本發(fā)明屬于PCB加工技術(shù)領域，具體涉及一種基于磁控濺射技術(shù)的PCB板制備方法。
背景技術(shù)：
隨著集成電路發(fā)展，對集成電路封裝的要求也隨之提高，其中對封裝使用的印制電路板的要求也是向更高布線密度、更好的電性能和熱性能方向發(fā)展。為達到上述要求，開發(fā)高可靠性導通孔技術(shù)是關(guān)鍵，它對布線的密度和封裝后的電、熱性能都有著很大的影響。
目前電子產(chǎn)品的導電線路基板大都是經(jīng)過絕緣導熱熱處理后的金屬基板上制作 線路，但是這種電路板結(jié)構(gòu)越來越難以滿足高功率電子元件對散熱性的苛刻要求?，F(xiàn)有技 術(shù)中金屬基板印刷電路板通常包括金屬基板，在基板上形成的絕緣層，和絕緣層形成的金 屬導電電路；其中所述的絕緣層目前主要為樹脂等有機材料，雖然其絕緣性良好，但是導 熱性較差，難以滿足高功率電子元件對散熱的要求。因此，對于集成度越來越高的集成電路 板而言，其基板必須同時具備高熱傳導性、絕緣性和低的低膨脹系數(shù)。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
有鑒于此，本發(fā)明提供一種基于磁控濺射技術(shù)的PCB板制備方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處。
本發(fā)明的技術(shù)方案為：一種基于磁控濺射技術(shù)的PCB板制備方法，所述PCB板包括陶瓷基體、所述陶瓷基體上依次形成有通 過反應磁控濺射方法形成的金屬中間層，和在所述金屬中間層上形成的金屬導電層；其特征在于，其包括如下步驟：
S1.在已預先采用激光鉆孔的方式設有通孔的PCB板的基體，采用磁控濺射工藝在基體表面形成金屬中間層，再通過磁控濺射或電鍍的方式在中間層表面形成金屬導電層；
S2.采用磁控濺射工藝，將通孔完全填充滿稀有金屬，并使填充稀有金屬與基體第二面的金屬中間層相連，從而利用填充稀有金屬即實現(xiàn)基體上下相鄰線路層圖形之間的實心導通孔連接；
S3. 通過曝光顯影、圖形轉(zhuǎn)移、蝕刻形成PCB板表面電路；
S5. 檢測PCB板的參數(shù)，檢測合格即為PCB板成品；
步驟S1與S2中所述磁控濺射的工藝為：使用靶材為純度99 .99wt％以上的稀有金屬濺射靶，真空室的本底真空度為2×10-2Pa，Ar的流量為15sccm，He的流量為15sccm， N2的流量為15sccm，工作氣壓為10Pa，濺射靶的濺射功率為480W，沉積溫度為55℃，薄膜厚度為20μm，所述金屬基PCB板的耐擊穿電壓為8kV，沉積時間為25s，厚度為 100um；所述磁控濺射采用的稀有金屬為鎢,鉬,鉭,鉿,鈮中的任一種。
進一步的，所述陶瓷基體表面還設有感光薄膜，步驟S1中先通過感光薄膜在陶瓷基板形成線路圖層，在采用磁控濺射依據(jù)線路圖層將金屬中間層設置在陶瓷基板上。
更進一步的，所述感光薄膜由以下重量份計成分組成：聚乙烯基吡咯烷酮 37.4、二甲基丙烯酸二縮乙二醇酯 2.7、丙烯酰胺 3.1、丙烯酸二甲胺基乙酯 1.8、亞甲基藍 5.2、得克薩卟啉 12.4、BeO 2.9，Al2O3 4.2、磷酸三丁酯 5.4、二乙二醇二醋酸酯 3.5、肉豆蔻酰兩性基乙酸鈉 2.9、月桂酰胺丙基甜菜堿 3.2、5-氨基酮戊酸 2.3、間-四羥基苯基二氫卟酚 1.7。依據(jù)本發(fā)明的感光膜，可以通過本領域的任一現(xiàn)有技術(shù)在陶瓷基體表面形成清晰的線路圖層。
本發(fā)明的有益效果在于：本發(fā)明利用磁控濺射沉積技術(shù)，在陶瓷基體上沉積中間層金屬和金屬圖層， 通過先在陶瓷基體形成線路圖層圖案，在進一步增加金屬中間層和金屬線路層的方式，可有效提高PCB板的導熱性能，并減少了金屬的用料，尤其是貴金屬的使用量，節(jié)省了生產(chǎn)的成本，并以此作為線路板基體形成高集成度的集成PCB板。而且本發(fā)明的制備方法工藝參數(shù) 易于控制、步驟簡單，產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定可靠，通導性和導熱性好，生產(chǎn)效率高。
