專利名稱:一種真空磁控濺射鍍膜磁懸浮ito薄膜裝載運(yùn)行裝置制造方法
【專利摘要】一種真空磁控濺射鍍膜磁懸浮ITO薄膜裝載運(yùn)行裝置，是由：車體、上絕緣塊、一號磁靴、倒U形磁鐵護(hù)套、永磁體、下絕緣座、傳動導(dǎo)向桿、高度調(diào)節(jié)槽、夾桿、ITO薄膜安裝區(qū)構(gòu)成；車體上方的永磁體與真空室內(nèi)的永磁體產(chǎn)生相互的吸引力，使車體向上處于懸浮狀態(tài)，車體攜帶ITO薄膜沿傳動系統(tǒng)傳動輪的向前平穩(wěn)運(yùn)行，有效地提高了ITO薄膜的電阻率和透過率，保障車體長期使用且不影響正常生產(chǎn)，節(jié)省了大量的人力、物力、財力，降低生產(chǎn)成本，保障產(chǎn)品質(zhì)量，提高產(chǎn)品市場競爭力。
【專利說明】一種真空磁控濺射鍍膜磁懸浮ITO薄膜裝載運(yùn)行裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及ITO膜加熱裝置，尤其是一種真空磁控濺射鍍膜磁懸浮ITO薄膜裝載運(yùn)行裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]ITO透明導(dǎo)電膜即摻雜銦錫氧化物薄膜，簡稱ITO薄膜，是Indium Tin Oxide的縮寫。ITO薄膜是一種η型半導(dǎo)體材料，其具有許多優(yōu)異的物理、化學(xué)性能，例如較高的可見光透過率和導(dǎo)電率，與大部分襯底具有良好的附著性，較強(qiáng)的硬度及良好的抗酸、堿及有機(jī)溶劑能力，因此，被廣泛應(yīng)用于光電器件中。比如:液晶顯示器(IXD)，等離子顯示器(TOP)，電極放光顯示器(EL/0LED)，觸摸屏，太陽能電池及其他電子儀表中。
[0003]目前，ITO薄膜的制備方法很多，常見的有:噴涂法、真空蒸發(fā)法、化學(xué)氣相沉積、反應(yīng)離子注入以及磁控濺射等。在這些制備方法中，目前磁控濺射法是用的最普遍的。由于磁控濺射具有良好的可控性和易于獲得大面積均勻的薄膜，因此被廣泛應(yīng)用于顯示器件中ITO薄膜的制備。磁控濺射制備ITO薄膜，主要是利用直流(DC)電源在Ar濺射氣體和充分氧化Ar/02混合氣體中產(chǎn)生等離子體，對In-Sn合金靶或In203，Sn02氧化物靶或陶瓷靶進(jìn)行轟擊，以便在各種襯底上獲得ITO薄膜。在制備工藝條件如靶中錫含量、沉積速率、襯底溫度、濺射功率、及后續(xù)退火處理，都對ITO薄膜的光電特性有極大的影響；但是，現(xiàn)有的技術(shù)在玻璃襯底上低溫制備ITO薄膜光學(xué)性能差，薄膜氧化不完全，結(jié)構(gòu)不完整；尤其在對不同種溫度條件下的ITO薄膜晶體結(jié)構(gòu)和電阻，不能準(zhǔn)確有效的調(diào)節(jié)控制溫度來控制電阻的均勻性，降低了 ITO薄膜的產(chǎn)品質(zhì)量，以及生產(chǎn)的工作效率，增加了生產(chǎn)成本，影響顯示器、及儀器的使用壽命；是本領(lǐng)域生產(chǎn)發(fā)展中的瓶頸，不能滿足用戶和市場的需求。
[0004]鑒于上述原因，現(xiàn)有的ITO薄膜加熱裝置及其方法需要創(chuàng)新。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種真空磁控濺射鍍膜磁懸浮ITO薄膜裝載運(yùn)行裝置，倒U形磁鐵護(hù)套內(nèi)的永磁體與真空室內(nèi)的永磁體產(chǎn)生相互的吸引力，使車體向上處于懸浮狀態(tài)，車體攜帶ITO薄膜沿傳動系統(tǒng)傳動輪的向前平穩(wěn)運(yùn)行，有效地提高了 ITO薄膜的電阻率和透過率，保障車體長期使用且不影響正常生產(chǎn)，節(jié)省了大量的人力、物力、財力，降低生產(chǎn)成本，保障產(chǎn)品質(zhì)量，提高產(chǎn)品市場競爭力。
