每次注入處理之間的間隔中執(zhí)行旋轉(zhuǎn)處理一次，或者總共執(zhí)行3次旋轉(zhuǎn)處理(即，旋轉(zhuǎn)處理41、43和45)。
用這種方式，由于執(zhí)行多次通過(guò)逐步改變離子束4的掃描速度s來(lái)注入離子的注入處理以及在每一次注入處理之間的間隔中圍繞中央部分2a旋轉(zhuǎn)基片2的旋轉(zhuǎn)處理，所以形成了圍繞基片2的中央部分2a的旋轉(zhuǎn)對(duì)稱的劑量分布。借此，在基片2的平面中進(jìn)一步形成各種不同的劑量分布。
控制單元36控制掃描單元、驅(qū)動(dòng)單元32和旋轉(zhuǎn)單元30，以如上所述的方式來(lái)執(zhí)行注入處理和旋轉(zhuǎn)處理。
可以通過(guò)執(zhí)行如圖3所示的從一端到另一端、從s1到s2(s2≠s1)再到s3(s3＝s1)地逐步改變離子束4的掃描速度s的注入處理n次(n是大于等于2的整數(shù))，以及執(zhí)行以每一個(gè)360/n度旋轉(zhuǎn)基片2的旋轉(zhuǎn)處理，來(lái)在基片2的平面中形成在中央?yún)^(qū)域與其外圍區(qū)域之間的具有不同劑量數(shù)量的劑量分布?？刂茊卧?6可以執(zhí)行這個(gè)控制。
參照?qǐng)D9到圖12，當(dāng)執(zhí)行如圖3所示的從s1到s2(s2≠s1)再到s3(s3＝s1)逐步地改變離子束4的掃描速度s的注入處理4次(n＝4)時(shí)，將接連地描述在基片2的平面中形成的劑量分布。以下將利用圖9-12來(lái)描述在圖8所示的處理的情況下，在基片2的平面中形成的劑量數(shù)量分布。如前所述，參照定位板2b，很容易看出基片2在旋轉(zhuǎn)方向中的位置。實(shí)際上，離子束4的掃描速度s是以輕微的轉(zhuǎn)變間隔來(lái)改變的，并且掃描前離子束4的截面尺寸(點(diǎn)的尺寸)實(shí)際上具有預(yù)定大小。然而，為了下面更簡(jiǎn)單的進(jìn)行說(shuō)明，假定在沒(méi)有轉(zhuǎn)變間隔的情況下改變離子束4的掃描速度s，并且離子束4的截面尺寸是點(diǎn)狀的。
首先，執(zhí)行第一注入處理40，借此在基片2的平面中沿著Y方向像河流一樣形成具有不同劑量數(shù)量的區(qū)域R1到R3，如圖9所示。此時(shí)，假定注入處理中注入的設(shè)置劑量數(shù)量在掃描速度為s1(＝s3)的區(qū)域中為d1，并且在掃描速度為s2的區(qū)域中為d2，則在上述處理中注入到基片2的平面內(nèi)區(qū)域R1、R2和R3中的劑量數(shù)量D1、D2和D3由下面的方程式給出。
D1＝d1D2＝d2D3＝d1隨后，在執(zhí)行第一旋轉(zhuǎn)處理41后，執(zhí)行第二注入處理42，借此具有不同劑量數(shù)量的區(qū)域R4到R12像格子一樣形成在基片2的平面中，如圖10所示。這對(duì)應(yīng)于圖9的劑量分布與以90度旋轉(zhuǎn)的圖9的劑量分布的疊加。通過(guò)上述處理注入到區(qū)域R4到R12中的劑量數(shù)量D4到D12由下面的方程式2給出[方程式2]D4＝2d2D5＝d1+d2D6＝2d1D7＝d1+d2D8＝2d1D9＝d1+d2D10＝2d1D11＝d1+d2D12＝2d1在下面，執(zhí)行完第二旋轉(zhuǎn)處理43后，以同樣的方式執(zhí)行第三注入處理44，借此在圖11所示的狀態(tài)中，通過(guò)上述處理注入到區(qū)域R4到R12中的劑量D4到D12由下面的方程式3給出[方程式3]D4＝3d2D5＝d1+2d2D6＝3d1D7＝2d1+d2D8＝3d1D9＝d1+2d2D10＝3d1D11＝2d1+d2D12＝3d1而且，在執(zhí)行第三旋轉(zhuǎn)處理45后，執(zhí)行第四注入處理46，借此完成離子注入處理。結(jié)果，在圖12所示的狀態(tài)中，通過(guò)上述處理注入到區(qū)域R4到R12中的劑量D4到D12由下面的方程式4給出[方程式4]D4＝4d2D5＝2d1+2d2D6＝4d1