具體實施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實施例對本發(fā)明的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。
實施例
一種基于磁控濺射技術(shù)的PCB板制備方法，所述PCB板包括陶瓷基體、所述陶瓷基體上依次形成有通 過反應磁控濺射方法形成的金屬中間層，和在所述金屬中間層上形成的金屬導電層；其特征在于，其包括如下步驟：
S1.在已預先采用激光鉆孔的方式設有通孔的PCB板的基體，采用磁控濺射工藝在基體表面形成金屬中間層，再通過磁控濺射或電鍍的方式在中間層表面形成金屬導電層；
S2.采用磁控濺射工藝，將通孔完全填充滿稀有金屬，并使填充稀有金屬與基體第二面的金屬中間層相連，從而利用填充稀有金屬即實現(xiàn)基體上下相鄰線路層圖形之間的實心導通孔連接；
S3. 通過曝光顯影、圖形轉(zhuǎn)移、蝕刻形成PCB板表面電路；
S5. 檢測PCB板的參數(shù)，檢測合格即為PCB板成品；
步驟S1與S2中所述磁控濺射的工藝為：使用靶材為純度99 .99wt％以上的稀有金屬濺射靶，真空室的本底真空度為2×10-2Pa，Ar的流量為15sccm，He的流量為15sccm， N2的流量為15sccm，工作氣壓為10Pa，濺射靶的濺射功率為480W，沉積溫度為55℃，薄膜厚度為20μm，所述金屬基PCB板的耐擊穿電壓為8kV，沉積時間為25s，厚度為 100um；所述磁控濺射采用的稀有金屬為鎢,鉬,鉭,鉿,鈮中的任一種。
進一步的，所述陶瓷基體表面還設有感光薄膜，步驟S1中先通過感光薄膜在陶瓷基板形成線路圖層，在采用磁控濺射依據(jù)線路圖層將金屬中間層設置在陶瓷基板上。
更進一步的，所述感光薄膜由以下重量份計成分組成：聚乙烯基吡咯烷酮 37.4、二甲基丙烯酸二縮乙二醇酯 2.7、丙烯酰胺 3.1、丙烯酸二甲胺基乙酯 1.8、亞甲基藍 5.2、得克薩卟啉 12.4、BeO 2.9，Al2O3 4.2、磷酸三丁酯 5.4、二乙二醇二醋酸酯 3.5、肉豆蔻酰兩性基乙酸鈉 2.9、月桂酰胺丙基甜菜堿 3.2、5-氨基酮戊酸 2.3、間-四羥基苯基二氫卟酚 1.7。依據(jù)本發(fā)明的感光膜，可以通過本領域的任一現(xiàn)有技術(shù)在陶瓷基體表面形成清晰的線路圖層。
本實施例利用磁控濺射沉積技術(shù)，在陶瓷基體上沉積中間層金屬和金屬圖層， 通過先在陶瓷基體形成線路圖層圖案，在進一步增加金屬中間層和金屬線路層的方式，可有效提高PCB板的導熱性能，并減少了金屬的用料，尤其是貴金屬的使用量，節(jié)省了生產(chǎn)的成本，并以此作為線路板基體形成高集成度的集成PCB板。而且本發(fā)明的制備方法工藝參數(shù) 易于控制、步驟簡單，產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定可靠，通導性和導熱性好，生產(chǎn)效率高。
對于本領域技術(shù)人員而言，顯然本發(fā)明不限于上述示范性實施例的細節(jié)，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實現(xiàn)本發(fā)明。因此，無論從哪一點來看，均應將實施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本發(fā)明內(nèi)。
此外，應當理解，雖然本說明書按照實施方式加以描述，但并非每個實施方式僅包含一個獨立的技術(shù)方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領域技術(shù)人員應當將說明書作為一個整體，各實施例中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當組合，形成本領域技術(shù)人員可以理解的其他實施方式。本發(fā)明中所未詳細描述的技術(shù)細節(jié)，均可通過本領域中的任一現(xiàn)有技術(shù)實現(xiàn)。特別的，本發(fā)明中所有未詳細描述的技術(shù)特點均可通過任一現(xiàn)有技術(shù)實現(xiàn)。