[0006]本實(shí)用新型為了實(shí)現(xiàn)上述目的，采用如下技術(shù)方案:一種真空磁控濺射鍍膜磁懸浮ITO薄膜裝載運(yùn)行裝置，是由:車體、上絕緣塊、一號磁靴、倒U形磁鐵護(hù)套、永磁體、下絕緣座、傳動導(dǎo)向桿、高度調(diào)節(jié)槽、夾桿、ITO薄膜安裝區(qū)構(gòu)成；車體內(nèi)設(shè)置矩形空腔，車體兩側(cè)設(shè)置至少兩個高度調(diào)節(jié)槽，相同高度的兩個高度調(diào)節(jié)槽之間設(shè)置夾桿；車體上方設(shè)置至少五個上絕緣塊，下方設(shè)置至少五個下絕緣座，上絕緣塊的上方與倒U形磁鐵護(hù)套之間設(shè)置一號磁靴，倒U形磁鐵護(hù)套內(nèi)設(shè)置永磁體，下絕緣座下方設(shè)置傳動導(dǎo)向桿。
[0007]相鄰的兩根夾桿之間構(gòu)成ITO薄膜安裝區(qū)。
[0008]所述的上絕緣塊的剖面為H形，上絕緣塊的上下方分別構(gòu)成上卡槽與下卡槽，下卡槽與車體上方對應(yīng)設(shè)置，上卡槽與一號磁靴對應(yīng)設(shè)置。
[0009]所述的下絕緣座的上方設(shè)置U形上卡槽，下方設(shè)置弧形凹槽，U形上卡槽與車體下方對應(yīng)設(shè)置，弧形凹槽與傳動導(dǎo)向桿對應(yīng)設(shè)置。
[0010]所述的永磁體采用3200-4500高斯的釤鈷磁鐵。
[0011]本實(shí)用新型的有益效果是:加熱的結(jié)構(gòu)及其方法簡單，設(shè)計科學(xué)合理，使用方便、操作容易快捷；確保在大型連續(xù)性生產(chǎn)氧化銦錫膜中，通過控制對磁控濺射磁懸浮車靶的各部位的加熱溫度，使ITO薄膜得到整版均勻性良好的電阻，電阻率達(dá)到2X 10-4Q/cm、透過率達(dá)到90%以上；明顯提高ITO薄膜的產(chǎn)品質(zhì)量，大大提高工作效率，節(jié)約生產(chǎn)成本，延長使用壽命2倍以上，確實(shí)節(jié)能環(huán)保。
[0012]本實(shí)用新型經(jīng)過長期大量實(shí)驗(yàn)，優(yōu)化如靶中錫含量、沉積速率、襯底溫度、濺射功率、及后續(xù)退火處理等這些工藝參數(shù)后，可以獲得具有較高的導(dǎo)電率和可見光透過率的優(yōu)質(zhì)ITO薄膜。
[0013]車體上下方的上絕緣塊和下絕緣座使車體與真空室絕緣達(dá)到與陰、陽極絕緣，傳動導(dǎo)向桿與傳動系統(tǒng)傳動輪摩擦接觸，調(diào)整夾桿在高度調(diào)節(jié)槽內(nèi)的位置，實(shí)現(xiàn)對ITO薄膜安裝區(qū)的高度進(jìn)行調(diào)節(jié)，將ITO薄膜安裝在兩根夾桿之間并固定，倒U形磁鐵護(hù)套內(nèi)的永磁體與真空室內(nèi)的永磁體產(chǎn)生相互的吸引力，使車體向上處于懸浮狀態(tài)，車體攜帶ITO薄膜沿傳動系統(tǒng)傳動輪的向前平穩(wěn)運(yùn)行，有效地提高了 ITO薄膜的電阻率和透過率，保障車體長期使用且不影響正常生產(chǎn)，節(jié)省了大量的人力、物力、財力，降低生產(chǎn)成本，保障產(chǎn)品質(zhì)量，提高產(chǎn)品市場競爭力。
[0014]本實(shí)用新型在玻璃襯底上制備的ITO薄膜的電阻率達(dá)到2 X 10-4 Ω/Cm和透過率達(dá)到90%以上。所以用磁控濺射技術(shù)在玻璃襯底上，可以制備出良好ITO透明導(dǎo)電薄膜，在其制備的同時我們對不同基底溫度(150°C -350°C )條件下制備薄膜的電阻情況進(jìn)行了深入研宄，現(xiàn)有技術(shù)中在玻璃襯底上低溫制備ITO薄膜光學(xué)性能差的時候，往往籠統(tǒng)的被解釋為薄膜氧化不完全，結(jié)構(gòu)不完整，本實(shí)用新型經(jīng)長期大量的實(shí)驗(yàn)，因此在對不同種溫度條件下的ITO薄膜晶體結(jié)構(gòu)和電阻得出新的研發(fā)成果。

【附圖說明】

[0015]下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明:
[0016]圖1是，總裝結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖2是，側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖1、2中:車體1、上絕緣塊2、一號磁靴3、倒U形磁鐵護(hù)套4、永磁體5、下絕緣座6、傳動導(dǎo)向桿7、高度調(diào)節(jié)槽8、夾桿9、ITO薄膜安裝區(qū)10。