D7＝2d1+2d2D8＝4d1D9＝2d1+2d2D10＝4d1D11＝2d1+2d2D12＝4d1如從圖12和方程式4可以看出，通過(guò)上述的離子注入形成了在中央?yún)^(qū)域R4與其外圍區(qū)域R5到R12之間具有不同劑量數(shù)量的劑量分布。
在此，將描述實(shí)際的離子注入方法(裝置)。如前所述，離子束4的掃描速度s的改變有輕微的轉(zhuǎn)變間隔，并且離子束4的截面尺寸(點(diǎn)的尺寸)具有預(yù)定大小(例如直徑為大約70到80mmm的圓形)。結(jié)果，在每個(gè)區(qū)域R4到R12的邊界附近，劑量數(shù)量被逐漸改變。因此，中央?yún)^(qū)域R4近乎于圓形，而在四個(gè)角的區(qū)域R6、R8、R10、R12非常小，以至于劑量分布由近乎圓形并且具有劑量數(shù)量3d2的中央?yún)^(qū)域R4以及環(huán)形并且具有劑量數(shù)量2d1+2d2的外圍區(qū)域所組成。如上所述，從逐漸(平滑)地改變劑量數(shù)量的視點(diǎn)來(lái)看，離子束4的截面尺寸最好大到一定程度。
圖13和圖14示出了用上述方式實(shí)際獲得的劑量分布的示例。在圖13和圖14中，減號(hào)“-”指示劑量數(shù)量小，加號(hào)“+”號(hào)指示劑量數(shù)量大，而矩形標(biāo)志“□”指示劑量適中。
圖13對(duì)應(yīng)于圖9。在圖13的示例中，在這樣一種狀態(tài)下進(jìn)行離子注入，其中基片2的定位板2b在X方向傾斜22度(與圖14相同)。實(shí)際上，劑量分布沿著Y方向像河流一樣形成。并且，如前所述，在中央?yún)^(qū)域R2中的劑量數(shù)量為d2，而在其兩邊的區(qū)域R1和R3中的劑量數(shù)量為d1。
圖14對(duì)應(yīng)于圖12。然而，定位板2b的位置與圖13中的一致。實(shí)際上，劑量分布由近乎圓形并且具有大劑量數(shù)量的中央?yún)^(qū)域R4和圍繞它并具有小劑量數(shù)量的環(huán)形外圍區(qū)域R13組成。并且，如上所述，在中央?yún)^(qū)域R4中的劑量數(shù)量為4d2，而在外圍區(qū)域R13中的劑量數(shù)量為2d1+2d2。
當(dāng)在圖14的示例中形成在中央?yún)^(qū)域R4和環(huán)繞它的外圍區(qū)域R13之間具有不同劑量數(shù)量的劑量分布的情況下，假定在中央?yún)^(qū)域R4和外圍區(qū)域R13中的目標(biāo)劑量數(shù)量分別為DA和DB，并且在一個(gè)注入處理中在離子束4的第一掃描速度s1和第二掃描速度s2時(shí)的設(shè)置劑量數(shù)量分別為d1和d2，則設(shè)置劑量數(shù)量d1和d2是根據(jù)下面的方程式設(shè)置的，借此容易地得到(實(shí)現(xiàn))目標(biāo)劑量數(shù)量DA和DB。
d1＝(2DB-DA)/nd2＝DA/n例如，在圓形基片2的直徑為20厘米(8英寸)的注入條件下，在圓形中央?yún)^(qū)域中的劑量數(shù)量DA為2.0×1013/cm2，在環(huán)形外圍區(qū)域中的劑量數(shù)量DB為1.9×1013/cm2，執(zhí)行注入處理的次數(shù)n是4，并且基片2是以每一個(gè)90度旋轉(zhuǎn)的，根據(jù)方程式5，以設(shè)置劑量數(shù)量d1為4.5×1012/cm2和設(shè)置劑量數(shù)量d2為5.0×1012/cm2進(jìn)行離子注入，借此容易地實(shí)現(xiàn)目標(biāo)劑量數(shù)量DA和DB。可以在控制單元36中設(shè)置數(shù)量n、設(shè)置劑量數(shù)量d1和d2。可以在控制單元36中計(jì)算一次旋轉(zhuǎn)處理中的旋轉(zhuǎn)角360/n。
圖14示出了在上述條件下進(jìn)行離子注入的結(jié)果(圖13示出了在第一注入處理后的結(jié)果)。獲得了中央?yún)^(qū)域R4中2.0×1013/cm2的目標(biāo)劑量數(shù)量以及外圍區(qū)域R13中1.9×1013/cm2的目標(biāo)劑量數(shù)量。中央?yún)^(qū)域的半徑大約為6.5cm。
并且，如圖8的處理示例所示，可以通過(guò)執(zhí)行多次注入處理和旋轉(zhuǎn)處理來(lái)形成在基片2的平面中非均勻的劑量分布，該注入處理在控制基片2的驅(qū)動(dòng)速度v使其與離子束4的射束電流密度成反比的同時(shí)，逐步地較大地改變基片2的驅(qū)動(dòng)速度v，來(lái)把離子注入基片2中，并且該旋轉(zhuǎn)處理在離子束4不被施加到基片2上的每一個(gè)注入處理之間的間隔中，以預(yù)定的旋轉(zhuǎn)角度圍繞中央部分2a來(lái)旋轉(zhuǎn)基片2。在圖8的示例中，注入處理被形成4次(即，注入處理40、42、44和46)，而在每個(gè)注入處理之間的間隔中執(zhí)行旋轉(zhuǎn)處理一次，或者總共執(zhí)行三次旋轉(zhuǎn)處理(即，旋轉(zhuǎn)處理41、43和45)。
以這種方式，由于執(zhí)行多次通過(guò)逐步改變基片2的驅(qū)動(dòng)速度v來(lái)注入離子的注入處理和在每次注入處理之間的間隔中圍繞中央部分2a逐步旋轉(zhuǎn)基片2的旋轉(zhuǎn)處理，所以形成了圍繞基片2的中央部分2a的旋轉(zhuǎn)對(duì)稱的劑量分布，從而在基片2的平面內(nèi)進(jìn)一步形成了各種不同的劑量分布。
控制單元36控制掃描單元、驅(qū)動(dòng)單元32和旋轉(zhuǎn)單元30，以上述方式執(zhí)行注入處理和旋轉(zhuǎn)處理。
可以通過(guò)以與圖3所示的離子束掃描速度s相同的的方式執(zhí)行n次(n是等于或大于2的整數(shù))注入處理，并且執(zhí)行旋轉(zhuǎn)處理，來(lái)形成在基片平面的中央?yún)^(qū)域及其外圍區(qū)域之間具有不同劑量數(shù)量的劑量分布，該注入處理在離子束4入射到基片2上的區(qū)域內(nèi)從v1、v2(≠v1)和v3(＝v1)逐步地改變基片2的驅(qū)動(dòng)速度v，并且該旋轉(zhuǎn)處理以每一個(gè)360/n度來(lái)旋轉(zhuǎn)基片2。在這種情況下，以與逐步地改變離子束4的掃描速度s時(shí)相同的方式，劑量分布由近乎圓形的中央?yún)^(qū)域和環(huán)形圍繞它的外圍區(qū)域組成。控制單元36可以執(zhí)行這個(gè)控制。
并且，在這種情況下，假定在中央?yún)^(qū)域和外圍區(qū)域中的目標(biāo)劑量數(shù)量分別為DA和DB，而在一個(gè)注入處理中在第一驅(qū)動(dòng)速度和第二驅(qū)動(dòng)速度時(shí)的設(shè)置劑量數(shù)量分別為d1和d2，則設(shè)置劑量數(shù)量d1和d2是根據(jù)方程式5來(lái)設(shè)置的，借此容易地獲得(實(shí)現(xiàn))目標(biāo)劑量數(shù)量DA和DB。
可以通過(guò)同時(shí)如上面的示例那樣逐步地改變離子束4的掃描速度s和如上面的示例那樣逐步地改變基片2的驅(qū)動(dòng)速度v，來(lái)形成在基片2的平面中非均勻的劑量分布。由于以這種方式在基片2的平面中在X和Y方向上改變劑量分布，因此可以在基片2中進(jìn)一步形成各種不同的劑量分布?？刂茊卧?6可以執(zhí)行這種控制。
執(zhí)行注入處理的次數(shù)不局限為4，而可以是等于或大于2的任何整數(shù)。隨著次數(shù)n變大，中央?yún)^(qū)域R4更接近圓形，而其外圍區(qū)域R13更接近于環(huán)形。例如，n可以是5、6、7或8。
并且，如圖3到圖7所示，在離子束4的掃描速度被改變并且/或者基片2的驅(qū)動(dòng)速度v被改變的情況下，可以通過(guò)在控制單元36中設(shè)置速度改變模式來(lái)改變速度，控制單元36控制掃描電源22和/或驅(qū)動(dòng)單元32。
速度改變模式具體來(lái)說(shuō)是由指示在基片2和離子束4之間的位置關(guān)系的信息和該位置的速度信息構(gòu)成的。該速度信息可以是速度值本身，或者是參考速度和方差(或變化率)。