【具體實(shí)施方式】
[0019]下面結(jié)合附圖與【具體實(shí)施方式】對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明:
[0020]如圖所示，車體I內(nèi)設(shè)置矩形空腔，車體I兩側(cè)設(shè)置至少兩個高度調(diào)節(jié)槽8，相同高度的兩個高度調(diào)節(jié)槽8之間設(shè)置夾桿9 ;車體I上方設(shè)置至少五個上絕緣塊2，下方設(shè)置至少五個下絕緣座6，上絕緣塊2的上方與倒U形磁鐵護(hù)套4之間設(shè)置一號磁靴3，倒U形磁鐵護(hù)套4內(nèi)設(shè)置永磁體5，下絕緣座6下方設(shè)置傳動導(dǎo)向桿7。
[0021]相鄰的兩根夾桿9之間構(gòu)成ITO薄膜安裝區(qū)10。
[0022]所述的上絕緣塊2的剖面為H形，上絕緣塊2的上下方分別構(gòu)成上卡槽與下卡槽，下卡槽與車體I上方對應(yīng)設(shè)置，上卡槽與一號磁靴3對應(yīng)設(shè)置。
[0023]所述的下絕緣座6的上方設(shè)置U形上卡槽，下方設(shè)置弧形凹槽，U形上卡槽與車體I下方對應(yīng)設(shè)置，弧形凹槽與傳動導(dǎo)向桿7對應(yīng)設(shè)置。
[0024]所述的永磁體5采用3200-4500高斯的釤鈷磁鐵。
【權(quán)利要求】
1.一種真空磁控濺射鍍膜磁懸浮ITO薄膜裝載運(yùn)行裝置，是由:車體(I)、上絕緣塊(2)、一號磁靴(3)、倒U形磁鐵護(hù)套(4)、永磁體(5)、下絕緣座(6)、傳動導(dǎo)向桿(7)、高度調(diào)節(jié)槽(8)、夾桿(9)、ITO薄膜安裝區(qū)(10)構(gòu)成；其特征在于:車體(I)內(nèi)設(shè)置矩形空腔，車體(I)兩側(cè)設(shè)置至少兩個高度調(diào)節(jié)槽(8)，相同高度的兩個高度調(diào)節(jié)槽(8)之間設(shè)置夾桿(9);車體(I)上方設(shè)置至少五個上絕緣塊(2)，下方設(shè)置至少五個下絕緣座￠)，上絕緣塊(2)的上方與倒U形磁鐵護(hù)套⑷之間設(shè)置一號磁靴(3)，倒U形磁鐵護(hù)套⑷內(nèi)設(shè)置永磁體(5)，下絕緣座(6)下方設(shè)置傳動導(dǎo)向桿(7)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種真空磁控濺射鍍膜磁懸浮ITO薄膜裝載運(yùn)行裝置，其特征在于:相鄰的兩根夾桿(9)之間構(gòu)成ITO薄膜安裝區(qū)(10)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種真空磁控濺射鍍膜磁懸浮ITO薄膜裝載運(yùn)行裝置，其特征在于:所述的上絕緣塊(2)的剖面為H形，上絕緣塊(2)的上下方分別構(gòu)成上卡槽與下卡槽，下卡槽與車體(I)上方對應(yīng)設(shè)置，上卡槽與一號磁靴(3)對應(yīng)設(shè)置。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種真空磁控濺射鍍膜磁懸浮ITO薄膜裝載運(yùn)行裝置，其特征在于:所述的下絕緣座￠)的上方設(shè)置U形上卡槽，下方設(shè)置弧形凹槽，U形上卡槽與車體(I)下方對應(yīng)設(shè)置，弧形凹槽與傳動導(dǎo)向桿(7)對應(yīng)設(shè)置。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種真空磁控濺射鍍膜磁懸浮ITO薄膜裝載運(yùn)行裝置，其特征在于:所述的永磁體(5)采用3200-4500高斯的釤鈷磁鐵。
【文檔編號】C23C14-08GK204265845SQ201420770245
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