并且，在速度改變模式是如圖3和圖4示例那樣的逐步進(jìn)行的情況下，或者是如圖7示例那樣的彎折的情況下，最好采用高階(例如，四次)近似曲線或者樣條函數(shù)來(lái)創(chuàng)建速度改變曲線，以消除或模糊速度改變中的點(diǎn)的拐折。通過(guò)這種方式，使在基片2的平面中不同劑量數(shù)量之間的劑量數(shù)量改變變得更平滑?？刂茊卧?6可以執(zhí)行這個(gè)處理。
在基片2上實(shí)際獲得的在X方向上的離子束4的掃描速度s是通過(guò)采用如下信息進(jìn)行內(nèi)插而獲得的，即(1)在前級(jí)多點(diǎn)法拉第系統(tǒng)38上在X方向上多個(gè)點(diǎn)處的掃描速度s的信息，該信息是采用前級(jí)多點(diǎn)法拉第系統(tǒng)38測(cè)量出的，(2)在后級(jí)多點(diǎn)法拉第系統(tǒng)39上在X方向上多個(gè)點(diǎn)處的掃描速度s的信息，該信息是采用后級(jí)多點(diǎn)法拉第系統(tǒng)39測(cè)量出的，以及(3)在多點(diǎn)法拉第系統(tǒng)38、39與基片2的表面之間的距離。
并且，當(dāng)在基片2上實(shí)際獲得的掃描速度s偏離所設(shè)置的離子束4的掃描速度s時(shí)，控制單元36控制掃描電源22，對(duì)從掃描電源22提供到掃描器20的掃描輸出P(t)的波形進(jìn)行整形以消除該偏離。
雖然通常在基片2的整個(gè)表面上進(jìn)行離子注入，如果需要，也可以在基片2的平面的一個(gè)部分中進(jìn)行離子注入。
權(quán)利要求
1.一種離子注入方法，包括通過(guò)由電場(chǎng)或磁場(chǎng)在X方向上往復(fù)掃描離子束和在幾乎與X方向正交的Y方向上往復(fù)機(jī)械驅(qū)動(dòng)基片，來(lái)執(zhí)行把離子注入到基片中的注入處理；和改變?cè)陔x子束入射到基片上的區(qū)域中的離子束的掃描速度和基片的驅(qū)動(dòng)速度中的至少一個(gè)。
2.一種用于把離子注入到基片中的離子注入裝置，該裝置包括掃描單元，用于由電場(chǎng)或磁場(chǎng)在X方向上往復(fù)掃描離子束；驅(qū)動(dòng)單元，用于在幾乎與X方向正交的Y方向上往復(fù)機(jī)械驅(qū)動(dòng)基片；和控制單元，用于控制掃描單元和驅(qū)動(dòng)單元中的至少一個(gè)，以便改變?cè)陔x子束入射到基片上的區(qū)域中的離子束的掃描速度和基片的驅(qū)動(dòng)速度中的至少一個(gè)。
3.如權(quán)利要求1的離子注入方法，還包括圍繞基片的中央部分對(duì)基片進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。
4.如權(quán)利要求2所述的離子注入裝置，還包括旋轉(zhuǎn)單元，用于圍繞基片的中央部分旋轉(zhuǎn)基片，其中，所述控制單元控制旋轉(zhuǎn)單元來(lái)圍繞基片的中央部分旋轉(zhuǎn)基片。
5.如權(quán)利要求3的離子注入方法，其中，通過(guò)在一個(gè)注入處理中在控制基片的驅(qū)動(dòng)速度以使其與離子束的射束電流密度成反比的同時(shí)，逐步地改變離子束掃描速度和基片的驅(qū)動(dòng)速度中的至少一個(gè)，來(lái)多次執(zhí)行注入處理，并且在每一個(gè)注入處理之間的間隔中，以預(yù)定的旋轉(zhuǎn)角度圍繞基片的中央部分旋轉(zhuǎn)基片。
6.如權(quán)利要求4所述的離子注入裝置，其中，把離子注入到基片中的注入處理被執(zhí)行多次，并且其中，控制單元控制掃描單元和驅(qū)動(dòng)單元，以便在離子束入射到基片上的區(qū)域內(nèi)，在控制基片的驅(qū)動(dòng)速度以使其與離子束的射束電流密度成反比的同時(shí)，逐步地改變離子束的掃描速度和基片的驅(qū)動(dòng)速度中的至少一個(gè)，并且控制單元控制旋轉(zhuǎn)單元在每一個(gè)注入處理之間的間隔中，以預(yù)定的旋轉(zhuǎn)角度圍繞基片的中央部分旋轉(zhuǎn)基片。
7.如權(quán)利要求5所述的離子注入方法，其中，通過(guò)在一個(gè)注入處理中、從基片的一端到另一端、從第一掃描速度到與第一掃描速度不同的第二掃描速度再到第一掃描速度，逐步地改變離子束的掃描速度，來(lái)執(zhí)行n次注入處理，其中n是等于或大于2的整數(shù)，并且在每一次注入處理之間的間隔中以每一個(gè)360/n度旋轉(zhuǎn)基片。
8.如權(quán)利要求7所述的離子注入方法，其中假定在基片平面內(nèi)的中央?yún)^(qū)域和圍繞中央?yún)^(qū)域的外圍區(qū)域中的目標(biāo)劑量數(shù)量分別為DA和DB，并且在一個(gè)注入處理中在第一掃描速度和第二掃描速度時(shí)的設(shè)置劑量數(shù)量分別為d1和d2，則設(shè)置劑量數(shù)量d1和d2根據(jù)下面的方程式來(lái)設(shè)置，d1＝(2DB-DA)/n和d2＝DA/n。
9.如權(quán)利要求6所述的離子注入裝置，其中，注入處理被執(zhí)行n次，n是等于或大于2的整數(shù)，并且其中，控制單元控制掃描單元在一個(gè)注入處理中、從基片的一端到另一端、從第一掃描速度到與第一掃描速度不同的第二掃描速度再到第一掃描速度，逐步地改變離子束的掃描速度，并且控制單元控制旋轉(zhuǎn)單元在每一次注入處理之間的間隔中以每一個(gè)360/n度來(lái)旋轉(zhuǎn)基片。
10.如權(quán)利要求5所述的離子注入方法，其中，通過(guò)在一個(gè)注入處理中離子束入射到基片上的區(qū)域中，從第一驅(qū)動(dòng)速度到與第一驅(qū)動(dòng)速度不同的第二驅(qū)動(dòng)速度再到第一驅(qū)動(dòng)速度，逐步地改變基片的驅(qū)動(dòng)速度，來(lái)執(zhí)行n次注入處理，其中n是等于或大于2的整數(shù)，并且在每一次注入處理之間的間隔中以每一個(gè)360/n度旋轉(zhuǎn)基片。
11.如權(quán)利要求10所述的離子注入方法，其中，假定在基片平面內(nèi)的中央?yún)^(qū)域和圍繞中央?yún)^(qū)域的外圍區(qū)域中的目標(biāo)劑量數(shù)量分別為DA和DB，并且在一個(gè)注入處理中在第一驅(qū)動(dòng)速度和第二驅(qū)動(dòng)速度時(shí)的設(shè)置劑量數(shù)量分別為d1和d2，則設(shè)置劑量數(shù)量d1和d2根據(jù)下面的方程式來(lái)設(shè)置，d1＝(2DB-DA)/n和d2＝DA/n。
12.如權(quán)利要求6所述的離子注入裝置，其中，注入處理被執(zhí)行n次，n是等于或大于2的整數(shù)，并且其中，控制單元控制驅(qū)動(dòng)單元以便在離子束入射到基片上的區(qū)域中，從第一驅(qū)動(dòng)速度到與第一驅(qū)動(dòng)速度不同的第二驅(qū)動(dòng)速度再到第一驅(qū)動(dòng)速度，逐步地改變基片的驅(qū)動(dòng)速度，并且控制單元控制旋轉(zhuǎn)單元在每一次注入處理之間的間隔中以每一個(gè)360/n度來(lái)旋轉(zhuǎn)基片。
全文摘要
本發(fā)明的離子注入方法包括通過(guò)由電場(chǎng)或磁場(chǎng)在X方向上往復(fù)掃描離子束和在與X方向正交的Y方向上往復(fù)機(jī)械驅(qū)動(dòng)基片，以便在基片的整個(gè)表面注入離子。通過(guò)改變?cè)陔x子束入射到基片上的區(qū)域中的離子束的掃描速度和基片的驅(qū)動(dòng)速度中的至少一個(gè)，來(lái)形成在基片的平面中非均勻的劑量分布。
文檔編號(hào)C23C14/48GK1661763SQ20041009823
公開日2005年8月31日 申請(qǐng)日期2004年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月23日
發(fā)明者松本貴雄, 長(zhǎng)井宣夫 申請(qǐng)人:日新意旺機(jī)械股份公司